KR20140018621A - 유기 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 제1 전극은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함하는 유기 발광 장치에 관한 것이다.

Description

유기 발광 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
유기 발광 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목받고 있다.
유기 발광 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
한편, 발광층에서 발광된 빛은 두 개의 전극 중 적어도 하나를 통과하여 외부로 방출된다. 이 경우 전극의 광학적 특성이 소자 효율에 영향을 미칠 수 있다.
일 구현예는 고투과율 저흡수율을 가지는 전극을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 제1 전극은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
상기 마그네슘(Mg)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 약 30 부피% 이하로 포함될 수 있다.
상기 마그네슘(Mg)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 약 5 부피% 내지 30 부피%로 포함될 수 있다.
상기 제1 전극은 이테르븀(Yb)을 더 포함할 수 있다.
상기 이테르븀(Yb)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 약 30 부피% 이하로 포함될 수 있다.
상기 이테르븀(Yb)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 약 5 내지 30 부피%로 포함될 수 있다.
상기 제1 전극은 약 30Å 내지 300Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 유기 발광 장치는 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 이테르븀(Yb)을 포함하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 보조층은 약 5Å 내지 50Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 약 450nm 내지 750nm 의 파장 영역에서 약 60% 이상의 광 투과율을 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 약 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 약 60% 내지 85%의 광 투과율을 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 약 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 약 40% 이하의 광 반사율을 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 약 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 약 15% 이하의 광 흡수율을 가질 수 있다.
상기 제2 전극은 반사 전극을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 백색 발광할 수 있다.
상기 제2 전극은 투명 전극을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 백색 발광할 수 있다.
상기 제1 전극은 캐소드일 수 있다.
전극의 광 흡수율을 낮춤으로써 외부로 발광되는 광 효율이 우수한 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이고,
도 2는 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고,
도 3은 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 반사율를 보여주는 그래프이고,
도 4는 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 흡수율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고,
도 6은 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 반사율을 보여주는 그래프이고,
도 7은 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 흡수율을 보여주는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1을 참고하여 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 기판(10), 하부 전극(20), 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함한다.
기판(10)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고 다른 하나는 애노드(anode)이다. 예컨대 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
상기 투명 전극은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함한다.
은(Ag)은 전기전도도가 높으면서 광 흡수율이 낮은 금속으로 전기적 특성 및 광학적 특성을 개선할 수 있다. 마그네슘(Mg)은 일 함수가 낮은 금속으로 전하 이동성을 개선할 수 있으며 전극 박막의 강도를 높여 신뢰성을 높일 수 있다.
이 때, 상기 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은 리치(Ag-rich) 합금일 수 있다.
상기 마그네슘(Mg)은 상기 은(Ag)- 마그네슘(Mg) 합금의 총 함량에 대하여 약 30 부피% 이하로 포함될 수 있으며, 예컨대 약 0.001 내지 30 부피%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 전극 박막의 안정성은 확보하면서도 광 투과율은 높이고 광 흡수율은 낮춤으로써 효율을 개선할 수 있다.
상기 범위 내에서 상기 마그네슘(Mg)은 약 5 내지 30 부피%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 용이하게 형성하면서도 효율을 개선할 수 있다.
상기 투명 전극은 이테르븀(Yb)을 더 포함할 수 있다. 이테르븀(Yb)은 일 함수(workfunction)가 비교적 낮아 발광층(30)으로 전자 주입이 용이하여 구동전압을 낮출 수 있으며, 가시 광선 영역에서 흡수율이 낮아 광 투과도가 개선될 수 있다.
상기 이테르븀(Yb)은 상기 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금의 총 함량에 대하여 약 30 부피% 이하로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 이테르븀(Yb)은 상기 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금의 총 함량에 대하여 약 5 내지 30 부피%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 전극 박막의 안정성을 유지하면서 전자 주입을 원활하게 하여 구동전압을 감소시킬 수 있다.
상기 투명 전극은 약 30Å 내지 300Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 광 투과율 및 저저항 특성을 동시에 만족할 수 있다.
상기 투명 전극은 약 550nm의 파장 영역에서 약 75% 이상의 광 투과율을 가질 수 있다. 상기 투명 전극은 가시광선 영역, 약 450 내지 750nm의 파장 영역에서 약 60% 내지 85%의 광 투과율을 가질 수 있다.
상기 투명 전극은 약 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 약 40% 이하의 광 반사율을 가질 수 있고, 상기 파장 영역에서 약 15% 이하의 광 흡수율을 가질 수 있다. 이와 같이 상기 투명 전극이 비교적 낮은 범위의 광 반사율 및 광 흡수율을 가짐으로써 외부로 발광되는 광 효율을 높일 수 있다.
하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우, 하나는 상술한 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 전극이고 다른 하나는 상술한 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 또는 투명 도전성 산화물로 만들어진 전극일 수 있다. 상기 투명 도전성 산화물은 예컨대 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 또는 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO) 등을 들 수 있다.
하부 전극(20) 및 상부 전극(40) 중 하나가 투명 전극인 경우, 투명 전극은 상술한 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어질 수 있고 다른 하나는 불투명 도전체로 만들어진 반사 전극일 수 있다. 불투명 도전체는 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 이들의 합금 또는 이들의 조합과 같은 금속을 포함할 수 있다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브 화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에는 발광층(30)의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층(50)을 포함한다. 도면에서는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에만 도시하였지만 이에 한정되지 않고 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치하거나 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이 및 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 모두 위치할 수도 있다.
보조층(50)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
보조층(50)은 전자 주입층 또는 전자 수송층으로서 이테르븀(Yb)을 포함할 수 있다.
이테르븀(Yb)은 전술한 바와 같이 일 함수가 비교적 낮아 발광층(30)으로 전자 주입이 용이하고, 가시 광선 영역에서 굴절률 및 흡수율이 낮아 광 투과도가 높다.
이테르븀(Yb)을 포함하는 보조층(50)은 약 5Å 내지 50Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 광 투과율을 높이면서도 전하 이동성을 높여 효율을 개선할 수 있다.
상기 투명 전극은 반사 전극과 함께 미세공진(microcavity)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광층(30)에서 발광한 빛이 소정 간격으로 떨어져 있는 투명 전극과 반사 전극 사이에서 반복적으로 반사되고 이러한 빛들 사이에 강한 간섭 효과를 일으킴으로써 특정 파장의 빛을 증폭시켜 광 효율을 높일 수 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
투명 박막의 형성
실시예 1-1
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5(vol%)의 비율로 열 증착(thermal evaporation) 방법으로 형성하여 60Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 1-2
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 80Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 1-3
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 100Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 1-4
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 120Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 2-1
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 90Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 2-2
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 90:10(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 90Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 2-3
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 85:15(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 90Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 2-4
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 80:20(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 90Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
실시예 2-5
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 75:25(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 90Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
비교예 1
유리 기판 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 10:90(vol%)의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 115Å 두께의 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 형성하였다.
평가: 광 투과율, 광 반사율, 광 흡수율
실시예 1-1 내지 2-5와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 투과율, 광 반사율 및 광 흡수율을 측정하였다. 측정 방법은 자외선-가시광선 분광법(UV-visible spectrophotometery)으로 측정하였다.
그 결과는 도 2 내지 도 7과 같다.
도 2는 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고, 도 3은 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 반사율을 보여주는 그래프이고, 도 4는 실시예 1-1 내지 1-4와 비교예 1에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 흡수율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고, 도 6은 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 반사율을 보여주는 그래프이고, 도 7은 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막의 광 흡수율을 보여주는 그래프이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 실시예 1-1 내지 1-4에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막은 비교예 3에 따른 박막과 대비하여 광 투과율은 높아지고 광 반사율 및 광 흡수율은 낮아지는 것을 알 수 있다.
이는 실시예 1-1 내지 1-4에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막을 전극으로 사용시 광 투과율은 개선되고 전극 표면에서 반사되거나 전극에 의해 흡수되는 빛의 양을 감소시켜 효율을 개선할 수 있음을 의미한다.
특히 약 550nm의 파장 기준으로 실시예 1-1 내지 1-4에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막은 약 75% 이상의 광 투과율을 보이고, 약 450 내지 750nm의 파장 영역에서 약 30% 이하의 광 반사율 및 약 12% 이하의 광 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
한편, 도 5 내지 도 7을 참고하면, 실시예 2-1 내지 2-5에 따른 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금 박막은 약 550nm의 파장 기준으로 약 60% 이상의 광 투과율을 보이고, 약 450 내지 750nm의 파장 영역에서 약 30% 이하의 광 반사율 및 약 15% 이하의 광 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
유기 발광 소자의 제작
실시예 3-1
유리 기판 위에 ITO 애노드를 스퍼터링으로 형성한 후 패터닝하였다. 이어서 적색 발광물질인 트리페닐아민 유도체, 청색 발광물질인 페릴렌 유도체, 녹색 발광물질인 플루오렌 유도체를 차례로 증착하여 발광층을 형성한 후 전자 수송층으로 리튬퀴놀레이트를 증착하였다. 이어서 그 위에 이테르븀(Yb)을 15Å 두께로 증착하고 그 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 95:5의 비율로 열 증착 방법으로 형성하여 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 80Å 두께로 형성하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3-2
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 90:10의 비율로 형성된 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3-3
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 85:15의 비율로 형성된 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3-4
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 80:20의 비율로 형성된 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3-5
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 70:30의 비율로 형성된 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 2
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 10:90의 비율로 형성하여 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 3
은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 40:60의 비율로 형성하여 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 만들어진 캐소드를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
평가: 유기 발광 소자의 효율
실시예 3-1 내지 3-5와 비교예 2에 따른 유기 발광 소자의 백색 발광효율을 평가하였다. 효율은 색 좌표를 맞추고 휘도계(CA210, 미놀타)로 측정하였으며, 단위는 Cd/A이다.
그 결과는 표 1과 같다.
백색 발광 효율(Cd/A) 효율 상승분(%)(ref. 대비)
실시예 3-1 29.4 14.6
실시예 3-2 29.1 13.3
실시예 3-3 28.8 12.4
실시예 3-4 28.4 10.8
실시예 3-5 27.2 6.1
비교예 2 25.6 0
비교예 3 25.1 -2.0
표 1을 참고하면, 실시예 3-1 내지 3-5에 따른 유기 발광 소자는 비교예 2 (ref.) 및 비교예 3에 따른 유기 발광 소자와 비교하여 약 15% 이상의 효율이 개선되었음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
10: 기판 20: 하부 전극
30: 발광층 40: 상부 전극
50: 보조층

Claims (16)

  1. 제1 전극,
    상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층
    을 포함하고,
    상기 제1 전극은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함하는 유기 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 마그네슘(Mg)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 30 부피% 이하로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 마그네슘(Mg)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 5 부피% 내지 30 부피%로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 이테르븀(Yb)을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 이테르븀(Yb)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 30 부피% 이하로 포함되는 유기 발광 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 이테르븀(Yb)은 상기 합금의 총 함량에 대하여 5 부피% 내지 30 부피% 로 포함되는 유기 발광 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 30Å 내지 300Å의 두께를 가지는 유기 발광 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 이테르븀(Yb)을 포함하는 보조층을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 보조층은 5Å 내지 50Å의 두께를 가지는 유기 발광 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 550nm의 파장 영역에서 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 60% 이상의 광 투과율을 가지는 유기 발광 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 60% 내지 85%의 광 투과율을 가지는 유기 발광 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 40% 이하의 광 반사율을 가지는 유기 발광 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 450nm 내지 750nm의 파장 영역에서 15% 이하의 광 흡수율을 가지는 유기 발광 장치.
  14. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 반사 전극을 포함하고,
    상기 발광층은 백색 발광하는
    유기 발광 장치.
  15. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 투명 전극을 포함하고,
    상기 발광층은 백색 발광하는
    유기 발광 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 캐소드인 유기 발광 장치.
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