KR20140101506A - 유기 발광 장치 - Google Patents

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KR20140101506A
KR20140101506A KR20130014685A KR20130014685A KR20140101506A KR 20140101506 A KR20140101506 A KR 20140101506A KR 20130014685 A KR20130014685 A KR 20130014685A KR 20130014685 A KR20130014685 A KR 20130014685A KR 20140101506 A KR20140101506 A KR 20140101506A
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light emitting
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황규환
윤석규
김응도
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김원종
송영우
이종혁
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Abstract

제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 제1 전극은 사마리움(Sm)을 포함하는 유기 발광 장치에 관한 것이다.

Description

유기 발광 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
유기 발광 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목받고 있다.
유기 발광 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
한편, 발광층에서 발광된 빛은 두 개의 전극 중 적어도 하나를 통과하여 외부로 방출된다. 이 경우 전극의 광학적 특성이 소자 효율에 영향을 미칠 수 있다.
일 구현예는 고투과율을 가지는 전극을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 제1 전극은 사마리움(Sm)을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
상기 제1 전극은 사마리움(Sm), 그리고 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속의 합금을 포함하는 단일층일 수 있다.
상기 단일층은 약 30Å 내지 150Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 사마리움(Sm)을 포함하는 제1 층, 그리고 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속의 합금을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
상기 제1 층은 약 5Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있고, 상기 제2 층은 약 30Å 내지 150Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 합금은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 약 1:100 내지 약 100:1의 부피비로 포함될 수 있다.
상기 합금은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 약 1:100 내지 약 20:100의 부피비로 포함될 수 있다.
상기 제1 전극은 약 450nm 내지 700nm의 파장 영역에서 약 60% 이상의 광 투과율을 가질 수 있다.
상기 제1 전극은 450nm 내지 700nm의 파장 영역에서 약 60% 내지 95%의 광 투과율을 가질 수 있다.
상기 제2 전극은 반사 전극을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 백색 발광할 수 있다.
상기 제2 전극은 투명 전극을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 백색 발광할 수 있다.
상기 제1 전극은 캐소드일 수 있다.
전극의 광 투과율을 높임으로써 광 효율이 우수한 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이고,
도 3은 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 투과율을 보여주는 그래프이고,
도 4는 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 반사율을 보여주는 그래프이고,
도 5는 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 흡수율을 보여주는 그래프이고,
도 6은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 투과율을 보여주는 그래프이고,
도 7은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 반사율을 보여주는 그래프이고,
도 8은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 흡수율을 보여주는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1을 참고하여 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 기판(10), 하부 전극(20), 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함한다.
기판(10)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고 다른 하나는 애노드(anode)이다. 예컨대 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
상기 투명 전극은 사마리움(Sm)을 포함할 수 있다. 사마리움(Sm)은 유기층과의 접착성(adhesion)이 우수할 뿐만 아니라, 낮은 일 함수로 인하여 전자 주입 특성을 높일 수 있다. 또한 사마리움(Sm)은 은(Ag)과 같은 금속의 응집(aggregation)을 효과적으로 방지하여 금속의 응집으로 인해 전극의 투과도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 투명 전극은 사마리움(Sm) 합금일 수 있으며, 상기 사마리움(Sm) 합금은 사마리움(Sm) 외에, 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 루테늄(Ru) 또는 이들의 합금에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 사마리움(Sm) 합금은 예컨대 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 약 1:100 내지 100:1의 부피비로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 약 1:100 내지 20:100의 부피비로 포함될 수 있다.
상기 투명 전극은 상기 사마리움(Sm) 합금을 포함하는 단일 층일 수 있다. 이 경우, 상기 단일층은 약 30Å 내지 150Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 적절한 공진으로 고효율을 유지하면서 투과율도 향상시킬 수 있다.
상기 투명 전극은 가시광선 영역, 특히 약 450nm 내지 700nm의 파장 영역에서 약 60% 이상의 광 투과율을 가질 수 있다. 상기 범위 내에서 약 60% 내지 95%, 그 중에서도 약 60% 내지 85%의 광 투과율을 가질 수 있다.
하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우, 하나는 상술한 사마리움(Sm) 합금으로 만들어진 전극이고 다른 하나는 상술한 사마리움(Sm) 합금 또는 투명 도전성 산화물로 만들어진 전극일 수 있다. 투명 도전성 산화물은 예컨대 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 또는 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO) 등일 수 있다.
하부 전극(20) 및 상부 전극(40) 중 하나가 투명 전극인 경우, 투명 전극은 상술한 사마리움(Sm) 합금으로 만들어진 전극이고 다른 하나는 불투명 도전체로 만들어진 반사 전극일 수 있다. 불투명 도전체는 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 이들의 합금 또는 이들의 조합과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 투명 전극은 상기 반사 전극과 함께 미세공진(microcavity)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광층(30)에서 발광한 빛이 소정 간격으로 떨어져 있는 투명 전극과 반사 전극 사이에서 반복적으로 반사되고 이러한 빛들 사이에 강한 간섭 효과를 일으킴으로써 특정 파장의 빛을 증폭시켜 광 효율을 높일 수 있다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에는 발광층(30)의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층(50)을 포함한다. 도면에서는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에만 도시하였지만 이에 한정되지 않고 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치할 수 있고 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이 및 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치할 수도 있다.
보조층(50)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
이하 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치에 대하여 도 2를 참고하여 설명한다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 구현예에 따른 유기 발광 장치는 전술한 구현예와 마찬가지로 기판(10), 하부 전극(20), 발광층(30), 상부 전극(40) 및 보조층(50)을 포함한다.
그러나 전술한 구현예와 달리, 상부 전극(40)이 복수 층(40a, 40b)을 포함한다. 여기서는 상부 전극(40)이 상기 투명 전극인 경우를 예를 들어 상부 전극(40)이 복수 층인 구조를 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 하부 전극(20)이 투명 전극인 경우에는 하부 전극(20)이 복수 층의 구조를 가질 수 있고 하부 전극(20)과 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 양면 발광 구조인 경우에는 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나가 복수 층의 구조를 가질 수 있다.
상기 투명 전극은 사마리움(Sm)을 포함하는 제1 층, 그리고 상기 사마리움(Sm)과 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 루테늄(Ru) 또는 이들의 합금에서 선택된 적어도 하나의 금속의 합금을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
이 때, 상기 사마리움(Sm) 합금은 예컨대 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 약 1:100 내지 100:1의 부피비로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 약 1:100 내지 20:100의 부피비로 포함될 수 있다. 사마리움(Sm)과 상기 금속이 상기 비율로 포함됨으로써 투과율 및 전자 주입 특성을 효율적으로 개선할 수 있다.
이와 같이 상기 투명 전극이 사마리움(Sm)을 포함하는 제1 층과 상기 사마리움(Sm) 합금을 포함하는 제2 층을 포함함으로써, 전자주입이 원활하여 발광 구동전압을 낮출 수 있다.
이 경우, 상기 제1 층은 약 5Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있고, 상기 제2 층은 약 30Å 내지 150Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 알맞은 공진으로 고효율을 유지하면서 투과율도 향상시킬 수 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
투명 박막의 형성
실시예 1
유리 기판 위에 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95의 부피비율로 열증착(thermal evaporator)하여 8.0nm 두께의 사마리움-은 합금(AgSm) 박막을 형성하였다.
실시예 2
유리 기판 위에 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95의 부피비율로 열증착하여 14.0nm 두께의 사마리움-은 합금(AgSm) 박막을 형성하였다.
실시예 3
유리 기판 위에 1.5 nm 두께의 사마리움(Sm) 박막과 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95의 부피비율로 포함한 8.0nm 두께의 사마리움-은 합금(AgSm) 박막을 열증착 방법으로 형성하여 이중층의 박막을 형성하였다.
실시예 4
유리 기판 위에 1.5 nm 두께의 사마리움(Sm) 박막과 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95의 부피비율로 포함한 13.0nm 두께의 사마리움-은 합금(AgSm) 박막을 열증착 방법으로 형성하여 이중층의 박막을 형성하였다.
비교예 1
유리 기판 위에 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 90:10의 부피비율로 열증착 방식을 이용하여 12.0nm 두께의 마그네슘(Mg)-은(Ag) 합금 박막을 형성하였다.
평가: 광 투과율, 반사율, 흡수율
실시예 1 내지 4와 비교예 1에 따른 박막의 광 투과율, 반사율 및 흡수율을 측정하였다. 광 투과율, 반사율 및 흡수율은 UV visible spectrophotometer을 사용하여 측정하였다.
그 결과는 도 3 내지 도 8과 같다.
도 3은 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고, 도 4는 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 반사율을 보여주는 그래프이고, 도 5는 실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 박막의 흡수율을 보여주는 그래프이고, 도 6은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 광 투과율을 보여주는 그래프이고, 도 7은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 반사율을 보여주는 그래프이고, 도 8은 실시예 3, 4와 비교예 1에 따른 박막의 흡수율을 보여주는 그래프이다.
도 3 내지 도 8을 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 박막은 비교예 1에 따른 박막과 비교하여 광 투과율이 높고 반사율 및 흡수율이 낮은 것을 알 수 있다. 이는 실시예 1 내지 4에 따른 박막을 전극으로 사용시 발광층에서 나오는 빛이 전극에 의해 반사 또는 흡수되어 손실되는 양을 줄이고 전극을 통과하여 외부로 나오는 광량을 증가시켜 효율을 개선할 수 있음을 의미한다.
유기 발광 소자의 제작
실시예 5
유리 기판 위에 ITO 애노드를 스퍼터링으로 형성한 후 패터닝하였다. 상기 기판 상부에 m-MTDATA를 진공 증착하여 정공 주입층을 750Å두께로 형성한다.  이어서 상기 정공 주입층 상부에 α-NPD를 150Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성한다.  정공 수송층을 형성한 후, 이 정공 수송층 상부에 적색 발광층인 트리페닐아민 유도체, 녹색 발광층인 플루오렌 유도체 및 청색 발광층인 페릴렌 유도체를 각각 400Å, 200Å, 200Å의 두께로 형성한다.
이어서 상기 발광층 상부에 Alq3를 진공 증착하여 200Å두께의 전자 수송층을 형성한다. 이어서 그 위에 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95의 부피비율로 열증착 방법으로 증착하여 90Å 두께의 사마리움(Sm)-은(Ag) 합금으로 만들어진 캐소드를 형성하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 6
사마리움(Sm)-은(Ag) 합금으로 만들어진 캐소드 대신 1.5nm 두께의 사마리움(Sm) 층과 사마리움(Sm)과 은(Ag)을 5:95 부피비율로 증착한 9.0nm 두께의 사마리움(Sm)-은(Ag) 합금층을 포함한 이중층의 캐소드를 형성한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 2
사마리움(Sm)-은(Ag) 합금으로 만들어진 캐소드 대신 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 10:1 부피비율로 열증착 방법으로 형성하여 13.0nm 두께의 마그네슘(Mg)-은(Ag) 합금으로 만들어진 캐소드를 형성한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
평가: 유기 발광 소자의 효율
실시예 5, 6과 비교예 2에 따른 유기 발광 소자의 백색 효율을 평가하였다. 효율은 CA210으로 평가하였으며, 비교예 2를 기준(ref.)으로 하여 상대적인 효율 상승분을 평가하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
백색 발광 효율(cd/A) 효율 상승분(%)(ref. 대비)
실시예 5 24.5 10.6
실시예 6 26.0 15.7
비교예 2 (ref.) 21.9 0
표 1을 참고하면, 실시예 5, 6에 따른 유기 발광 소자는 비교예 2(ref.)에 따른 유기 발광 소자와 비교하여 효율이 개선되었음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
10: 기판 20: 하부 전극
30: 발광층 40: 상부 전극
40a: 제1 층 40b: 제2 층
50: 보조층

Claims (13)

  1. 제1 전극,
    상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층
    을 포함하고,
    상기 제1 전극은 사마리움(Sm)을 포함하는 유기 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 전극은
    사마리움(Sm), 그리고
    은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 유기 발광 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 전극은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속의 합금을 포함하는 단일층인 유기 발광 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 단일층은 30Å 내지 150Å의 두께를 가지는 유기 발광 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 제1 전극은
    사마리움(Sm)을 포함하는 제1 층, 그리고
    상기 사마리움(Sm)과 상기 금속의 합금을 포함하는 제2 층
    을 포함하는 유기 발광 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 층은 5Å 내지 100Å의 두께를 가지고,
    상기 제2 층은 30Å 내지 150Å의 두께를 가지는
    유기 발광 장치.
  7. 제3항 또는 제5항에서,
    상기 합금은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 1:100 내지 100:1의 부피비로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 합금은 상기 사마리움(Sm)과 상기 금속이 1:100 내지 20:100의 부피비로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 450nm 내지 700nm의 파장 영역에서 60% 이상의 광 투과율을 가지는 유기 발광 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제1 전극은 450nm 내지 700nm의 파장 영역에서 60% 내지 95%의 광 투과율을 가지는 유기 발광 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 반사 전극을 포함하고,
    상기 발광층은 백색 발광하는
    유기 발광 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 투명 전극을 포함하고,
    상기 발광층은 백색 발광하는
    유기 발광 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 제1 전극은 캐소드인 유기 발광 장치.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2828076B2 (ja) 1996-11-19 1998-11-25 日本電気株式会社 発光素子用電極およびその製造方法並びにその電極を有するel素子とその製造方法
EP0966050A3 (de) * 1998-06-18 2004-11-17 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Organische Leuchtdiode
JP3776600B2 (ja) * 1998-08-13 2006-05-17 Tdk株式会社 有機el素子
TW562849B (en) * 1999-12-27 2003-11-21 Sumitomo Chemical Co Method for making a polymeric fluorescent element and polymeric fluorescent light emitting element
KR100488428B1 (ko) 2003-05-30 2005-05-11 전자부품연구원 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법
EP3413369A1 (en) * 2003-09-19 2018-12-12 Sony Corporation Organic light emitting display
TW200736170A (en) * 2006-02-07 2007-10-01 Sumitomo Chemical Co Organic electroluminescence device
KR101276662B1 (ko) 2006-06-30 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100864882B1 (ko) * 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100981969B1 (ko) * 2008-08-18 2010-09-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5434931B2 (ja) * 2009-02-09 2014-03-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた照明装置
KR101156429B1 (ko) * 2009-06-01 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
US8404500B2 (en) * 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
KR101127767B1 (ko) 2009-12-09 2012-03-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR20120004193A (ko) 2010-07-06 2012-01-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101608234B1 (ko) 2010-11-09 2016-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101846410B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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