JPH10162960A - 有機ｅｌ発光素子 - Google Patents
有機ｅｌ発光素子Info
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- JPH10162960A JPH10162960A JP8331634A JP33163496A JPH10162960A JP H10162960 A JPH10162960 A JP H10162960A JP 8331634 A JP8331634 A JP 8331634A JP 33163496 A JP33163496 A JP 33163496A JP H10162960 A JPH10162960 A JP H10162960A
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- positive electrode
- organic
- light emitting
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止層を設けることなく、コントラスト
を改善でき、低コストの有機ＥＬ発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板を有し、この基板上に、陽電
極、発光層および陰電極が順次形成されており、前記陽
電極は発光波長帯域での光透過率が３０〜７０％となる
ように、錫および／または亜鉛と、鉄とをドープした酸
化インジウムを含有する有機ＥＬ発光素子とした。
を改善でき、低コストの有機ＥＬ発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板を有し、この基板上に、陽電
極、発光層および陰電極が順次形成されており、前記陽
電極は発光波長帯域での光透過率が３０〜７０％となる
ように、錫および／または亜鉛と、鉄とをドープした酸
化インジウムを含有する有機ＥＬ発光素子とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機化合物を用いた有
機ＥＬ発光素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）に関
し、さらに詳細には、発光層に正孔を供給する陽電極に
関する。
機ＥＬ発光素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）に関
し、さらに詳細には、発光層に正孔を供給する陽電極に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機ＥＬ発光素子が盛んに研究さ
れている。これは、例えば図３に示すように、ガラス基
板２１上に形成された錫ドープ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）などの透明電極（陽電極）２２’上にテトラフェニ
ルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着等に
より薄膜２３とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａ
ｌｑ3 ）などの蛍光物質を発光層２４として積層し、さ
らにＭｇなどの仕事関数の小さな金属電極（陰電極）２
５を形成した基本構成を有する素子で、１０V 前後の電
圧で数１００〜１０００cd/cm2ときわめて高い輝度が得
られることで注目されている。
れている。これは、例えば図３に示すように、ガラス基
板２１上に形成された錫ドープ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）などの透明電極（陽電極）２２’上にテトラフェニ
ルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着等に
より薄膜２３とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａ
ｌｑ3 ）などの蛍光物質を発光層２４として積層し、さ
らにＭｇなどの仕事関数の小さな金属電極（陰電極）２
５を形成した基本構成を有する素子で、１０V 前後の電
圧で数１００〜１０００cd/cm2ときわめて高い輝度が得
られることで注目されている。
【０００３】このような有機ＥＬ素子の陰電極として用
いられる材料は、発光層へ電子を多く注入するものが有
効であると考えられている。換言すれば、仕事関数の小
さい材料ほど陰電極として適していると言える。仕事関
数の小さい材料としては種々のものがあるが、ＥＬ発光
素子の陰電極として用いられるものとしては、例えば特
開平４−２３３１９４号公報に記載されているＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ等の合金や、アルカリ金属と仕事関数の大
きな金属との組み合わせとしてＡｌＣａ、ＡｌＬｉ等が
知られている。
いられる材料は、発光層へ電子を多く注入するものが有
効であると考えられている。換言すれば、仕事関数の小
さい材料ほど陰電極として適していると言える。仕事関
数の小さい材料としては種々のものがあるが、ＥＬ発光
素子の陰電極として用いられるものとしては、例えば特
開平４−２３３１９４号公報に記載されているＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ等の合金や、アルカリ金属と仕事関数の大
きな金属との組み合わせとしてＡｌＣａ、ＡｌＬｉ等が
知られている。
【０００４】有機ＥＬ素子が上記図３のような構造の場
合、陰電極２５側には透光性がないため、陽電極２２'
側から発光光を取り出すこととなる。ところで、陰電極
２５は上記のように金属等で構成されているため、光を
反射する。したがって、発光層から生じた光の一部は、
この陰電極２５で反射されて陽電極２２' 側からの出射
光の一部となり、発光輝度の増大に寄与する。
合、陰電極２５側には透光性がないため、陽電極２２'
側から発光光を取り出すこととなる。ところで、陰電極
２５は上記のように金属等で構成されているため、光を
反射する。したがって、発光層から生じた光の一部は、
この陰電極２５で反射されて陽電極２２' 側からの出射
光の一部となり、発光輝度の増大に寄与する。
【０００５】一方、陰電極２５で反射した光は散乱され
るため、発光層２４からの光とは出射角が異なり、ディ
スプレイとして使用した場合など、非発光領域、あるい
は光遮蔽領域にまで散乱光が回り込み、コントラストを
低下させる要因となっていた。特に、照明の強い環境
や、太陽光の下で使用する場合、外部から進入した太陽
光等の強い光が反射光となり、さらにコントラストを低
下させ、非常に見難い画面を生じる要因となっていた。
るため、発光層２４からの光とは出射角が異なり、ディ
スプレイとして使用した場合など、非発光領域、あるい
は光遮蔽領域にまで散乱光が回り込み、コントラストを
低下させる要因となっていた。特に、照明の強い環境
や、太陽光の下で使用する場合、外部から進入した太陽
光等の強い光が反射光となり、さらにコントラストを低
下させ、非常に見難い画面を生じる要因となっていた。
【０００６】コントラストを改善する方法として、例え
ば基板の有機ＥＬ素子形成面と反対側に反射防止層を設
けて、コントラストの低下を防止するといった対策が考
えられる。しかし、このような反射防止層を余分に設け
ると、製造工程や、部品点数が増加し、有機ＥＬ素子の
コストの増大を招くという問題がある。
ば基板の有機ＥＬ素子形成面と反対側に反射防止層を設
けて、コントラストの低下を防止するといった対策が考
えられる。しかし、このような反射防止層を余分に設け
ると、製造工程や、部品点数が増加し、有機ＥＬ素子の
コストの増大を招くという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、反射
防止層を設けることなく、コントラストの低下を防止で
き、低コストの有機ＥＬ発光素子を提供することであ
る。
防止層を設けることなく、コントラストの低下を防止で
き、低コストの有機ＥＬ発光素子を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。 （１） 透明基板を有し、この基板上に、陽電極、発光
層および陰電極が順次形成されており、前記陽電極は発
光波長帯域での光透過率が３０〜７０％である有機ＥＬ
発光素子。 （２） 前記陽電極は錫および／または亜鉛と、鉄とを
ドープした酸化インジウムを含有する上記（１）の有機
ＥＬ発光素子。 （３） 前記陽電極は、それぞれ酸素欠乏型の錫および
／または亜鉛をドープした酸化インジウムである上記
（３）の有機ＥＬ発光素子。 （４） 前記陽電極と基板との間に透明電極を有する上
記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ発光素子。
の本発明により達成される。 （１） 透明基板を有し、この基板上に、陽電極、発光
層および陰電極が順次形成されており、前記陽電極は発
光波長帯域での光透過率が３０〜７０％である有機ＥＬ
発光素子。 （２） 前記陽電極は錫および／または亜鉛と、鉄とを
ドープした酸化インジウムを含有する上記（１）の有機
ＥＬ発光素子。 （３） 前記陽電極は、それぞれ酸素欠乏型の錫および
／または亜鉛をドープした酸化インジウムである上記
（３）の有機ＥＬ発光素子。 （４） 前記陽電極と基板との間に透明電極を有する上
記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ発光素子。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１０】本発明の有機ＥＬ発光素子は、透明基板上
に、陽電極、発光層および陰電極の順に形成され、かつ
前記陽電極の発光波長帯域での光透過率を３０〜７０％
としたものである。
に、陽電極、発光層および陰電極の順に形成され、かつ
前記陽電極の発光波長帯域での光透過率を３０〜７０％
としたものである。
【００１１】半透明陽電極としては、錫ドープ酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺ
Ｏ）、錫・亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＴＺＯ）等の
透明材質を主成分とするが、特にＩＴＯあるいはＩＺ
Ｏ、とりわけＩＴＯがドーパントとしての着色成分との
親和性、光透過率の調製の容易さの点で優れている。半
透明陽電極の光透過率は３０〜７０％、好ましくは４０
〜６０％の範囲である。光透過率が７０％を超えるとコ
ントラストの低下を防止できる効果がなくなる。光透過
率が３０％未満になると、発光層からの発光自体が減衰
され、発光素子として必要な輝度が得られない。ここで
光透過率とは、発光波長帯域を含む少なくとも１００nm
の波長帯域、特に好ましくは４００〜７００nmの波長帯
域での、入射光と出射光の比をいい、輝度とは通常、例
えばトプコン社製の輝度計等により測定され、コントラ
ストとは、このような輝度計により測定される発光部と
非発光部の輝度の比をいう。
ジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺ
Ｏ）、錫・亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＴＺＯ）等の
透明材質を主成分とするが、特にＩＴＯあるいはＩＺ
Ｏ、とりわけＩＴＯがドーパントとしての着色成分との
親和性、光透過率の調製の容易さの点で優れている。半
透明陽電極の光透過率は３０〜７０％、好ましくは４０
〜６０％の範囲である。光透過率が７０％を超えるとコ
ントラストの低下を防止できる効果がなくなる。光透過
率が３０％未満になると、発光層からの発光自体が減衰
され、発光素子として必要な輝度が得られない。ここで
光透過率とは、発光波長帯域を含む少なくとも１００nm
の波長帯域、特に好ましくは４００〜７００nmの波長帯
域での、入射光と出射光の比をいい、輝度とは通常、例
えばトプコン社製の輝度計等により測定され、コントラ
ストとは、このような輝度計により測定される発光部と
非発光部の輝度の比をいう。
【００１２】半透明陽電極は、（１）前記透明材質に着
色成分をドープしたもの、（２）前記透明材質の酸化物
を酸素欠乏型にしたものが好ましい。
色成分をドープしたもの、（２）前記透明材質の酸化物
を酸素欠乏型にしたものが好ましい。
【００１３】（１）ドープする着色成分としてはＦｅで
ある。ドープ後に生じた酸化鉄はＦｅＯであってもＦｅ
2 Ｏ3 であってもよい。上記透過率の半透明陽電極とす
るには、例えば透明材質がＩＴＯ、ＩＺＯの場合、これ
らに対しＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3がＦｅ換算で、１〜１５重
量％の範囲で含有されていることが好ましい。その際、
透明材質のうちＩＴＯでは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ＩｎＯX ・ＳｎＯY とすると、Ｘは
１．０〜２．０、Ｙは０．８〜１．２の範囲が好まし
い。Ｉｎ2 Ｏ3 に対しＳｎＯの混合比は、モル％で１〜
２０％が好ましく、さらには５〜１２％が好ましい。Ｉ
ＺＯでは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＺｎＯとを化学量論組成で
含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。
ＩｎＯZ ・ＺｎＯV とすると、Ｚは１．０〜２．０、Ｖ
は０．８〜１．２の範囲が好ましい。Ｉｎ2 Ｏ3 に対し
ＺｎＯの混合比は、モル％で１〜２０％が好ましく、さ
らには５〜１２％が好ましい。ＩＴＯ、ＩＺＯともにそ
の他にＳｎ、Ｔｉ、Ｐｂ等が酸化物の形で、酸化物換算
にして１モル％以下含まれていてもよい。さらに、これ
らＩＴＯとＩＺＯの混合物であってもよく、その場合の
混合比は任意である。
ある。ドープ後に生じた酸化鉄はＦｅＯであってもＦｅ
2 Ｏ3 であってもよい。上記透過率の半透明陽電極とす
るには、例えば透明材質がＩＴＯ、ＩＺＯの場合、これ
らに対しＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3がＦｅ換算で、１〜１５重
量％の範囲で含有されていることが好ましい。その際、
透明材質のうちＩＴＯでは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ＩｎＯX ・ＳｎＯY とすると、Ｘは
１．０〜２．０、Ｙは０．８〜１．２の範囲が好まし
い。Ｉｎ2 Ｏ3 に対しＳｎＯの混合比は、モル％で１〜
２０％が好ましく、さらには５〜１２％が好ましい。Ｉ
ＺＯでは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＺｎＯとを化学量論組成で
含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。
ＩｎＯZ ・ＺｎＯV とすると、Ｚは１．０〜２．０、Ｖ
は０．８〜１．２の範囲が好ましい。Ｉｎ2 Ｏ3 に対し
ＺｎＯの混合比は、モル％で１〜２０％が好ましく、さ
らには５〜１２％が好ましい。ＩＴＯ、ＩＺＯともにそ
の他にＳｎ、Ｔｉ、Ｐｂ等が酸化物の形で、酸化物換算
にして１モル％以下含まれていてもよい。さらに、これ
らＩＴＯとＩＺＯの混合物であってもよく、その場合の
混合比は任意である。
【００１４】（２）透明材質を酸素欠乏型として、上記
透過率の半透明陽電極とするには、透明材質がＩＴＯ、
ＩＺＯの場合、錫／インジウムおよび亜鉛／インジウム
は０．５〜２倍であって、ＩＴＯまたはＩＺＯにＩｎ、
Ｓｎ、Ｚｎの１種以上を１〜２０重量％過剰にドープさ
せたものが好ましい。
透過率の半透明陽電極とするには、透明材質がＩＴＯ、
ＩＺＯの場合、錫／インジウムおよび亜鉛／インジウム
は０．５〜２倍であって、ＩＴＯまたはＩＺＯにＩｎ、
Ｓｎ、Ｚｎの１種以上を１〜２０重量％過剰にドープさ
せたものが好ましい。
【００１５】このような半透明陽電極の厚さは、電荷注
入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好まし
くは５０〜５００nm、さらには５０〜３００の範囲が好
ましい。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚
いと剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造
時の膜強度や電子輸送能力の点で問題がある。
入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好まし
くは５０〜５００nm、さらには５０〜３００の範囲が好
ましい。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚
いと剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造
時の膜強度や電子輸送能力の点で問題がある。
【００１６】この半透明陽電極層は蒸着法等によっても
形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成するこ
とが好ましい。
形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成するこ
とが好ましい。
【００１７】半透明陽電極、特に酸素欠乏型の半透明陽
電極とする場合、発光層と反対側の面に透明電極層を設
けてもよい。
電極とする場合、発光層と反対側の面に透明電極層を設
けてもよい。
【００１８】このような透明電極としては、前記透明材
質としてのＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられる。この透明電
極の厚さは、電荷注入を十分行える一定以上の厚さを有
すれば良く、好ましくは５０〜５００nm、さらには５０
〜３００の範囲が好ましい。また、その上限は特に制限
はないが、あまり厚いと剥離などの心配が生じる。厚さ
が薄すぎると、製造時の膜強度や電子輸送能力の点で問
題がある。この透明電極は蒸着法などによっても形成で
きるが、半透明陽電極等との連続製膜が可能な点で、ス
パッタ法が好ましい。なお、この積層タイプの陽電極の
光透過率も３０〜７０％の範囲である。
質としてのＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられる。この透明電
極の厚さは、電荷注入を十分行える一定以上の厚さを有
すれば良く、好ましくは５０〜５００nm、さらには５０
〜３００の範囲が好ましい。また、その上限は特に制限
はないが、あまり厚いと剥離などの心配が生じる。厚さ
が薄すぎると、製造時の膜強度や電子輸送能力の点で問
題がある。この透明電極は蒸着法などによっても形成で
きるが、半透明陽電極等との連続製膜が可能な点で、ス
パッタ法が好ましい。なお、この積層タイプの陽電極の
光透過率も３０〜７０％の範囲である。
【００１９】このような、半透明陽電極層と、透明電極
層とからなる陽電極全体の厚さは、５０nm以上、好まし
くは１００nm以上とすればよい。また、その上限値には
特に制限はないが、１０００μm 以下、好ましくは１０
０μm 以下でよい。
層とからなる陽電極全体の厚さは、５０nm以上、好まし
くは１００nm以上とすればよい。また、その上限値には
特に制限はないが、１０００μm 以下、好ましくは１０
０μm 以下でよい。
【００２０】半透明陽電極、透明電極の形成にスパッタ
法を用いる場合、好ましくはＩｎ2Ｏ3 にＳｎＯやＺｎ
Ｏ、あるいはこれに加えてＦｅをドープしたターゲット
を用いたＤＣスパッタ、あるいはＲＦスパッタ法により
形成することが好ましい。スパッタ法により陰電極を成
膜した場合、蒸着により成膜したものより発光輝度の経
時変化が少ない。その投入電力としては、好ましくは
０．１〜４Ｗ／cm2 の範囲が好ましい。
法を用いる場合、好ましくはＩｎ2Ｏ3 にＳｎＯやＺｎ
Ｏ、あるいはこれに加えてＦｅをドープしたターゲット
を用いたＤＣスパッタ、あるいはＲＦスパッタ法により
形成することが好ましい。スパッタ法により陰電極を成
膜した場合、蒸着により成膜したものより発光輝度の経
時変化が少ない。その投入電力としては、好ましくは
０．１〜４Ｗ／cm2 の範囲が好ましい。
【００２１】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。
【００２２】透明電極に酸化鉄をドープする方法として
は、ターゲットに、Ｆｅ、ＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等をＩＴ
ＯやＩＺＯに混入したものを用いる。ドーパントの混入
率は、Ｆｅの場合、０．３〜３０重量％、ＦｅＯの場
合、０．３〜３０重量％が好ましい。
は、ターゲットに、Ｆｅ、ＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等をＩＴ
ＯやＩＺＯに混入したものを用いる。ドーパントの混入
率は、Ｆｅの場合、０．３〜３０重量％、ＦｅＯの場
合、０．３〜３０重量％が好ましい。
【００２３】本発明の有機ＥＬ素子の第１の構成例を図
１に、第２の構成例を図２に示す。図１に示されるＥＬ
素子は、基板２１上に、半透明陽電極としての陽電極２
２、正孔注入・輸送層２３、発光および電子注入輸送層
２４、陰電極２５を順次有する。また、図２に示される
有機ＥＬ素子は陽電極２２に、半透明陽電極２２ａと、
透明電極２２ｂとを用いたものである。
１に、第２の構成例を図２に示す。図１に示されるＥＬ
素子は、基板２１上に、半透明陽電極としての陽電極２
２、正孔注入・輸送層２３、発光および電子注入輸送層
２４、陰電極２５を順次有する。また、図２に示される
有機ＥＬ素子は陽電極２２に、半透明陽電極２２ａと、
透明電極２２ｂとを用いたものである。
【００２４】本発明のＥＬ素子は、図示例に限らず、種
々の構成とすることができ、例えば発光層と陰電極との
間に電子注入輸送層を介在させた構成とすることもでき
る。
々の構成とすることができ、例えば発光層と陰電極との
間に電子注入輸送層を介在させた構成とすることもでき
る。
【００２５】陰電極は蒸着やスパッタ法により成膜し、
発光層等の有機物層は真空蒸着等により、陽電極は上記
の方法により成膜することができるが、これらの膜のそ
れぞれは、必要に応じてマスク蒸着または膜形成後にエ
ッチングなどの方法によってパターニングでき、これに
よって、所望の発光パターンを得ることができる。さら
には、基板が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、そ
のパターンに応じて各膜を形成することでそのまま表示
および駆動パターンとすることもできる。最後に、Ｓｉ
ＯX 等の無機材料、テフロン等の有機材料からなる保護
層を形成すればよい。
発光層等の有機物層は真空蒸着等により、陽電極は上記
の方法により成膜することができるが、これらの膜のそ
れぞれは、必要に応じてマスク蒸着または膜形成後にエ
ッチングなどの方法によってパターニングでき、これに
よって、所望の発光パターンを得ることができる。さら
には、基板が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、そ
のパターンに応じて各膜を形成することでそのまま表示
および駆動パターンとすることもできる。最後に、Ｓｉ
ＯX 等の無機材料、テフロン等の有機材料からなる保護
層を形成すればよい。
【００２６】陰電極の構成材料としては、電子注入を効
果的に行うために、低仕事関数の物質として、例えば、
Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素
単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２
成分、３成分の合金系を用いることが好ましい。合金系
としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０at％）、
Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１０at％）、Ｉｎ・Ｍｇ
（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２
０at％）等が好ましい。
果的に行うために、低仕事関数の物質として、例えば、
Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素
単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２
成分、３成分の合金系を用いることが好ましい。合金系
としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０at％）、
Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１０at％）、Ｉｎ・Ｍｇ
（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２
０at％）等が好ましい。
【００２７】また、陰電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすればよく、５０nm以上、好
ましくは１００nm以上とすればよい。また、その上限値
には特に制限はないが、通常膜厚は１００〜５００nm程
度とすればよい。
分行える一定以上の厚さとすればよく、５０nm以上、好
ましくは１００nm以上とすればよい。また、その上限値
には特に制限はないが、通常膜厚は１００〜５００nm程
度とすればよい。
【００２８】保護層は、透明であっても不透明であって
もよく、透明とする場合には、透明な材料（例えばＳｉ
Ｏ2 、ＳＩＡＬＯＮ等）を選択して用いるか、あるいは
厚さを制御して透明（好ましくは発光光の透過率が８０
％以上）となるようにすればよい。一般に、保護層の厚
さは５０〜１２００nm程度とする。保護層の形成方法に
ついては特に限定するものではなく、蒸着等でもよい
が、スパッタ法によれば、陰電極との連続製膜が可能で
ある。
もよく、透明とする場合には、透明な材料（例えばＳｉ
Ｏ2 、ＳＩＡＬＯＮ等）を選択して用いるか、あるいは
厚さを制御して透明（好ましくは発光光の透過率が８０
％以上）となるようにすればよい。一般に、保護層の厚
さは５０〜１２００nm程度とする。保護層の形成方法に
ついては特に限定するものではなく、蒸着等でもよい
が、スパッタ法によれば、陰電極との連続製膜が可能で
ある。
【００２９】次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機
物層について述べる。
物層について述べる。
【００３０】発光層は、正孔（ホール）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電
子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電
子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
【００３１】電荷輸送層は、陽電極からの正孔の注入を
容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げ
る機能を有し、正孔注入輸送層とも称される。
容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げ
る機能を有し、正孔注入輸送層とも称される。
【００３２】このほか、必要に応じ、例えば発光層に用
いる化合物の電子注入輸送機能がさほど高くないときな
ど、前述のように、発光層と陰電極との間に、陰電極か
らの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能
および正孔を妨げる機能を有する電子注入輸送層を設け
てもよい。
いる化合物の電子注入輸送機能がさほど高くないときな
ど、前述のように、発光層と陰電極との間に、陰電極か
らの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能
および正孔を妨げる機能を有する電子注入輸送層を設け
てもよい。
【００３３】正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、
発光層へ注入される正孔や電子を増大・閉じ込めさせ、
再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
発光層へ注入される正孔や電子を増大・閉じ込めさせ、
再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
【００３４】なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送
層は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送機能
を持つ層とに別個に設けてもよい。
層は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送機能
を持つ層とに別個に設けてもよい。
【００３５】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、５〜１００nm程度、特に１０
〜１００nmとすることが好ましい。
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、５〜１００nm程度、特に１０
〜１００nmとすることが好ましい。
【００３６】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は２０nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で１００nm程度、輸送層で１００
nm程度である。このような膜厚については注入輸送層を
２層設けるときも同じである。
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は２０nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で１００nm程度、輸送層で１００
nm程度である。このような膜厚については注入輸送層を
２層設けるときも同じである。
【００３７】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
【００３８】本発明のＥＬ素子の発光層には発光機能を
有する化合物である蛍光性物質を含有させる。この蛍光
性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９２号
公報等に開示されているようなトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の金属錯体色素が挙げられる。この
他、これに加え、あるいは単体で、キナクリドン、クマ
リン、ルブレン、スチリル系色素、その他テトラフェニ
ルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１
２−フタロペリノン誘導体等を用いることもできる。発
光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、こ
のような場合はトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム等を使用することが好ましい。これらの蛍光性物質を
蒸着等すればよい。
有する化合物である蛍光性物質を含有させる。この蛍光
性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９２号
公報等に開示されているようなトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の金属錯体色素が挙げられる。この
他、これに加え、あるいは単体で、キナクリドン、クマ
リン、ルブレン、スチリル系色素、その他テトラフェニ
ルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１
２−フタロペリノン誘導体等を用いることもできる。発
光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、こ
のような場合はトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム等を使用することが好ましい。これらの蛍光性物質を
蒸着等すればよい。
【００３９】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等
の有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘
導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、
ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。
上述のように、電子注入輸送層は発光層を兼ねたもので
あってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電子
注入輸送層の形成も発光層と同様に蒸着等によればよ
い。
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等
の有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘
導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、
ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。
上述のように、電子注入輸送層は発光層を兼ねたもので
あってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電子
注入輸送層の形成も発光層と同様に蒸着等によればよ
い。
【００４０】なお、電子注入輸送層を電子注入層と電子
輸送層とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いること
ができる。このとき、陰電極側から電子親和力の値の大
きい化合物の層の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。
輸送層とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いること
ができる。このとき、陰電極側から電子親和力の値の大
きい化合物の層の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。
【００４１】また、正孔注入輸送層には、例えば、特開
昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４
号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６
８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５
−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物（テトラアリールジアミ
ンないしテトラフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三
級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、ト
リアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有
するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等であ
る。これらの化合物は２種以上を併用してもよく、併用
するときは別層にして積層したり、混合したりすればよ
い。
昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４
号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６
８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５
−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物（テトラアリールジアミ
ンないしテトラフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三
級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、ト
リアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有
するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等であ
る。これらの化合物は２種以上を併用してもよく、併用
するときは別層にして積層したり、混合したりすればよ
い。
【００４２】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽電極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテ
ンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ま
しい。また陽電極表面には薄膜性の良好な化合物を用い
ることが好ましい。このような積層順については、正孔
注入輸送層を２層以上設けるときも同様である。このよ
うな積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電
流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐこ
とができる。また、素子化する場合、蒸着を用いている
ので１〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフ
リーとすることができるため、正孔注入層にイオン化ポ
テンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物
を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低
下を防ぐことができる。
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽電極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテ
ンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ま
しい。また陽電極表面には薄膜性の良好な化合物を用い
ることが好ましい。このような積層順については、正孔
注入輸送層を２層以上設けるときも同様である。このよ
うな積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電
流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐこ
とができる。また、素子化する場合、蒸着を用いている
ので１〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフ
リーとすることができるため、正孔注入層にイオン化ポ
テンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物
を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低
下を防ぐことができる。
【００４３】正孔注入輸送層は、発光層等と同様に上記
の化合物を蒸着すればよい。
の化合物を蒸着すればよい。
【００４４】本発明において、陽電極として用いられる
透明電極は、好ましくは発光した光の透過率が８０％以
上となるように陽電極の材料および厚さを決定すること
が好ましい。具体的には、例えば、錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺ
Ｏ）、ＳｎＯ2 、ドーパントをドープしたポリピロール
などを陽電極に用いることが好ましい。また、陽電極の
厚さは１０〜５００nm程度とすることが好ましい。ま
た、素子の信頼性を向上させるために駆動電圧が低いこ
とが必要である。
透明電極は、好ましくは発光した光の透過率が８０％以
上となるように陽電極の材料および厚さを決定すること
が好ましい。具体的には、例えば、錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺ
Ｏ）、ＳｎＯ2 、ドーパントをドープしたポリピロール
などを陽電極に用いることが好ましい。また、陽電極の
厚さは１０〜５００nm程度とすることが好ましい。ま
た、素子の信頼性を向上させるために駆動電圧が低いこ
とが必要である。
【００４５】基板材料としては、基板側から発光した光
を取り出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜
や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を
用いて発光色をコントロールしてもよい。
を取り出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜
や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を
用いて発光色をコントロールしてもよい。
【００４６】基板上に半透明陽電極あるいは透明電極と
半透明陽電極を形成し、その上にアルミキノリノール錯
体などの発光材料を積層し、さらに、陰電極を積層し、
最後に保護膜として、ＳｉＯ2 膜などをスパッタ法にて
形成した発光素子は、陽電極と反射防止層とが一体とし
て形成できるため、製造工数、部品点数を削減でき、低
コストの有機ＥＬ素子を提供できる。なお、陽電極に光
の透過率を制限する半透明陽電極を用いることで、発光
層からの発光光も減衰されるが、外部からの入射光は２
度半透明陽電極を通過することとなり、発光した光と反
射光との輝度の差が大きくなり、コントラストが改善さ
れる。
半透明陽電極を形成し、その上にアルミキノリノール錯
体などの発光材料を積層し、さらに、陰電極を積層し、
最後に保護膜として、ＳｉＯ2 膜などをスパッタ法にて
形成した発光素子は、陽電極と反射防止層とが一体とし
て形成できるため、製造工数、部品点数を削減でき、低
コストの有機ＥＬ素子を提供できる。なお、陽電極に光
の透過率を制限する半透明陽電極を用いることで、発光
層からの発光光も減衰されるが、外部からの入射光は２
度半透明陽電極を通過することとなり、発光した光と反
射光との輝度の差が大きくなり、コントラストが改善さ
れる。
【００４７】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、５〜２
０V程度とされる。
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、５〜２
０V程度とされる。
【００４８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４９】＜実施例１＞ 〔半透明陽電極の製膜〕ガラス基板上にＤＣスパッタ法
にて、半透明陽電極を１００nmの厚さに製膜し、半透明
電極とした。
にて、半透明陽電極を１００nmの厚さに製膜し、半透明
電極とした。
【００５０】このときのターゲットにはＩｎ2 Ｏ3 にＳ
ｎＯ2 （１０モル％）とＦｅ2 Ｏ3（５重量％）とを混
入したものを用い、スパッタガスにはＡｒを用い、ガス
圧は１Paとした。また、動作温度は８０℃、投入電力は
１Ｗ／cm2 、基板・ターゲット間は８cmであった。膜組
成はＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 が１０モル％、そしてこの中
にＦｅが５重量％含有されていた。このときの、４００
〜７００nmの波長帯域での光の透過率は約５０％であつ
た。
ｎＯ2 （１０モル％）とＦｅ2 Ｏ3（５重量％）とを混
入したものを用い、スパッタガスにはＡｒを用い、ガス
圧は１Paとした。また、動作温度は８０℃、投入電力は
１Ｗ／cm2 、基板・ターゲット間は８cmであった。膜組
成はＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 が１０モル％、そしてこの中
にＦｅが５重量％含有されていた。このときの、４００
〜７００nmの波長帯域での光の透過率は約５０％であつ
た。
【００５１】〔有機ＥＬ素子の作製〕次いで中性洗剤、
アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタ
ノール中から引き上げて乾燥した。この半透明陽電極表
面をＵＶ／Ｏ3 洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定して、槽内を１×１０-4Pa以下まで減圧した。
アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタ
ノール中から引き上げて乾燥した。この半透明陽電極表
面をＵＶ／Ｏ3 洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定して、槽内を１×１０-4Pa以下まで減圧した。
【００５２】次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミ
ノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ）を蒸着速度０．２
nm/secで５５nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とし
た。
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミ
ノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ）を蒸着速度０．２
nm/secで５５nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とし
た。
【００５３】さらに、減圧を保ったまま、Ａｌｑ3 ：ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．
２nm/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発
光層とした。
リス（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．
２nm/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発
光層とした。
【００５４】次いで、真空蒸着装置からスパッタ装置に
移し、Ａｇ・Ｍｇをターゲットとして、ＤＣスパッタ法
により陰電極を、レート１０nm／min で、１５０nmの厚
さに成膜した。このときのスパッタガスにはＡｒを用
い、ガス圧は１Paとした。また投入電力は、１００Ｗ、
基板・ターゲット間は８cmであった。
移し、Ａｇ・Ｍｇをターゲットとして、ＤＣスパッタ法
により陰電極を、レート１０nm／min で、１５０nmの厚
さに成膜した。このときのスパッタガスにはＡｒを用
い、ガス圧は１Paとした。また投入電力は、１００Ｗ、
基板・ターゲット間は８cmであった。
【００５５】最後にＳｉＯ2 を２００nmの厚さにスパッ
タして保護層として、有機薄膜発光素子（ＥＬ素子）を
得た。
タして保護層として、有機薄膜発光素子（ＥＬ素子）を
得た。
【００５６】この有機薄膜発光素子に直流電圧を印加
し、１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初期
には、８．５V 、２００cd/cm2の緑色（発光極大波長λ
max ＝５２０nm）の発光が確認できた。輝度の半減時間
は５００時間で、その間の駆動電圧の上昇は１V であっ
た。また、ダークスポットの出現および成長は全くなか
った。さらにその後も電流リークを起こさず、安定した
発光を継続した。
し、１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初期
には、８．５V 、２００cd/cm2の緑色（発光極大波長λ
max ＝５２０nm）の発光が確認できた。輝度の半減時間
は５００時間で、その間の駆動電圧の上昇は１V であっ
た。また、ダークスポットの出現および成長は全くなか
った。さらにその後も電流リークを起こさず、安定した
発光を継続した。
【００５７】＜実施例２＞実施例１の有機ＥＬ素子にお
いて、陽電極として酸素欠乏型の半透明陽電極を以下の
ように製膜する他は同様にして有機ＥＬ素子を得た。
いて、陽電極として酸素欠乏型の半透明陽電極を以下の
ように製膜する他は同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【００５８】このときのターゲットにはＩｎ2 Ｏ3 にＳ
ｎＯ2 （１０モル％）を混入したものを用い、スパッタ
ガスにはＡｒを流量５０sccm、Ｈ２を流量５sccmで用
い、動作温度１００℃、投入電力は１Ｗ／cm2 、基板・
ターゲット間は８cmであった。膜組成はＩｎ2 Ｏ3 ＋Ｓ
ｎＯ2 （１０モル％）にＩｎ・Ｓｎが７重量％過剰に検
出された。このときの、４００〜７００nmの波長帯域で
の光の透過率は約５０％であつた。
ｎＯ2 （１０モル％）を混入したものを用い、スパッタ
ガスにはＡｒを流量５０sccm、Ｈ２を流量５sccmで用
い、動作温度１００℃、投入電力は１Ｗ／cm2 、基板・
ターゲット間は８cmであった。膜組成はＩｎ2 Ｏ3 ＋Ｓ
ｎＯ2 （１０モル％）にＩｎ・Ｓｎが７重量％過剰に検
出された。このときの、４００〜７００nmの波長帯域で
の光の透過率は約５０％であつた。
【００５９】＜実施例３＞実施例１、２において、ＩＴ
ＯをＩＺＯ（ＺｎＯ５モル％）にかえたところ、ほぼ同
等の結果を得た。
ＯをＩＺＯ（ＺｎＯ５モル％）にかえたところ、ほぼ同
等の結果を得た。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、特別な反射防止層を設
けることなくコントラストの改善が図れ、しかも低コス
トの有機ＥＬ素子が可能となる。
けることなくコントラストの改善が図れ、しかも低コス
トの有機ＥＬ素子が可能となる。
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の第１の構成例を示す概
念図である。
念図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の第２の構成例を示す概
念図である。
念図である。
【図３】従来の有機ＥＬ素子の構成例を示す概念図であ
る。
る。
２１ 基板 ２２ 陽電極 ２２ａ 半透明陽電極 ２２ｂ 透明電極 ２３ 正孔注入・輸送層 ２４ 発光層 ２５ 陰電極
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板を有し、この基板上に、陽電
極、発光層および陰電極が順次形成されており、 前記陽電極は発光波長帯域での光透過率が３０〜７０％
である有機ＥＬ発光素子。 - 【請求項２】 前記陽電極は錫および／または亜鉛と、
鉄とをドープした酸化インジウムを含有する請求項１の
有機ＥＬ発光素子。 - 【請求項３】 前記陽電極は、それぞれ酸素欠乏型の錫
および／または亜鉛をドープした酸化インジウムである
請求項１の有機ＥＬ発光素子。 - 【請求項４】 前記陽電極と基板との間に透明電極を有
する請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331634A JPH10162960A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 有機ｅｌ発光素子 |
| EP97309569A EP0845925A3 (en) | 1996-11-27 | 1997-11-27 | Organic electroluminescent light emitting device |
| US08/980,274 US5952779A (en) | 1996-11-27 | 1997-11-28 | Organic electroluminescent light emitting device comprising an anode having a light transmittance of 30 to 70% |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331634A JPH10162960A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 有機ｅｌ発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162960A true JPH10162960A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18245857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8331634A Pending JPH10162960A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 有機ｅｌ発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5952779A (ja) |
| EP (1) | EP0845925A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10162960A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063929A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Nec Corporation | Dispositif électroluminescent organique |
| JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
| KR100735786B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2007-07-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
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