JP2000208277A - 有機el素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の有機物質を用いたホール注入輸送層を
有する素子以上の性能を有し、長寿命で、耐候性を備
え、安定性が高く、高効率で、しかも安価な有機EL素
子を実現する。 【解決手段】 ホール注入電極と、陰電極と、これらの
電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記有
機層は発光機能を有する発光層を有し、かつこの発光層
とホール注入電極との間にはホール輸送性の有機物質を
含有するホール注入輸送層と、無機物質により形成され
ている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、前記無機絶
縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/またはゲル
マニウムの酸化物を主成分とし、その主成分の平均組成
を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である有機EL素子とした。
有する素子以上の性能を有し、長寿命で、耐候性を備
え、安定性が高く、高効率で、しかも安価な有機EL素
子を実現する。 【解決手段】 ホール注入電極と、陰電極と、これらの
電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記有
機層は発光機能を有する発光層を有し、かつこの発光層
とホール注入電極との間にはホール輸送性の有機物質を
含有するホール注入輸送層と、無機物質により形成され
ている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、前記無機絶
縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/またはゲル
マニウムの酸化物を主成分とし、その主成分の平均組成
を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である有機EL素子とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL(電界発
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物の薄膜に電界を
印加して光を放出する素子に用いられる無機/有機接合
構造に関する。
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物の薄膜に電界を
印加して光を放出する素子に用いられる無機/有機接合
構造に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に有機EL素子は、ガラス基板上に
ITOなどの透明電極を形成し、その上に有機アミン系
のホール輸送層、電子導電性を示しかつ強い発光を示
す、例えばAlq3 材からなる有機発光層を積層し、さ
らに、MgAgなどの仕事関数の小さい電極を形成した
構造の基本素子としている。
ITOなどの透明電極を形成し、その上に有機アミン系
のホール輸送層、電子導電性を示しかつ強い発光を示
す、例えばAlq3 材からなる有機発光層を積層し、さ
らに、MgAgなどの仕事関数の小さい電極を形成した
構造の基本素子としている。
【0003】これまでに報告されている素子構造として
は、ホール注入電極及び電子注入電極の間に1層または
複数層の有機化合物層が挟まれた構造となっており、有
機化合物層としては、2層構造あるいは3層構造があ
る。
は、ホール注入電極及び電子注入電極の間に1層または
複数層の有機化合物層が挟まれた構造となっており、有
機化合物層としては、2層構造あるいは3層構造があ
る。
【0004】2層構造の例としては、ホール注入電極と
電子注入電極の間にホール輸送層と発光層が形成された
構造、または、ホール注入電極と電子注入電極の間に発
光層と電子輸送層が形成された構造がある。3層構造の
例としては、ホール注入電極と電子注入電極の間にホー
ル輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造があ
る。また、単一層に全ての役割を持たせた単層構造も高
分子や混合系で報告されている。
電子注入電極の間にホール輸送層と発光層が形成された
構造、または、ホール注入電極と電子注入電極の間に発
光層と電子輸送層が形成された構造がある。3層構造の
例としては、ホール注入電極と電子注入電極の間にホー
ル輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造があ
る。また、単一層に全ての役割を持たせた単層構造も高
分子や混合系で報告されている。
【0005】図3および図4に、有機EL素子の代表的
な構造を示す。図3では、基板11上に設けられたホー
ル注入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物で
あるホール輸送層14と発光層15が形成されている。
この場合、発光層15は、電子輸送層の機能も果たして
いる。
な構造を示す。図3では、基板11上に設けられたホー
ル注入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物で
あるホール輸送層14と発光層15が形成されている。
この場合、発光層15は、電子輸送層の機能も果たして
いる。
【0006】図4では、基板11上に設けられたホール
注入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物であ
るホール輸送層14と発光層15と電子輸送層16が形
成されている。
注入電極12と電子注入電極13の間に有機化合物であ
るホール輸送層14と発光層15と電子輸送層16が形
成されている。
【0007】これら有機EL素子において、発光効率を
向上させる試みも種々なされている。しかしながら、従
来の素子構成ではホール注入輸送層での電子ブロック性
が劣る等して、発光層における効果的な再結合を行うこ
とが困難であり、十分満足しうる効率の素子を得ること
が困難であった。
向上させる試みも種々なされている。しかしながら、従
来の素子構成ではホール注入輸送層での電子ブロック性
が劣る等して、発光層における効果的な再結合を行うこ
とが困難であり、十分満足しうる効率の素子を得ること
が困難であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の有機物質を用いたホール注入輸送層を有する素子以上
の性能を有し、長寿命で、耐候性を備え、安定性が高
く、高効率で、しかも安価な有機EL素子を実現するこ
とである。
の有機物質を用いたホール注入輸送層を有する素子以上
の性能を有し、長寿命で、耐候性を備え、安定性が高
く、高効率で、しかも安価な有機EL素子を実現するこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。 (1) ホール注入電極と、陰電極と、これらの電極間
に設けられた2種以上の有機層とを有し、前記有機層の
少なくとも一方は発光機能を有する発光層であり、かつ
この発光層とホール注入電極との間にはホール輸送性の
有機物質を含有するホール注入輸送層と、無機物質によ
り形成されている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、
前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/
またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、その主成分
の平均組成を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である有機EL素子。 (2) 前記無機絶縁性ホール注入輸送層の膜厚は、5
nm以下である上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、発光層と
ホール輸送性の有機物質を含有するホール注入輸送層と
の間に形成されている上記(1)または(2)の有機E
L素子。
の本発明により達成される。 (1) ホール注入電極と、陰電極と、これらの電極間
に設けられた2種以上の有機層とを有し、前記有機層の
少なくとも一方は発光機能を有する発光層であり、かつ
この発光層とホール注入電極との間にはホール輸送性の
有機物質を含有するホール注入輸送層と、無機物質によ
り形成されている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、
前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/
またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、その主成分
の平均組成を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である有機EL素子。 (2) 前記無機絶縁性ホール注入輸送層の膜厚は、5
nm以下である上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、発光層と
ホール輸送性の有機物質を含有するホール注入輸送層と
の間に形成されている上記(1)または(2)の有機E
L素子。
【0010】
【発明の実施の形態】ホール注入電極と、陰電極と、こ
れらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、
前記有機層は発光機能を有する発光層を有し、かつこの
発光層とホール注入電極との間にはホール輸送性の有機
物質を含有するホール注入輸送層と、無機物質により形
成されている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、前記
無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/また
はゲルマニウムの酸化物を主成分とし、その主成分の平
均組成を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である。
れらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、
前記有機層は発光機能を有する発光層を有し、かつこの
発光層とホール注入電極との間にはホール輸送性の有機
物質を含有するホール注入輸送層と、無機物質により形
成されている無機絶縁性ホール注入輸送層を有し、前記
無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/また
はゲルマニウムの酸化物を主成分とし、その主成分の平
均組成を、(Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である。
【0011】このように、ホール注入輸送層を有機−無
機の2層構造とすることにより、電子のブロック性を飛
躍的に向上させることができる。また、無機絶縁性ホー
ル注入輸送層の主成分である酸化物を酸素プアとし、酸
素空位を生成させることにより、ホール注入電極から発
光層側の有機層へ効率よくホールを注入することができ
る。しかも、有機層(有機層)からホール注入電極への
電子の移動を抑制することができ、発光層でのホールと
電子との再結合を効率よく行わせることができる。特
に、時分割駆動方式など、高い発光輝度が要求されるデ
ィスプレイに効果的に応用でき、無機材料の有するメリ
ットと、有機材料の有するメリットとを併せもった有機
EL素子とすることができる。本発明の有機EL素子
は、従来の有機ホール注入層を有する素子と同等かそれ
以上の輝度が得られ、しかも、耐熱性、耐候性が高いの
で従来のものよりも寿命が長く、リークやダークスポッ
トの発生も少ない。また、比較的高価な有機物質ばかり
ではなく、安価で入手しやすく、製造が容易な無機材料
を用いているので、製造コストを低減することもでき
る。
機の2層構造とすることにより、電子のブロック性を飛
躍的に向上させることができる。また、無機絶縁性ホー
ル注入輸送層の主成分である酸化物を酸素プアとし、酸
素空位を生成させることにより、ホール注入電極から発
光層側の有機層へ効率よくホールを注入することができ
る。しかも、有機層(有機層)からホール注入電極への
電子の移動を抑制することができ、発光層でのホールと
電子との再結合を効率よく行わせることができる。特
に、時分割駆動方式など、高い発光輝度が要求されるデ
ィスプレイに効果的に応用でき、無機材料の有するメリ
ットと、有機材料の有するメリットとを併せもった有機
EL素子とすることができる。本発明の有機EL素子
は、従来の有機ホール注入層を有する素子と同等かそれ
以上の輝度が得られ、しかも、耐熱性、耐候性が高いの
で従来のものよりも寿命が長く、リークやダークスポッ
トの発生も少ない。また、比較的高価な有機物質ばかり
ではなく、安価で入手しやすく、製造が容易な無機材料
を用いているので、製造コストを低減することもでき
る。
【0012】酸素の含有量を表すyは、上記組成範囲と
なっていればよく、1超であって2以下である。yがこ
れより大きくても、yがこれより小さくてもホール注入
能が低下し、輝度が低下してくる。また、好ましくは
1.4以上であって1.99、特に1.7以上1.99
以下、さらには1.7以上1.96以下である。
なっていればよく、1超であって2以下である。yがこ
れより大きくても、yがこれより小さくてもホール注入
能が低下し、輝度が低下してくる。また、好ましくは
1.4以上であって1.99、特に1.7以上1.99
以下、さらには1.7以上1.96以下である。
【0013】無機絶縁性ホール注入輸送層は、酸化ケイ
素でも酸化ゲルマニウムでもよく、それらの混合薄膜で
もよい。これらの組成比を表すxは、0≦x≦1であ
る。また、好ましくはxは0.4以下、より好ましくは
0.3以下、特に0.2以下であることが好ましい。
素でも酸化ゲルマニウムでもよく、それらの混合薄膜で
もよい。これらの組成比を表すxは、0≦x≦1であ
る。また、好ましくはxは0.4以下、より好ましくは
0.3以下、特に0.2以下であることが好ましい。
【0014】あるいは、xは好ましくは0.6以上、よ
り好ましくは0.7以上、特に0.8以上であってもよ
い。
り好ましくは0.7以上、特に0.8以上であってもよ
い。
【0015】上記酸素の含有量は膜中の平均組成であ
り、XRD、ラザフォード後方散乱等により得られる。
り、XRD、ラザフォード後方散乱等により得られる。
【0016】無機絶縁性ホール注入輸送層には、他に、
不純物として、スパッタガスに用いるNe、Ar、K
r、Xe等を好ましくは合計10at%以下、より好まし
くは0.01〜2wt%、特に0.05〜1.5wt%程度
含有していてもよい。これらの元素は1種でも2種以上
を含有していてもよく、これらを2種以上用いる場合の
混合比は任意である。
不純物として、スパッタガスに用いるNe、Ar、K
r、Xe等を好ましくは合計10at%以下、より好まし
くは0.01〜2wt%、特に0.05〜1.5wt%程度
含有していてもよい。これらの元素は1種でも2種以上
を含有していてもよく、これらを2種以上用いる場合の
混合比は任意である。
【0017】これらの元素はスパッタガスとして使用さ
れ、無機絶縁性ホール注入輸送層成膜時に混入する。こ
れらの元素の含有量が多くなるとトラップ効果が極端に
低下し、所望の性能が得られない。
れ、無機絶縁性ホール注入輸送層成膜時に混入する。こ
れらの元素の含有量が多くなるとトラップ効果が極端に
低下し、所望の性能が得られない。
【0018】スパッタガスの含有量は、成膜時の圧力
と、スパッタガスと酸素の流量比、成膜レート等によ
り、特に成膜時の圧力で決められる。スパッタガスの含
有量を上記範囲とするためには、高真空側で成膜した方
が好ましく、具体的には、1Pa以下、特に0.1〜1Pa
の範囲が好ましい。
と、スパッタガスと酸素の流量比、成膜レート等によ
り、特に成膜時の圧力で決められる。スパッタガスの含
有量を上記範囲とするためには、高真空側で成膜した方
が好ましく、具体的には、1Pa以下、特に0.1〜1Pa
の範囲が好ましい。
【0019】なお、無機絶縁性ホール注入輸送層全体の
平均値としてこのような組成であれば、均一でなくても
よく、膜厚方向に濃度勾配を有する構造としてもよい。
この場合は、有機層(発光層)界面側が酸素プアである
ことが好ましい。
平均値としてこのような組成であれば、均一でなくても
よく、膜厚方向に濃度勾配を有する構造としてもよい。
この場合は、有機層(発光層)界面側が酸素プアである
ことが好ましい。
【0020】無機絶縁性ホール注入輸送層は、通常、非
晶質状態である。
晶質状態である。
【0021】無機絶縁性ホール注入輸送層の膜厚として
は、5nm以下、好ましくは0.3〜3nm程度である。無
機絶縁性ホール注入輸送層がこれより薄くても厚くて
も、電子ブロック性やホール注入効率が低下してくる。
は、5nm以下、好ましくは0.3〜3nm程度である。無
機絶縁性ホール注入輸送層がこれより薄くても厚くて
も、電子ブロック性やホール注入効率が低下してくる。
【0022】上記の無機絶縁性ホール注入輸送層の製造
方法としては、スパッタ法、EB蒸着法などの各種の物
理的または化学的な薄膜形成方法などが考えられるが、
スパッタ法が好ましい。
方法としては、スパッタ法、EB蒸着法などの各種の物
理的または化学的な薄膜形成方法などが考えられるが、
スパッタ法が好ましい。
【0023】無機絶縁性ホール注入輸送層をスパッタ法
で形成する場合、スパッタ時のスパッタガスの圧力は、
0.1〜1Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常
のスパッタ装置に使用される不活性ガス、例えばAr,
Ne,Xe,Kr等が使用できる。また、必要によりN
2を用いてもよい。スパッタ時の雰囲気としては、上記
スパッタガスに加えO2を1〜99%程度混合して反応
性スパッタを行ってもよい。ターゲットとしては上記酸
化物を用い、1元または多元スパッタとすればよい。
で形成する場合、スパッタ時のスパッタガスの圧力は、
0.1〜1Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常
のスパッタ装置に使用される不活性ガス、例えばAr,
Ne,Xe,Kr等が使用できる。また、必要によりN
2を用いてもよい。スパッタ時の雰囲気としては、上記
スパッタガスに加えO2を1〜99%程度混合して反応
性スパッタを行ってもよい。ターゲットとしては上記酸
化物を用い、1元または多元スパッタとすればよい。
【0024】スパッタ法としてはRF電源を用いた高周
波スパッタ法や、DC反応性スパッタ法等が使用できる
が、特にRFスパッタが好ましい。スパッタ装置の電力
としては、好ましくはRFスパッタで0.1〜10W/
cm2の範囲が好ましく、成膜レートは0.5〜10nm/m
in 、特に1〜5nm/min の範囲が好ましい。成膜時の
基板温度としては、室温(25℃)〜150℃程度であ
る。
波スパッタ法や、DC反応性スパッタ法等が使用できる
が、特にRFスパッタが好ましい。スパッタ装置の電力
としては、好ましくはRFスパッタで0.1〜10W/
cm2の範囲が好ましく、成膜レートは0.5〜10nm/m
in 、特に1〜5nm/min の範囲が好ましい。成膜時の
基板温度としては、室温(25℃)〜150℃程度であ
る。
【0025】有機材料からなるホール注入輸送層には、
下記のホール注入輸送性材料を用いることが好ましい。
下記のホール注入輸送性材料を用いることが好ましい。
【0026】ホール注入輸送性の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送性
化合物であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはス
チリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体
を用いるのが好ましい。
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送性
化合物であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはス
チリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体
を用いるのが好ましい。
【0027】ホール注入輸送性化合物は、例えば、特開
昭63−295695号公報、特開平2−191694
号公報、特開平3−792号公報、特開平5−2346
81号公報、特開平5−239455号公報、特開平5
−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用
してもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積
層したり、混合したりすればよい。
昭63−295695号公報、特開平2−191694
号公報、特開平3−792号公報、特開平5−2346
81号公報、特開平5−239455号公報、特開平5
−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用
してもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積
層したり、混合したりすればよい。
【0028】有機のホール注入輸送層は、発光層や無機
絶縁性ホール注入輸送層へのホールの注入を容易にする
機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる
機能を有するものである。この層は、発光層に注入され
るホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最
適化させ、発光効率を改善する。
絶縁性ホール注入輸送層へのホールの注入を容易にする
機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる
機能を有するものである。この層は、発光層に注入され
るホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最
適化させ、発光効率を改善する。
【0029】有機のホール注入輸送層の厚さは、特に制
限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、
通常5〜500nm程度、特に10〜300nmとすること
が好ましい。
限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、
通常5〜500nm程度、特に10〜300nmとすること
が好ましい。
【0030】有機のホール注入輸送層の厚さは、再結合
・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度また
は1/10〜10倍程度とすればよい。ホールの注入層
と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層
は1nm以上とするのが好ましい。このときの注入層、輸
送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸
送層で500nm程度である。このような膜厚について
は、注入輸送層を2層設けるときも同じである。
・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度また
は1/10〜10倍程度とすればよい。ホールの注入層
と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層
は1nm以上とするのが好ましい。このときの注入層、輸
送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸
送層で500nm程度である。このような膜厚について
は、注入輸送層を2層設けるときも同じである。
【0031】本発明の有機EL素子は、例えば図1に示
すように、基板1/ホール注入電極2/有機のホール注
入輸送層4a/無機絶縁性ホール注入輸送層4b/発光
層5/電子注入電極3とが順次積層された構成とするこ
とができる。また、例えば図2に示すように、基板1/
ホール注入電極2/無機絶縁性ホール注入輸送層4b/
有機のホール注入輸送層4a/発光層5/電子注入電極
3とが順次積層された構成としてもよいが、図1の構成
が好ましい。なお、無機絶縁性ホール注入輸送層を積層
する際、有機層等がアッシングされ、ダメージを受ける
恐れがある。このようなときは、最初に酸素を加えるこ
となく薄く積層し、さらに酸素を加えて厚く積層しても
よい。この場合、酸素を加えないときの膜厚は全体の1
/5〜1/2程度とする。図1、2において、ホール注
入電極2と電子注入電極3の間には、駆動電源Eが接続
されている。なお、上記発光層5は、広義の発光層を表
し、電子注入輸送機能を有する層や、狭義の発光層、ホ
ール注入輸送機能を有する層等を含む。
すように、基板1/ホール注入電極2/有機のホール注
入輸送層4a/無機絶縁性ホール注入輸送層4b/発光
層5/電子注入電極3とが順次積層された構成とするこ
とができる。また、例えば図2に示すように、基板1/
ホール注入電極2/無機絶縁性ホール注入輸送層4b/
有機のホール注入輸送層4a/発光層5/電子注入電極
3とが順次積層された構成としてもよいが、図1の構成
が好ましい。なお、無機絶縁性ホール注入輸送層を積層
する際、有機層等がアッシングされ、ダメージを受ける
恐れがある。このようなときは、最初に酸素を加えるこ
となく薄く積層し、さらに酸素を加えて厚く積層しても
よい。この場合、酸素を加えないときの膜厚は全体の1
/5〜1/2程度とする。図1、2において、ホール注
入電極2と電子注入電極3の間には、駆動電源Eが接続
されている。なお、上記発光層5は、広義の発光層を表
し、電子注入輸送機能を有する層や、狭義の発光層、ホ
ール注入輸送機能を有する層等を含む。
【0032】また、上記発明の素子は、電極層/無機物
層および発光層/電極層/無機物層および発光層/電極
層/無機物層および発光層/電極層・・・と多段に重ね
てもよい。このような素子構造により、発光色の色調調
整や多色化を行うことができる。
層および発光層/電極層/無機物層および発光層/電極
層/無機物層および発光層/電極層・・・と多段に重ね
てもよい。このような素子構造により、発光色の色調調
整や多色化を行うことができる。
【0033】ホール注入電極材料は、ホール注入層へホ
ールを効率よく注入することのできるものが好ましく、
具体的には、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛
ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(I
n2O3)、酸化スズ(SnO 2)および酸化亜鉛(Zn
O)のいずれかを主組成としたものが好ましい。これら
の酸化物はその化学量論組成から多少偏倚していてもよ
い。ITOでのIn2O3に対するSnO2の混合比は、
1〜20wt%、さらには5〜12wt%が好ましい。ま
た、IZOでのIn2O3に対するZnOの混合比は、通
常、12〜32wt%程度である。ホール注入電極は、酸
化シリコン(SiO2)を含有していてもよい。酸化シ
リコン(SiO2)の含有量は、ITOに対するSiO2
の mol比で0.5〜10%程度が好ましい。
ールを効率よく注入することのできるものが好ましく、
具体的には、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛
ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(I
n2O3)、酸化スズ(SnO 2)および酸化亜鉛(Zn
O)のいずれかを主組成としたものが好ましい。これら
の酸化物はその化学量論組成から多少偏倚していてもよ
い。ITOでのIn2O3に対するSnO2の混合比は、
1〜20wt%、さらには5〜12wt%が好ましい。ま
た、IZOでのIn2O3に対するZnOの混合比は、通
常、12〜32wt%程度である。ホール注入電極は、酸
化シリコン(SiO2)を含有していてもよい。酸化シ
リコン(SiO2)の含有量は、ITOに対するSiO2
の mol比で0.5〜10%程度が好ましい。
【0034】光を取り出す側の電極は、発光波長帯域、
通常400〜700nm、特に各発光光に対する光透過率
が50%以上、より好ましくは60%以上、特に80%
以上、さらには90%以上であることが好ましい。透過
率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発
光素子として必要な輝度を得難くなってくる。なお、コ
ントラスト比を向上させたりして視認性を向上させる目
的等のため、比較的低い透過率とする場合もある。
通常400〜700nm、特に各発光光に対する光透過率
が50%以上、より好ましくは60%以上、特に80%
以上、さらには90%以上であることが好ましい。透過
率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発
光素子として必要な輝度を得難くなってくる。なお、コ
ントラスト比を向上させたりして視認性を向上させる目
的等のため、比較的低い透過率とする場合もある。
【0035】電極の厚さは、50〜500nm、特に50
〜300nmの範囲が好ましい。また、その上限は特に制
限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離などの心
配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な効果が得られ
ず、製造時の膜強度等の点でも問題がある。
〜300nmの範囲が好ましい。また、その上限は特に制
限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離などの心
配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な効果が得られ
ず、製造時の膜強度等の点でも問題がある。
【0036】陰電極(電子注入電極)材料は、低仕事関
数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、
La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、S
n、Zn、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上
させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用
いることが好ましい。合金系としては、例えばAg・M
g(Ag:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:
0.01〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80
at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が
挙げられる。電子注入電極層にはこれらの材料からなる
薄膜、それらの2種類以上の多層薄膜が用いられる。
数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、
La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、S
n、Zn、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上
させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用
いることが好ましい。合金系としては、例えばAg・M
g(Ag:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:
0.01〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80
at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が
挙げられる。電子注入電極層にはこれらの材料からなる
薄膜、それらの2種類以上の多層薄膜が用いられる。
【0037】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは0.5nm以上、特に好ましくは1nm以上とす
ればよい。また、その上限値には特に制限はないが、通
常膜厚は1〜500nm程度とすればよい。電子注入電極
の上には、さらに補助電極(保護電極)を設けてもよ
い。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは0.5nm以上、特に好ましくは1nm以上とす
ればよい。また、その上限値には特に制限はないが、通
常膜厚は1〜500nm程度とすればよい。電子注入電極
の上には、さらに補助電極(保護電極)を設けてもよ
い。
【0038】補助電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらには100nm以上、特に100〜500nmの範
囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、その効果が得
られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなってし
まい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、補
助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくなる
ため、ダークスポットの成長速度が速くなってしまう。
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらには100nm以上、特に100〜500nmの範
囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、その効果が得
られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなってし
まい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、補
助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくなる
ため、ダークスポットの成長速度が速くなってしまう。
【0039】補助電極は、組み合わせる電子注入電極の
材質により最適な材質を選択して用いればよい。例え
ば、電子注入効率を確保することを重視するのであれば
Al等の低抵抗の金属を用いればよく、封止性を重視す
る場合には、TiN等の金属化合物を用いてもよい。
材質により最適な材質を選択して用いればよい。例え
ば、電子注入効率を確保することを重視するのであれば
Al等の低抵抗の金属を用いればよく、封止性を重視す
る場合には、TiN等の金属化合物を用いてもよい。
【0040】電子注入電極と補助電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常50〜500nm
程度とすればよい。
厚さとしては、特に制限はないが、通常50〜500nm
程度とすればよい。
【0041】発光層は、少なくとも発光機能に関与する
1種類、または2種類以上の有機化合物薄膜の積層膜か
らなる。
1種類、または2種類以上の有機化合物薄膜の積層膜か
らなる。
【0042】発光層は、ホール(正孔)および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子
とホールを容易かつバランスよく注入・輸送することが
できる。
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子
とホールを容易かつバランスよく注入・輸送することが
できる。
【0043】有機の電子注入輸送層は、電子注入電極か
らの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送す
る機能およびホールを妨げる機能を有するものである。
この層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉
じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善
する。
らの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送す
る機能およびホールを妨げる機能を有するものである。
この層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉
じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善
する。
【0044】発光層の厚さ、電子注入輸送層の厚さは、
特に制限されるものではなく、形成方法によっても異な
るが、通常5〜500nm程度、特に10〜300nmとす
ることが好ましい。
特に制限されるものではなく、形成方法によっても異な
るが、通常5〜500nm程度、特に10〜300nmとす
ることが好ましい。
【0045】電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領
域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/1
0〜10倍程度とすればよい。電子の注入層と輸送層と
を分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で50
0nm程度である。このような膜厚については、注入輸送
層を2層設けるときも同じである。
域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/1
0〜10倍程度とすればよい。電子の注入層と輸送層と
を分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で50
0nm程度である。このような膜厚については、注入輸送
層を2層設けるときも同じである。
【0046】有機EL素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘
導体等を用いることができる。
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘
導体等を用いることができる。
【0047】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
【0048】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
【0049】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
【0050】また、8−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
【0051】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
【0052】このほかのホスト物質としては、特開平8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
【0053】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
【0054】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
【0055】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
【0056】混合層に用いられるホール注入輸送性の化
合物および電子注入輸送性の化合物は、各々、後述のホ
ール注入輸送性の化合物および電子注入輸送性の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送性
の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例
えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
合物および電子注入輸送性の化合物は、各々、後述のホ
ール注入輸送性の化合物および電子注入輸送性の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送性
の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例
えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0057】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0058】ホール注入輸送性の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール注入輸
送性材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらには
スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導
体を用いるのが好ましい。
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール注入輸
送性材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらには
スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導
体を用いるのが好ましい。
【0059】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性の化合物/電子注入輸送性の化合物の重量比
が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90
〜90/10、特に好ましくは20/80〜80/20
程度となるようにすることが好ましい。
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性の化合物/電子注入輸送性の化合物の重量比
が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90
〜90/10、特に好ましくは20/80〜80/20
程度となるようにすることが好ましい。
【0060】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
【0061】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
【0062】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。
ノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。
【0063】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
【0064】有機のホール注入輸送層、発光層および有
機の電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成でき
ることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空
蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径
が0.2μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が
0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、素子
の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注
入効率も著しく低下する。
機の電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成でき
ることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空
蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径
が0.2μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が
0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、素子
の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注
入効率も著しく低下する。
【0065】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
【0066】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【0067】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために、素子を封止板等により封止することが好まし
い。封止板は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層
を用いて、基板に接着し、密封する。封止ガスは、A
r、He、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、こ
の封止ガスの水分含有量は、100ppm 以下、より好ま
しくは10ppm 以下、特に1ppm 以下であることが好ま
しい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常0.
1ppm 程度である。
ために、素子を封止板等により封止することが好まし
い。封止板は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層
を用いて、基板に接着し、密封する。封止ガスは、A
r、He、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、こ
の封止ガスの水分含有量は、100ppm 以下、より好ま
しくは10ppm 以下、特に1ppm 以下であることが好ま
しい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常0.
1ppm 程度である。
【0068】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ま
しいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダ
ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、
好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属
板、プラスチック板等を用いることもできる。
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ま
しいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダ
ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、
好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属
板、プラスチック板等を用いることもできる。
【0069】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常直径と同程度以上であ
る。
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常直径と同程度以上であ
る。
【0070】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
【0071】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
【0072】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
【0073】本発明において、有機EL構造体を形成す
る基板としては、例えばガラス、石英等の非晶質基板、
例えばSi、GaAs、ZnSe、ZnS、GaP、I
nP等の結晶基板が挙げられ、また、これらの結晶基板
に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形成した
基板も用いることができる。また、金属基板としては、
Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pd等を用いることが
でき、好ましくはガラス基板が用いられる。基板は、通
常光取り出し側となるため、上記電極と同様な光透過性
を有することが好ましい。
る基板としては、例えばガラス、石英等の非晶質基板、
例えばSi、GaAs、ZnSe、ZnS、GaP、I
nP等の結晶基板が挙げられ、また、これらの結晶基板
に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形成した
基板も用いることができる。また、金属基板としては、
Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pd等を用いることが
でき、好ましくはガラス基板が用いられる。基板は、通
常光取り出し側となるため、上記電極と同様な光透過性
を有することが好ましい。
【0074】さらに、本発明素子を、平面上に多数並べ
てもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光色
を変えて、カラーのディスプレーにすることができる。
てもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光色
を変えて、カラーのディスプレーにすることができる。
【0075】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
【0076】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
【0077】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
【0078】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【0079】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
【0080】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニ
ン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニ
ン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
【0081】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極(ITO、IZO)の成膜
時にダメージを受けないような材料が好ましい。
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極(ITO、IZO)の成膜
時にダメージを受けないような材料が好ましい。
【0082】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
【0083】本発明の有機EL素子は、通常、直流駆動
型、パルス駆動型のEL素子として用いられる。印加電
圧は、通常、2〜30V 程度とされる。
型、パルス駆動型のEL素子として用いられる。印加電
圧は、通常、2〜30V 程度とされる。
【0084】本発明の有機EL素子は、ディスプレイと
しての応用の他、例えばメモり読み出し/書き込み等に
利用される光ピックアップ、光通信の伝送路中における
中継装置、フォトカプラ等、種々の光応用デバイスに用
いることができる。
しての応用の他、例えばメモり読み出し/書き込み等に
利用される光ピックアップ、光通信の伝送路中における
中継装置、フォトカプラ等、種々の光応用デバイスに用
いることができる。
【0085】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 <実施例1>ガラス基板としてコーニング社製商品名7
059基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗浄した。
をさらに詳細に説明する。 <実施例1>ガラス基板としてコーニング社製商品名7
059基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗浄した。
【0086】この基板上にITO酸化物ターゲットを用
いRFマグネトロンスパッタリング法により、基板温度
250℃で、膜厚200nmのITOホール注入電極層を
形成した。
いRFマグネトロンスパッタリング法により、基板温度
250℃で、膜厚200nmのITOホール注入電極層を
形成した。
【0087】ITO電極層等が形成された基板の表面を
UV/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに
固定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。
UV/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに
固定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。
【0088】次いで、蒸着法により、4,4’,4”−
トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を蒸
着速度0.1nm/secで30nmの厚さに蒸着してホール
注入層を形成した。
トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を蒸
着速度0.1nm/secで30nmの厚さに蒸着してホール
注入層を形成した。
【0089】次いで、ターゲットにSiO1.8を用い、
無機絶縁性ホール注入輸送層を1nmの膜厚に成膜した。
このときのスパッタガスはArに対しO2を1%混入し
て用いた、基板温度25℃、成膜レート1nm/min 、動
作圧力0.5Pa、投入電力5W/cm2とした。成膜した
無機絶縁性ホール注入輸送層の組成は、SiO1.6であ
った。
無機絶縁性ホール注入輸送層を1nmの膜厚に成膜した。
このときのスパッタガスはArに対しO2を1%混入し
て用いた、基板温度25℃、成膜レート1nm/min 、動
作圧力0.5Pa、投入電力5W/cm2とした。成膜した
無機絶縁性ホール注入輸送層の組成は、SiO1.6であ
った。
【0090】さらに、減圧を保ったまま、N,N,
N’,N’−テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)と、トリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )と、
ルブレンとを、全体の蒸着速度0.2nm/secとして10
0nmの厚さに蒸着し、発光層とした。TPD:Alq3
=1:1(重量比)、この混合物に対してルブレンを1
0体積%ドープした。
N’,N’−テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)と、トリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )と、
ルブレンとを、全体の蒸着速度0.2nm/secとして10
0nmの厚さに蒸着し、発光層とした。TPD:Alq3
=1:1(重量比)、この混合物に対してルブレンを1
0体積%ドープした。
【0091】さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−
キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を、全体の蒸
着速度0.2nm/secとして30nmの厚さに蒸着し、電子
注入輸送層とした。
キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を、全体の蒸
着速度0.2nm/secとして30nmの厚さに蒸着し、電子
注入輸送層とした。
【0092】次いで、減圧を保ったまま、AlLi(L
i:7at%)を1nmの厚さに蒸着し、続けてAlを20
0nmの厚さに蒸着し、電子注入電極および補助電極と
し、最後にガラス封止して有機EL素子を得た。また、
比較サンプルとして、無機絶縁性ホール注入輸送層を形
成しないサンプルを作製した。
i:7at%)を1nmの厚さに蒸着し、続けてAlを20
0nmの厚さに蒸着し、電子注入電極および補助電極と
し、最後にガラス封止して有機EL素子を得た。また、
比較サンプルとして、無機絶縁性ホール注入輸送層を形
成しないサンプルを作製した。
【0093】次に、加速試験として、室温(25℃)
下、100mA/cm2の一定電流密度で発光輝度、寿命特
性を調べた。この有機EL素子の初期の輝度は7000
cd/m2であり、300時間駆動した後でも初期輝度の5
0%以上を保っていた。また、この有機EL素子は、リ
ークの発生も、ダークスポットの発生も見られなかっ
た。一方、比較サンプルの初期輝度は6000cd/m2で
あり、100時間駆動した後で初期輝度の50%以下に
低下した。
下、100mA/cm2の一定電流密度で発光輝度、寿命特
性を調べた。この有機EL素子の初期の輝度は7000
cd/m2であり、300時間駆動した後でも初期輝度の5
0%以上を保っていた。また、この有機EL素子は、リ
ークの発生も、ダークスポットの発生も見られなかっ
た。一方、比較サンプルの初期輝度は6000cd/m2で
あり、100時間駆動した後で初期輝度の50%以下に
低下した。
【0094】<実施例2>実施例1において、無機絶縁
性ホール注入輸送層を成膜する際に、ターゲットの組成
をSiO2とし、スパッタガスのO2流量を変えてArに
対する混合比を5%とし、その組成をSiO1.9とした
他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。同
様に、ターゲットの組成をSiO2とし、スパッタガス
のO2流量を変えてArに対する混合比を30%とし、
その組成をSiO1.95とした他は実施例1と同様にして
有機EL素子を作製した。同様に、ターゲットの組成を
GeO 2とし、スパッタガスのO2流量を変えてArに対
する混合比を30%とし、その組成をGeO1.96とした
他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。同
様に、ターゲットの組成をSi0.5Ge0.5O2とし、ス
パッタガスのO2流量を変えてArに対する混合比を1
0%とし、その組成をSi0.5Ge0.5O1.92とした他は
実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。これら
のサンプルについて実施例1と同様にして評価したとこ
ろ、実施例1とほぼ同様に結果が得られた。
性ホール注入輸送層を成膜する際に、ターゲットの組成
をSiO2とし、スパッタガスのO2流量を変えてArに
対する混合比を5%とし、その組成をSiO1.9とした
他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。同
様に、ターゲットの組成をSiO2とし、スパッタガス
のO2流量を変えてArに対する混合比を30%とし、
その組成をSiO1.95とした他は実施例1と同様にして
有機EL素子を作製した。同様に、ターゲットの組成を
GeO 2とし、スパッタガスのO2流量を変えてArに対
する混合比を30%とし、その組成をGeO1.96とした
他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。同
様に、ターゲットの組成をSi0.5Ge0.5O2とし、ス
パッタガスのO2流量を変えてArに対する混合比を1
0%とし、その組成をSi0.5Ge0.5O1.92とした他は
実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。これら
のサンプルについて実施例1と同様にして評価したとこ
ろ、実施例1とほぼ同様に結果が得られた。
【0095】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の有
機物質を用いたホール注入輸送層を有する素子以上の性
能を有し、長寿命で、耐候性を備え、安定性が高く、高
効率で、しかも安価な有機EL素子を実現することがで
きる。
機物質を用いたホール注入輸送層を有する素子以上の性
能を有し、長寿命で、耐候性を備え、安定性が高く、高
効率で、しかも安価な有機EL素子を実現することがで
きる。
【図1】本発明の有機EL素子の構成例を示した概略断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の有機EL素子の他の構成例を示した概
略断面図である。
略断面図である。
【図3】ホール輸送層を有する2層構造の有機EL素子
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図4】ホール輸送層と電子輸送層とを有する3層構造
の有機EL素子の概略断面図である。
の有機EL素子の概略断面図である。
1 基板 2 ホール注入電極 3 陰電極(電子注入電極) 4a 有機のホール注入輸送層 4b 無機絶縁性ホール注入輸送層 5 発光層 11 基板 12 ホール注入電極 13 電子注入電極 14 ホール輸送層 15 発光層 16 電子輸送層 E 駆動電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三橋 悦央 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB11 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EA02 EB00 EC03 FA01
Claims (3)
- 【請求項1】 ホール注入電極と、陰電極と、これらの
電極間に設けられた2種以上の有機層とを有し、 前記有機層の少なくとも一方は発光機能を有する発光層
であり、 かつこの発光層とホール注入電極との間にはホール輸送
性の有機物質を含有するホール注入輸送層と、 無機物質により形成されている無機絶縁性ホール注入輸
送層を有し、 前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、シリコンおよび/
またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、その主成分
の平均組成を、 (Si1-xGex)Oyと表したとき 0≦x≦1 1<y≦2 である有機EL素子。 - 【請求項2】 前記無機絶縁性ホール注入輸送層の膜厚
は、5nm以下である請求項1の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記無機絶縁性ホール注入輸送層は、発
光層とホール輸送性の有機物質を含有するホール注入輸
送層との間に形成されている請求項1または2の有機E
L素子。
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---|---|---|---|
US09/229,569 US6208076B1 (en) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | Organic electroluminescent device with silicone oxide and/or germanium oxide insulative layer |
JP11006874A JP2000208277A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 有機el素子 |
EP99305050A EP1020939A3 (en) | 1999-01-13 | 1999-06-25 | Organic electroluminescent device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11006874A JP2000208277A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000208277A true JP2000208277A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11650382
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP11006874A Withdrawn JP2000208277A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 有機el素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP1020939A3 (ja) |
JP (1) | JP2000208277A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008072090A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
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JP4001692B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2007-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
US6433476B1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-08-13 | Durel Corporation | EL lamp with heater electrode |
JP4049033B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置とその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
GB9004480D0 (en) * | 1989-03-15 | 1990-04-25 | Asahi Chemical Ind | High luminance thin-fim electroluminescent device |
US5589733A (en) * | 1994-02-17 | 1996-12-31 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Electroluminescent element including a dielectric film of tantalum oxide and an oxide of either indium, tin, or zinc |
US5619058A (en) | 1994-02-17 | 1997-04-08 | Lucent Technologies Inc. | Light emitting diode device having four discrete regions |
US5409783A (en) * | 1994-02-24 | 1995-04-25 | Eastman Kodak Company | Red-emitting organic electroluminescent device |
KR960028705A (ko) * | 1994-12-08 | 1996-07-22 | 이헌조 | 칼라 일렉트로루미네선스(el) 소자 및 그 제조방법 |
JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
JP3645642B2 (ja) | 1996-03-25 | 2005-05-11 | Tdk株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
US5981092A (en) | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
JPH10125469A (ja) | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
JPH10162960A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
US6121727A (en) * | 1997-04-04 | 2000-09-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
JP2000340366A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006874A patent/JP2000208277A/ja not_active Withdrawn
- 1999-01-13 US US09/229,569 patent/US6208076B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-25 EP EP99305050A patent/EP1020939A3/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008072090A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1020939A3 (en) | 2000-08-02 |
US6208076B1 (en) | 2001-03-27 |
EP1020939A2 (en) | 2000-07-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
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