KR100735786B1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 전극층으로부터 광 반사를 감소시킬 수 있고, 디스플레이로서 사용된 경우 충분한 표시 콘트라스트를 확보할 수 있다. 유기 발광 소자는 제1 전극층; 제1 전극층의 한 표면에 인접하게 형성된 유기 전계 발광층; 유기 전계 발광층의 다른 표면에 인접하게 형성되고, 50% 이하의 범위로 특정된 가시광에 대한 광 반사율을 갖는 제2 전극층; 및 유기 전계 발광층에 인접한 표면에 대향하는 측면의 제2 전극층 상에 형성된 저광 반사층을 포함한다. 저광 반사층은 10% 이하의 범위로 특정된 가시광에 대한 광 반사율을 갖는 층을 포함하는 적어도 하나 이상의 층들을 포함한다.
유기 전계 발광 소자, 투명 기판, 투명 전극층, 금속 전극층, 투명 도전층,밀봉 용기

Description

유기 전계 발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 포함하는 플랫 패널 디스플레이의 구성을 도시하는 개략적인 사시도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30, 40, 50 : 유기 전계 발광 소자
11 : 투명 기판
12 : 투명 전극층(제1 전극층)
13 : 유기 전계 발광층
14 : 금속 전극층(제2 전극층)
21 : 저광 반사층
31 : 투명 도전층(도전층)
41 : 밀봉 용기
61 : 도전층
본 발명은 전류가 유입될 때 발광하는 유기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 특히 초박형 유기 EL(전계 발광 : Electroluminescence) 디스플레이용으로 적합한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
디스플레이는 일반적으로 고정 타입 브라운관 또는 CRT(음극선관 : Cathode Ray Tube) 및 휴대성과 박형화의 요건을 만족시키도록 개발된 플랫 패널 디스플레이로 분류된다. 휘도가 높고 색 재현성이 좋은 브라운관은 현재 빈번히 사용되고 있지만, 차지하는 부피가 크고, 무겁고, 전력 소모가 크다는 점에서 불리하다. 한편, 경량이며 브라운관에 비하여 발광 효율이 우수한 플랫 패널 디스플레이는 컴퓨터 또는 텔레비전 수상기의 디스플레이 스크린용으로 기대가 된다. 현재, 플랫 패 널 디스플레이로서, 액티브 매트릭스 구동형 LCD(Liquid Crystal Display)가 상업적으로 생산되고 있다. 이 LCD는 자기 발광 기능이 없기 때문에, 외부 라이트(백라이트)의 도움으로 화상을 디스플레이한다. 그 결과, LCD는 시야각이 좁고 자기 발광 기능이 없기 때문에 LCD가 어두운 환경에서 사용될 때는 백라이트의 전력 소모가 많아지고, 향후 실용화될 것으로 기대되는 고해상도 및 고속 비디오 신호에 대한 반응성이 십중팔구는 불충분할 것이라는 점에서 불리하다.
상기 각종의 문제점들을 해결할 수 있는 디스플레이로서, 전류가 유입될 때 발광하는 유기 전계 발광 재료를 이용한 유기 EL 디스플레이가 최근 수년간에 관심의 초점이 되어 왔다. 백라이트를 구비하지 않는 자기 발광형 플랫 패널 디스플레이인 유기 EL 디스플레이는 유기 EL 디스플레이의 자기 발광 기능에 의해 시야각을 확대시킨다는 점에서 유리하다. 유기 EL 디스플레이는 또한 필요한 화소들만을 점등하는 동작 특성 때문에 전력 소모를 감소시킬 수 있으며, 상술한 고해상도 및 고속 비디오 신호에 보조를 맞추기에 충분한 반응성을 보장하는 것으로 볼 수 있다.
상기 장점들을 갖는 유기 EL 디스플레이의 필수 소자로서, 다음의 구조를 가진 유기 전계 발광 소자가 공지되어 있다. 투명 기판 상에 투명 도전막으로 형성된, 스트라이프들로 패터닝된 전극층(애노드)이 형성되어 있다. 이 투명 전극층 상에 투명 스트라이프들로 패터닝된 유기 전계 발광층이 형성되고, 이 유기 전계 발광층 상에 금속 박막으로 형성된, 스트라이프들로 패터닝된 전극층(캐소드)이 형성되어 있다. 즉, 이 구조에서는, 유기 전계 발광층이 투명 전극층과 금속 전극층 사이에 유지되고, 투명 전극층 및 금속 전극층의 스트라이프들이 서로 교차하여 매 트릭스 구조를 형성한다. 투명 전극의 스트라이프들 중 선택된 하나의 스트라이프 및 금속 전극층의 스트라이프들 중 선택된 하나의 스트라이프에 전압이 인가되면, 유기 전계 발광층의 스트라이프들 중 관련 스트라이프에 전류가 흐르게 되어 관련 화소가 발광하게 된다.
유기 전계 발광층을 형성하는 데 사용되는 재료들은 모노머를 중합시켜서 형성되는 고분자 재료 및 저분자 재료로 분류된다. 저분자 재료를 사용하여 유기 전계 발광층을 형성하는 경우에는, 진공 증착법에 의해 저분자 재료막이 형성된다. 반대로, 진공 증착법에 의해 고분자 재료막이 형성될 수 없으므로, 고분자 재료를 사용하여 유기 전계 발광층을 형성하는 경우에는, 고분자 재료를 함유하는 용액을 도포함으로써 고분자 재료막이 형성된다.
저분자 재료로 이루어진 상기 유기 전계 발광층과 관련하여 다양한 연구가 행해져 왔다. 예를 들면, C. W. Tang, S. A. VanSlyke 및 다른 연구가들이, 정공 전달 특성을 가진 유기 화합물로 이루어진 박막 및 전자 전달 특성을 가진 유기 화합물로 이루어진 박막을 포함함으로써 애노드 및 캐소드로부터 각각의 박막들에 주입된 정공들 및 전자들이 서로 결합하여 발광을 일으키도록 한 2층 구조의 소위 싱글 헤테로 타입 유기 전계 발광층을 계발하였다 (Applied Physics letters, Vol. 51, No. 12, pp. 913-915, 1987). 이 유기 전계 발광층에서는, 정공 전달 특성을 가진 유기 화합물 또는 전자 전달 특성을 가진 유기 화합물이 전계 발광 재료로서 이용되어, 전계 발광 재료의 기저 상태와 여기 상태간의 에너지 갭에 대응하는 파장 대역에서 발광이 이루어진다. 2층 구조의 유기 전계 발광층은 구동 전압을 현 저히 감소시키고 발광 효율을 향상시키는 데 효과적이었다. 그 후, C. Adachi, S. Tokita, T. Tsutsui, S. Saito 및 다른 연구가들이, 정공 전달 특성을 가진 유기 화합물로 이루어진 박막, 전계 발광 특성을 가진 유기 화합물로 이루어진 박막, 및 전자 전달 특성을 가진 유기 화합물로 이루어진 박막을 포함하는 3층 구조의 소위 더블 헤테로 타입 유기 전계 발광층을 계발하였다 (Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 27, No. 2, pp. L269-L271, 1988). 또한, C. W. Tang, S. A. VanSlyke, C. H. Chen 및 다른 연구가들이, 전자 전달 특성을 가진 유기 화합물에 전계 발광 재료가 함유되어 있는 구조를 계발하였다 (Journal of Applied Physics, Vol. 65, No. 9, pp. 3610-3616).
그러나, 상술한 유기 전계 발광층들 중 어느 것을 가진 유기 전계 발광 소자들에서든지, 금속 전극층이 수백 ㎚ 이상의 두께를 가짐에 따라 금속 전극층으로부터 광이 반사하기 때문에, 충분한 콘트라스트를 얻을 수 없다고 하는 문제가 생긴다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 원형 편광판을 사용하거나 또는 투명 기판을 채색함으로써 금속 전극층의 배면으로부터의 광의 반사를 감소시키는 방법이 검토되었으나, 이 방법에 의해서도, 소망하는 콘트라스트를 아직 얻지 못하고 있다.
본 발명의 목적은 금속 전극층으로부터의 광의 반사를 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공함으로써, 이 소자가 디스플레이용으로 사용되는 경우에 충분히 높은 디스플레이 콘트라스트를 확보하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 국면에 따르면, 제1 전극층; 이 제1 전극층의 한 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층; 및 이 유기 전계 발광층의 다른 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 -제2 전극층은 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 가짐- 을 포함하는 유기 전계 발광 소자가 제공된다. 상기 광 반사율은 제2 전극층의 두께를 조정함으로써 특정 범위의 값으로 설정될 수 있다.
이 구성에 의하면, 유기 전계 발광층의 다른 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층이 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 갖기 때문에, 이러한 소자를 사용한 디스플레이는 소망하는 콘트라스트를 가진 화상을 디스플레이할 수 있다.
본 발명의 제2 국면에 따르면, 제1 전극층; 이 제1 전극층의 한 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층; 이 유기 전계 발광층의 다른 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 -이 제2 전극층은 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 가짐-; 및 이 제2 전극층 상에 유기 전계 발광층에 인접한 표면의 반대면 상에 형성된 저광 반사층을 포함하는 유기 전계 발광 소자가 제공된다. 이 소자에서, 저광 반사층은 바람직하게는 가시광에 대하여 10% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 가진 층을 포함하는 적어도 하나 이상의 층들로 이루어진다.
이 구성에 의하면, 제2 전극층이 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 갖고 또한 제2 전극층 상에 유기 전계 발광층에 인접한 표면의 반대면 상에 바람직하게는 10% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 가진 저광 반사층이 형 성되기 때문에, 이러한 소자를 사용한 디스플레이는 소망하는 콘트라스트를 가진 화상을 디스플레이할 수 있다.
본 발명의 제3 국면에 따르면, 제1 전극층; 이 제1 전극층의 한 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층; 이 유기 전계 발광층의 다른 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 -이 제2 전극층은 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 가짐-; 및 이 제2 전극층 상에 유기 전계 발광층에 인접한 표면의 반대면 상에 제2 전극층과 근접하여 제2 전극층의 표면을 따르는 형상을 갖도록 형성된 도전층 -이 도전층은 제2 전극층과 함께 전극부를 구성함- 을 포함하는 유기 전계 발광 소자가 제공된다. 이 소자에서, 도전층의 가사광에 대한 광 반사율은 바람직하게는 60% 이하, 더욱 바람직하게는 50% 이하이다.
이 구성에 의하면, 제2 전극층이 가시광에 대하여 50% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 갖고 또한 제2 전극층 상에 유기 전계 발광층에 인접한 표면의 반대면 상에 도전층이 형성되기 때문에, 이러한 소자를 사용한 디스플레이는 소망하는 콘트라스트를 가진 화상을 디스플레이할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 첨부 도면들을 참조하여 상세히 설명하겠다.
<제1 실시예>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)를 포함하는 플랫 패널 디스플레이의 필수적인 부분의 구성을 도시하는 개략도이고, 도 2는 유 기 전계 발광 소자(10)의 단면 구조를 도시하는 단면도이다.
이하, 유기 전계 발광 소자(10)의 구조에 대하여 설명하겠다. 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 투명 기판(11) 상에 ITO(인듐 산화 주석 : Indium Tin Oxide) 또는 산화 주석(SnO2)으로 이루어진 투명 전극층(12)이 복수 개의 등간격 스트라이프들로 패터닝되어 형성된다. 이 투명 전극층(12) 상에 유기 전계 발광층(13)이 복수 개의 등간격 스트라이트들로 패터닝되어 형성된다. 투명 전극층(12)은 본 발명의 제1 전극층에 해당한다는 것에 유의하여야 한다.
유기 전계 발광층(13)은 통상 투명 전극층(12) 상에 정공 전달층, 전계 발광층, 및 전자 전달층의 순으로 적층되어 이루어진다. 정공 전달층은 방향족 아민(R-NH2) 또는 피라졸린(C3H6N2)과 같은 공지의 재료로 이루어진다. 전계 발광층은 목적하는 색의 광을 방출할 수 있는 적당한 재료로 이루어지며, 이 재료는 쿠마린계 색소, 스티릴(styryl)계 색소, 옥사진(oxazine)계 색소, 크산텐(xanthene)계 색소, 희토류 복합체, 페릴렌 및 플루오렌을 포함하는 형광성 화합물들로부터 선택될 수 있다. 전자 전달층은 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)과 같은 금속의 복합 화합물, 방향족 탄소 화합물, 및 옥사디아졸계 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
유기 전계 발광층(13)은 9,10-bis [4-(N,N'-디페닐아미노)] 스티릴안트라센 또는 폴리파리필렌 비닐렌으로 이루어진 전계 발광층만으로 구성될 수도 있고; 또는 정공 전달층 및 전자 전달층을 갖되, 이들 층 중 적어도 하나는 발광 특성을 갖는 적층체로 구성될 수도 있다. 유기 전계 발광층(13)은 정공 전달층 및 전자 전 달층을 갖되, 이들 층 중 적어도 하나에 형광성 재료가 부가된 적층체로 구성될 수도 있다. 또한, 발광 효율을 향상시키기 위하여, 유기 전계 발광층(13)은 상술한 정공 전달층, 전계 발광층 및 전자 전달층 외에, 정공 또는 전자의 전달을 제어하는 박막을 포함할 수도 있다. 또한, 정공 전달층은 전하 전달 성능을 향상시키기 위해 적층 구조로 이루어질 수도 있다.
유기 전계 발광층(13)은 그 등간격 스트라이프들이 적(R), 녹(G) 및 청(B)으로 교대로 채색되도록 구성될 수 있다. 그러한 유기 전계 발광층(13)을 포함하는 소자는 다색 또는 전색 타입의 완전 고체 플랫 패널 디스플레이를 실현할 수 있다. 도 1에 도시된 예는 8×3 RGB의 구성을 가진 단순 매트릭스 디스플레이이다.
유기 전계 발광층(13) 상에 금속 전극층(14)이 등간격 스트라이프들로 패터닝되어 적층되며, 이 등간격 스트라이프들은 각각 유기 전계 발광층(13)의 각각의 스트라이프와 같은 폭을 갖는다. 금속 전극층(14)은 가시광(파장 : 약 390 내지 760 ㎚)에 대하여 50% 이하, 바람직하게는 30% 이하의 범위로 특정된 광 반사율을 갖도록 구성된다. 금속 전극층(14)은 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 또는 칼슘(Ca)과 같은 활성 금속; 또는 그 활성 금속들로부터 선택된 한 종류 및 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)과 같은 금속을 함유하는 합금, 예를 들면, Mg : Ag = 30 : 1의 중량의 혼합비로 마그네슘 및 은을 함유하는 Mg-Ag 합금으로 이루어진다. 이 실시예에서는, 금속 전극층(14)의 광 반사율은 금속 박막의 광 반사율이 금속 박막의 두께에 좌우된다는 사실을 이용하여 제어된다. 보다 구체적으로는, 금속 전극층(14)의 두께가 얇을수록, 가시광에 대한 광 반사율이 작아진다. 예를 들어, 금속 전극층(14)이 Mg : Ag = 30 : 1의 중량의 혼합비를 가진 Mg-Ag 합금이라면, 이 층(14)의 두께가 200 ㎚일 때 이 층(14)의 광 반사율은 50%이고, 이 층(14)의 두께가 10 ㎚일 때 이 층(14)의 광 반사율은 30%이다. 금속 전극층(14)은 본 발명의 제2 전극층에 해당한다는 것에 유의하여야 한다.
도 1을 참조하면, 투명 전극층(12)의 각각의 스트라이프는 배선(12a)을 경유하여 시프트 레지스터를 포함하는 제어 회로(15)에 전기적으로 접속되고, 금속 전극층(14)의 각각의 스트라이프는 배선(14a)을 경유하여 시프트 레지스터를 포함하는 제어 회로(16)에 전기적으로 접속되어 있다.
이하, 유기 전계 발광 소자(10)를 제조하는 방법에 대하여 설명하겠다.
먼저, 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 투명 기판(11) 상에 스퍼터링법 또는 증착법에 의해 200 ㎚의 두께를 가진 ITO 막 또는 산화 주석막이 형성되고, 그런 다음 습식 에칭 또는 RIE(반응성 이온 에칭 : Reactive Ion Etching)에 의해 이방성 에칭되어, 복수 개의 등간격 스트라이프들로 패터닝된 투명 전극층(12)이 형성된다.
투명 기판(11) 상에 제공된 투명 전극층(12) 상에 유기 전계 발광층(13)이 같은 폭을 가진 복수 개의 스트라이프들로 패터닝되어 형성된다. 보다 구체적으로는, 유기 전계 발광층(13)은 투명 전극층(12) 상에 진공 증착법에 의해 상술한 적당한 재료를 사용하여 50 ㎚의 두께를 가진 정공 전달층, 20 ㎚의 두께를 가진 전계 발광층, 및 50 ㎚의 두께를 가진 전자 전달층의 순으로 적층하여 형성된다.
그런 다음, 유기 전계 발광층(13) 상에 진공 증착법, 스퍼터링법, 및 CVD ( 화학 기상 성장법 : Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나에 의해 Mg : Ag = 30 : 1의 중량의 혼합비로 마그네슘 및 은을 함유하는 상기 Mg-Ag 합금으로 10 내지 15 ㎚의 두께를 가진 금속 전극층(14)이 형성된다. 이 금속 전극층(14)은 복수 개의 스트라이프들로 패터닝되며, 이 스트라이프들은 각각 유기 전계 발광층(13)의 각각의 스트라이프와 같은 폭을 갖는다.
이 유기 전계 발광 소자(10)에서는, 특정 신호 전압이 제어 회로들(15, 16)에 의해 투명 전극층(12) 및 금속 전극층(14)의 스트라이프들 사이에 순차적으로 인가되고, 그에 따라서 금속 전극층(14) 측으로부터 유기 전계 발광층(13)의 관련 스트라이프에 전류가 주입된다. 이 유기 전계 발광층(13)에서는, 투명 전극층(12) 및 금속 전극층(14)으로부터 주입된 정공들 및 전자들이 각각 정공 전달층 및 전자 전달층을 경유하여 전계 발광층으로 전달되어 서로 재결합되어 발광이 일어나며, 이렇게 방출된 광은 투명 기판(11)의 주표면에 대해 수직 방향으로 출사된다.
본 실시예에서, 금속 전극층(14)은 가시광선에 대한 광 반사율이 50% 이하, 양호하게는 30% 이하의 범위로 특정됨에 따라서, 금속 전극층(14)으로부터 광의 거울 반사는 뚜렷하게 감소된다.
이와 같은 방식으로, 본 실시예에서의 유기 전계 발광 소자(10)에 따라서, 금속 전극층(14)의 가시 광선에 대한 광학적 반사율이 금속 전극층(14)의 두께를 조절함으로써 50% 이하 범위의 값으로 설정되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터 광의 거울 반사를 뚜렷하게 감소시킬 수 있다.
<제2 실시예>
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(20)의 단면적 구조를 도시하는 개략적인 단면도이다. 유기 전계 발광 소자(20)는 저광 반사층(21)이 제1 실시예에서의 금속 전극층(14) 상에 형성된다는 점을 제외하고는 제1 실시예에서 소자(10)의 구조와 동일한 구조를 갖는다. 그러므로, 본 실시예에서 제1 실시예와 대응되는 부분은 제1 실시예에서와 동일한 참조 번호를 사용하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
금속 전극층(14)의 스트라이프의 전체 표면에 걸쳐 형성된 저광 반사층(21)은 200 ㎚ 두께의 제1층 및 제1층 상에 적층된 10 ㎛ 두께의 제2층을 포함한다. 제1층은 질화 실리콘(SiNx), 불화 칼슘(CaF2), 불화 마그네슘(MgF2), 일산화 실리콘(SiO), 이산화 실리콘(SiO2), 황화 아연(ZnS) 및 헥사플로로알루미늄(Na3AlF6) 중 하나로부터 만들어진다. 제2층은 셀룰로오스계 등과 같은 고 폴리머 바인더에서 카본 블랙 또는 아닐린 블랙을 산란하여 형성된 유기 화합물이나 블랙 페인트로 만들어진다. 또한, 저광 반사층(21)은 가시 광선에 대한 광 반사율이 10% 이하의 범위에서 특정된 층을 포함하는 최소한 하나 이상의 층들로서 구성될 수 있으며, 적어도 저광 반사층(21)의 일부는 금속 전극층(14)과 접촉하게 될 수 있다. 또한, 저광 반사층(21)은 상술한 광학적 특성을 만족시킬 수 있는 재료로 만들어질 수 있으며, 가시 광선에 대한 광 반사율이 10% 이하의 범위에서 특정된 층은 셀룰로오스계 수지 등과 같은 고 폴리버 바인더에서 카본 블랙과 같은 염료 또는 아닐린 블랙과 같은 피그먼트를 산란하여 형성된 유기 화합물로 부터 만들어진다.
이하, 유기 전계 발광 소자(20)가 설명된다. 또한, 제1 실시예에서의 단계와 동일한 단계에 대한 상세한 설명이 생략된다.
먼저, 투명 전극층(12), 유기 전계 발광층(13), 및 금속 전극층(14)이 투명 기판(11) 상에 순차적으로 형성된다.
다음, 실리콘 질화물, 칼슘 플루오르화물, 마그네슘 플루오르화물, 실리콘 일산화물, 실리콘 이산화물, 아연 황화물, 및 나트륨 육플루오로알루미늄 중 하나로 제조되고, 200㎚의 두께를 갖는 층이 진공 증착에 의해 금속 전극층(14) 상에 형성되고, 그 다음 섬유질에 기초한 수지와 같은 고중합체 결합물에서 카본 블랙 또는 아닐린 블랙을 분산하여 형성된 유기 화합물 또는 블랙 패인트가 상술된 층에 10㎛로 패인트되어, 저광 반사층(21)을 형성한다.
이하, 유기 전계 발광 소자(20)의 기능이 설명된다.
유기 전계 발광 소자(20)에서, 투명 전극층(12)의 선택된 하나의 스트라이프와 금속 전극층(14)의 선택된 하나의 스트라이프 사이에 특정 전압이 인가될 때, 금속 전극층(14) 측부로부터 유기 전계 발광층(13)의 관련된 하나의 스트라이프로 전류가 주입된다. 유기 전계 발광층(13)에서, 투명 전극층(12) 및 금속 전극층(14)으로부터 주입된 정공 및 전자는 각각 정공 전달층 및 전자 전달층을 통해 전계 발광층으로 전달되고 서로 재결합되어 광을 방출하며, 이렇게 방출된 광은 투명 기판(11)에 수직한 방향으로 출사된다. 본 실시예에 따르면, 금속 전극층(14)은 50% 이하 범위에서 지정된 가시광에 대한 광 반사율을 갖고, 또한 10% 이하 범위에서 지정된 가시광에 대한 광 반사율을 갖는 저광 반사층(21)이 금속 전극층(14)의 스트라이프의 전표면 상에 형성되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 전반사가 크게 감소한다.
이러한 방법으로, 본 실시예에서의 유기 전계 발광 소자(20)에 따르면, 10% 이하 범위의 광 반사율을 가진 층이 50% 이하 범위의 광 반사율을 가진 금속 전극층(14) 상에 제공되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 정반사를 제1 실시예에서보다 더 크게 억제할 수 있다.
<제3 실시예>
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(30)의 단면도를 도시한 개략도이다. 유기 전계 발광 소자(30)는, 제2 실시예에서 투명 도전층(31)이 금속 전극층(14)과 저광 반사층(21) 사이에 제공되는 것을 제외하면, 제2 실시예의 구성과 동일한 구성을 갖는다. 본 실시예에서, 예를 들면, 제2 실시예에서의 부분에 대응하는 부분이 제2 실시예에서와 같이 동일한 참조 번호로 지정되고, 그 상세한 설명은 생략한다. 투명 도전층(31)은 본 발명의 도전층에 대응한다는 것을 알아야 한다.
투명 도전층(31)은 10% 이하의 범위로 지정된 가시광의 광 반사율을 갖고, 금속 전극층(14)의 스트라이프의 전체면상에 형성된다. 투명 도전층(31)은 ITO(인듐 주석 산화물), 아연 산화물-인듐 산화물계 복합 산화물, 또는 SiO2와 같은 산화물; 또는 아닐린(C6H5NH2), 티오펜 (C4H4S) 및 아세틸렌(C 2H2) 중 어느 쪽을 중합함으 로써 형성된 높은 폴리머 재료로 만들어진다. 투명 도전층(31)의 두께는 300㎚로 설정된다. 또한, 투명 도전층(31)의 적어도 일부는 금속 전극층(14)과 접촉할 수 있다.
유기 전계 발광 소자(30)의 제조 방법이 이하 설명될 것이다. 제2 실시예에서의 단계와 동일한 단계에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 제1 실시예와 같이, 투명 전극층(12), 유기 전계 발광층(13), 및 금속 전극층(14)은 순서대로 투명 기판(11)상에 형성되고, 투명 도전층(31)은 스퍼터링 또는 기상-증착법에 의해 300㎚ 두께로 금속 전극층(14)의 스트라이프 상에 형성된다. 투명 도전층(31)은 ITO(인듐 주석 산화물), 아연 산화물-인듐 산화물계 복합 산화물, 또는 SnO2와 같은 산화물, 또는 아닐린(C6H5NH2), 티오펜 (C4H4S) 및 아세틸렌(C 2H2) 중 어느 쪽을 중합함으로써 형성된 높은 폴리머 재료로 만들어진다. 그 다음, 저광 반사층(21)은 투명 도전층(31)의 스트라이프 상에 형성된다.
유기 전계 발광 소자(30)에서, 투명 전극층(12)의 선택된 하나의 스트라이프와 투명 도전층(31)의 선택된 하나의 스트라이프 사이에 특정 전압이 인가될 때, 투명 도전층(31) 및 금속 전극층(14) 양자의 측부로부터 유기 전계 발광층(13)의 관련된 하나의 스트라이프로 전류가 주입된다. 층(13)에서, 투명 전극층(12) 및 투명 도전층(31)으로부터 주입된 정공 및 전자는 각각 정공 전달층, 및 금속 전극층(14)과 전자 전달층 양자를 통해 전계 발광층으로 전달되고 서로 재결합되어 광 을 방출하며, 이렇게 방출된 광은 투명 기판(11)의 주평면에 수직한 방향으로 출사된다. 이러한 유기 전계 발광 소자에 따르면, 금속 전극층(14)은 50% 이하의 범위에서 지정된 가시광에 대한 광 반사율을 갖고, 또한 10% 이하 범위의 광 반사율을 가진 투명 도전층(31) 및 10% 이하 범위의 광 반사율을 가진 층을 포함하는 저광 반사층(21)이 금속 전극층(14)의 스트라이프의 전표면 상에 형성되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 정반사가 크게 감소한다.
이러한 방법으로, 본 실시예의 유기 전계 발광 소자(30)에 따르면, 10% 이하 범위의 광 반사율을 가진 투명 도전층(31) 및 10% 이하 범위의 광 반사율을 가진 층을 포함하는 저광 반사층(21)은 50% 이하 범위의 광 반사율을 가진 금속 전극층(14) 상에 제공되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 정반사를 제2 실시예에서보다 더 크게 억제할 수 있다.
제1 및 제2 실시예에서, 금속 전극층(14)의 두께는 종래 소자보다 더 얇게 형성되어 종래 소자보다 광 반사율이 더 작으며, 따라서 금속 전극층(14)의 전류 통과 영역이 종래 소자보다 더 좁게 된다. 이와 달리, 본 실시예에서는, 투명 도전층(31)이 얇은 금속 전극층(14)에 인접하게 제공되어 금속 전극층(14)과 함께 전극부를 구성하기 때문에, 전류 통과 영역은 크게 증가한다. 그 결과, 투명 전극층(12)과 투명 도전층(31) 사이에 전압을 인가함으로써 제1 및 제2 실시예에서보다 더 쉽게 유기 전계 발광층(13) 내에 전류를 주입할 수 있고, 따라서 발광 효율이 향상된다.
<제4 실시예>
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(organic electroluminescence element; 40)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 이러한 유기 전계 발광 소자(40)에 있어서, 제2 실시예에서 처럼 투명 전극층(12), 유기 전계 발광층(13), 금속 전극층(14), 및 저광 반사층(21)이 순차적으로 투명 기판(11) 상에 형성되지만, 제2 실시예와는 달리 이들 층(12,13,14,21)은 밀봉 용기(41)로 덮여져 투명 기판(11)의 표면 상에 접합된다. 밀봉 용기(41)는 스테인레스강으로 제조된다. 이 실시예에서 저광 반사층(21)은 밀봉 용기(41)의 천장면(ceiling surface)에 접합되며, 금속 전극층(14)과는 접촉하지 않는다. 밀봉 용기(41)의 내부벽은 카본 블랙을 함유하고 있는 페인트로 코팅된다. 밀봉 용기(41)는 자외선 경화형 수지(ultraviolet hardening-type resin)를 이용하여 투명 기판(11)에 접합되어 밀봉 용기(41)의 내부를 둘러싸게 된다. 유기 전계 발광층(13), 투명 전극층(12), 금속 전극층(14)은 밀봉 용기에 의해 대기중(atmospheric air)의 산소, 습기 등으로부터 차폐된다.
금속, 세라믹, 및 플라스틱 재료 중 어느 재료로 밀봉 용기를 제조하고, 10% 이하 범위로 지정된 광 반사를 확보하기 위한 양에 적합한 도료(pigment)와 염료(dye)를 분산(dispersing)시켜 형성되는 페인트를 상기 밀봉 용기 위에 도포하는 방식으로 저광 반사층(21)을 구성할 수도 있다.
본 실시예는 이러한 사항을 제외하면 제2 실시예의 구성과 동일한 구성을 가지고 있으므로, 제2 실시예에 대응하는 부분들은 제2 실시예의 참조 부호와 동일한 참조 부호로 표기하고, 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 저광 반사층(21)은 밀봉 용기(41)의 천장면에 접합되고, 이 밀봉 용기(41)는 자외선 경화형 수지를 이용하여 투명 기판(11) 상에 접합된다. 이 투명 기판 상에는 투명 전극층(12), 유기 전계 발광 소자(13), 금속 전극층(14)이 순차적으로 적층되어 밀봉용기(41)의 내부를 둘러싸게 된다.
유기 전계 발광 소자(40)에 있어서는 제2 실시예에서 처럼 투명 전극층(12)중 선택된 하나의 스트라이프와 금속 전극층(14) 중 선택된 하나의 스트라이프 사이에 특정 전압이 인가되고, 금속 전극층(14) 측으로부터 유기 전계 발광층(13)의 연관층(associated layer)에 전류가 주입된다. 유기 전계 발광층(13)에 있어서, 투명 전극층(12)과 금속 전극층(14)으로부터 주입된 정공과 전자들은 각각 정공 전달층(positive hole transfer layer)과 전자 전달층을 통해 전자발광층으로 전달된 후, 서로 결합되어 발광을 야기시킨다. 이 방출된 광은 투명 기판(11)의 주면(principal plane)에 수직한 방향으로 제거된다(take out).
본 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(40)의 경우에도, 금속 전극층(14)이 50% 이하 범위로 특정되는 가시광에 대해 광 반사를 나타내고, 또한 이 50% 이하 범위로 특정되는 가시광에 대해 광 반사를 갖는 층을 포함하고 있는 저광 반사층(21)이 금속 전극층(14)에 제공되기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 거울 반사(specular reflection)는 현저히 감소된다. 본 실시예에서 금속 전극층(14)이 저광 반사층(21)으로부터 특정 거리만큼 이격되고 있지만, 이러한 층(14,21)의 기능과 효과는 서로 완전히 또는 부분적으로 접촉하는 층(14,21)과 동일하다.
이 실시예에서, 투명 전극층(12), 유기 전계 발광층(13) 및 금속 전극층(14)이 모두 밀봉관(41)으로 덮여있기 때문에, 대기중의 산소, 수분으로부터 차폐될 수 있다. 이러한 구성을 이용함으로써, 수분에 취약한 것으로 간주되고 있는 유기 전계 발광 소자(40)의 서비스 수명이 연장될 수 있다.
<제5 실시예>
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(50)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 유기 전계 발광 소자(50)는 투명 도전층(31)이 금속 전극층(14) 상에 형성되어 있다는 점을 제외하고는 제4 실시예에서의 소자(40)의 구성과 동일한 구성을 갖는다. 그러므로, 본 실시예에서는, 제4 실시예에서와 대응되는 부분은 제4 실시예에서와 동일한 참조 번호로 나타내었으며, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(50)에 있어서, 50% 이하의 범위로 지정된 가시광에 대해 광학 반사율을 갖는 금속 전극층(14) 상에 10% 이하의 범위로 지정된 가시광에 대해 광학 반사율을 나타내는 층을 포함하는 저광 반사층(21)이 설치되어 있고, 금속 전극층(14)과 저광 반사층(21) 사이에 투명 도전층이 설치되어 있기 때문에, 금속 전극층(14)으로부터의 거울 반사가 상당히 감소되며, 투명 도전층(31)을 부가함으로써 현재의 투과 영역이 금속 전극층(14)으로 연장되기 때문에 발광 효율이 향상될 수 있다. 다른 효과들은 제4 실시예에서 얻어진 효과들과 동일하다.
<제6 실시예>
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(60)의 단면 구조를 도시한 개략적 단면도이다. 유기 전계 발광 소자(60)는 도전층(61)이 제1 실시예의 금속 전극층(14)에 인접하여 설치되어 제1 실시예의 소자에 비해 금속 전극층(14)의 두께가 실질적으로 증가된다는 점을 제외하고는 제1 실시예에서의 소 자의 구성과 동일한 구성을 갖는다. 그러므로, 이 실시예에서는, 제1 실시예에서와 대응되는 부분은 제1 실시예에서와 동일한 참조 번호로 나타내었으며, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도전층(61)은 60% 이하, 양호하게는 50 % 이하의 범위로 지정된 가시광에 대해 광학 반사율을 가지며, 금속 전극층(14)과 근접 접촉되어 형성된다. 도전층(61)은 금속 전극층(14)의 스트라이프의 상부면을 따른 형태를 가진 복수의 스트라이프로 패터닝된다. 도전층(61)은 베릴륨(Be), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt), 텅스템(W), 납(Pb), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스트론튬(St) 및 티타늄(Ti) 중 하나로 제조된다. 도전층(61)의 두께는 200 nm로 설정된다. 또한, 도전층(61)은 상기 금속들의 합금으로 제조되거나, 아닐린, 타이오펜 및 아세틸렌 중 하나를 중합시켜 형성된 고 중합체 재료 또는 실리콘 카바이드(SiC)로 제조될 수도 있다.
제1 실시예에서와 마찬가지로, 유기 전계 발광 소자(60)에서는 투명 전극층(12), 유지 전계 발광층(13) 및 금속 전극층(14)이 투명 기판(11) 상에 순차적으로 형성된 후, 진공 증기 증착법에 의해 금속 전극층(14)의 스트라이프 상에 상기 재료로 이루어진 막이 형성되어, 200nm의 두께를 갖는 도전층(61)이 형성된 다.
유기 전계 발광 소자(60)에 있어서, 투명 전극층(12)의 스트라이프 중의 선택된 스트라이프와 도전층(61)의 스트라이프 중의 선택된 스트라이프 간에 특정한 전압이 인가될 때에 도전층(61)의 측으로부터 유기 전계 발광층(13)으로 전류가 주입된다. 유기 전계 발광층(13)에 있어서, 투명 전극층(12) 및 도전층(61)으로부터 주입된 양의 정공 및 전자가 정공 전달층 및 전자 전달층 각각을 통해서 전계 발광층으로 전송되어 서로 재결합하므로써, 발광하게 되며, 이렇게 방출된 광은 투명 기판(11)의 주면에 수직인 방향으로 추출된다. 이 실시예에 따르면, 금속 전극층(14)이 50% 이하의 범위로 특정된 가시광에 대하여 광 반사율을 갖고, 60% 이하의 범위로 특정된 가시광에 대하여 광 반사율을 가진 도전층(61)이 금속 전극층(14)상에 서로 밀착 접촉하는 방식으로 제공되므로, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 거울 반사가 감소된다.
이러한 방식으로, 본 실시예의 유기 전계 발광 소자(60)에 따르면, 60% 이하의 범위에서 광 반사율을 가진 도전층(61)이 50% 이하의 범위의 광 반사율을 가진 금속 전극층(14)과 밀착 접촉되는 방식으로 제공되므로, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 거울 반사가 감소될 수 있으며, 또한, 제1 실시예의 소자와 비교하여 금속 전극층(14)에 도전층(14)이 추가됨으로써, 전류 통과 면적이 증가되므로 발광 효율이 개선된다.
본 발명에 대해서는 다음 예에 의해서 보다 명확히 이해될 것이다.
<제1 예>
제1 예에서, 먼저, 유리로 제작된 투명 기판(시트 저항율: 10Ω/cm2)이 준비되며, 그 위에는 스트라이프 패턴을 가진 투명 전극층이 200nm의 두께로 ITO(인듐 주석 산화물)로부터 미리 형성된다. 이어서, 개구가 막 형성 부위에 대응하는 영역에 형성된 기상 증착 마스크가 진공 기상 증착 시스템에 의해서 투명 전극층과 기상 증착원 사이에 삽입되며, 스트라이프 패턴을 가진 유기 전계 발광층이 10-6 Torr 이하의 진공 상태에서 투명 전극층의 스트라이프 상에 형성된다. 특히, 다음의 화학식1로 표현된 TPD 〔N, N'-디페닐-N, N'-비스 (3-메틸페닐) 1, 1'-비페닐-4, 4'-디아미넬〕이 50nm의 두께를 가진 전공 전달층을 형성하도록 가열 저항에 의해서 0.2 내지 0.4 범위의 증발 속도로 증발되고, 다음의 화학식2로 표현된 Alq 〔트리스-(8-히드록시퀴놀린) 알루미늄〕이 정공 전달층 상에 50nm 두께의 전자 전달층을 서로 밀착 접촉되는 방식으로 형성하기 위해서 0.2 내지 0.4nm 범위의 증발 속도로 증발된다. 상기 금속 Alq은 녹색광을 발광시킬 수 있는 유기 화합물이며, 전자 전송 특성 및 전계 방출 특성을 나타낸다.
Figure 111999008261715-pat00001
Figure 111999008261715-pat00002
이어서, 스트라이프 패턴을 가진 금속 전극층이 진공 기상 증착에 의해서 10 내지 15nm 범위의 두께로 유기 전계 발광층의 스트라이프 상에 Mg 대 Ag의 중량 혼합비가 Mg : Ag = 30 : 1인 마그네슘 및 은을 함유하는 Mg-Ag 합금으로부터 형성된다. Mg-Ag 합금막의 가시 광선에 대한 광 반사율을 측정한 결과, 10nm의 두께를 가진 Mg-Ag 막의 경우에 광 반사율이 30% 였다. 비교를 위해, 40 nm 두께를 갖는 Mg-Ag 합금막의 광 반사율이 측정되었으며, 그 결과 광 반사율은 80 % 이상이었다.
다음에, 스트라이프 패턴을 갖는 저광 반사층이 금속 전극층의 스트라이프 상에 형성된다. 보다 명확하도록, 200 nm 두께를 갖는 소듐 헥사플로로알루미늄 (Na3AlF6)이 기상 증착 보트(vapor-deposition boat)로서 텅스텐 보트를 사용하여 진공 증착함으로써 금속 전극층 상에 형성되고, 셀룰로오스 수지에 카본 블랙을 분산시킴으로써 형성된 흑색 페인트가 10 ㎛의 두께로 소듐 헥사플로로알루미늄막에 도포되어, 저광 반사층이 얻어졌다. 이러한 방식으로, 유기 전계 발광 소자 (organic electroluminescence element)가 얻어졌다. 또한, 흑색 페인트의 가시광에 대한 광 반사율은 5% 였다.
이와 같이 얻어진 유기 전계 발광 소자는 아르곤 (Ar) 가스로 채워진 글로브 박스(glove box) 내에서 전계 발광이 평가되었다. 그 결과, 10 V의 구동 전압 및 10 mA/cm2의 전류 밀도로 구동될 때, 유기 전계 발광 소자는 녹색의 광을 방출하였으며 약 500 cd/cm2의 휘도를 나타내었다. 또한, 유기 전계 발광 소자의 가시광에 대한 광 반사율은 약 35%였다.
비교예로서, Mg-Ag 합금막, 즉 금속 전극층의 두께가 200 nm로 변화된 것을 제외하고는 본 예와 동일한 방식으로 유기 전계 발광 소자가 형성된다. 이 유기 전계 발광 소자는 본 예와 동일한 방식으로 평가되었다. 그 결과, 유지 전계 발광 소자의 가시광에 대한 광 반사율은 약 80%였고, 유기 전계 발광 소자를 사용한 유기 EL 디스플레이의 디스플레이 콘트래스트는 5 : 1이었다.
상기 평가의 결과, 본 예의 유기 전계 발광 소자를 사용한 유기 EL 디스플레이의 디스플레이 콘트래스트는 동일한 휘도에서 비교할 때 비교예의 유기 전계 발광 소자를 사용한 유기 EL 디스플레이의 디스플레이 콘트래스트의 약 2.3 배만큼 높다.
<제2 예>
본 예에서는, 먼저, 스트라이프 패턴을 갖는 투명 전극층이 ITO (인듐 주석 산화물)막으로부터 200 nm의 두께로 이미 형성되어 있는, 유리로 이루어진 투명 기판 (시트 저항 : 10 Ω/cm 2)이 준비된다. 다음에, 스트라이프 패턴을 갖는 유기 전계 발광층과 스트라이프 패턴을 갖는 금속 전극층이 제1 예와 동일한 방식으로 투명 전극층의 스트라이프 상에 순차적으로 형성된다.
스트라이프 패턴을 갖는 투명 도전층은 금속 전극층의 스트라이프 상의 ITO막으로부터 마그네트론 스퍼터링에 의해 300 nm의 두께로 형성된다. 보다 명확하도록, 5×10-8 Torr 이하로 조정된 베이스 압력을 갖는 RF (무선 주파수) 마그네트론 스퍼터링 시스템 내에 샘플이 놓이고, 이 샘플은 10 wt%의 SnO2와 90 wt%의 In2O3 (인듐 산화물)로 구성된 대상물 (순도 : 99 wt%) 위에 그로부터 15 cm 분리되어 제공된 수냉식 홀딩 지그 상에 장착된다. 다음에, RF 방전이 스퍼터 가스로서 아루곤 (Ar)과 산소 (O2)의 혼합 가스를 사용하여 수행된다. 아르곤과 산소의 플로우 레이트는 매스 플로우 제어기(mass flow conroller)에 의해 각각 200 sccm과 0.1 sccm으로 조정된다. 이 때에, RF 전력은 13.56 MHz의 주파수에서 5 W였다.
다음, 스트라이프 패턴을 갖는 저광 반사층을, 페릴렌 테트라카복실레이트 무수화합물과 구리 프탈로시안을 1:1 비율로 혼합하여 진공 증착에 의해 500 ㎚ 두께로 된 박막으로 형성하여 투명 도전층의 스트라이프 상에 제공한다. 이러한 방법으로, 유기 전계 발광 소자를 얻었다.
이렇게 구해진 유기 전계 발광 소자는 아르곤 가스로 충전된 글로브 박스 내의 전계 발광이 평가된다. 그 결과, 10 V의 구동 전압 및 10 ㎃/㎝2의 전류 밀도에서 구동될 때, 유기 전계 발광 소자가 녹색광을 방출하고 대략 460 cd/㎝2의 휘도를 나타낸다. 또한, 유기 전계 발광 소자의 가시광에 대한 광 반사율은 37% 정도였 다.
비교예로서, 유기 전계 발광 소자는 Mg-Ag 합극의 두께 즉, 금속 전극층의 두께가 200 ㎚로 변화된 것을 제외하고는 본 예에서와 동일한 방법로 형성되었다. 유기 전계 발광 소자는 이러한 본 예에서와 동일한 방법으로 전계 발광면에서 평가되었다. 그 결과, 유기 전계 발광 소자의 가시광에 대한 광 반사율은 대략 80% 정도였고, 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트 비는 5:1 이었다.
상기 평가 결과로서, 본 예에서의 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트라는 비교예에서의 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트에 비해 동일한 휘도로 비교할 때 대략 2.1배 정도 높았다.
<제3 예>
본 예에서, 일단 30 ㎜ x 30 ㎜의 크기를 갖는 유리 시트로 된 투명 기판을 마련하고, 그 위에 ITO막으로 된 투명 전극층을 두께 200 ㎚로 미리 형성되었다. 그 다음 이 투명 전극층을 8개의 스트라이프로 패터닝하였다.
녹색광을 방출하는 스트라이프와, 적색광을 방출하는 스트라이프와, 청색광을 방출하는 스트라이프를 갖는 유기 전계 발광층이, 상기 유기 전계 발광층의 스트라이프가 투명 전극층의 스트라이프에 직교하는 방법으로 투명 전극측 상에 형성되었다. 유기 전계 발광층의 스트라이프에서, 전계 발광 영역의 크기는 1 ㎜ x 1 ㎜로 설정되었고, 전계 발광 화소 간격은 1.2 ㎜로 설정되었다. 다음, 상기 금속 전극층의 스트라이프를 유기 전계 발광층의 스트라이프에 중첩시키는 방법으로 스트라이프 패턴을 갖는 금속 전극층(4)을 유기 전계 발광층 상에 형성하였다. 좀더 상세히는, 3개 구멍을 갖는 진공 증착 마스크를 진공 증착 시스템의 투명 전극층과 진공 증착 소스 사이에 삽입하였고, 대략 진공도 10-8 Torr하에서, 저항을 가열시킴으로써 TPD를 0.2 내지 0.4 ㎚/s의 범위의 증발율로 증발시켜 50 ㎚ 두께의 정의 정공 전달층을 형성하고, 저항을 가열시킴으로써 Alq를 0.2 내지 0.4 ㎚/s의 범위의 증발율로 증발시켜 정의 정공 전달층 위에 상호 밀차되도록 50 ㎚ 두께의 전자 전달층을 형성하므로써, 녹색광을 방출하기 위한 유기 전계 발광층의 스트라이프를 형성하게 된다.
다음, 스트라이프 패턴을 갖는 금속 전극층이 유기 전계 발광층의 스트라이프 상에 Al-Li 합금막으로 형성되어, 금속 전극층의 스트라이프를 녹색광에 대한 유기 전계 발광층의 스트라이프 위에 중첩시키는 방법으로 진공 증착시킴으로써 10 ㎚ 두께의 녹색광을 방출시켰다. 또한, Al-Li 합금막의 가시광에 대한 광 반사율을 측정한 결과, 광 반사율은 대략 30 % 정도였다.
다음, 상기 진공 증착 마스크를, 투명 전극층의 스트라이프에 수직으로 연장하고 녹색광을 방출하기 위한 유기 전계 발광층의 스트라이프가 형성되지 않는 영역 내에 형성되는 3개의 구멍을 갖는 진공 증착 마스크로 교체하였다. 이러한 진공 증착 마스크를 사용하여, 적색광을 방출하기 위한 유기 전계 발광층의 스트라이프는 녹색광을 방출하기 위한 유기 전계 발광층의 스트라이프를 형성하는 것과 동일한 방법으로 형성된다. 좀더 상세히는, 소스로서 사용된 TDP는 저항을 가열시킴 으로써 0.2 내지 0.4 ㎚/s의 범위의 증발율로 증발되어, 50 ㎚ 두께의 정의 정공 전달층을 형성한 다음, 다음의 (화학식 3)으로 표시되는 Alq 및 DCM[4- 다이시아노메틸렌-6-(p-다이메틸아미노스티릴)-2-메틸-4H-피렌]을 소스로서 사용하여 저항 가열함으로써 증발시켜 50 ㎚ 두께를 갖는 전자 전달층을 형성하게 된다. Alq 및 DCM은 개개의 타겟을 사용하여 개별적으로 증발되었으며, 증발 보트에 인가된 전력을 제어함으로써 Alq 및 DCM의 증발율을 0.2 내지 0.4 ㎚/s의 범위가 되도록 각각 조정하였다. 이 때, 두 개의 수정 발진형 막 두께 미터기를 사용함으로써 상호 간섭이 발생하지 않도록 Alq 및 DCM의 증발율을 측정하였으며, 이에 의해 Alq 및 DCM의 증발율을 독립적으로 제어한다. 그리고, DCM은 적색광을 방출할 수 있는 재료이다.
Figure 111999008261715-pat00003
그 후, 적색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프 상에 금속 전극층의 스트라이프를 중첩하는 방식으로, 적색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프 상에 스트라이프 패턴을 가진 금속 전극층을 진공 증착에 의해 10 ㎚의 두께로 AL-Li 합금막으로부터 형성하였다.
이어서, 증착 마스크를, 투명 전극층의 스트라이프에 수직으로 연장되는 세 개의 개구를 가지며 녹색광 방출용 및 적색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프가 형성되지 않는 영역에 형성된 증착 마스크로 교체하였다. 이러한 증착 마스크를 사용하여, 적색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프를 형성하는 방식과 동일한 방식으로 청색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프를 형성하였다. 보다 구체적으로, 소스로서 사용된 다음의 화학식 4에 의해 표현된 α-NPD가 증발되어 30 ㎚의 두께를 가진 정의 정공 전달층을 형성하였고, 소스로서 사용된 다음의 화학식 5에 의해 표현된 바쏘쿠프로인이 증발되어 15 ㎚의 두께를 가진 정공 차단층을 형성하였으며, 소스로서 사용된 Alq가 증발되어 5 ㎚의 두께를 가진 전자 전달층을 형성하였다. 이러한 방식으로, 8×3×3개의 전계 발광부를 가진 유기 전계 발광층을 얻었다.
Figure 111999008261715-pat00004
Figure 111999008261715-pat00005
이어서, 청색광 방출용 유기 전계 발광층의 스트라이프 상에 금속 전극층의 스트라이프를 중첩하는 방식으로, 청색광 방출용 유기 전계 발광의 스트라이프 상에 스트라이프 패턴을 가진 금속 전극층을 진공 증착에 의해 10 ㎚의 두께로 AL-Li 합금막으로부터 형성하였다.
투명 전극층, 유기 전계 발광층 및 금속 전극층의 배면측은 스테인레스 스틸로 이루어진 밀봉 용기로 커버된다. 이 후, 밀봉 용기의 내부는 카본블랙을 함유한 페인트로 도포되고, 밀봉 용기는 아르곤 분위기에서 자외선 경화형 수지로 밀봉되고, 이에 의해 유기 전계 발광 소자를 얻는다.
이와 같이 얻어진 유기 전계 발광 소자는 아르곤 가스로 채워진 글로브 박스의 전계 발광면에서 평가되었다. 그 결과, 이 소자가 10 V의 구동 전압에서 구동되었을 때, 유기 전계 발광층으로부터 방출된 광의 최대 파장은 녹색광의 경우 540 ㎚, 적색광의 경우 620 ㎚, 청색광의 경우 470 ㎚이었으며, 광의 휘도는 녹색광의 경우 500 cd/㎡, 적색광의 경우 210 cd/㎡, 청색광의 경우 500 cd/㎡이었다. 적절한 전압 분배 회로를 사용하여 색상광들과 상이한 휘도들을 조정함으로써, 대상이 되는 백색광원을 얻는다. 백색광원의 휘도는 10 V의 구동 전압에서 500 cd/㎡이었 다. 또한, 유기 전계 발광 소자의 가시광에 대한 광 반사율은 약 30 %이었다.
비교예로서, Al-Li 합금막의 두께를 제외하고, 즉 금속 전극층이 200 ㎚로 변화된 것을 제외하고는, 본 예에서와 동일한 방식으로 유기 전계 발광 소자를 형성하였다. 이 유기 전계 발광 소자를 본 예에서와 동일한 방식으로 전계 발광면에서 평가하였다. 그 결과, 본 예의 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트는, 동일한 휘도에서 비교할 때, 비교예의 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트에 비해 약 2.7배가 높았다.
<제4 예>
본 예에서는, 먼저, 투명 전극층이 ITO막으로부터 200nm 두께로 이전에 형성되는 30nm × 30nm 크기의 클라스 시트로 이루어지는 투명 기판이 제공된다. 그 후, 투명 전극층은 패터닝되고, 유기 전계 발광층 및 금속 전극층의 녹, 적 및 청색의 방출 광용 스트립은 10nm 두께를 갖는 Al 막이 금속 전극층으로써 형성되는 점을 제외하고는 제3 예와 동일한 방식으로 형성된다.
투명 도전층은 제2 예와 동일한 방식으로 300nm 두께로 ITO막으로부터 형성된다.
광의 투과를 막기 위해 검은색으로 칠해진 5nm 두께의 유리 시트는 투명 전극층, 유기 전계 발광층, 금속층 및 투명 도전층의 후측을 전체적으로 커버하도록 배치된다. 상기 층들과 직면하는 투명 도전층의 측은 프로스트(frost)된다. 그 후, 스테인리스 강철로 이루어지는 밀봉 용기는 투명 전극층, 유기 전계 발광층, 금속 전극층 및 투명 도전층의 후측을 전체적으로 커버하도록 배치된다. 그 후, 밀봉 용기의 내부는 카본 블랙을 포함한 페인트로 코팅되고, 밀봉 용기는 아르곤 분위기에서 자외선 강화-타입 수지로 밀봉되어 유기 전계 발광 소자가 얻어진다.
결과로 얻어진 유기 발광 전계 소자에 대해서 아르곤 가스로 채워진 글로브 박스에서 전계 발광을 평가했다. 그 결과, 소자는 10V의 구동 전압에서 500cd/m2의 조도를 나타낸다. 더욱이, 소자의 가시광에 대한 광학 반사율은 약 30%이다.
비교예로써, 유기 전계 발광 소자는 Al-Li 합금막, 즉 금속 전극층의 두께가 200nm로 변화되는 점을 제외하고는 본 발명의 예에 동일한 방식으로 형성된다. 유기 발광 소자에 대해서 본 발명의 예와 동일한 방식으로 전계 발광을 평가했다. 그 결과, 본 발명의 예에서 유기 전계 발광 소자를 사용하는 EL 디스플레이의 디스플레이 콘트라스트는 동일 조도에서 비교될 때, 비교예에서 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 디스플레이 콘트라스트 보다 약 2.7배 높다는 것을 밝혀졌다.
<제5 예>
본 예에서는, 먼저, 투명 전극층이 200nm 두께로 ITO 막으로부터 이전에 형성되는 유리로 이루어지는 투명 기판(시트 저항: 10Ω/cm2)이 제공된다. 그 후, 유기 전계 발광층 및 금속 전극층은 제1 예와 동일한 방식으로 형성된다.
이어서, 두께가 200nm인 강철막이 증착에 의해 형성되어 도전층이 구비되고, 이에 따라 유기 전계 발광 소자가 얻어진다.
이렇게 얻은 유기 전계 발광 소자는 아르곤 가스로 채워진 글로브 박스 내에서 전계 발광에 대해 평가되었다. 그 결과, 구동 전압 10V 전류 밀도 10mA/㎠ 에서 구동될 때, 전계 발광 소자는 녹색 광을 방출하였고 휘도는 액 500cd/㎠를 나타내었다. 또한, 유기 전계 발광 소자의 가시 광선에 대한 광 반사율은 약 50%이었다.
비교예는, 유기 전계 발광 소자가 Mg-Ag 합금막, 즉 금속 전극층의 두께가 200nm로 변경된다는 것을 제외하고는 본 예와 같은 방식으로 형성되었다. 유기 전계 발광 소자는 본 예에서와 같은 방식으로 평가되었다. 그 결과, 유기 전계 발광 소자의 가시 광선에 대한 광 반사율이 약 80%이었고, 상기 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트가 5:1이었다.
상기 평가 결과, 같은 휘도에서 비교해 보았을 때, 본 예의 유기 전계 발광 소자를 사용하는 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트는 본 비교예의 유기 전계 발광 소자를 사용한 유기 EL 디스플레이의 표시 콘트라스트의 약 1.6배 정도로 높았다.
본 발명의 바람직한 예들이 설명되었으나, 본 발명은 거기에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 예들에 있어서, 금속 전극층(14)이 상기 유기 전계 발광층(13) 상에 적층되지만, 리듐 플루오라이드(LiF) 또는 알루미늄 옥사이드(Al2O3)로 만들어진 얇은 막이 유기 전계 발광층(13)과 금속 전극층(14) 사이에 보유될 수 있다.
제2, 제3, 제4, 제5 예에서는, 저광 반사층(21)이, 카본 블랙 또는 아닐린 블랙을 셀룰로오즈 베이스드 레진과 같은 하이 폴리머 바인더에 분산함으로써 형성된, 유기 화합물이나 블랙 페인트를 포함하지만, 이렇게 유기 화합물이나 블랙 페인트로 만들어진 층은 원편광 또는 편광을 갖는 막이나 시트로 대체될 수 있다. 또한, 유기 화합물 또는 블랙 페인트로 만들어진 층의 표면 또는 상기 막 또는 시트가 평탄하지 않게 만들어져서 광의 산란을 촉진시킬 수 있다. 즉, 저광 반사층(21)을 형성하는 물질을 선택함으로써 저광 반사층(21)은 금속 전극층(14)을 투과한 광을 흡수하도록 또는 입사광을 받을 수 있도록 구성된다. 또한, 유기 화합물 또는 블랙 페인트로 만들어진 층, 또는 상기 막, 또는 시트는 유기 발광 소자를 대기 중의 산소, 습기와 같은 것으로부터 차폐시키기 위한 밀봉 구조의 일부를 구성할 수도 있다.
제4 예에 있어서, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 거울 반사는, 가시광선에 대해 특정 범위로 10% 미만의 광 반사율을 갖는 층을 금속 전극층(14) 상에 접촉하도록 형성함으로써, 그리고 저광 반사층(21)을 상기 층에 접촉하지 않도록 형성함으로써 보다 확실히 방지될 수 있다.
제5 예에서, 금속 전극층(14)으로부터의 광의 거울 반사는, 가시광선에 대해 특정 범위로 10% 미만의 광 반사율을 갖는 층을 투명 도전층(31) 상에 접촉하도록 형성함으로써, 그리고 저광 반사층(21)을 상기 층에 접촉하지 않도록 형성함으로써 보다 확실히 방지될 수 있다.
상기 각각의 예에 있어서, 광흡수성을 갖는 미세 입자들이 투명 기판(11) 내에 포함될 수 있다. 또한, 투명 기판(11)의 표면은 광의 흡수를 촉진하기 위한 막으로 코팅될 수 있다. 또한, 약간의 비평탄함이 투명 기판(11)의 표면 상에 있게 될 수 있다.
제1 내지 제3 예에 있어서는, 제4 예와 마찬가지로, 밀봉 용기(41)가 제공될 수 있다. 이러한 구성으로써, 유기 전계 발광 소자(10 또는 60)는 대기로부터 차폐될 수 있다.
각각의 예에 있어서, 복수의 전계 발광 소자들이 하나의 투명 기판(11) 상에 매트릭스 형태로 형성된다면, 소자들 사이의 각각의 간격이 블랙화되는 블랙 매트릭스가 텔레비전 수상기에 통상적으로 사용되는 것과 같이 채택되거나, 또는 컬러 필터가 액정 표시 소자에 통상적으로 사용되는 것과 같이 채택될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 제2 전극층의 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하로 되도록 구성했기 때문에, 제2 전극층에서의 광의 거울 반사를 저감할 수 있다. 따라서, 이 유기 전계 발광 소자를 이용한 유기 EL 디스플레이에서의 표시 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.

Claims (23)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -; 및
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층
    을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서, 상기 저광 반사층은 고분자 결합제에 카본 블랙(carbon black) 또는 아닐린 블랙(aniline black)을 분산시킴으로써 형성된 유기 화합물로 이루어진 층을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 저광 반사층의 적어도 일부는 상기 제2 전극층과 접촉 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 유기 전계 발광 소자.
  12. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 투명 재료로 이루어지는 유기 전계 발광 소자.
  13. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 인듐-주석 산화물, 아연 산화물-인듐 산화물계 복합 산화물 및 주석 산화물 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 아닐린, 티오펜(thiophene) 및 아세틸렌 중 어느 하나를 중합시켜 형성된 고분자 재료로 이루어지는 유기 전계 발광 소자.
  14. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 저광 반사층의 적어도 일부는 상기 도전층과 접촉하는 유기 전계 발광 소자.
  15. 제6항에 있어서, 상기 저광 반사층은 상기 제2 전극층에 대향하면서 상기 제2 전극층과 접촉하지 않도록 배치되는 유기 전계 발광 소자.
  16. 제6항에 있어서, 상기 제1 전극층, 상기 유기 전계 발광 소자, 및 상기 제2 전극층으로 구성된 적층체가 투명 기판 상에 형성되고, 상기 적층체는 상기 투명 기판과 밀착되는 밀봉 용기에 밀봉되는 유기 전계 발광 소자.
  17. 제16항에 있어서, 상기 저광 반사층은 상기 제2 전극층에 대향하면서 상기 제2 전극층과 접촉하지 않도록 상기 밀봉 용기의 내면 상에 배치되는 유기 전계 발광 소자.
  18. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 제1 전극층, 상기 유기 전계 발광 소자, 및 상기 제2 전극층으로 구성된 적층체가 투명 기판 상에 형성되고, 상기 적층체는 상기 투명 기판과 밀착되는 밀봉 용기에 밀봉되고,
    상기 저광 반사층은 상기 제2 전극층에 대향하면서 상기 제2 전극층과 접촉하지 않도록 상기 밀봉 용기의 내면 상에 배치되며,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하는 유기 전계 발광 소자.
  19. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 - ; 및
    상기 제2 전극층의 상기 표면을 따른 형태를 가지고 밀착되도록, 상기 유기 전계 발광층에 인접하여 상기 표면의 대향측 상의 상기 제2 전극층 상에 형성된 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하는 유기 전계 발광 소자.
  20. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 - ; 및
    상기 제2 전극층의 상기 표면을 따른 형태를 가지고 밀착되도록, 상기 유기 전계 발광층에 인접하여 상기 표면의 대향측 상의 상기 제2 전극층 상에 형성된 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 가시광에 대한 광 반사율이 60% 이하인 유기 전계 발광 소자.
  21. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 - ; 및
    상기 제2 전극층의 상기 표면을 따른 형태를 가지고 밀착되도록, 상기 유기 전계 발광층에 인접하여 상기 표면의 대향측 상의 상기 제2 전극층 상에 형성된 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하인 유기 전계 발광 소자.
  22. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 -;
    상기 제2 전극층의 상기 유기 전계 발광층과의 인접 표면의 반대측에 형성되고, 가시광에 대한 광 반사율이 10% 이하인 층을 포함하는 1개 이상의 층으로 구성되는 저광 반사층; 및
    상기 제2 전극층과 상기 저광 반사층 간에 제공되는 도전층을 포함하고,
    상기 제1 전극층, 상기 유기 전계 발광 소자, 및 상기 제2 전극층으로 구성된 적층체가 투명 기판 상에 형성되고, 상기 적층체는 상기 투명 기판과 밀착되는 밀봉 용기에 밀봉되고,
    상기 저광 반사층은 상기 제2 전극층에 대향하면서 상기 제2 전극층과 접촉하지 않도록 상기 밀봉 용기의 내면 상에 배치되고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 베릴리움, 구리, 크롬, 철, 몰리브덴, 니켈, 플라티움, 텅스텐, 납, 주석, 안티몬, 스트론튬, 및 티타늄 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어지는 유기 전계 발광 소자.
  23. 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    제1 전극층;
    상기 제1 전극층의 한쪽 표면에 인접하여 형성된 유기 전계 발광층;
    상기 유기 전계 발광층의 다른쪽 표면에 인접하여 형성된 제2 전극층 - 상기 제2 전극층은 가시광에 대한 광 반사율이 50% 이하임 - ; 및
    상기 제2 전극층의 상기 표면을 따른 형태를 가지고 밀착되도록, 상기 유기 전계 발광층에 인접하여 상기 표면의 대향측 상의 상기 제2 전극층 상에 형성된 도전층을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2 전극층과 결합하여 전극부를 구성하며,
    상기 도전층은 실리콘 카바이드로 이루어지거나, 또는 아닐린, 티오펜, 및 아세틸렌 중 어느 하나를 중합함으로써 형성된 고분자 재료로 이루어지는 유기 전계 발광 소자.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126339A (ko) 2015-04-23 2016-11-02 (주)한울오토메이션 배선 처리와 차단기 스위치 조립이 용이토록 한 캐비넷

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000040591A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Sony Corp 有機電界発光素子
GB9901334D0 (en) * 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JP2001110575A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100349912B1 (ko) * 2000-03-17 2002-08-23 삼성에스디아이 주식회사 외부 공진기를 가지는 유기 전계 발광소자
JP2001307553A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Geomatec Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002072907A (ja) * 2000-08-31 2002-03-12 Sony Corp 表示装置
KR100623224B1 (ko) * 2000-11-27 2006-09-11 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치의 백라이트 및 그 제조 방법
KR100697372B1 (ko) * 2000-12-20 2007-03-20 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 리튬이차 박막전지를 이용한 반사형 액정 디스플레이제조방법
KR100424204B1 (ko) * 2001-08-10 2004-03-24 네오뷰코오롱 주식회사 무반사 유기 전계발광소자
US20030030371A1 (en) * 2001-08-13 2003-02-13 Industrial Technology Research Institute Organic light emitting backlight device for liquid crystal display
KR100397877B1 (ko) * 2001-08-14 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자
JP2003280555A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP2004103334A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Seiko Epson Corp 有機el装置および電子機器
JP4371297B2 (ja) * 2002-10-02 2009-11-25 パイオニア株式会社 有機elディスプレイ
JP2004303481A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及び発光表示装置
JP2004355813A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Tohoku Pioneer Corp 自発光表示装置およびこれを用いた情報機器
US20040256978A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-23 Gang Yu Array comprising organic electronic devices with a black lattice and process for forming the same
US20050052119A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Gang Yu Organic electronic device having low background luminescence
TWI240593B (en) * 2004-10-15 2005-09-21 Ind Tech Res Inst Top-emitting organic light emitting diode (OLED)
US20060138946A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Jian Wang Electrical device with a low reflectivity layer
US7710026B2 (en) * 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
KR100829750B1 (ko) * 2006-12-06 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2008087924A1 (ja) * 2007-01-16 2008-07-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08106983A (ja) * 1994-10-03 1996-04-23 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子
JPH08222374A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10162960A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Tdk Corp 有機el発光素子
KR19990076085A (ko) * 1998-03-27 1999-10-15 김덕중 색 조절가능한 유기발광소자
US6410168B1 (en) * 1998-07-21 2002-06-25 Sony Corporation Organic electroluminescence element

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5189549A (en) * 1990-02-26 1993-02-23 Molecular Displays, Inc. Electrochromic, electroluminescent and electrochemiluminescent displays
US6013983A (en) * 1995-12-28 2000-01-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Transparent colored conductive film
JPH09245966A (ja) * 1996-03-04 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光透過性反射層を有するelランプおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08106983A (ja) * 1994-10-03 1996-04-23 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子
JPH08222374A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10162960A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Tdk Corp 有機el発光素子
KR19990076085A (ko) * 1998-03-27 1999-10-15 김덕중 색 조절가능한 유기발광소자
US6410168B1 (en) * 1998-07-21 2002-06-25 Sony Corporation Organic electroluminescence element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126339A (ko) 2015-04-23 2016-11-02 (주)한울오토메이션 배선 처리와 차단기 스위치 조립이 용이토록 한 캐비넷

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Publication number Publication date
JP2000040591A (ja) 2000-02-08
US6410168B1 (en) 2002-06-25
KR20000011851A (ko) 2000-02-25

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