JPH08106983A - 薄膜電場発光素子 - Google Patents
薄膜電場発光素子Info
- Publication number
- JPH08106983A JPH08106983A JP6238711A JP23871194A JPH08106983A JP H08106983 A JPH08106983 A JP H08106983A JP 6238711 A JP6238711 A JP 6238711A JP 23871194 A JP23871194 A JP 23871194A JP H08106983 A JPH08106983 A JP H08106983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- light emitting
- insulating film
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】白色コントラストの良好な薄膜電場発光素子を
得る。 【構成】絶縁基板上に第一電極、第一絶縁膜、白色発光
層、第二絶縁膜および第二電極を積層した薄膜電場発光
素子につき白色発光層４Ａを用いるとともに第一電極２
Ａと第二電極６Ａにより可視光に対して反射率が小さい
導電膜と可視光に対して透明な導電膜の対を形成する。
得る。 【構成】絶縁基板上に第一電極、第一絶縁膜、白色発光
層、第二絶縁膜および第二電極を積層した薄膜電場発光
素子につき白色発光層４Ａを用いるとともに第一電極２
Ａと第二電極６Ａにより可視光に対して反射率が小さい
導電膜と可視光に対して透明な導電膜の対を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型表示装置に用いる
薄膜電場発光素子に係り、特にコントラストに優れる白
色発光の薄膜電場発光素子に関する。
薄膜電場発光素子に係り、特にコントラストに優れる白
色発光の薄膜電場発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電場の印加によりエレクトロルミネセン
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンを
ドープした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープし
た硫化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側
に絶縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧
を印加することにより、電場発光が得られる。
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンを
ドープした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープし
た硫化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側
に絶縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧
を印加することにより、電場発光が得られる。
【０００３】図３は従来の薄膜電場発光素子を示す断面
図である。図４は従来の薄膜電場発光素子を示す斜視図
である。ガラス基板１の上に透明電極２、第一絶縁膜
３、発光層４、第二絶縁膜５、Ａｌ電極８が順次積層さ
れている。このような従来の薄膜電場発光素子は以下の
ようにして作製される。
図である。図４は従来の薄膜電場発光素子を示す斜視図
である。ガラス基板１の上に透明電極２、第一絶縁膜
３、発光層４、第二絶縁膜５、Ａｌ電極８が順次積層さ
れている。このような従来の薄膜電場発光素子は以下の
ようにして作製される。
【０００４】ガラス基板１上にインジウムスズ酸化物Ｉ
ＴＯからなる透明電極２（第一電極）を設け、この上に
透明電極２の端子部２１を覆わないように（例えば端子
部２１の部分にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶
縁膜３を被着する。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層７
を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱
処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と同様に、透明
電極２の端子部２１を覆わないように被着した後、Ａｌ
からなる対向電極８（第二電極）を設ける。
ＴＯからなる透明電極２（第一電極）を設け、この上に
透明電極２の端子部２１を覆わないように（例えば端子
部２１の部分にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶
縁膜３を被着する。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層７
を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱
処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と同様に、透明
電極２の端子部２１を覆わないように被着した後、Ａｌ
からなる対向電極８（第二電極）を設ける。
【０００５】上記のように、現在商品化されている黄橙
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来構造
による白色薄膜電場発光素子にあっては対向電極がAlで
あるために外部から絶縁基板を介して可視光が入射した
場合に対向電極における可視光反射率が高く（可視光反
射率８９〜９２％）、そのために非発光画素部分から可
視光が反射されて白色薄膜電場発光素子のコントラスト
が悪くなるという問題があった。Ａｌを対向電極に用い
た場合のコントラスト比は２．９であり、コントラスト
は１．９であった。コントラスト比は最小輝度を最大輝
度で除した値でありコントラストは最大輝度から最小輝
度を差し引いてこれを最大輝度で除した値である。また
最大輝度は外光の存在下で電場発光した場合の薄膜電場
発光素子の輝度であり、最小輝度は外光のみの場合の薄
膜電場発光素子の輝度である。
による白色薄膜電場発光素子にあっては対向電極がAlで
あるために外部から絶縁基板を介して可視光が入射した
場合に対向電極における可視光反射率が高く（可視光反
射率８９〜９２％）、そのために非発光画素部分から可
視光が反射されて白色薄膜電場発光素子のコントラスト
が悪くなるという問題があった。Ａｌを対向電極に用い
た場合のコントラスト比は２．９であり、コントラスト
は１．９であった。コントラスト比は最小輝度を最大輝
度で除した値でありコントラストは最大輝度から最小輝
度を差し引いてこれを最大輝度で除した値である。また
最大輝度は外光の存在下で電場発光した場合の薄膜電場
発光素子の輝度であり、最小輝度は外光のみの場合の薄
膜電場発光素子の輝度である。
【０００７】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は外部から薄膜電場発光素子に入射した可視光が対向
電極で反射する量を軽減し、コントラストの良好な白色
薄膜電場発光素子を提供することにある。
的は外部から薄膜電場発光素子に入射した可視光が対向
電極で反射する量を軽減し、コントラストの良好な白色
薄膜電場発光素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば絶縁基板上に第一電極、第一絶縁膜、白色発光
層、第二絶縁膜および第二電極を有し、第一電極および
第二電極はそのいずれか一方が可視光に対して反射率が
小さい導電膜から構成され、他方が可視光に対して透明
な導電膜で構成され、第一電極はストライプであり絶縁
基板の上に複数個が並列的に設けられ、第一絶縁膜が前
記した各ストライプと絶縁基板を選択的に被覆し、白色
発光層は第一絶縁膜の上に選択的に積層され、第二絶縁
膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層され、第二電
極は第一電極と立体的に交差する複数のストライプであ
り第二絶縁膜を選択的に被覆することにより達成され
る。
よれば絶縁基板上に第一電極、第一絶縁膜、白色発光
層、第二絶縁膜および第二電極を有し、第一電極および
第二電極はそのいずれか一方が可視光に対して反射率が
小さい導電膜から構成され、他方が可視光に対して透明
な導電膜で構成され、第一電極はストライプであり絶縁
基板の上に複数個が並列的に設けられ、第一絶縁膜が前
記した各ストライプと絶縁基板を選択的に被覆し、白色
発光層は第一絶縁膜の上に選択的に積層され、第二絶縁
膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層され、第二電
極は第一電極と立体的に交差する複数のストライプであ
り第二絶縁膜を選択的に被覆することにより達成され
る。
【０００９】上記の発明において第一電極はモリブデン
シリサイドであるとすること、または白色発光層はマン
ガンで賦活された硫化亜鉛とセリウムで賦活された硫化
ストロンチウムの積層体であるとすることが有効であ
る。可視光に対する反射率が小さい導電膜の材料として
はCr,Ni,Mo,W,WSi2,MoSi2等が用いられる。これらはス
パッタリング，真空蒸着，電子ビーム蒸着等により成膜
することができまた複合膜として用いることもできる。
シリサイドであるとすること、または白色発光層はマン
ガンで賦活された硫化亜鉛とセリウムで賦活された硫化
ストロンチウムの積層体であるとすることが有効であ
る。可視光に対する反射率が小さい導電膜の材料として
はCr,Ni,Mo,W,WSi2,MoSi2等が用いられる。これらはス
パッタリング，真空蒸着，電子ビーム蒸着等により成膜
することができまた複合膜として用いることもできる。
【００１０】可視光に対する光反射率はそれぞれ５３〜
５６，５１〜７２，５６，５１，５０，５１％である。
可視光に対して透明な導電膜としてはインジウムスズ酸
化物や酸化亜鉛等が用いられる。
５６，５１〜７２，５６，５１，５０，５１％である。
可視光に対して透明な導電膜としてはインジウムスズ酸
化物や酸化亜鉛等が用いられる。
【００１１】
【作用】可視光に対して反射率が小さい導電膜または可
視光に対して透明な導電膜からなる一対の電極のうち透
明な導電膜から構成された電極からは発光層の白色光が
取り出される。可視光に対する反射率が小さい導電膜で
構成された電極は発光層からの可視光と外光を反射する
際に可視光に対して反射率が小さいため非発光画素部分
からの白色光の反射が小さく発光画素部分との白色コン
トラストが良好になる。
視光に対して透明な導電膜からなる一対の電極のうち透
明な導電膜から構成された電極からは発光層の白色光が
取り出される。可視光に対する反射率が小さい導電膜で
構成された電極は発光層からの可視光と外光を反射する
際に可視光に対して反射率が小さいため非発光画素部分
からの白色光の反射が小さく発光画素部分との白色コン
トラストが良好になる。
【００１２】第一電極にモリブデンシリサイドを用いる
と発光層を硫黄雰囲気中で熱処理する際に電極が硫黄に
より劣化することがない。白色発光層にマンガンで賦活
された硫化亜鉛と、セリウムで賦活された硫化ストロン
チウムの積層体を用いると良好な白色発光が得られる。
と発光層を硫黄雰囲気中で熱処理する際に電極が硫黄に
より劣化することがない。白色発光層にマンガンで賦活
された硫化亜鉛と、セリウムで賦活された硫化ストロン
チウムの積層体を用いると良好な白色発光が得られる。
【００１３】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を示す
断面図である。ガラス基板１に膜厚４００〜６００ｎｍ
のモリブデンシリサイドＭｏＳｉ2-X（Ｘ＝〜１．５
比抵抗２×１０-4Ω・ｃｍ）をスパッタリング法で成膜
した後ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスでドライエッチングし
て、第一電極２Ａをストライプ状にパターニング形成し
た。
断面図である。ガラス基板１に膜厚４００〜６００ｎｍ
のモリブデンシリサイドＭｏＳｉ2-X（Ｘ＝〜１．５
比抵抗２×１０-4Ω・ｃｍ）をスパッタリング法で成膜
した後ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスでドライエッチングし
て、第一電極２Ａをストライプ状にパターニング形成し
た。
【００１４】第一電極２Ａの端子部２１を露出して膜厚
２００〜３００ｎｍのＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜を第
一絶縁膜３，第二絶縁膜５として被着した。ただし第一
絶縁膜は第一電極に近い膜がＳｉＯ2 膜であり、白色発
光層４Ａに近い膜がＳｉ3 Ｎ 4 膜である。第二絶縁膜は
発光層４Ａを挟んで第一絶縁膜と対称に成膜される。電
子ビーム蒸着法で膜厚３００〜６００ｎｍのＺｎＳ：Ｍ
ｎと膜厚９００〜１２００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅからなる
白色発光層４Ａを複合膜として形成し、アルゴンと硫黄
の混合雰囲気中において６００℃で１時間熱処理を行っ
た。この状態で良好な白色発光が得られる。
２００〜３００ｎｍのＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜を第
一絶縁膜３，第二絶縁膜５として被着した。ただし第一
絶縁膜は第一電極に近い膜がＳｉＯ2 膜であり、白色発
光層４Ａに近い膜がＳｉ3 Ｎ 4 膜である。第二絶縁膜は
発光層４Ａを挟んで第一絶縁膜と対称に成膜される。電
子ビーム蒸着法で膜厚３００〜６００ｎｍのＺｎＳ：Ｍ
ｎと膜厚９００〜１２００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅからなる
白色発光層４Ａを複合膜として形成し、アルゴンと硫黄
の混合雰囲気中において６００℃で１時間熱処理を行っ
た。この状態で良好な白色発光が得られる。
【００１５】膜厚１５０〜２００ｎｍのインジウムスズ
酸化物ＩＴＯをスパッタリング成膜し、塩酸と塩化第二
鉄との混合水溶液でウエットエッチングして第二電極６
Ａをストライプ状にパターニング形成した。絶縁膜とし
てはＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜に替えてＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉX Ｏ3-XＮ1+X 複合膜，ＳｉＯ2 ／Ｔａ2 Ｏ5 複合膜
を用いることができる。
酸化物ＩＴＯをスパッタリング成膜し、塩酸と塩化第二
鉄との混合水溶液でウエットエッチングして第二電極６
Ａをストライプ状にパターニング形成した。絶縁膜とし
てはＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜に替えてＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉX Ｏ3-XＮ1+X 複合膜，ＳｉＯ2 ／Ｔａ2 Ｏ5 複合膜
を用いることができる。
【００１６】モリブデンシリサイドＭｏＳｉ2-X （Ｘ＝
〜１．５）を第一電極とした場合のコントラスト比は１
５であり、コントラストは１４であった。モリブデンシ
リサイドＭｏＳｉ2-X （Ｘ＝〜１．５）を第一電極とし
て用いる場合は発光層を硫黄の雰囲気で熱処理する場合
にＭｏＳｉ2-X （Ｘ＝〜１．５）が硫黄で劣化すること
がなく薄膜電場発光素子の製造が簡易になる。 実施例２ 図２はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
を示す断面図である。
〜１．５）を第一電極とした場合のコントラスト比は１
５であり、コントラストは１４であった。モリブデンシ
リサイドＭｏＳｉ2-X （Ｘ＝〜１．５）を第一電極とし
て用いる場合は発光層を硫黄の雰囲気で熱処理する場合
にＭｏＳｉ2-X （Ｘ＝〜１．５）が硫黄で劣化すること
がなく薄膜電場発光素子の製造が簡易になる。 実施例２ 図２はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
を示す断面図である。
【００１７】ガラス基板１に膜厚１５０〜２００ｎｍの
インジウムスズ酸化物ＩＴＯをスパッタリング成膜し、
塩酸と塩化第二鉄との混合水溶液でウエットエッチング
して第一電極２Ｂをストライプ状にパターニング形成し
た。第一電極２Ｂの端子部２１を被覆して膜厚２００〜
３００ｎｍのＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜を第一絶縁膜
３，第二絶縁膜５として被着した。ただし第一絶縁膜は
第一電極２Ｂに近い膜がＳｉＯ2 膜であり、白色発光層
４Ｂに近い膜がＳｉ 3 Ｎ4 膜である。第二絶縁膜は白色
発光層を挟んで第一絶縁膜と対称に成膜される。
インジウムスズ酸化物ＩＴＯをスパッタリング成膜し、
塩酸と塩化第二鉄との混合水溶液でウエットエッチング
して第一電極２Ｂをストライプ状にパターニング形成し
た。第一電極２Ｂの端子部２１を被覆して膜厚２００〜
３００ｎｍのＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 複合膜を第一絶縁膜
３，第二絶縁膜５として被着した。ただし第一絶縁膜は
第一電極２Ｂに近い膜がＳｉＯ2 膜であり、白色発光層
４Ｂに近い膜がＳｉ 3 Ｎ4 膜である。第二絶縁膜は白色
発光層を挟んで第一絶縁膜と対称に成膜される。
【００１８】電子ビーム蒸着法で膜厚３００〜６００ｎ
ｍのＺｎＳ：Ｍｎと膜厚９００〜１２００ｎｍのＳｒ
Ｓ：Ｃｅからなる白色発光層４Ｂを複合膜として形成
し、アルゴンと硫黄の混合雰囲気中において６００℃で
１時間熱処理を行った。この状態で良好な白色発光が得
られる。そしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスで第一絶縁膜３
と第二絶縁膜５をドライエッチングして第一電極２Ｂの
電極端子部２１上の絶縁膜を除去した。そして膜厚２０
０〜３００ｎｍのモリブデンＭｏをスパッタリング法で
成膜した後リン酸と硝酸の混合水溶液でウエットエッチ
ングして、第二電極６Ｂをストライプ状にパターニング
形成した。
ｍのＺｎＳ：Ｍｎと膜厚９００〜１２００ｎｍのＳｒ
Ｓ：Ｃｅからなる白色発光層４Ｂを複合膜として形成
し、アルゴンと硫黄の混合雰囲気中において６００℃で
１時間熱処理を行った。この状態で良好な白色発光が得
られる。そしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスで第一絶縁膜３
と第二絶縁膜５をドライエッチングして第一電極２Ｂの
電極端子部２１上の絶縁膜を除去した。そして膜厚２０
０〜３００ｎｍのモリブデンＭｏをスパッタリング法で
成膜した後リン酸と硝酸の混合水溶液でウエットエッチ
ングして、第二電極６Ｂをストライプ状にパターニング
形成した。
【００１９】モリブデンＭｏを第二電極６Ｂとした場合
のコントラスト比は１７であり、コントラストは１６で
あった。Ａｌを第二電極６Ｂとして用いた場合の約１０
倍に特性が向上している。
のコントラスト比は１７であり、コントラストは１６で
あった。Ａｌを第二電極６Ｂとして用いた場合の約１０
倍に特性が向上している。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば第一電極と第二電極の
うちの対向電極となるものに可視光に対して反射率が小
さい導電膜を用いるので非発光画素部分からの白色光の
反射が減少し、発光画素部分との白色コントラストの良
好な薄膜電場発光素子が得られる。
うちの対向電極となるものに可視光に対して反射率が小
さい導電膜を用いるので非発光画素部分からの白色光の
反射が減少し、発光画素部分との白色コントラストの良
好な薄膜電場発光素子が得られる。
【００２１】第一電極にモリブデンシリサイドを用いて
反射率の小さい導電膜を形成すると、薄膜電場発光素子
の製造工程が短縮され薄膜電場発光素子の製造が容易に
なる。また白色発光層をマンガンで賦活された硫化亜鉛
と、セリウムで賦活された硫化ストロンチウムの積層体
で構成すると、良好な白色発光層が得られる。
反射率の小さい導電膜を形成すると、薄膜電場発光素子
の製造工程が短縮され薄膜電場発光素子の製造が容易に
なる。また白色発光層をマンガンで賦活された硫化亜鉛
と、セリウムで賦活された硫化ストロンチウムの積層体
で構成すると、良好な白色発光層が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図３】従来の薄膜電場発光素子を示す断面図
【図４】従来の薄膜電場発光素子を示す斜視図
１ ガラス電極 ２ 透明電極（第一電極） ２Ａ モリブデンシリサイドＭｏＳｉ2-X （第一電極） ２Ｂ インジウムスズ酸化物（第一電極） ３ 第一絶縁膜 ４Ａ 白色発光層 ４Ｂ 白色発光層 ５ 第二絶縁膜 ６Ａ インジウムスズ酸化物（第二電極） ６Ｂ モリブデンＭｏ（第二電極） ７ 発光層 ８ Ａｌからなる対向電極（第二電極） ２１ 端子部
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁基板上に第一電極、第一絶縁膜、白色
発光層、第二絶縁膜および第二電極を有し、 第一電極および第二電極はそのいずれか一方が可視光に
対して反射率が小さい導電膜から構成され、他方が可視
光に対して透明な導電膜で構成され、 第一電極はストライプであり絶縁基板の上に複数個が並
列的に設けられ、 第一絶縁膜が前記した各ストライプと絶縁基板を選択的
に被覆し、 白色発光層は第一絶縁膜の上に選択的に積層され、 第二絶縁膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層さ
れ、 第二電極は第一電極と立体的に交差する複数のストライ
プであり第二絶縁膜を選択的に被覆してなることを特徴
とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項２】第一電極はモリブデンシリサイドであるこ
とを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項３】白色発光層はマンガンで賦活された硫化亜
鉛と、セリウムで賦活された硫化ストロンチウムの積層
体であることを特徴とする薄膜電場発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238711A JPH08106983A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 薄膜電場発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238711A JPH08106983A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 薄膜電場発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08106983A true JPH08106983A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17034142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6238711A Pending JPH08106983A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 薄膜電場発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08106983A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735786B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2007-07-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
-
1994
- 1994-10-03 JP JP6238711A patent/JPH08106983A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735786B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2007-07-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3783937B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH08106983A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JP3258780B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JP2621057B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04363893A (ja) | Ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JPH0460317B2 (ja) | ||
| JPS6359519B2 (ja) | ||
| JPH08162269A (ja) | 薄膜白色ｅｌ素子及びこれを用いたフルカラーディスプレイ | |
| JPH0878160A (ja) | 薄膜電場発光素子とその製造方法 | |
| JPH07130471A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS6315718B2 (ja) | ||
| JPH08195281A (ja) | 薄膜電場発光素子及びその製造方法 | |
| JPH02165592A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0896957A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法 | |
| JPH0243190B2 (ja) | ||
| JPH0369158B2 (ja) | ||
| JPS5952520B2 (ja) | 電界発光装置 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62216194A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
| JPH0460318B2 (ja) | ||
| JPH01120794A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6314833B2 (ja) | ||
| JPH01146290A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01213991A (ja) | 透明電極基板とこれを用いたエレクトロルミネツセンス素子 |