JPH0896957A - 薄膜電場発光素子の製造方法 - Google Patents
薄膜電場発光素子の製造方法Info
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- JPH0896957A JPH0896957A JP6226886A JP22688694A JPH0896957A JP H0896957 A JPH0896957 A JP H0896957A JP 6226886 A JP6226886 A JP 6226886A JP 22688694 A JP22688694 A JP 22688694A JP H0896957 A JPH0896957 A JP H0896957A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層を硫黄雰囲気中で熱処理する際に第一電
極端子部が硫化することがなく多色化された薄膜電場発
光素子の製造方法を得る。 【構成】 第一絶縁膜３と第二絶縁膜５のうちの少なく
とも一つを用いて第一電極２の全部を被覆する工程と、
第一電極２の全部を被覆し且つ発光層４を成膜したあと
に発光層を硫黄の雰囲気中で熱処理する工程と、発光層
を熱処理したあとに前記端子部上の絶縁膜を除去して第
一電極の端子部２１を露出する工程を備える。
極端子部が硫化することがなく多色化された薄膜電場発
光素子の製造方法を得る。 【構成】 第一絶縁膜３と第二絶縁膜５のうちの少なく
とも一つを用いて第一電極２の全部を被覆する工程と、
第一電極２の全部を被覆し且つ発光層４を成膜したあと
に発光層を硫黄の雰囲気中で熱処理する工程と、発光層
を熱処理したあとに前記端子部上の絶縁膜を除去して第
一電極の端子部２１を露出する工程を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型表示装置に用いる
薄膜電場発光素子の製造方法に係り、特に発光層を硫黄
元素を含む雰囲気中で安定に処理することが可能な薄膜
電場発光素子の製造方法に関する。
薄膜電場発光素子の製造方法に係り、特に発光層を硫黄
元素を含む雰囲気中で安定に処理することが可能な薄膜
電場発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電場の印加によりエレクトロルミネセン
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンを
ドープした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープし
た硫化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側
に絶縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧
を印加することにより、電場発光が得られる。
ス（ＥＬ）を呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光，
高速応答，広視野角，薄型軽量，高解像度など多くの優
れた特長を有することから、薄型表示装置の表示素子と
して注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンを
ドープした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープし
た硫化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側
に絶縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧
を印加することにより、電場発光が得られる。
【０００３】図６は従来の薄膜電場発光素子を示す斜視
図である。ガラス基板１の上に透明電極２、第一絶縁膜
３、発光層４、第二絶縁膜５、Ａｌ電極６が順次積層さ
れている。このような従来の薄膜電場発光素子は以下の
ようにして作製される。図５は従来の薄膜電場発光素子
の製造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素
子を示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行
った素子を示す断面図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌか
らなる対向電極を積層した素子を示す断面図である。
図である。ガラス基板１の上に透明電極２、第一絶縁膜
３、発光層４、第二絶縁膜５、Ａｌ電極６が順次積層さ
れている。このような従来の薄膜電場発光素子は以下の
ようにして作製される。図５は従来の薄膜電場発光素子
の製造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素
子を示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行
った素子を示す断面図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌか
らなる対向電極を積層した素子を示す断面図である。
【０００４】ガラス基板１上にインジウムスズ酸化物Ｉ
ＴＯからなる透明電極２を設け、この上に透明電極２の
端子部２１を覆わないように（例えば端子部２１の部分
にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶縁膜３を被着
する（図（ａ））。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層４
を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱
処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る（図（ｂ））。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と
同様に、透明電極２の端子部２１を覆わないように被着
した後、Ａｌから成る対向電極６を設ける（図
（ｃ））。
ＴＯからなる透明電極２を設け、この上に透明電極２の
端子部２１を覆わないように（例えば端子部２１の部分
にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶縁膜３を被着
する（図（ａ））。次にＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層４
を成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱
処理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る（図（ｂ））。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と
同様に、透明電極２の端子部２１を覆わないように被着
した後、Ａｌから成る対向電極６を設ける（図
（ｃ））。
【０００５】特開平４―２９６４８８号公報に透明電極
２の端子部２１を覆わない薄膜電場発光素子が開示され
ている。透明電極２の端子部２１は製造の過程において
露出状態で他層が積層され端子部が被覆される工程を含
まない。また特願平４―９３１９２号公報にも透明電極
２の端子部２１を覆わない薄膜電場発光素子が出願され
ている。透明電極２の端子部２１は製造の過程において
露出状態で他層が積層され端子部が被覆されることはな
い。
２の端子部２１を覆わない薄膜電場発光素子が開示され
ている。透明電極２の端子部２１は製造の過程において
露出状態で他層が積層され端子部が被覆される工程を含
まない。また特願平４―９３１９２号公報にも透明電極
２の端子部２１を覆わない薄膜電場発光素子が出願され
ている。透明電極２の端子部２１は製造の過程において
露出状態で他層が積層され端子部が被覆されることはな
い。
【０００６】上記のように、現在商品化されている黄橙
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
色モノカラーの薄膜電場発光素子は、発光層にＺｎＳ：
Ｍｎを用い、真空中で熱処理することにより発光層の膜
歪みの緩和や結晶性の改善を行うことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら薄膜電場
発光素子を多色化するために、硫化ストロンチウムＳｒ
Ｓ（例えば硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
ＳｒＳ：Ｃｅは青緑色発光、セリウムとユーロピウムを
ドープしたＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕは白色発光を示す）を母
材とした発光層を用いる場合においては、硫化ストロン
チウムＳｒＳは真空中での熱処理では十分な結晶性の改
善はされない。硫化ストロンチウムＳｒＳ発光層の膜質
を改善するためには、硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理して発光層中の硫黄を補い、発光層の膜歪みの緩和や
結晶性の改善を行う必要があるがこの場合には硫黄元素
Ｓを含む雰囲気により下部に形成した透明電極２の端子
部２１が、硫黄で劣化してしまうという問題があった。
発光素子を多色化するために、硫化ストロンチウムＳｒ
Ｓ（例えば硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
ＳｒＳ：Ｃｅは青緑色発光、セリウムとユーロピウムを
ドープしたＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕは白色発光を示す）を母
材とした発光層を用いる場合においては、硫化ストロン
チウムＳｒＳは真空中での熱処理では十分な結晶性の改
善はされない。硫化ストロンチウムＳｒＳ発光層の膜質
を改善するためには、硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理して発光層中の硫黄を補い、発光層の膜歪みの緩和や
結晶性の改善を行う必要があるがこの場合には硫黄元素
Ｓを含む雰囲気により下部に形成した透明電極２の端子
部２１が、硫黄で劣化してしまうという問題があった。
【０００８】このために硫化ストロンチウムＳｒＳを母
材とした発光層を有する薄膜電場発光素子は実用化する
ことが困難であった。この発明は上述の点に鑑みてなさ
れその目的は発光層を硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理した際に透明電極が硫化して劣化することを防止して
多色化された薄膜電場発光素子の製造方法を提供するこ
とにある。
材とした発光層を有する薄膜電場発光素子は実用化する
ことが困難であった。この発明は上述の点に鑑みてなさ
れその目的は発光層を硫黄元素Ｓを含む雰囲気中で熱処
理した際に透明電極が硫化して劣化することを防止して
多色化された薄膜電場発光素子の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば露出した端子部を有するストライプの複数個から
なる第一電極と、第一絶縁膜と、発光層と、第二絶縁膜
と、第二電極を順次絶縁基板上に積層してなる薄膜電場
発光素子の製造方法であって、第一絶縁膜と第二絶縁膜
のうちの少なくとも一つを用いて第一電極の全部を被覆
する工程と、第一電極の全部を被覆し且つ発光層を成膜
したあとに発光層を硫黄の雰囲気中で熱処理する工程
と、発光層を熱処理したあとに前記端子部上の絶縁膜を
除去して第一電極の端子部を露出する工程を備えるとす
ることにより達成される。
よれば露出した端子部を有するストライプの複数個から
なる第一電極と、第一絶縁膜と、発光層と、第二絶縁膜
と、第二電極を順次絶縁基板上に積層してなる薄膜電場
発光素子の製造方法であって、第一絶縁膜と第二絶縁膜
のうちの少なくとも一つを用いて第一電極の全部を被覆
する工程と、第一電極の全部を被覆し且つ発光層を成膜
したあとに発光層を硫黄の雰囲気中で熱処理する工程
と、発光層を熱処理したあとに前記端子部上の絶縁膜を
除去して第一電極の端子部を露出する工程を備えるとす
ることにより達成される。
【００１０】上記の発明において第一絶縁膜，第二絶縁
膜はそれぞれ窒化シリコンまたはサイアロンであるとす
ることが有効である。第一絶縁膜，第二絶縁膜には上述
の他にAl2O3,AlN, BaTiO3,BaTi2O5,BN, SiO2 , SiON, Ta
2O5, TiO2,SrTiO3等が用いられる。これらは混合または
積層して用いることができる。成膜はスパッタリング，
ＣＶＤ，真空蒸着法のいずれかを用いることができる。
膜はそれぞれ窒化シリコンまたはサイアロンであるとす
ることが有効である。第一絶縁膜，第二絶縁膜には上述
の他にAl2O3,AlN, BaTiO3,BaTi2O5,BN, SiO2 , SiON, Ta
2O5, TiO2,SrTiO3等が用いられる。これらは混合または
積層して用いることができる。成膜はスパッタリング，
ＣＶＤ，真空蒸着法のいずれかを用いることができる。
【００１１】
【作用】第一電極を絶縁膜で被覆すると硫黄雰囲気中で
の熱処理工程で第一電極の硫黄による劣化が防止され
る。
の熱処理工程で第一電極の硫黄による劣化が防止され
る。
【００１２】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製造
工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を示
す断面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す断面
図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す断面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す断面図である。
工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を示
す断面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す断面
図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す断面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す断面図である。
【００１３】図２はこの発明の実施例に係る薄膜電場発
光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層
した素子を示す平面図、図（ｂ）は発光層を積層した素
子を示す平面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子
を示す平面図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を
除去した素子を示す平面図、図（ｅ）は第二電極を積層
した素子を示す平面図である。
光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層
した素子を示す平面図、図（ｂ）は発光層を積層した素
子を示す平面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子
を示す平面図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を
除去した素子を示す平面図、図（ｅ）は第二電極を積層
した素子を示す平面図である。
【００１４】ガラス基板１に膜厚２００ｎｍのＩＴＯを
スパッタリング成膜し、塩酸と塩化第二鉄との混合水溶
液でウエットエッチングして第一電極２をストライプ状
にパターニング形成し、第一電極２を覆うように膜厚２
００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第一絶縁膜３として被着し（図
１（ａ）、図２（ａ））、電子ビーム蒸着法で膜厚１０
００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕからなる発光層４を被着
し、アルゴンと硫黄の混合雰囲気中において６００℃で
１時間熱処理を行った（図１（ｂ）、図２（ｂ））。そ
して第一絶縁膜３と同様に膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4
からなる第二絶縁膜５を被着し（図１（ｃ）、図２
（ｃ））、次いでＣＦ4 とＯ2 の混合ガスで第一絶縁膜
３と第二絶縁膜５をドライエッチングして第一電極２の
電極端子部上の絶縁膜を除去する（図１（ｄ）、図２
（ｄ））。そして膜厚５００ｎｍのＡｌをスパッタリン
グ法で成膜した後リン酸と硝酸の混合水溶液でウエット
エッチングして、第二電極６をストライプ状にパターニ
ング形成する（図１（ｅ）、図２（ｅ））。本発明によ
れば、硫黄雰囲気中での熱処理工程において、第一電極
２は第一絶縁膜３により全体を覆われているので硫黄に
さらされることがなく、劣化を防止できる。また硫黄雰
囲気中での熱処理工程の後に第一電極２の電極端子部上
の絶縁膜を除去することにより薄膜電場発光素子の電極
と駆動回路を電気的に接続することができる。
スパッタリング成膜し、塩酸と塩化第二鉄との混合水溶
液でウエットエッチングして第一電極２をストライプ状
にパターニング形成し、第一電極２を覆うように膜厚２
００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 を第一絶縁膜３として被着し（図
１（ａ）、図２（ａ））、電子ビーム蒸着法で膜厚１０
００ｎｍのＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕからなる発光層４を被着
し、アルゴンと硫黄の混合雰囲気中において６００℃で
１時間熱処理を行った（図１（ｂ）、図２（ｂ））。そ
して第一絶縁膜３と同様に膜厚２００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4
からなる第二絶縁膜５を被着し（図１（ｃ）、図２
（ｃ））、次いでＣＦ4 とＯ2 の混合ガスで第一絶縁膜
３と第二絶縁膜５をドライエッチングして第一電極２の
電極端子部上の絶縁膜を除去する（図１（ｄ）、図２
（ｄ））。そして膜厚５００ｎｍのＡｌをスパッタリン
グ法で成膜した後リン酸と硝酸の混合水溶液でウエット
エッチングして、第二電極６をストライプ状にパターニ
ング形成する（図１（ｅ）、図２（ｅ））。本発明によ
れば、硫黄雰囲気中での熱処理工程において、第一電極
２は第一絶縁膜３により全体を覆われているので硫黄に
さらされることがなく、劣化を防止できる。また硫黄雰
囲気中での熱処理工程の後に第一電極２の電極端子部上
の絶縁膜を除去することにより薄膜電場発光素子の電極
と駆動回路を電気的に接続することができる。
【００１５】本発明における第一電極２と第二電極６は
少なくとも片側は、ＩＴＯなどの透明電極材料を適用す
る必要があり、もう一方はＡｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｃｒなどの金属材料を適用でき、またこれらの合金
や積層でも良い。第一絶縁膜３と第二絶縁膜５はＳｉ3
Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 ０3 などを適用することがで
き、またこれらの混合材料や積層でも良い。発光層４は
ＳｒＳやＺｎＳなどの硫黄元素を含む化合物を母材にし
て、Ｃｅ，Ｅｕ，Ｐｒなどの希土類元素やＭｎなどの遷
移金属などを添加し且つ混合したものを適用することが
でき、これらの混合材料や積層でも良い。第一電極２、
第二電極６、第一絶縁膜３、第二絶縁膜５の成膜方法
は、スパッタリング法，蒸着法，ＣＶＤ法などを適用で
き、パターニング方法はウエットエッチング法やドライ
エッチング法などを適用できる。発光層４も上記のよう
な成膜方法を適用でき、成膜する時にメタルマスクなど
を基板に取り付けて、第一電極２の電極端子部に発光層
４が被着しないようにするのが望ましい。硫黄雰囲気中
での熱処理は、硫黄を加熱しガス状したものやＨ2 Ｓガ
スなどの硫黄元素を含む材料を適用でき、必要に応じて
Ａｒなどを硫黄材料のキャリヤーガスとして用いても良
く、硫黄雰囲気中の圧力は加圧、常圧や減圧状態でも良
く、熱処理温度は４００〜７００℃が望ましい。 実施例２ 図３はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した素
子を示す断面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子を
示す断面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去した
素子を示す断面図である。
少なくとも片側は、ＩＴＯなどの透明電極材料を適用す
る必要があり、もう一方はＡｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｃｒなどの金属材料を適用でき、またこれらの合金
や積層でも良い。第一絶縁膜３と第二絶縁膜５はＳｉ3
Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 ０3 などを適用することがで
き、またこれらの混合材料や積層でも良い。発光層４は
ＳｒＳやＺｎＳなどの硫黄元素を含む化合物を母材にし
て、Ｃｅ，Ｅｕ，Ｐｒなどの希土類元素やＭｎなどの遷
移金属などを添加し且つ混合したものを適用することが
でき、これらの混合材料や積層でも良い。第一電極２、
第二電極６、第一絶縁膜３、第二絶縁膜５の成膜方法
は、スパッタリング法，蒸着法，ＣＶＤ法などを適用で
き、パターニング方法はウエットエッチング法やドライ
エッチング法などを適用できる。発光層４も上記のよう
な成膜方法を適用でき、成膜する時にメタルマスクなど
を基板に取り付けて、第一電極２の電極端子部に発光層
４が被着しないようにするのが望ましい。硫黄雰囲気中
での熱処理は、硫黄を加熱しガス状したものやＨ2 Ｓガ
スなどの硫黄元素を含む材料を適用でき、必要に応じて
Ａｒなどを硫黄材料のキャリヤーガスとして用いても良
く、硫黄雰囲気中の圧力は加圧、常圧や減圧状態でも良
く、熱処理温度は４００〜７００℃が望ましい。 実施例２ 図３はこの発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素子
の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した素
子を示す断面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子を
示す断面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去した
素子を示す断面図である。
【００１６】図４はこの発明の異なる実施例に係る薄膜
電場発光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜
を成膜した素子を示す平面図、図（ｂ）は第二電極を成
膜した素子を示す平面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁
膜を除去した素子を示す平面図である。実施例１と同様
に、第一電極２を覆うように第一絶縁膜３を被着し、発
光層４成膜後に硫黄雰囲気中で熱処理を行い次いで第二
絶縁膜５を成膜する（図３（ａ）、図４（ａ））。次に
Ａｌをスパッタリング法で成膜した後、ストライプ状に
パターニングして第二電極６を形成する（図３（ｂ）、
図４（ｂ））。図３（ｃ），図４（ｃ）に示すように、
第一電極２の電極端子部上の絶縁膜を除去するように第
一絶縁膜３と第二絶縁膜５をパターニングする。この場
合、第二電極６の端子部の延在する部分は第一絶縁膜３
と第二絶縁膜５は残す。第二電極６は第一絶縁膜３と第
二絶縁膜５のパターニング段差部を被覆する必要がな
く、第二電極６の断線欠陥を防止できる。 実施例３ 五酸化タンタルTa2O5 のターゲットを用いてアルゴンガ
スと酸素ガスによりスパッタして５００ｎｍ厚さの五酸
化タンタルTa2O5 を形成して第一絶縁膜と第二絶縁膜と
し、NF3 とO2の混合ガスを用いてドライエッチングする
他は実施例１と同様にして薄膜電場発光素子を作成し
た。 実施例４ サイアロンSiAlONのターゲットを用いてアルゴンガスと
酸素ガスによりスパッタして３００ｎｍ厚さのサイアロ
ンSiAlONを形成して第一絶縁膜と第二絶縁膜とし、CCl4
とO2混合ガスを用いてドライエッチングする他は実施例
１と同様にして薄膜電場発光素子を作成した。 実施例５ SiONのターゲットを用いてアルゴンガスと酸素ガスによ
りスパッタして２００ｎｍ厚さのSiONを形成して第一絶
縁膜と第二絶縁膜とし、フッ酸とフッ化アンモンNH4F混
合水溶液を用いてウエットエッチングする他は実施例１
と同様にして薄膜電場発光素子を作成した。
電場発光素子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜
を成膜した素子を示す平面図、図（ｂ）は第二電極を成
膜した素子を示す平面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁
膜を除去した素子を示す平面図である。実施例１と同様
に、第一電極２を覆うように第一絶縁膜３を被着し、発
光層４成膜後に硫黄雰囲気中で熱処理を行い次いで第二
絶縁膜５を成膜する（図３（ａ）、図４（ａ））。次に
Ａｌをスパッタリング法で成膜した後、ストライプ状に
パターニングして第二電極６を形成する（図３（ｂ）、
図４（ｂ））。図３（ｃ），図４（ｃ）に示すように、
第一電極２の電極端子部上の絶縁膜を除去するように第
一絶縁膜３と第二絶縁膜５をパターニングする。この場
合、第二電極６の端子部の延在する部分は第一絶縁膜３
と第二絶縁膜５は残す。第二電極６は第一絶縁膜３と第
二絶縁膜５のパターニング段差部を被覆する必要がな
く、第二電極６の断線欠陥を防止できる。 実施例３ 五酸化タンタルTa2O5 のターゲットを用いてアルゴンガ
スと酸素ガスによりスパッタして５００ｎｍ厚さの五酸
化タンタルTa2O5 を形成して第一絶縁膜と第二絶縁膜と
し、NF3 とO2の混合ガスを用いてドライエッチングする
他は実施例１と同様にして薄膜電場発光素子を作成し
た。 実施例４ サイアロンSiAlONのターゲットを用いてアルゴンガスと
酸素ガスによりスパッタして３００ｎｍ厚さのサイアロ
ンSiAlONを形成して第一絶縁膜と第二絶縁膜とし、CCl4
とO2混合ガスを用いてドライエッチングする他は実施例
１と同様にして薄膜電場発光素子を作成した。 実施例５ SiONのターゲットを用いてアルゴンガスと酸素ガスによ
りスパッタして２００ｎｍ厚さのSiONを形成して第一絶
縁膜と第二絶縁膜とし、フッ酸とフッ化アンモンNH4F混
合水溶液を用いてウエットエッチングする他は実施例１
と同様にして薄膜電場発光素子を作成した。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば第一電極の全部を被覆
する工程と、熱処理する工程と、第一電極の端子部を露
出する工程を備えるので硫黄雰囲気中での熱処理工程に
おいて、第一電極は絶縁膜により全体を覆われており硫
黄に曝されることがなく硫黄による第一電極電極端子部
の劣化を防止でき多色化された薄膜電場発光素子が得ら
れる。
する工程と、熱処理する工程と、第一電極の端子部を露
出する工程を備えるので硫黄雰囲気中での熱処理工程に
おいて、第一電極は絶縁膜により全体を覆われており硫
黄に曝されることがなく硫黄による第一電極電極端子部
の劣化を防止でき多色化された薄膜電場発光素子が得ら
れる。
【００１８】絶縁膜として窒化シリコンまたはサイアロ
ンを用いるとエッチャントを適当にして第一電極上にあ
る絶縁膜を有効に除去することができる。
ンを用いるとエッチャントを適当にして第一電極上にあ
る絶縁膜を有効に除去することができる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製
造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を
示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す断
面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す断面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す断面図
造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を
示す断面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す断
面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す断面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す断面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す断面図
【図２】この発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の製
造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を
示す平面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す平
面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す平面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す平面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す平面図
造工程を示し、図（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を
示す平面図、図（ｂ）は発光層を積層した素子を示す平
面図、図（ｃ）は第二絶縁膜を積層した素子を示す平面
図、図（ｄ）は第一電極端子部上の絶縁膜を除去した素
子を示す平面図、図（ｅ）は第二電極を積層した素子を
示す平面図
【図３】この発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素
子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した
素子を示す断面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子
を示す断面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去し
た素子を示す断面図
子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した
素子を示す断面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子
を示す断面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去し
た素子を示す断面図
【図４】この発明の異なる実施例に係る薄膜電場発光素
子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した
素子を示す平面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子
を示す平面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去し
た素子を示す平面図
子の製造工程を示し、図（ａ）は第二絶縁膜を成膜した
素子を示す平面図、図（ｂ）は第二電極を成膜した素子
を示す平面図、図（ｃ）は第一電極上の絶縁膜を除去し
た素子を示す平面図
【図５】従来の薄膜電場発光素子の製造工程を示し、図
（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を示す断面図、図
（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行った素子を示す断面
図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌからなる対向電極を積
層した素子を示す断面図
（ａ）は第一絶縁膜を積層した素子を示す断面図、図
（ｂ）は発光層を積層し熱処理を行った素子を示す断面
図、図（ｃ）はアルミニウムＡｌからなる対向電極を積
層した素子を示す断面図
【図６】従来の薄膜電場発光素子を示す斜視図
１ ガラス電極 ２ 第一電極 ３ 第一絶縁膜 ４ 発光層 ５ 第二絶縁膜 ６ 第二電極 ２１ 端子部
フロントページの続き (72)発明者 河村 幸則 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】露出した端子部を有するストライプの複数
個からなる第一電極と、第一絶縁膜と、発光層と、第二
絶縁膜と、第二電極を順次絶縁基板上に積層してなる薄
膜電場発光素子の製造方法であって、 第一絶縁膜と第二絶縁膜のうちの少なくとも一つを用い
て第一電極の全部を被覆する工程と、 第一電極の全部を被覆し且つ発光層を成膜したあとに発
光層を硫黄の雰囲気中で熱処理する工程と、 発光層を熱処理したあとに前記端子部上の絶縁膜を除去
して第一電極の端子部を露出する工程を備えることを特
徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。 - 【請求項２】第一絶縁膜と第二絶縁膜はそれぞれ窒化シ
リコンであることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造
方法。 - 【請求項３】第一絶縁膜と第二絶縁膜はそれぞれサイア
ロンであることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6226886A JPH0896957A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6226886A JPH0896957A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896957A true JPH0896957A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16852130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6226886A Pending JPH0896957A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0896957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
| JP2018152384A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | Tdk株式会社 | 誘電体素子 |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP6226886A patent/JPH0896957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
| JP2018152384A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | Tdk株式会社 | 誘電体素子 |
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