JP2803803B2 - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜ＥＬ素子およびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子は自己発光素子であり、ま
た薄型の面状発光素子である等の優れた利点を有してお
り、近年の情報産業や映像産業の発展と共にディスプレ
イパネルの分野を中心に応用が進んでいる。
た薄型の面状発光素子である等の優れた利点を有してお
り、近年の情報産業や映像産業の発展と共にディスプレ
イパネルの分野を中心に応用が進んでいる。
【０００３】従来から用いられている薄膜ＥＬ素子の基
本的な構造を図５に示す。この構造は、透光絶縁性基板
１の表面に直流スパッタ装置を用いて製作した酸化イン
ジウム錫（Indium Tin Oxide:以下、ＩＴＯと記す。）
による透光性電極２と、高周波マグネトロンスパッタ装
置（以下、ＲＦスパッタ装置と記す。）を用いて製作し
たＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4を順次積層してなる第１の誘
電体層３と、電子線蒸着装置（以下、ＥＢ蒸着装置と記
す。）を用いて製作したＺｎＳ：Ｍｎによる発光層４
と、ＲＦスパッタ装置を用いて製作したＡｌ2Ｏ3による
第２の誘電体層５、および蒸着装置を用いて製作したア
ルミニウム（Ａｌ）による背面電極６が形成されたもの
である。このとき、透光性電極２と背面電極６とは互い
に交差するようにストライプ状にフォトリソグラフィー
を用いて形成される。
本的な構造を図５に示す。この構造は、透光絶縁性基板
１の表面に直流スパッタ装置を用いて製作した酸化イン
ジウム錫（Indium Tin Oxide:以下、ＩＴＯと記す。）
による透光性電極２と、高周波マグネトロンスパッタ装
置（以下、ＲＦスパッタ装置と記す。）を用いて製作し
たＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4を順次積層してなる第１の誘
電体層３と、電子線蒸着装置（以下、ＥＢ蒸着装置と記
す。）を用いて製作したＺｎＳ：Ｍｎによる発光層４
と、ＲＦスパッタ装置を用いて製作したＡｌ2Ｏ3による
第２の誘電体層５、および蒸着装置を用いて製作したア
ルミニウム（Ａｌ）による背面電極６が形成されたもの
である。このとき、透光性電極２と背面電極６とは互い
に交差するようにストライプ状にフォトリソグラフィー
を用いて形成される。
【０００４】以上のように示された薄膜ＥＬ素子は、透
光性電極２と背面電極６との間に１５０Ｖ程度の交流電
圧を印加することにより、この２つの電極間に挟まれた
発光層４の領域（画素）が発光する構造のものである。
図６はその輝度−電圧特性を示す。
光性電極２と背面電極６との間に１５０Ｖ程度の交流電
圧を印加することにより、この２つの電極間に挟まれた
発光層４の領域（画素）が発光する構造のものである。
図６はその輝度−電圧特性を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の製造方法で製造された薄膜ＥＬ素子は、絶縁
耐圧を十分に有していなかった。すなわち、薄膜ＥＬ素
子の絶縁耐圧を主として担っている誘電体層３はＲＦス
パッタ装置で形成されるために、膜中にピンホールやク
ラスター等の欠陥を有しており、絶縁耐圧が低く、それ
を補うために、上記の従来例では誘電体層３を２層構造
としているが、それでも絶縁耐圧は十分ではなかった。
また、誘電体層の表面には突起等による凹凸が形成さ
れ、膜厚が不均一となり、絶縁耐圧をさらに低くしてい
た。その結果として、製造された薄膜ＥＬ素子は電圧を
十分に印加できないので、図６に示す輝度−電圧特性の
ように輝度が低いという欠点を有していた。
うな従来の製造方法で製造された薄膜ＥＬ素子は、絶縁
耐圧を十分に有していなかった。すなわち、薄膜ＥＬ素
子の絶縁耐圧を主として担っている誘電体層３はＲＦス
パッタ装置で形成されるために、膜中にピンホールやク
ラスター等の欠陥を有しており、絶縁耐圧が低く、それ
を補うために、上記の従来例では誘電体層３を２層構造
としているが、それでも絶縁耐圧は十分ではなかった。
また、誘電体層の表面には突起等による凹凸が形成さ
れ、膜厚が不均一となり、絶縁耐圧をさらに低くしてい
た。その結果として、製造された薄膜ＥＬ素子は電圧を
十分に印加できないので、図６に示す輝度−電圧特性の
ように輝度が低いという欠点を有していた。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、誘電
体層の絶縁耐圧を向上させ、輝度の高い、信頼性の高い
薄膜ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目的とす
る。
体層の絶縁耐圧を向上させ、輝度の高い、信頼性の高い
薄膜ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、誘電体層が酸化物と窒化物および酸化物が
順次積層された複合誘電体層であること、および同複合
誘電体層を構成する２つの酸化物層のうち、発光層と接
する側の酸化物層が化学的気相成長法で形成した堆積層
である構成による。
するために、誘電体層が酸化物と窒化物および酸化物が
順次積層された複合誘電体層であること、および同複合
誘電体層を構成する２つの酸化物層のうち、発光層と接
する側の酸化物層が化学的気相成長法で形成した堆積層
である構成による。
【０００８】
【作用】この構成によって、３層構造による誘電体層の
絶縁耐圧の向上が実現されるとともに、誘電体層表面の
突起等による凹凸が除去されるので膜厚を均一にするこ
とができ、誘電体層に印加される電界強度が均一とな
り、絶縁耐圧がさらに向上される。そのため、絶縁耐圧
は従来の製造方法によるものと比べて飛躍的に向上し、
その結果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜ＥＬ素子が実現
できる。
絶縁耐圧の向上が実現されるとともに、誘電体層表面の
突起等による凹凸が除去されるので膜厚を均一にするこ
とができ、誘電体層に印加される電界強度が均一とな
り、絶縁耐圧がさらに向上される。そのため、絶縁耐圧
は従来の製造方法によるものと比べて飛躍的に向上し、
その結果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜ＥＬ素子が実現
できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。図１は本発明中の第１の発明の一実施例
における薄膜ＥＬ素子を説明するための要部断面図、図
２は第２の発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子を説明
するための要部断面図、図３は第３の発明の一実施例に
おける薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための要部の
工程順断面図、図４は本発明の一実施例により得られた
薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図である。
いて説明する。図１は本発明中の第１の発明の一実施例
における薄膜ＥＬ素子を説明するための要部断面図、図
２は第２の発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子を説明
するための要部断面図、図３は第３の発明の一実施例に
おける薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための要部の
工程順断面図、図４は本発明の一実施例により得られた
薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図である。
【００１０】なお、これらの図１，図２，図３におい
て、従来例の図５に示された各部と同等の機能を有する
ものには、同一の符号を付して示している。
て、従来例の図５に示された各部と同等の機能を有する
ものには、同一の符号を付して示している。
【００１１】この実施例の説明では、概ね図３を用いて
第３の発明を説明するが、その中で要部において図１お
よび図２を参照して、第１の発明および第２の発明を説
明する。
第３の発明を説明するが、その中で要部において図１お
よび図２を参照して、第１の発明および第２の発明を説
明する。
【００１２】まず、図３（ａ）に示すように、ガラス、
石英等からなる透光絶縁性基板１上に、直流スパッタ装
置により厚さ０．１μｍ程度のＩＴＯ等の透明導電層を
形成した後、フォトレジストをマスクとしてエッチング
装置により、ストライプ状に透光性電極２を形成する。
石英等からなる透光絶縁性基板１上に、直流スパッタ装
置により厚さ０．１μｍ程度のＩＴＯ等の透明導電層を
形成した後、フォトレジストをマスクとしてエッチング
装置により、ストライプ状に透光性電極２を形成する。
【００１３】次に、図３（ｂ）に示すように、ＲＦスパ
ッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＴａ2Ｏ5層３ａ、
厚さ０．１μｍ程度のＳｉ3Ｎ4層３ｂおよび厚さ０．１
μｍ程度のＳｉＯ2層３ｃを順次積層して、図３（ｃ）
に示す第１の誘電体層３を形成する。
ッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＴａ2Ｏ5層３ａ、
厚さ０．１μｍ程度のＳｉ3Ｎ4層３ｂおよび厚さ０．１
μｍ程度のＳｉＯ2層３ｃを順次積層して、図３（ｃ）
に示す第１の誘電体層３を形成する。
【００１４】この後、図３（ｄ）に示すように、ＥＢ蒸
着装置により厚さ１．０μｍ程度のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ
からなる発光層４を形成する。このときイオウ（Ｓ）の
再蒸発を補うためにイオウの蒸発を同時に別のるつぼ等
から行なったり、発光層４の結晶性を向上させるために
熱処理をするのが望ましい。
着装置により厚さ１．０μｍ程度のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ
からなる発光層４を形成する。このときイオウ（Ｓ）の
再蒸発を補うためにイオウの蒸発を同時に別のるつぼ等
から行なったり、発光層４の結晶性を向上させるために
熱処理をするのが望ましい。
【００１５】そして、図３（ｆ），（ｇ）に示すように
第２の誘電体層５および背面電極６を形成して、酸化物
と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を
第１の誘電体層３とする第１の発明の薄膜ＥＬ素子が得
られる。その要部断面図を図１に示している。このよう
にして得られた第１の発明の薄膜ＥＬ素子は図４に一点
鎖線で示すような輝度−電圧特性を示した。参考のため
に従来の製造方法により製造された同様な薄膜ＥＬ素子
の特性を同図中に点線で示す。
第２の誘電体層５および背面電極６を形成して、酸化物
と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を
第１の誘電体層３とする第１の発明の薄膜ＥＬ素子が得
られる。その要部断面図を図１に示している。このよう
にして得られた第１の発明の薄膜ＥＬ素子は図４に一点
鎖線で示すような輝度−電圧特性を示した。参考のため
に従来の製造方法により製造された同様な薄膜ＥＬ素子
の特性を同図中に点線で示す。
【００１６】ただ、第１の発明の薄膜ＥＬ素子は誘電体
層３が物理的気相成長法であるスパッタ法で形成された
堆積層であるので、急峻な段差上での被覆特性が劣って
おり、誘電体層の形状により膜厚分布が不均一になり特
性が変動することがあった。この点をさらに改善するの
が第２の発明である。
層３が物理的気相成長法であるスパッタ法で形成された
堆積層であるので、急峻な段差上での被覆特性が劣って
おり、誘電体層の形状により膜厚分布が不均一になり特
性が変動することがあった。この点をさらに改善するの
が第２の発明である。
【００１７】図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、透光絶
縁性基板１上に、透光性電極２、第１の誘電体層３、発
光層４を順次形成した後、図３（ｅ）に示すように、減
圧ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）装置によりＴ
ＥＯＳ（Tetraethyloxysilane）ガスを主原料とする化
学的気相成長法により厚さ０．１μｍ程度のＳｉＯ2層
５ａ、ＲＦスパッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＳ
ｉ3Ｎ4層５ｂおよび厚さ０．１μｍ程度のＳｉＯ2層５
ｃを順次積層して、図３（ｆ）に示す第２の誘電体層５
を形成する。
縁性基板１上に、透光性電極２、第１の誘電体層３、発
光層４を順次形成した後、図３（ｅ）に示すように、減
圧ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）装置によりＴ
ＥＯＳ（Tetraethyloxysilane）ガスを主原料とする化
学的気相成長法により厚さ０．１μｍ程度のＳｉＯ2層
５ａ、ＲＦスパッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＳ
ｉ3Ｎ4層５ｂおよび厚さ０．１μｍ程度のＳｉＯ2層５
ｃを順次積層して、図３（ｆ）に示す第２の誘電体層５
を形成する。
【００１８】最後に、図３（ｇ）に示すように、直流ス
パッタ装置により厚さ０．１μｍ程度のＡｌ−Ｓｉ等か
らなる金属導電層を形成し、フォトリソグラフィーによ
り透光性電極２と互いに交差するようにエッチング装置
により、ストライプ状に背面電極６を形成する。
パッタ装置により厚さ０．１μｍ程度のＡｌ−Ｓｉ等か
らなる金属導電層を形成し、フォトリソグラフィーによ
り透光性電極２と互いに交差するようにエッチング装置
により、ストライプ状に背面電極６を形成する。
【００１９】以上のようにして、誘電体層が酸化物層と
窒化物層および酸化物層が順次積層された複合誘電体層
からなるにあたり、誘電体層を構成する２つの酸化物層
のうち、発光層と接する側の酸化物層が化学的気相成長
法で形成した堆積層である方法を第２の誘電体層５に適
用して実施した第２の発明の薄膜ＥＬ素子が得られる。
その要部断面図を図２に示している。このようにして得
られた第２の発明の薄膜ＥＬ素子は図４に実線で示すよ
うな輝度−電圧特性を示した。
窒化物層および酸化物層が順次積層された複合誘電体層
からなるにあたり、誘電体層を構成する２つの酸化物層
のうち、発光層と接する側の酸化物層が化学的気相成長
法で形成した堆積層である方法を第２の誘電体層５に適
用して実施した第２の発明の薄膜ＥＬ素子が得られる。
その要部断面図を図２に示している。このようにして得
られた第２の発明の薄膜ＥＬ素子は図４に実線で示すよ
うな輝度−電圧特性を示した。
【００２０】以上のようにこの実施例によれば、酸化物
と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を
構成する２つの酸化物層のうち、発光層と接する側の酸
化物層が化学的気相成長法で形成した堆積層である構成
により、製造方法も簡単に誘電体層の絶縁耐圧を向上さ
せることができる。
と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を
構成する２つの酸化物層のうち、発光層と接する側の酸
化物層が化学的気相成長法で形成した堆積層である構成
により、製造方法も簡単に誘電体層の絶縁耐圧を向上さ
せることができる。
【００２１】なお、本発明中の第１，第２および第３の
発明の実施例では、発光層としてＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍを
用いたが、発光層の発光母体がＺｎＳ、ＣａＳおよびＳ
ｒＳのうち少なくとも１種類を含むものであれば何でも
よい。また、付活材料にも限定されるものでもなく、Ｃ
ａＳ：ＥｕでもＳｒＳ：ＳｍでもＣａxＳｒ1-xＳ：Ｐｒ
（０≦ｘ≦１）でもよい。加えて、誘電体層を構成する
ＲＦスパッタ装置により形成された酸化物層としてＳｉ
Ｏ2やＴａ2Ｏ5を用い、窒化物としてＳｉ3Ｎ4を用いた
が、特別に限定されるものではなく、酸化物層としては
Ａｌ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴａ2Ｏ6やＰＺＴ、窒化
物としてはＡｌＮ、ＳｉＯＮなどでもよいことは言うま
でもない。
発明の実施例では、発光層としてＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍを
用いたが、発光層の発光母体がＺｎＳ、ＣａＳおよびＳ
ｒＳのうち少なくとも１種類を含むものであれば何でも
よい。また、付活材料にも限定されるものでもなく、Ｃ
ａＳ：ＥｕでもＳｒＳ：ＳｍでもＣａxＳｒ1-xＳ：Ｐｒ
（０≦ｘ≦１）でもよい。加えて、誘電体層を構成する
ＲＦスパッタ装置により形成された酸化物層としてＳｉ
Ｏ2やＴａ2Ｏ5を用い、窒化物としてＳｉ3Ｎ4を用いた
が、特別に限定されるものではなく、酸化物層としては
Ａｌ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴａ2Ｏ6やＰＺＴ、窒化
物としてはＡｌＮ、ＳｉＯＮなどでもよいことは言うま
でもない。
【００２２】また、第１の発明の実施例では、酸化物と
窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を第
１の誘電体層として実施したが、第２の誘電体層として
実施してもよい。加えて、第２の発明の実施例では、誘
電体層が酸化物層と窒化物層および酸化物層が順次積層
された複合誘電体層からなるにあたり、誘電体層を構成
する２つの酸化物層のうち、発光層と接する側の酸化物
層が化学的気相成長法で形成した堆積層である方法を第
２の誘電体層に適用して実施したが、これも限定された
ものではなく、第１の誘電体層として実施してもよいこ
とは言うまでもない。
窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層を第
１の誘電体層として実施したが、第２の誘電体層として
実施してもよい。加えて、第２の発明の実施例では、誘
電体層が酸化物層と窒化物層および酸化物層が順次積層
された複合誘電体層からなるにあたり、誘電体層を構成
する２つの酸化物層のうち、発光層と接する側の酸化物
層が化学的気相成長法で形成した堆積層である方法を第
２の誘電体層に適用して実施したが、これも限定された
ものではなく、第１の誘電体層として実施してもよいこ
とは言うまでもない。
【００２３】さらに、第３の発明の実施例では、発光層
の下もしくは上に酸化物層と窒化物層および酸化物層が
順次積層された複合誘電体層を形成するにあたり、発光
層と接する側の酸化物層を化学的気相成長法で形成する
工程を第２の誘電体層に適用することにより実施した
が、第１の誘電体層に適用したり、第１および第２の誘
電体層の両方に適用してもよい。加えて、化学的気相成
長法として、減圧ＣＶＤ装置によるＴＥＯＳガスを主原
料とするＳｉＯ2層を用いたが、装置としては常圧ＣＶ
Ｄ装置でもよいし、ガスとしてはモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）やジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用いたＳｉＯ2層、ある
いは数モル％のホスフィン（ＰＨ3）やジボラン（Ｂ2Ｈ
6）をさらに添加したＰＳＧ（Phosphosilicate Glass）
層、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）層やＢＰＳＧ（Boro
phosphosilicate Glass）層などでもよい。すなわち、
化学的気相成長法による堆積層であれば何でもよい。
の下もしくは上に酸化物層と窒化物層および酸化物層が
順次積層された複合誘電体層を形成するにあたり、発光
層と接する側の酸化物層を化学的気相成長法で形成する
工程を第２の誘電体層に適用することにより実施した
が、第１の誘電体層に適用したり、第１および第２の誘
電体層の両方に適用してもよい。加えて、化学的気相成
長法として、減圧ＣＶＤ装置によるＴＥＯＳガスを主原
料とするＳｉＯ2層を用いたが、装置としては常圧ＣＶ
Ｄ装置でもよいし、ガスとしてはモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）やジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用いたＳｉＯ2層、ある
いは数モル％のホスフィン（ＰＨ3）やジボラン（Ｂ2Ｈ
6）をさらに添加したＰＳＧ（Phosphosilicate Glass）
層、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）層やＢＰＳＧ（Boro
phosphosilicate Glass）層などでもよい。すなわち、
化学的気相成長法による堆積層であれば何でもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体層が酸化
物と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層
であること、および複合誘電体層を構成する２つの酸化
物層のうち、発光層と接する側の酸化物層が化学的気相
成長法で形成した堆積層である構成により、３層構造に
よる誘電体層の絶縁耐圧の向上が実現されるとともに、
誘電体層表面の突起等による凹凸が除去されるので膜厚
を均一とすることができ、誘電体層に印加される電界強
度が均一となり、絶縁耐圧がさらに向上する。そのた
め、絶縁耐圧は従来の製造方法によるものと比べて飛躍
的に向上する。その結果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
物と窒化物および酸化物が順次積層された複合誘電体層
であること、および複合誘電体層を構成する２つの酸化
物層のうち、発光層と接する側の酸化物層が化学的気相
成長法で形成した堆積層である構成により、３層構造に
よる誘電体層の絶縁耐圧の向上が実現されるとともに、
誘電体層表面の突起等による凹凸が除去されるので膜厚
を均一とすることができ、誘電体層に印加される電界強
度が均一となり、絶縁耐圧がさらに向上する。そのた
め、絶縁耐圧は従来の製造方法によるものと比べて飛躍
的に向上する。その結果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
【図１】本発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の要部
断面図
断面図
【図２】同薄膜ＥＬ素子の他の例の要部断面図
【図３】同薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための要
部の工程順断面図
部の工程順断面図
【図４】同薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図
【図５】従来の薄膜ＥＬ素子の一部断面図
【図６】同薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図
１ 透光絶縁性基板 ２ 透光性電極（第１の電極） ３ 第１の誘電体層 ４ 発光層 ５ 第２の誘電体層 ６ 背面電極（第２の電極）
Claims (3)
- 【請求項１】透光絶縁性基板上に少なくとも一方が透光
性電極である二つの電極が配置され、その二つの電極間
に第１の誘電体層、発光層および第２の誘電体層を順次
積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記第１および第
２の誘電体層のうち少なくとも一つが酸化物層、窒化物
層および酸化物層が順次積層された複合誘電体層であっ
て、前記酸化物層のどちらかが前記発光層に接している
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】複合誘電体層を構成する二つの酸化物層の
うち発光層と接する側の酸化物層が化学的気相成長法で
形成した堆積層であることを特徴とする請求項１記載の
薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】透光絶縁性基板上に透光性または不透光性
の第１の電極を形成する工程と、その第１の電極上に第
１の誘電体層を形成する工程と、その第１の誘電体層上
に発光層を形成する工程と、その発光層上に第２の誘電
体層を形成する工程と、その第２の誘電体層上に背面電
極となる透光性または不透光性の第２の電極を形成する
薄膜ＥＬ素子の製造方法において、前記第１および第２
の誘電体層を形成する工程のうち少なくとも一つが、酸
化物層、窒化物層および酸化物層を順次積層し、前記二
つの酸化物層のうち前記発光層に接する側の酸化物層を
化学的気相成長法で形成する工程であることを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3314255A JP2803803B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3314255A JP2803803B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152075A JPH05152075A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2803803B2 true JP2803803B2 (ja) | 1998-09-24 |
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ID=18051152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3314255A Expired - Fee Related JP2803803B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803803B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4685253B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2011-05-18 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | Ｅｌ素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119093A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-07 | Central Glass Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3314255A patent/JP2803803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152075A (ja) | 1993-06-18 |
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