JPH04141983A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH04141983A JPH04141983A JP2260390A JP26039090A JPH04141983A JP H04141983 A JPH04141983 A JP H04141983A JP 2260390 A JP2260390 A JP 2260390A JP 26039090 A JP26039090 A JP 26039090A JP H04141983 A JPH04141983 A JP H04141983A
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- Japan
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- transparent electrode
- thin film
- dielectric layer
- ito
- dielectric
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フラットパネルデイスプレィとして注目され
ている薄膜ＥＬ素子に関し、特に絶縁耐圧に優れた薄膜
ＥＬ素子に関する。
ている薄膜ＥＬ素子に関し、特に絶縁耐圧に優れた薄膜
ＥＬ素子に関する。
薄膜ＥＬ素子は、平板で薄く、大面積形状の表示パネル
ができるので、数字表示から図形表示、画像表示と幅広
い用途が考えられ、近年脚光を浴びている。
ができるので、数字表示から図形表示、画像表示と幅広
い用途が考えられ、近年脚光を浴びている。
このような薄膜ＥＬ素子の基本構造は、ガラス基板上に
酸化錫層等からなる透明な第１電極（透明電極）と、Ｔ
ａ２０５等の誘電体からなる第１誘電体層（第１絶縁層
）と、ＺｎＳ。
酸化錫層等からなる透明な第１電極（透明電極）と、Ｔ
ａ２０５等の誘電体からなる第１誘電体層（第１絶縁層
）と、ＺｎＳ。
ＣａＳ、ＳｒＳ等の母材にＭｎ、Ｃｅ、Ｅｕ等の発光中
心不純物をドープした発光層と、第２誘電体層（第２絶
縁層）と、アルミニウム層等からなる第２電極（背面電
極）とを順次積層せしめた二重絶縁構造をなしている。
心不純物をドープした発光層と、第２誘電体層（第２絶
縁層）と、アルミニウム層等からなる第２電極（背面電
極）とを順次積層せしめた二重絶縁構造をなしている。
そして、透明電極と背面電極との間に電圧を印加すると
、発光層内に誘起された電界によって界面準位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され、充分なエネ
ルギーを得、この電子が発光中心の軌道電子に衝突して
励起し、この励起された発光中心が基底状態に戻る際に
発光を行う。
、発光層内に誘起された電界によって界面準位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され、充分なエネ
ルギーを得、この電子が発光中心の軌道電子に衝突して
励起し、この励起された発光中心が基底状態に戻る際に
発光を行う。
前記透明電極として表面の凹凸が激しいＩＴＯを用いて
薄膜ＥＬ素子を形成すると、その上にスパッタリング法
などにより形成される誘電体層（絶縁層）は実効的な膜
厚が薄い部分や異常成長を起こす部分が多くなり、絶縁
耐圧の低いものとなってしまい、絶縁破壊され易くなる
。
薄膜ＥＬ素子を形成すると、その上にスパッタリング法
などにより形成される誘電体層（絶縁層）は実効的な膜
厚が薄い部分や異常成長を起こす部分が多くなり、絶縁
耐圧の低いものとなってしまい、絶縁破壊され易くなる
。
従って、本発明の目的は、上記のような従来技術の問題
を解決し、絶縁耐圧の良好な薄膜ＥＬ素子を提供するこ
とにある。
を解決し、絶縁耐圧の良好な薄膜ＥＬ素子を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明によれば
、前記目的を達成するために、ＩＴＯにより表面の凹凸
が７００Å以下となるように透明電極を形成する。ここ
で、７００Å以下とは表面凹凸の凸−５間（もしくは凹
−凹間）及び凸部の高低差が７００Å以下であることを
意味する。
、前記目的を達成するために、ＩＴＯにより表面の凹凸
が７００Å以下となるように透明電極を形成する。ここ
で、７００Å以下とは表面凹凸の凸−５間（もしくは凹
−凹間）及び凸部の高低差が７００Å以下であることを
意味する。
第２図に示すように、ガラス基板（１）上に形成したＩ
ＴＯよりなる透明電極（２）の表面の凹凸が激しい場合
、この透明電極（２）上に誘電体層（３）を形成すると
、前記したように、実効的な膜厚が薄い部分（Ａ）や異
常成長を起す部分（Ｂ）が多くなる。このような状態で
ＥＬ素子を作成しても、絶縁破壊し易い素子となってし
まう。
ＴＯよりなる透明電極（２）の表面の凹凸が激しい場合
、この透明電極（２）上に誘電体層（３）を形成すると
、前記したように、実効的な膜厚が薄い部分（Ａ）や異
常成長を起す部分（Ｂ）が多くなる。このような状態で
ＥＬ素子を作成しても、絶縁破壊し易い素子となってし
まう。
しかしながら、本発明のように表面の滑らかな透明電極
上に誘電体層を形成すると、部分的に膜厚が薄くなった
り異常成長を起したりすることは少なくなる。従って、
このような状態でＥＬ素子を作製すれば絶縁破壊しにく
いものとなる。
上に誘電体層を形成すると、部分的に膜厚が薄くなった
り異常成長を起したりすることは少なくなる。従って、
このような状態でＥＬ素子を作製すれば絶縁破壊しにく
いものとなる。
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する
。
。
実施例１
第１図に示すように、ガラス基板（１）上にスパッタ法
で透明電極（２）としてＩＴＯを１５００人蒸着した。
で透明電極（２）としてＩＴＯを１５００人蒸着した。
このＩＴＯの表面状態は、凸−５間が約２００人程度の
極めて滑らかな状態であった。次いで、フォトリソグラ
フィーでバターニングした後、第１誘電体層（３）とし
Ｔ： Ｓ ｉ ＯＮ １０００人をスパッタ法により形
成し、その後、発光層（４）としてＺ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎを５０００人、ＭＳＤ法（多元蒸着法：真空槽内に
発光層の母材（ＺｎＳ）の各構成元素と発光中心不純物
（Ｍ ｎ ）を別々のルツボに入れ、各々を独立して温
度コントロールしつつ加熱し、蒸着を行う方法、詳細に
ついては本出願人の出願に係る特開昭８２−１８０６９
４号公報参照）により形成した。次いで、第２誘電体層
（５）として５ｉＯＮを１０００人、スパッタ法により
形成し、その上にＡＭを電子ビーム蒸着法で３０００人
、続けてＣｕを電子ビーム蒸着法で３０００人蒸着し、
次いでフォトリソグラフィーでバターニングし、背面電
極（６）を形成した。
極めて滑らかな状態であった。次いで、フォトリソグラ
フィーでバターニングした後、第１誘電体層（３）とし
Ｔ： Ｓ ｉ ＯＮ １０００人をスパッタ法により形
成し、その後、発光層（４）としてＺ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎを５０００人、ＭＳＤ法（多元蒸着法：真空槽内に
発光層の母材（ＺｎＳ）の各構成元素と発光中心不純物
（Ｍ ｎ ）を別々のルツボに入れ、各々を独立して温
度コントロールしつつ加熱し、蒸着を行う方法、詳細に
ついては本出願人の出願に係る特開昭８２−１８０６９
４号公報参照）により形成した。次いで、第２誘電体層
（５）として５ｉＯＮを１０００人、スパッタ法により
形成し、その上にＡＭを電子ビーム蒸着法で３０００人
、続けてＣｕを電子ビーム蒸着法で３０００人蒸着し、
次いでフォトリソグラフィーでバターニングし、背面電
極（６）を形成した。
このように、表面の滑らかなＩＴＯを用いて薄膜ＥＬ素
子を形成したところ、大きな暗点（径５０μｍ以上）や
断線のない素子を得ることができた。
子を形成したところ、大きな暗点（径５０μｍ以上）や
断線のない素子を得ることができた。
実施例２
電子ビーム蒸着により凸−凸間隔約３００〜４００人程
度の滑らかな表面状態のＩＴＯ膜を形成する以外は、上
記実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子を作成したところ
、大きな暗点や断線のない素子を得ることができた。
度の滑らかな表面状態のＩＴＯ膜を形成する以外は、上
記実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子を作成したところ
、大きな暗点や断線のない素子を得ることができた。
比較のために、電子ビーム蒸着により凸−凸間隔約８０
０〜１００Ｏ人程度の粗い表面状態のＩＴＯ膜を形成す
る以外は、上記実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子を作
成したところ、得られた素子は、絶縁耐圧に劣り、大き
な暗点や断線を有していた。
０〜１００Ｏ人程度の粗い表面状態のＩＴＯ膜を形成す
る以外は、上記実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子を作
成したところ、得られた素子は、絶縁耐圧に劣り、大き
な暗点や断線を有していた。
以上のように、本発明の薄膜ＥＬ素子は、表面の凹凸が
７００Å以下の滑らかな表面に形成したＩＴＯからなる
透明電極を有し、この上に誘電体層を形成したものであ
るため、誘電体層の膜厚が均一で、部分的に薄くなった
り異常成長を起したりすることが少なく、従った絶縁耐
圧に優れている。
７００Å以下の滑らかな表面に形成したＩＴＯからなる
透明電極を有し、この上に誘電体層を形成したものであ
るため、誘電体層の膜厚が均一で、部分的に薄くなった
り異常成長を起したりすることが少なく、従った絶縁耐
圧に優れている。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す概略構
成図、第２図は表面の凹凸が激しい透明電極上に誘電体
層を形成したときの状態を示す模式図である。 １はガラス基板、２は透明電極（ＩＴＯ）、３，５は誘
電体層（Ｓ １ＯＮ） 、４は発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）
、６は背面電極。
成図、第２図は表面の凹凸が激しい透明電極上に誘電体
層を形成したときの状態を示す模式図である。 １はガラス基板、２は透明電極（ＩＴＯ）、３，５は誘
電体層（Ｓ １ＯＮ） 、４は発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）
、６は背面電極。
Claims (1)
- 基板上に透明電極、第１誘電体層、発光層、第２誘電
体層及び背面電極が形成されており、前記透明電極と背
面電極との間に電圧を印加することによってＥＬ発光を
行う薄膜ＥＬ素子において、前記透明電極が、表面の凹
凸が７００Å以下の滑らかな表面に形成したＩＴＯであ
ることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260390A JPH04141983A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260390A JPH04141983A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04141983A true JPH04141983A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17347256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2260390A Pending JPH04141983A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04141983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002038395A1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Kim Joo Ok | Pen having electro luminescence |
| US7589464B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-09-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Nanotip electrode electroluminescence device with contoured phosphor layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617595A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子に於ける透明導電膜の製造方法 |
| JPS63116390A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-20 | 日立化成工業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPS642398B2 (ja) * | 1984-07-04 | 1989-01-17 | Tokyo Sensen Kikai Seisakusho Kk |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2260390A patent/JPH04141983A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617595A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子に於ける透明導電膜の製造方法 |
| JPS642398B2 (ja) * | 1984-07-04 | 1989-01-17 | Tokyo Sensen Kikai Seisakusho Kk | |
| JPS63116390A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-20 | 日立化成工業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002038395A1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Kim Joo Ok | Pen having electro luminescence |
| US7589464B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-09-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Nanotip electrode electroluminescence device with contoured phosphor layer |
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