JPH08162273A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH08162273A JPH08162273A JP6297051A JP29705194A JPH08162273A JP H08162273 A JPH08162273 A JP H08162273A JP 6297051 A JP6297051 A JP 6297051A JP 29705194 A JP29705194 A JP 29705194A JP H08162273 A JPH08162273 A JP H08162273A
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- Japan
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- layer
- light emitting
- film
- thin film
- zns
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 チオガレート発光層を有する薄膜ＥＬ素子で
あって、発光層を複数積層し、各発光層を４００ｎｍ以
下とし、各発光層の下側にＺｎＳ層、最上部を除く各発
光層の上側に中間絶縁層を設けた構造である。 【効果】 色純度及び発光輝度が共に向上した明るい青
色発光を呈する薄膜ＥＬ素子が得られる。
あって、発光層を複数積層し、各発光層を４００ｎｍ以
下とし、各発光層の下側にＺｎＳ層、最上部を除く各発
光層の上側に中間絶縁層を設けた構造である。 【効果】 色純度及び発光輝度が共に向上した明るい青
色発光を呈する薄膜ＥＬ素子が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型でかつ平板状の表
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子で、特に青色ＥＬ素子に関する。
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子で、特に青色ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネセンス（電界効果）と
いう現象を応用した薄膜ＥＬ素子は、発光デバイスとし
て平面薄型ディスプレイに用いられている。
いう現象を応用した薄膜ＥＬ素子は、発光デバイスとし
て平面薄型ディスプレイに用いられている。
【０００３】このＥＬディスプレイのフルカラー化のた
めに、赤色、緑色、青色を呈するＥＬ発光層の研究が現
在盛んに行われている。
めに、赤色、緑色、青色を呈するＥＬ発光層の研究が現
在盛んに行われている。
【０００４】これらの発光層のうち、青色発光層として
はＳｒＳ：Ｃｅ等が発光材料として用いられて来た。
はＳｒＳ：Ｃｅ等が発光材料として用いられて来た。
【０００５】ところが、ＳｒＳ：Ｃｅの発光ピークは、
Ｃｅの置換するサイトの大きさ等から４８０ｎｍ程度よ
り短波長側にはならないことが予想され、色純度の点で
他の色の発光層より劣ってしまう。
Ｃｅの置換するサイトの大きさ等から４８０ｎｍ程度よ
り短波長側にはならないことが予想され、色純度の点で
他の色の発光層より劣ってしまう。
【０００６】そこで最近では、特開平５−６５４７８号
公報に開示されているように、青色発光材料としてアル
カリ土類チオガレートが検討されている。
公報に開示されているように、青色発光材料としてアル
カリ土類チオガレートが検討されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＥＬディスプレイのフ
ルカラー化を実現させるためには、高輝度で色純度の優
れた青色発光素子を作り出す必要があるが、特開平５−
６５４７８号公報に記載されているＥＬ素子の場合に
は、色純度は優れているものの、発光輝度では十分な特
性が得られていないという欠点がある。
ルカラー化を実現させるためには、高輝度で色純度の優
れた青色発光素子を作り出す必要があるが、特開平５−
６５４７８号公報に記載されているＥＬ素子の場合に
は、色純度は優れているものの、発光輝度では十分な特
性が得られていないという欠点がある。
【０００８】本発明の目的は、上記課題を解決するため
に、アルカリ土類チオガレートを発光材料に用いて、高
輝度で色純度の優れた青色ＥＬ発光素子を提供すること
にある。
に、アルカリ土類チオガレートを発光材料に用いて、高
輝度で色純度の優れた青色ＥＬ発光素子を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
薄膜ＥＬ素子は、いずれか一方が透光性を有する一対の
電極間に母体材料としてアルカリ土類チオガレート、発
光中心材料としてＣｅがそれぞれ添加されたＥＬ発光層
が配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそ
れぞれ配置されたＥＬ構造体を備えており、前記発光層
を複数層積層した多層構造としたことを特徴としてい
る。
薄膜ＥＬ素子は、いずれか一方が透光性を有する一対の
電極間に母体材料としてアルカリ土類チオガレート、発
光中心材料としてＣｅがそれぞれ添加されたＥＬ発光層
が配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそ
れぞれ配置されたＥＬ構造体を備えており、前記発光層
を複数層積層した多層構造としたことを特徴としてい
る。
【００１０】本発明の請求項２記載の薄膜ＥＬ素子は、
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層の母体材料と
して、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことを特徴としている。
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層の母体材料と
して、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことを特徴としている。
【００１１】本発明の請求項３記載の薄膜ＥＬ素子は、
請求項２の構成に加えて、上記ＥＬ発光層の１層あたり
の膜厚を４００ｎｍ以下としたことを特徴としている。
請求項２の構成に加えて、上記ＥＬ発光層の１層あたり
の膜厚を４００ｎｍ以下としたことを特徴としている。
【００１２】本発明の請求項４記載の薄膜ＥＬ素子は、
請求項３の構成に更に加えて、各発光層の下側にＺｎＳ
層を設けたことを特徴としている。
請求項３の構成に更に加えて、各発光層の下側にＺｎＳ
層を設けたことを特徴としている。
【００１３】本発明の請求項５記載の薄膜ＥＬ素子は、
請求項４の構成において、発光層の上側に、上部に積層
された発光層の下側に設けられたＺｎＳ層と接触しない
ように絶縁層を設けたことを特徴としている。
請求項４の構成において、発光層の上側に、上部に積層
された発光層の下側に設けられたＺｎＳ層と接触しない
ように絶縁層を設けたことを特徴としている。
【００１４】
【作用】上記請求項１の構成によれば、発光層を複数層
積層した多層構造としたことにより、発光輝度を高める
ことができる。
積層した多層構造としたことにより、発光輝度を高める
ことができる。
【００１５】上記請求項２の構成によれば、上記ＥＬ発
光層の母体材料として、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことに
より、色純度の良い青色発光素子が得られる。
光層の母体材料として、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことに
より、色純度の良い青色発光素子が得られる。
【００１６】上記請求項３の構成によれば、上記ＥＬ発
光層の各層の膜厚を４００ｎｍ以下としたことにより、
発光輝度を高めることができる。
光層の各層の膜厚を４００ｎｍ以下としたことにより、
発光輝度を高めることができる。
【００１７】上記請求項４の構成によれば、各発光層の
下側にＺｎＳ層を設けたことにより、熱処理後の剥離を
防ぎ、発光層への電荷キャリア注入効果が得られ、発光
輝度を高めることができる。
下側にＺｎＳ層を設けたことにより、熱処理後の剥離を
防ぎ、発光層への電荷キャリア注入効果が得られ、発光
輝度を高めることができる。
【００１８】上記請求項５の構成によれば、発光層の上
側に、上部に積層された発光層の下側に設けられたＺｎ
Ｓ層と接触しないように絶縁層を設けたことにより、発
光輝度を高めることができる。
側に、上部に積層された発光層の下側に設けられたＺｎ
Ｓ層と接触しないように絶縁層を設けたことにより、発
光輝度を高めることができる。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例を図１乃至図５を用いて説明
する。以下の実施例で用いたＥＬ構造体は、ガラス等で
実現される透光性基板の一方の表面に、下部電極、下部
絶縁膜、発光層、上部絶縁膜、上部電極を順次積層した
構造をもつものである。
する。以下の実施例で用いたＥＬ構造体は、ガラス等で
実現される透光性基板の一方の表面に、下部電極、下部
絶縁膜、発光層、上部絶縁膜、上部電極を順次積層した
構造をもつものである。
【００２０】図１は、本発明の一実施例である薄膜ＥＬ
素子の構造を示す断面図である。この実施例では、発光
層としてアルカリ土類チオガレート層を２層積層したも
のを用いている。
素子の構造を示す断面図である。この実施例では、発光
層としてアルカリ土類チオガレート層を２層積層したも
のを用いている。
【００２１】ガラス等で実現される透光性基板１の一方
の表面に、ＩＴＯ等の透明電極で実現される下部電極２
を、高周波スパッタ法、ＥＢ蒸着法等により、５０ｎｍ
程度の膜厚になるように形成する。
の表面に、ＩＴＯ等の透明電極で実現される下部電極２
を、高周波スパッタ法、ＥＢ蒸着法等により、５０ｎｍ
程度の膜厚になるように形成する。
【００２２】下部絶縁膜３は、高周波マグネトロンスパ
ッタ法等により、膜厚３０ｎｍ〜８０ｎｍのＳｉＯ2 膜
と、膜厚２００〜３００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜とを成膜し
て、複合膜として形成する。
ッタ法等により、膜厚３０ｎｍ〜８０ｎｍのＳｉＯ2 膜
と、膜厚２００〜３００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜とを成膜し
て、複合膜として形成する。
【００２３】ＥＬ発光層４，５の形成法としては、ＥＢ
蒸着法や高周波スパッタ法などが用いられる。ＺｎＳ膜
やチオガレート発光層、中間絶縁層を別々の成長法によ
り形成することも可能であるが、生産性を考慮すると同
一の成長法によって形成するほうが望ましい。本実施例
では、すべて高周波スパッタ法を用いた。
蒸着法や高周波スパッタ法などが用いられる。ＺｎＳ膜
やチオガレート発光層、中間絶縁層を別々の成長法によ
り形成することも可能であるが、生産性を考慮すると同
一の成長法によって形成するほうが望ましい。本実施例
では、すべて高周波スパッタ法を用いた。
【００２４】まず、下部絶縁膜上にＺｎＳ膜４を高周波
スパッタ法により膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに
形成する。このＺｎＳ膜は、熱処理後の剥離を防ぐ効果
と、発光層への電荷キャリア注入効果とを持つことから
輝度向上のために設ける。
スパッタ法により膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに
形成する。このＺｎＳ膜は、熱処理後の剥離を防ぐ効果
と、発光層への電荷キャリア注入効果とを持つことから
輝度向上のために設ける。
【００２５】チオガレート発光層５は、Ｓｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅを用いた。ＺｎＳ膜上に高周波スパッタ法に
より膜厚１００ｎｍ〜４００ｎｍのＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃ
ｅ層５を形成する。詳しくは、３ＰａのＨ2Ｓ＋Ａｒ雰
囲気中において、基板温度を１５０℃程度に設定してス
パッタを行う。
2Ｓ5：Ｃｅを用いた。ＺｎＳ膜上に高周波スパッタ法に
より膜厚１００ｎｍ〜４００ｎｍのＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃ
ｅ層５を形成する。詳しくは、３ＰａのＨ2Ｓ＋Ａｒ雰
囲気中において、基板温度を１５０℃程度に設定してス
パッタを行う。
【００２６】中間絶縁層６は、Ｓｉ3Ｎ4 膜を用いた。
チオガレート発光層上に高周波スパッタ法により膜厚５
０ｎｍ〜２００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜６を形成する。
チオガレート発光層上に高周波スパッタ法により膜厚５
０ｎｍ〜２００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜６を形成する。
【００２７】これらのＺｎＳ膜４、チオガレート発光層
５、中間絶縁層６を積層するには、ＺｎＳ膜４、チオガ
レート発光層５、中間絶縁層６を繰り返し成膜する。ま
た、積層する膜厚は、ＺｎＳ膜４、チオガレート発光層
５、中間絶縁層６の合計膜厚が２０００ｎｍ以下とする
ことが望ましい。これは、合計膜厚と閾値電圧との関係
からなるものである。また、最上部のＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：
Ｃｅ層５の上側には中間絶縁層６は形成しない。
５、中間絶縁層６を積層するには、ＺｎＳ膜４、チオガ
レート発光層５、中間絶縁層６を繰り返し成膜する。ま
た、積層する膜厚は、ＺｎＳ膜４、チオガレート発光層
５、中間絶縁層６の合計膜厚が２０００ｎｍ以下とする
ことが望ましい。これは、合計膜厚と閾値電圧との関係
からなるものである。また、最上部のＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：
Ｃｅ層５の上側には中間絶縁層６は形成しない。
【００２８】次に、上部絶縁膜７は、高周波スパッタ法
により膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜と膜
厚３０ｎｍ〜８０ｎｍのＳｉＯ2 膜とを成膜して、複合
膜として形成する。
により膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜と膜
厚３０ｎｍ〜８０ｎｍのＳｉＯ2 膜とを成膜して、複合
膜として形成する。
【００２９】次に、真空中において６７０℃程度で１時
間程の熱処理を施した後、真空蒸着法により、金属Ａｌ
を蒸着して、膜厚３００ｎｍ程度の上部電極８を形成す
る。以上の方法で作製した薄膜ＥＬ素子の各種特性を以
下に示す。
間程の熱処理を施した後、真空蒸着法により、金属Ａｌ
を蒸着して、膜厚３００ｎｍ程度の上部電極８を形成す
る。以上の方法で作製した薄膜ＥＬ素子の各種特性を以
下に示す。
【００３０】まず、本実施例で作製した薄膜ＥＬ素子に
もちいたＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅと、従来より青色ＥＬ素
子に用いられて来たＳｒＳ：Ｃｅとの色純度の比較を図
２にてケリー図上に示す。
もちいたＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅと、従来より青色ＥＬ素
子に用いられて来たＳｒＳ：Ｃｅとの色純度の比較を図
２にてケリー図上に示す。
【００３１】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅの色座標は同図中
（Ａ）にて示され、（ｘ＝０．１８，ｙ＝０．３０）で
あり、従来青色ＥＬ素子に用いられて来たＳｒＳ：Ｃｅ
の色座標は同図中（Ｂ）にて示され、（ｘ＝０．２０，
ｙ＝０．４０）である。この図から分かるように本実施
例の方が、従来より良好な色純度が得られる。
（Ａ）にて示され、（ｘ＝０．１８，ｙ＝０．３０）で
あり、従来青色ＥＬ素子に用いられて来たＳｒＳ：Ｃｅ
の色座標は同図中（Ｂ）にて示され、（ｘ＝０．２０，
ｙ＝０．４０）である。この図から分かるように本実施
例の方が、従来より良好な色純度が得られる。
【００３２】次に、本実施例で作製した薄膜ＥＬ素子の
発光輝度−印加電圧特性を図３に示す。この発光輝度−
印加電圧特性は、上記薄膜ＥＬ素子の下部電極２と上部
電極８との間に駆動用交流電源を接続し、両電極間に素
子駆動周波数１０００Ｈｚの交流パルス電圧を変化させ
て印加したときに得られる発光輝度を測定したものであ
る。
発光輝度−印加電圧特性を図３に示す。この発光輝度−
印加電圧特性は、上記薄膜ＥＬ素子の下部電極２と上部
電極８との間に駆動用交流電源を接続し、両電極間に素
子駆動周波数１０００Ｈｚの交流パルス電圧を変化させ
て印加したときに得られる発光輝度を測定したものであ
る。
【００３３】図３中（Ａ）にて示される特性曲線は、図
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，８００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，８００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
【００３４】同図中（Ｂ）にて示される特性曲線は、図
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，６００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，６００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
【００３５】同図中（Ｃ）にて示される特性曲線は、図
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつ１層だけ
成膜したものである。
【００３６】同図中（Ｄ）にて示される特性曲線は、図
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層、中間絶縁層６を１００ｎｍで１層成膜したもので
ある。
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層、中間絶縁層６を１００ｎｍで１層成膜したもので
ある。
【００３７】この結果から、本薄膜ＥＬ素子は、Ｓｒ2
Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層５の１層あたりの膜厚が４００ｎｍ
で、単層よりも積層させたほうが発光輝度が向上するこ
とが分かる。
Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層５の１層あたりの膜厚が４００ｎｍ
で、単層よりも積層させたほうが発光輝度が向上するこ
とが分かる。
【００３８】なお、本発明では、各ＥＬ発光層９の間に
中間絶縁層６を成膜した構造になっているが、これは、
チオガレート層５の上面にＺｎＳ層４が接触しない方が
発光輝度が向上するという実験結果に基づくものであ
る。以下に、この実験結果について説明する。
中間絶縁層６を成膜した構造になっているが、これは、
チオガレート層５の上面にＺｎＳ層４が接触しない方が
発光輝度が向上するという実験結果に基づくものであ
る。以下に、この実験結果について説明する。
【００３９】図４は、チオガレート層５の上面にＺｎＳ
層４を成膜し、中間絶縁層６を設けずに作成した薄膜Ｅ
Ｌ素子である。
層４を成膜し、中間絶縁層６を設けずに作成した薄膜Ｅ
Ｌ素子である。
【００４０】図１及び図４の構成で作成した薄膜ＥＬ素
子の発光輝度−印加電圧特性を図５に示す。
子の発光輝度−印加電圧特性を図５に示す。
【００４１】この発光輝度−印加電圧特性は、下部電極
２と上部電極８との間に駆動用交流電源を接続し、両電
極間に素子駆動周波数１０００Ｈｚの交流パルス電圧を
印加したときに得られる発光輝度を測定したものであ
る。
２と上部電極８との間に駆動用交流電源を接続し、両電
極間に素子駆動周波数１０００Ｈｚの交流パルス電圧を
印加したときに得られる発光輝度を測定したものであ
る。
【００４２】図５中（Ｅ）にて示される特性曲線は、図
４の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層成膜したものである。
４の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層成膜したものである。
【００４３】同図中（Ｆ）にて示される特性曲線は、図
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層、中間絶縁膜６を１００ｎｍで１層成膜したもので
ある。
１の薄膜ＥＬ素子においてＺｎＳ層４とＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層５を２００ｎｍ，４００ｎｍずつそれぞれ
２層、中間絶縁膜６を１００ｎｍで１層成膜したもので
ある。
【００４４】この結果、チオガレート層５の上面にＺｎ
Ｓ層４が接触しないように中間絶縁層６を成膜すること
により、発光輝度が向上することが分かる。
Ｓ層４が接触しないように中間絶縁層６を成膜すること
により、発光輝度が向上することが分かる。
【００４５】以上、図２、図３及び図５から明らかなよ
うに、本発明の薄膜ＥＬ素子では、色純度及び発光輝度
が共に改善され、良好な特性を得ることができる。
うに、本発明の薄膜ＥＬ素子では、色純度及び発光輝度
が共に改善され、良好な特性を得ることができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明の請求項１によれば、いずれか一
方が透光性を有する一対の電極間に、母体材料としてア
ルカリ土類チオガレート、発光中心材料としてＣｅがそ
れぞれ添加されたＥＬ発光層が配置され、前記ＥＬ発光
層と電極との間に絶縁層がそれぞれ配置されたＥＬ構造
体を備える薄膜ＥＬ素子において、発光層を複数層積層
した多層構造としたことにより、発光輝度の向上した明
るい青色発光素子が得られる。
方が透光性を有する一対の電極間に、母体材料としてア
ルカリ土類チオガレート、発光中心材料としてＣｅがそ
れぞれ添加されたＥＬ発光層が配置され、前記ＥＬ発光
層と電極との間に絶縁層がそれぞれ配置されたＥＬ構造
体を備える薄膜ＥＬ素子において、発光層を複数層積層
した多層構造としたことにより、発光輝度の向上した明
るい青色発光素子が得られる。
【００４７】本発明の請求項２によれば、ＥＬ発光層の
母体材料として、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことにより、
色純度が良好になり、安定した青色発光を呈する発光素
子が得られる。
母体材料として、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5を用いたことにより、
色純度が良好になり、安定した青色発光を呈する発光素
子が得られる。
【００４８】本発明の請求項３によれば、ＥＬ発光層の
１層あたりの膜厚を、４００ｎｍ以下としたことによ
り、発光輝度−印加特性の良好な青色発光素子が得られ
る。
１層あたりの膜厚を、４００ｎｍ以下としたことによ
り、発光輝度−印加特性の良好な青色発光素子が得られ
る。
【００４９】本発明の請求項４によれば、各発光層の下
側にＺｎＳ層を設けたことにより、熱処理後の剥離を防
ぎ、発光層への電荷キャリア注入効果が得られ、発光輝
度の向上した明るい青色発光素子が得られる。
側にＺｎＳ層を設けたことにより、熱処理後の剥離を防
ぎ、発光層への電荷キャリア注入効果が得られ、発光輝
度の向上した明るい青色発光素子が得られる。
【００５０】本発明の請求項５によれば、チオガレート
発光層の上側に、上部に積層されたチオガレート発光層
の下側に設けられたＺｎＳ層と接触しないように中間絶
縁層を設けたことにより、発光輝度の向上した明るい青
色発光素子が得られる。
発光層の上側に、上部に積層されたチオガレート発光層
の下側に設けられたＺｎＳ層と接触しないように中間絶
縁層を設けたことにより、発光輝度の向上した明るい青
色発光素子が得られる。
【図１】本発明に係る薄膜ＥＬ素子の実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層、ＳｒＳ：Ｃｅ発
光層それぞれの発光色の色座標をケリー図上に示した図
である。
光層それぞれの発光色の色座標をケリー図上に示した図
である。
【図３】発光層の膜厚と発光輝度−印加電圧特性との関
係を表したグラフである。
係を表したグラフである。
【図４】中間絶縁層を設けていない薄膜ＥＬ素子の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図５】図１及び図４に係る薄膜ＥＬ素子のそれぞれの
発光輝度−印加電圧特性を表したグラフである。
発光輝度−印加電圧特性を表したグラフである。
１ 透光性基板 ２ 下部電極 ３ 下部絶縁膜 ４ ＺｎＳ層 ５ チオガレート発光層 ６ 中間絶縁層 ７ 上部絶縁膜 ８ 上部電極
Claims (5)
- 【請求項１】 いずれか一方が透光性を有する一対の電
極間に、母体材料としてアルカリ土類チオガレート、発
光中心材料としてＣｅがそれぞれ添加されたＥＬ発光層
が配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそ
れぞれ配置されたＥＬ構造体を備える薄膜ＥＬ素子にお
いて、 発光層を複数層積層した多層構造としたことを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ発光層の母体材料として、Ｓｒ
2Ｇａ2Ｓ5を用いたことを特徴とする請求項１記載の薄
膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記ＥＬ発光層の１層あたりの膜厚を、
４００ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項１記載の
薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項４】 各発光層の下側にＺｎＳ層を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項５】 請求項４記載の薄膜ＥＬ素子において、
各発光層の上側に、上部に積層された発光層の下側に設
けられたＺｎＳ層と接触しないように絶縁層を設けたこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6297051A JPH08162273A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6297051A JPH08162273A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162273A true JPH08162273A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17841583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6297051A Pending JPH08162273A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162273A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955210A (en) * | 1996-06-28 | 1999-09-21 | Denso Corporation | Electroluminescent device containing blue light emitting material |
| WO2000079840A1 (en) * | 1999-05-19 | 2000-12-28 | Fal Corporation | A thin luminescent plate and a method for preparing the same |
| US7663309B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
| US8106581B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-01-31 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence element having concentration variation of hole transporting light-emitting material |
| US9012034B2 (en) | 2006-09-28 | 2015-04-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescence element |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6297051A patent/JPH08162273A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955210A (en) * | 1996-06-28 | 1999-09-21 | Denso Corporation | Electroluminescent device containing blue light emitting material |
| US6132647A (en) * | 1996-06-28 | 2000-10-17 | Denso Corporation | Blue light emitting material, electroluminescent device using same and method of manufacturing the electroluminescent device |
| WO2000079840A1 (en) * | 1999-05-19 | 2000-12-28 | Fal Corporation | A thin luminescent plate and a method for preparing the same |
| US7663309B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
| US9012034B2 (en) | 2006-09-28 | 2015-04-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescence element |
| US8106581B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-01-31 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence element having concentration variation of hole transporting light-emitting material |
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