JPH0266867A - カラーelディスプレイ装置とその製造方法 - Google Patents

カラーelディスプレイ装置とその製造方法

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JPH0266867A
JPH0266867A JP63216523A JP21652388A JPH0266867A JP H0266867 A JPH0266867 A JP H0266867A JP 63216523 A JP63216523 A JP 63216523A JP 21652388 A JP21652388 A JP 21652388A JP H0266867 A JPH0266867 A JP H0266867A
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阿部 惇
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄型カラーELディスプレイ装置に関するも
のであり、とりわけ発光輝度が高(、色純度が優れた三
原色でカラー表示可能なELディスプレイ装置に関する
従来の技術 近年、コンピュータ端末なとに用いるフラットディスプ
レイ装置りして、薄型ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。その中でもカラーELディスプレイ装置
の開発は、将来のディスプレイとしての位置付けを左右
するため、現在最も多くの力が注がれている。
カラーフィルタを用いる方式のカラーELディスプレイ
についてすでに提案されている。しかしながら、い(つ
かの課題が残されている。そのひとつが、有機カラーフ
ィルタを用いるとEL光の輝度が40%程度減衰するこ
とである。一方、EL光の透過率が少なくとも90%以
上になるという長所を持った無機フィルタは膜厚が厚(
、その上にEL層を積層するときにはフィルタと基板と
の段差が大きすぎて断線などの製造上の問題が発生した
カラーELディスプレイ装置の構成としては、赤色光と
してはサマリウムを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層
やユーロピウムを発光不純物とする硫化カルシウム蛍光
体層からの発光を用い、緑色光としてはテルビウムを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層やセリウムを発光不純
物とする硫化カルシウム蛍光体層からの発光を用い、青
色光としてはセリウムを発光不純物とする硫化ストロン
チウム蛍光体層からの発光を用いて三原色発光がなされ
ている。(特開昭61−260594号公報参照) 発明が解決しようとする課題 従来の無機フィルタを用いてその上にEL層を積層する
構成のカラーELディスプレイはフィルタの厚さが厚す
ぎて安定に製造することができない。
また従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用と
して、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テル
ビウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロン
チウムを用いてカラーELディスプレイ装置を形成した
場合、青色の色純度や三原色の発光輝度のバランスが最
適でなく、色再現性が不十分であり、高品位のカラーE
Lディスプレイ装置を実現できなかった。本発明の目的
は前記問題点を解決した従来に比べて格段に高輝度で色
再現性が広く、表示品位の優れたカラーELディスプレ
イ装置を構成するための薄膜構成と、フィルターの組み
合わせを提供することである。
課題を解決するための手段 透光性の基板上に複数種類の色フィルタを選択的に設け
、前記色フィルタ上あるいは色フィルタ上および色フィ
ルタの間隙に複数種類のEL発光層を設け、前記EL発
光層の間隙に誘電体層を設けた上部に背面電極を設け、
かつ前記色フィルタとEL発光層とを対応させる。
作用 上記の構成によれば、EL発光層と色フィルタの組み合
わせにより、高輝度で色再現性が広いカラーELディス
プレイ装置を実現することができ、しかも、EL発光層
の間隙に設けた誘電体層により、フィルタと基板との段
差に起因する断線を防止することができる。
鉛蛍光体は、発光効率が2〜81a+/Wときわめて高
く、発光スペクトルは590nmを中心波長とするブロ
ードな発光であるため、適当なフィルターを用いること
により、色純度、輝度の高い赤色を実現できる。3価テ
ルビウムイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体の発
光は、490nmを中心波長とする青色成分、550n
m付近の緑色成分、および590nn、620nm付近
の波長成分からなり、その中でも550nm付近の発光
が最も強(色純度の優れた緑色発光を示す。また発光効
率も高いためフィルターを用いることにより、さらに純
度の高い緑色を実現できる。3価セリウムイオンを発光
不純物とする硫化ストロンチウムの発光は480nmを
中心波長とする緑青色のブロードな発光であるため、適
当なフィルターを用いることにより、色純度の高い青色
を実現できる。
本発明は、蛍光体とフィルターを組み合わせる構成を可
能にするため、以下のような構成を用いる。
図に本発明のカラーELディスプレイ装置の−実施例を
説明するための断面図を示す。ガラス基板1上に選択的
にカラーフィルタ2を形成する。
この実施例では緑色用のフィルタは形成せずに赤色用の
フィルタ2Aと青色用のフィルタ2Cとを形成した。
これらのカラーフィルタ2を形成したのちに、膜3から
膜8を形成する工程および形成されたEL発光層5のア
ニール処理のときにフィルタが変質したりフィルタ膜に
クラックが入らないことなどのために、耐熱性のあるフ
ィルタが要求される。従って現在の技術レベルでは有機
フィルタは使えない。
光透過率などの分光特性および耐熱性を考慮すれば好ま
しい材料の一つが無機干渉フィルタである。例えば、屈
折率が2.20のTiO2、屈折率が1.47のSin
g、屈折率が1.62のAl2O3薄膜を、電子ビーム
蒸着法を用いて交互に積層したものである。
しかしながら、例えば緑色用フィルタを形成する場合(
図示せず)、厚さ75nmのTi(hと厚さ113nm
の5i02を19層積層する必要が生ずる。このときト
ータルの厚さは約1.8μmにもなってしまう。透過特
性をより急峻にするためには積層数を増加させる必要が
ある。そのためこのフィルタ上に薄膜を積層する場合段
差部分では膜厚が薄くなったり切れたりする。マトリク
スタイプのELディスプレイを構成する透明電極3と背
面電極8とは必ず交差することが必要になるが上に述べ
た理由で背面電極8がフィルタの段差部分で断線してし
まう。
この問題を解決するために、EL発光層の間隙部分に誘
電体層7を形成し段差を少な(することが必要不可欠で
ある。図にも示したように2Aと20の厚さは同じにで
きないことが多い。透明電極3はスパッタリング法によ
り形成された厚さ200nmの錫添加酸化インジウム(
ITO)薄膜である。ITO薄膜をホトリソグラフィ技
術を用いて加工することによりストライプ状の透明電極
3を形成した。その上に、酸素を10%含むアルゴン雰
囲気中で5rTi03セラミツクターゲツトを高周波ス
パッタリングすることにより、厚さ500nmの下部誘
電体薄膜4を形成した。
下部誘電体薄膜4の上には、1xlO−2Torrの圧
力で硫化水素を5%含むアルゴン雰囲気中、250℃の
基板温度で、フッ化テルビウム(TbF3)を1モル%
含むZnS焼結体をターゲットとして高周波スパッタリ
ングすることにより、厚さ500nmのlnS:Tb、
Fから成る蛍光体膜を成膜した。その後フォトリソグラ
フィ技術を用いてストライプ状の緑色用発光層5Bを形
成し、真空中500℃で1時間熱処理を行った。その上
に電子ビーム加熱真空蒸着法により、厚さ600nmの
ZnS : Mnから成る蛍光体膜を成膜し、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてストライプ状の赤色用発光層5
Aを形成し、その後真空中500℃で1時間熱処理を行
った。さらにその上に電子ビーム加熱真空蒸着法により
、厚さ600nmのSrS:Ce、Fから成る蛍光体膜
を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ
状の青色用発光層5Cを形成し、その後真空中500℃
で1時間熱処理を行った。
発光層5A、5B、5C上には電子ビーム蒸着法により
厚さ200nmの酸化イツトリウム(Y2O2)からな
る上部誘電体薄膜6、EL発光層5の間隙に設けた誘電
体層7および厚さ200nmのAIからなるストライプ
状の背面電極8を順次形成した。
ガラス製の透光性基板1の一方の面には、600nmよ
り短い波長の光を遮断するストライプ状の赤色用フィル
ター2Aと青色光のみを透過させるストライプ状バンド
パスフィルター20が形成されている。ストライプ状の
赤色用フィルター2Aと青色用フィルター20はそれぞ
れストライプ状の赤色用発光層5Aと青色用発光層5C
に対応するように配置した。
本発明のカラーELディスプレイ装置のストライプ状の
背面電極8とストライプ状の透明電極3との間に交流電
圧を印加することにより、これらの電極の交差部分の発
光層を発光させることができ、透光性基板1を透過さぜ
ることにより赤色、緑色、青色の三原色を用いて、カラ
ー画像を表示することができた。実施例では青色用フィ
ルターとして、青色光のみを透過させるバンドパスフィ
ルターを用いたが、長波長カットフィルターを用いても
同様の効果が得られた。また緑色光にたいしてはフィル
ターを用いなかったが、適当なバンドパスフィルターを
用いることにより、より優れた色再現性を実現できた。
本発明の第2の実施例について以下に述べる。
カラーフィルタ2として第1の実施例に用いた光の干渉
効果を用いたフィルターの替わりに半導体の基礎吸収端
を用いた無機フィルタを用いることができる。例えば、
膜厚0.8μm程度以上のZnxCd+−Xs膜あるい
はZnxCd+−xsyse+−y膜の組成比を制御す
ることにより半値波長の制御を行うことができる。例え
ば、抵抗加熱蒸着法により形成したZnxCd+−xS
膜の組成比x fi:0.02〜0.08まで変化させ
たときフィルタの半値波長が493〜503nmの範囲
で変化させることができた。
以下に本発明のELディスプレイ装置の製造方法につい
て述べる。
カラーフィルタ2Aおよび2Cのパターニングは反応性
スパッタエツチングによって行う。この様なカラーフィ
ルタに関する技術は、例えば電子通信学会研究委員会資
料(ED−445、IPD42−16;頁37〜41 
; 1979) 、およびナショナル テクニカル レ
ポート(NationalTechnical Rep
ort) 、 V o I 、 28 ;頁127〜1
36 ; 1982)において知られている。このドラ
イエツチングを有効に行わせるためにはエツチングスト
ッパ層としてガラス基板1とカラーフィルタ2との間に
Al2O3薄膜を設ける。(図示せず) カラーフィルタ2Aを選択的に設けたのちに基板全面に
Al2O3薄膜を設け(図示せず)、2Aの場合と同様
にしてカラーフィルタ2Cを選択的に設ける。このとき
のAl2O3薄膜はカラーフィルタ2Aを保護するため
のものである。
誘電体層7はポリイミド系高分子材料、好ましくは感光
性ポリイミド材料を用いて形成される。
ポリイミド系高分子材料を層間絶縁膜として用いる多層
配線技術は既に開発されている。例えば電子材料(頁5
8〜65;1985年7月号)および電子通信学会論文
誌(Vol、J68−C1頁1060〜1065 ; 
1985年〉において詳細に述べられている。図におい
て上部誘電体薄膜6まで形成した後、回転塗布法により
全面に1〜2μm程度の膜厚の感光性のポリイミド系樹
脂(例えば、感光性ポリイミド:シーメンス製、UR3
100:束し製、感光性ポリイミド:日立−日立化成製
)の層を形成する(図示せず)。この後露光、現像を行
いEL発光層5A、5B、5Cの上の部分を選択的に除
去する(図において背面電極8が形成されるまえの状態
に相当する)。現像はジメチルアセトアミドを主成分と
する現像液(例えば、東し社製DV−140)を用い、
超音波印加浸漬法で行った。現像後イソプロピルアルコ
ールでリンスを行い、乾燥した。本発明においては上部
誘電体薄膜6あるいは上部誘電体薄膜6がないときには
EL発光層5A、5B、5Cが誘電体層7をエツチング
するときのストッパ層となる。したがってEL発光層5
A、5B、5Cの上部のポリイミド系樹脂層を確実に除
去することができる。ポリイミド系樹脂層の除去はN−
メチル2−ピリドンやo2ガスプラズマによっても除去
することができる。反応性イオンエツチングを用いると
スルーホールのテーパ角の制御がやりやすくなる。した
がって、図に示したように透明電極3と背面電極との間
の距離を同一に保つことができる。この材料の特徴は下
地の凹凸に左右されずに容易に平坦化でき、しかも厚膜
化しやすいことである。また残留応力も膜厚に無関係に
小さ(、さらには背面電極であるAlの線膨張係数とも
非常に近いという大きな長所がある。本発明の特徴は感
光性を持たないポリイミド系樹脂層(例えば、PIQ:
日立化成製、PYRALIN  PI−2545および
P l−2555:デュポン製)を用いても失われるこ
とはないが、図のパターンを形成する場合にポリイミド
系樹脂層の上に感光性樹脂層を新たに設ける必要がある
ことはいうまでもない。(例えば特開昭60−1821
34号公報参照) 誘電体層7を無機絶縁膜とポリイミド樹脂層との積層膜
にした場合にも本発明の効果は発揮される。また、背面
電極8を超伝導材料によって構成するならばAI電極面
での外光反射がな(なり、電気抵抗値も低下するので実
用的な価値が大きい。
発明の効果 本発明によれば、色再現性に優れた、高輝度の高品位の
カラーELディスプレイ装置を提供することができ実用
的価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の1実施例を説明するためのカラーELディ
スプレイ装置の断面図を示す。 1・・・ガラス基板、2・・・カラーフィルタ、3・・
・透明電極、4・・・下部誘電体薄膜、5・・・EL発
光層、6・・・上部誘電体薄膜、7・・・誘電体層、8
・・・背面電極。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透光性の基板上に複数種類の色フィルタを選択的
    に設け、前記色フィルタ上あるいは色フィルタ上および
    色フィルタの間隙に複数種類のEL発光層を設け、前記
    EL発光層の間隙に誘電体層を設けた上部に背面電極を
    設け、かつ前記色フィルタとEL発光層とを対応させた
    ことを特徴とするカラーELディスプレイ装置。
  2. (2)色フィルタが光の干渉効果を利用した多層膜ある
    いは半導体の基礎吸収端を利用した膜であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のカラーELディス
    プレイ装置。
  3. (3)赤色光として、透光性基板上に形成された赤色用
    フィルターを透過した、2価マンガンイオンを発光不純
    物とする硫化亜鉛蛍光体層からの発光を用い、緑色光と
    して、3価テルビウムイオンを発光不純物とする硫化亜
    鉛蛍光体層、あるいは緑色用フィルターを透過した、3
    価テルビウムイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体
    層からの発光を用い、青色光として、青色用フィルター
    を透過した、3価セリウムイオンを発光不純物とする硫
    化ストロンチウム蛍光体層からの発光を用いることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のカラーELデイ
    スプレイ装置。
  4. (4)特許請求の範囲第1項に記載のカラーELディス
    プレイ装置を製造する方法であって、誘電体層を、ポリ
    イミド系高分子材料を用いてホトリソグラフィ技術によ
    り作成することを特徴とするカラーELディスプレイ装
    置の製造方法。
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