JP2529296B2 - カラ―ｅｌディスプレイ装置 - Google Patents
カラ―ｅｌディスプレイ装置Info
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- JP2529296B2 JP2529296B2 JP62245120A JP24512087A JP2529296B2 JP 2529296 B2 JP2529296 B2 JP 2529296B2 JP 62245120 A JP62245120 A JP 62245120A JP 24512087 A JP24512087 A JP 24512087A JP 2529296 B2 JP2529296 B2 JP 2529296B2
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- Japan
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- color
- filter
- light
- display device
- phosphor layer
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄型カラーELディスプレイ装置に関するも
のであり、とりわけ発光輝度が高く、色純度が優れた三
原色でカラー表示可能なELディスプレイ装置に関する。
のであり、とりわけ発光輝度が高く、色純度が優れた三
原色でカラー表示可能なELディスプレイ装置に関する。
従来の技術 近年、コンピュータ端末などに用いるフラットディス
プレイ装置として、薄型ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。その中でもカラーELディスプレイ装置の
開発は、将来のディスプレイとしての位置付けを左右す
るため、現在最も多くの力が注がれている。カラーELデ
ィスプレイ装置の構成としては、赤色光としてはサマリ
ウムを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層やユーロピウ
ムを発光不純物とする硫化カルシウム蛍光体層からの発
光を用い、緑色光としてはテルビウムを発光不純物とす
る硫化亜鉛蛍光体層やセリウムを発光不純物とする硫化
カルシウム蛍光体層からの発光を用い、青色光としては
セリウムを発光不純物とする硫化ストロンチウム蛍光体
層からの発光を用いて三原色発光がなされている。（特
開昭61-260594号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用とし
て、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テルビ
ウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロンチ
ウムを用いてカラーELディスプレイ装置を形成した場
合、青色の色純度や三原色の発光輝度のバランスが最適
でなく、色再現性が不十分であり、高品位のカラーELデ
ィスプレイ装置を実現できなかった。本発明の目的は前
記問題点を解決した色再現性が広く、表示品位の優れた
カラーELディスプレイ装置を構成するための蛍光体材料
と、フィルターの組み合わせを提供するものである。
プレイ装置として、薄型ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。その中でもカラーELディスプレイ装置の
開発は、将来のディスプレイとしての位置付けを左右す
るため、現在最も多くの力が注がれている。カラーELデ
ィスプレイ装置の構成としては、赤色光としてはサマリ
ウムを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層やユーロピウ
ムを発光不純物とする硫化カルシウム蛍光体層からの発
光を用い、緑色光としてはテルビウムを発光不純物とす
る硫化亜鉛蛍光体層やセリウムを発光不純物とする硫化
カルシウム蛍光体層からの発光を用い、青色光としては
セリウムを発光不純物とする硫化ストロンチウム蛍光体
層からの発光を用いて三原色発光がなされている。（特
開昭61-260594号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用とし
て、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テルビ
ウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロンチ
ウムを用いてカラーELディスプレイ装置を形成した場
合、青色の色純度や三原色の発光輝度のバランスが最適
でなく、色再現性が不十分であり、高品位のカラーELデ
ィスプレイ装置を実現できなかった。本発明の目的は前
記問題点を解決した色再現性が広く、表示品位の優れた
カラーELディスプレイ装置を構成するための蛍光体材料
と、フィルターの組み合わせを提供するものである。
問題点を解決するための手段 赤色光として赤色用フィルターを透過した２価マンガ
ンイオンのみを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層から
の発光を用い、緑色光として３価テルビウムイオンを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層、或は緑色用フィルタ
ーを透過した３価テルビウムイオンを発光不純物とする
硫化亜鉛蛍光体層からの発光を用い、青色光として青色
用フィルターを透過した３価セリウムイオンを発光不純
物とする硫化ストロンチウム蛍光体層からの発光を用い
てカラーELディスプレイ装置を構成する。
ンイオンのみを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層から
の発光を用い、緑色光として３価テルビウムイオンを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層、或は緑色用フィルタ
ーを透過した３価テルビウムイオンを発光不純物とする
硫化亜鉛蛍光体層からの発光を用い、青色光として青色
用フィルターを透過した３価セリウムイオンを発光不純
物とする硫化ストロンチウム蛍光体層からの発光を用い
てカラーELディスプレイ装置を構成する。
作用 ２価マンガンイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光
体は、発光効率が２〜8lm/Wときわめて高く、発光スペ
クトルは第２図に示すように590nmを中心波長とするブ
ロードな発光であるため、適当なフィルターを用いるこ
とにより、色純度、輝度の高い赤色を実現できる。３価
テルビウムイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体の
発光は、第３図に示すように490nmを中心波長とする青
色成分、550nm付近の緑色成分、および590nn、620nm付
近の波長成分からなり、その中でも550nm付近の発光が
最も強く色純度の優れた緑色発光を示す。また発光効率
も高いためフィルターを用いることにより、さらに純度
の高い緑色を実現できる。３価セリウムイオンを発光不
純物とする硫化ストロンチウムの発光は第４図に示すよ
うに480nmを中心波長とする緑青色のブロードな発光で
あるため、適当なフィルターを用いることにより、色純
度の高い青色を実現できる。
体は、発光効率が２〜8lm/Wときわめて高く、発光スペ
クトルは第２図に示すように590nmを中心波長とするブ
ロードな発光であるため、適当なフィルターを用いるこ
とにより、色純度、輝度の高い赤色を実現できる。３価
テルビウムイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体の
発光は、第３図に示すように490nmを中心波長とする青
色成分、550nm付近の緑色成分、および590nn、620nm付
近の波長成分からなり、その中でも550nm付近の発光が
最も強く色純度の優れた緑色発光を示す。また発光効率
も高いためフィルターを用いることにより、さらに純度
の高い緑色を実現できる。３価セリウムイオンを発光不
純物とする硫化ストロンチウムの発光は第４図に示すよ
うに480nmを中心波長とする緑青色のブロードな発光で
あるため、適当なフィルターを用いることにより、色純
度の高い青色を実現できる。
実施例 第１図に本発明のカラーELディスプレイ装置の一実施
例を説明するための断面図を示す。ガラス基板１上にス
パッタリング法により厚さ200nmの錫添加酸化インジウ
ム（ITO）薄膜を形成した。ITO薄膜をホトリソグラフィ
技術を用いて加工することによりストライプ状の背面電
極２を形成した。その上に、酸素を10％含むアルゴン雰
囲気中でSrTiO3セラミックターゲットを高周波スパッタ
リングすることにより、厚さ500nmの第１絶縁体層３を
形成した。第１絶縁体層３の上には１×10-2Torrの圧力
で硫化水素を５％含むアルゴン雰囲気中、250℃の基板
温度で、フッ化テルビウム（TbF3）を１モル％含むZnS
焼結体をターゲットとして高周波スパッタリングするこ
とにより、厚さ500nmのZnS:Tb,Fから成る蛍光体膜を成
膜した。その後フォトリソグラフィ技術を用いてストラ
イプ状の緑色用蛍光体層４を形成し、真空中500℃で１
時間熱処理を行った。その上に電子ビーム加熱真空蒸着
法により、厚さ600nmのZnS:Mnから成る蛍光体膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の赤
色用蛍光体層５を形成し、その後真空中500℃で１時間
熱処理を行った。さらにその上に電子ビーム加熱真空蒸
着法により、厚さ600nmのSrS:Ge,Fから成る蛍光体膜を
成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状
の青色用蛍光体層６を形成し、その後真空中500℃で１
時間熱処理を行った。蛍光体層４、５、６の上には電子
ビーム蒸着法により厚さ200nmの酸化イットリウム（Y2O
3）からなる第２絶縁体層７、および厚さ200nmのITOか
らなるストライプ状の透明電極８を順次形成した。
例を説明するための断面図を示す。ガラス基板１上にス
パッタリング法により厚さ200nmの錫添加酸化インジウ
ム（ITO）薄膜を形成した。ITO薄膜をホトリソグラフィ
技術を用いて加工することによりストライプ状の背面電
極２を形成した。その上に、酸素を10％含むアルゴン雰
囲気中でSrTiO3セラミックターゲットを高周波スパッタ
リングすることにより、厚さ500nmの第１絶縁体層３を
形成した。第１絶縁体層３の上には１×10-2Torrの圧力
で硫化水素を５％含むアルゴン雰囲気中、250℃の基板
温度で、フッ化テルビウム（TbF3）を１モル％含むZnS
焼結体をターゲットとして高周波スパッタリングするこ
とにより、厚さ500nmのZnS:Tb,Fから成る蛍光体膜を成
膜した。その後フォトリソグラフィ技術を用いてストラ
イプ状の緑色用蛍光体層４を形成し、真空中500℃で１
時間熱処理を行った。その上に電子ビーム加熱真空蒸着
法により、厚さ600nmのZnS:Mnから成る蛍光体膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の赤
色用蛍光体層５を形成し、その後真空中500℃で１時間
熱処理を行った。さらにその上に電子ビーム加熱真空蒸
着法により、厚さ600nmのSrS:Ge,Fから成る蛍光体膜を
成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状
の青色用蛍光体層６を形成し、その後真空中500℃で１
時間熱処理を行った。蛍光体層４、５、６の上には電子
ビーム蒸着法により厚さ200nmの酸化イットリウム（Y2O
3）からなる第２絶縁体層７、および厚さ200nmのITOか
らなるストライプ状の透明電極８を順次形成した。
ガラス製の透光性基板９の一方の面には、600nmより
短い波長の光を遮断するストライプ状の赤色用フィルタ
ー10と青色光のみを透過させるストライプ状バンドパス
フィルター11が形成されている。ストライプ状の赤色用
フィルター10と青色用フィルター11はそれぞれストライ
プ状の赤色用蛍光体層５と青色用蛍光体層６に対向する
ように配置した。12は基板１の上に設けられたEL素子
と、基板９の上に設けられたフィルターとの間隙であ
る。基板１と９との間に、たとえばエポキシ樹脂やガラ
スフリットなどによって形成される封止部分13が設けら
れる。
短い波長の光を遮断するストライプ状の赤色用フィルタ
ー10と青色光のみを透過させるストライプ状バンドパス
フィルター11が形成されている。ストライプ状の赤色用
フィルター10と青色用フィルター11はそれぞれストライ
プ状の赤色用蛍光体層５と青色用蛍光体層６に対向する
ように配置した。12は基板１の上に設けられたEL素子
と、基板９の上に設けられたフィルターとの間隙であ
る。基板１と９との間に、たとえばエポキシ樹脂やガラ
スフリットなどによって形成される封止部分13が設けら
れる。
間隙12は空気などの気体であっても良いし、シリコン
オイルなどの絶縁性の液体であっても良い。間隙12の寸
法は、視野角による色ずれを防ぐため、電極ピッチより
も充分小さいことが望ましい。14は黒色層であり、コン
トラストを高めるためのものである。
オイルなどの絶縁性の液体であっても良い。間隙12の寸
法は、視野角による色ずれを防ぐため、電極ピッチより
も充分小さいことが望ましい。14は黒色層であり、コン
トラストを高めるためのものである。
本発明のカラーELディスプレイ装置のストライプ状の
背面電極２とストライプ状の透明電極８との間に交流電
圧を印加することにより、これらの電極の交差部分の蛍
光体層を発光させることができ、透光性基板９を透過さ
せることにより赤色、緑色、青色の三原色を用いて、カ
ラー画像を表示することができた。本発明の赤色、緑
色、青色の色度値（x,y）は、それぞれ（0.648,0.34
0）、（0.315,0.601）、（0.121,0.081）であった。
背面電極２とストライプ状の透明電極８との間に交流電
圧を印加することにより、これらの電極の交差部分の蛍
光体層を発光させることができ、透光性基板９を透過さ
せることにより赤色、緑色、青色の三原色を用いて、カ
ラー画像を表示することができた。本発明の赤色、緑
色、青色の色度値（x,y）は、それぞれ（0.648,0.34
0）、（0.315,0.601）、（0.121,0.081）であった。
上記実施例では、別の透光性基板９上に形成されたフ
ィルターを用いて装置を構成したが、背面電極２を透明
導電体で形成し、この背面電極２とガラス基板１との間
に薄膜フィルターを介在させ、EL発光をガラス基板１側
から取り出すような構成にしても本発明を実施すること
ができた。
ィルターを用いて装置を構成したが、背面電極２を透明
導電体で形成し、この背面電極２とガラス基板１との間
に薄膜フィルターを介在させ、EL発光をガラス基板１側
から取り出すような構成にしても本発明を実施すること
ができた。
本発明は薄膜型、分散型、あるいは交流型、直流型の
いずれのEL素子を用いても実現できる。またフィルター
も有機物、無機物のいずれの物質で構成しても良いこと
は言うまでもない。実施例では青色用フィルターとし
て、青色光のみを透過させるバンドパスフィルターを用
いたが、長波長カットフィルターを用いても同様の効果
が得られた。また緑色光にたいしてはフィルターを用い
なかったが、適当なバンドパスフィルターを用いること
により、より優れた色再現性を実現できた。
いずれのEL素子を用いても実現できる。またフィルター
も有機物、無機物のいずれの物質で構成しても良いこと
は言うまでもない。実施例では青色用フィルターとし
て、青色光のみを透過させるバンドパスフィルターを用
いたが、長波長カットフィルターを用いても同様の効果
が得られた。また緑色光にたいしてはフィルターを用い
なかったが、適当なバンドパスフィルターを用いること
により、より優れた色再現性を実現できた。
発明の効果 本発明によれば、色再現性に優れた、高品位のカラー
ELディスプレイ装置を提供することができ実用的価値は
大きい。
ELディスプレイ装置を提供することができ実用的価値は
大きい。
第１図は本発明の１実施例を説明するためのカラーELデ
ィスプレイ装置の断面図、第２図は２価マンガンイオン
を発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層のEL発光スペクト
ル図、第３図は３価テルビウムイオンを発光不純物とす
る硫化亜鉛蛍光体層のEL発光スペクトル図、第４図は３
価セリウムイオンを発光不純物とする硫化ストロンチウ
ム蛍光体層のEL発光スペクトル図を示す。 １……ガラス基板、２……背面電極、３……第１絶縁体
層、４、５、６……蛍光体層、７……第２絶縁体層、８
……透明電極、９……透光性基板、10……赤色用フィル
ター、11……青色用フィルター、12……間隙、13……封
止部分、14……黒色層。
ィスプレイ装置の断面図、第２図は２価マンガンイオン
を発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層のEL発光スペクト
ル図、第３図は３価テルビウムイオンを発光不純物とす
る硫化亜鉛蛍光体層のEL発光スペクトル図、第４図は３
価セリウムイオンを発光不純物とする硫化ストロンチウ
ム蛍光体層のEL発光スペクトル図を示す。 １……ガラス基板、２……背面電極、３……第１絶縁体
層、４、５、６……蛍光体層、７……第２絶縁体層、８
……透明電極、９……透光性基板、10……赤色用フィル
ター、11……青色用フィルター、12……間隙、13……封
止部分、14……黒色層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−25692（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−13597（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−257097（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−260594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−98597（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−49999（ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】赤色光として赤色用フィルターを透過した
２価マンガンイオンのみを発光不純物とする硫化亜鉛蛍
光体層からの発光を用い、緑色光として３価テルビウム
イオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層、或は緑色
用フィルターを通過した３価テルビウムイオンを発光不
純物とする硫化亜鉛蛍光体層からの発光を用い、青色光
として青色用フィルターを透過した３価セリウムイオン
を発光不純物とする硫化ストロンチウム蛍光体層からの
発光を用いたことを特徴とするカラーELディスプレイ装
置。 - 【請求項２】赤色用フィルターが短波長カットフィルタ
ーであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
のカラーELディスプレイ装置。 - 【請求項３】緑色用フィルターがバンドパスフィルター
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
カラーELディスプレイ装置。 - 【請求項４】青色用フィルターがバンドパスフィルター
或は長波長カットフィルターであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のカラーELディスプレイ装
置。 - 【請求項５】蛍光体層が、基板上に設けられた背面電極
と透光性の上部電極との間に挟まれ、前記透光性電極を
介して取り出されたEL光を、前記透光性電極と対向し
て、透光性基板上に設けられた各種フィルターを介して
前記透光性基板外に取り出す構成を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のカラーELディスプレ
イ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245120A JP2529296B2 (ja) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | カラ―ｅｌディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245120A JP2529296B2 (ja) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | カラ―ｅｌディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6486477A JPS6486477A (en) | 1989-03-31 |
| JP2529296B2 true JP2529296B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=17128919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62245120A Expired - Lifetime JP2529296B2 (ja) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | カラ―ｅｌディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529296B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2823725B2 (ja) * | 1992-01-18 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | カラー薄膜ｅｌパネル |
| TW517356B (en) * | 2001-10-09 | 2003-01-11 | Delta Optoelectronics Inc | Package structure of display device and its packaging method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725692A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS60257097A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JPS6113597A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61260594A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 多色発光ｅｌ素子の製造法 |
| JPS6149999U (ja) * | 1985-08-07 | 1986-04-03 | ||
| JPS6298597A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1987
- 1987-09-29 JP JP62245120A patent/JP2529296B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6486477A (en) | 1989-03-31 |
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