JPS6298597A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS6298597A JPS6298597A JP60238999A JP23899985A JPS6298597A JP S6298597 A JPS6298597 A JP S6298597A JP 60238999 A JP60238999 A JP 60238999A JP 23899985 A JP23899985 A JP 23899985A JP S6298597 A JPS6298597 A JP S6298597A
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- JP
- Japan
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- thin film
- emitting layer
- light emitting
- film
- srs
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
本発明は薄膜ＥＬ素子、さらに詳細には、印加電圧に対
する発光輝度特性にヒステリシス効果を有する青色発光
薄膜ＥＬ素子に関する。
する発光輝度特性にヒステリシス効果を有する青色発光
薄膜ＥＬ素子に関する。
ガラスなどの基板上に形成した薄膜に電圧をかけて発光
させる薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は平面
型表示デバイスとして有望であり、活発な研究開発がな
されている。
させる薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は平面
型表示デバイスとして有望であり、活発な研究開発がな
されている。
従来より、この種の薄膜Ｅ Ｌ素子用発光層材料として
は、硫化亜鉛にマンガンを添加した薄膜が広く用いられ
ており、この薄膜を発光層として用いた場合、印加電圧
に対する発光輝度特性（Ｂ−Ｖ特性）にヒステリシス効
果を存することが知られている。この効果を活用するれ
ばメモリ作用を有する表示パネルが実現できるばかりで
なく、表示駆動回路系が簡単になるという利点がある。
は、硫化亜鉛にマンガンを添加した薄膜が広く用いられ
ており、この薄膜を発光層として用いた場合、印加電圧
に対する発光輝度特性（Ｂ−Ｖ特性）にヒステリシス効
果を存することが知られている。この効果を活用するれ
ばメモリ作用を有する表示パネルが実現できるばかりで
なく、表示駆動回路系が簡単になるという利点がある。
しかし、従来ヒステリシス効果を示すことが知られてい
る薄膜ＥＬ素子は硫化亜鉛（ＺｎＳ ）またはセレン化
亜鉛（ＺｎＳｅ）にマンガン（Ｍｎ）を添加した発光層
を２層の絶縁層で挟持した黄橙色発光薄膜ＥＬ素子のみ
であり、他の発光色のＥＬ素子を開発することが、近年
注目を集めている。
る薄膜ＥＬ素子は硫化亜鉛（ＺｎＳ ）またはセレン化
亜鉛（ＺｎＳｅ）にマンガン（Ｍｎ）を添加した発光層
を２層の絶縁層で挟持した黄橙色発光薄膜ＥＬ素子のみ
であり、他の発光色のＥＬ素子を開発することが、近年
注目を集めている。
青色発光が得られる薄膜ＥＬ素子（ＺｎＳ ： Ｔｍ
Ｆ３ 、ＺｎＳ ： ＡｇＣｌなど）では、Ｂ−Ｖ特
性にヒステリシス効果が全く現れず、これまでにヒステ
リシス効果を示す青色発光薄膜ＥＬ素子は報告されてい
ないのが現状である。
Ｆ３ 、ＺｎＳ ： ＡｇＣｌなど）では、Ｂ−Ｖ特
性にヒステリシス効果が全く現れず、これまでにヒステ
リシス効果を示す青色発光薄膜ＥＬ素子は報告されてい
ないのが現状である。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、Ｂ−Ｖ特
性にヒステリシス効果を示す青色発光薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
性にヒステリシス効果を示す青色発光薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
したがって本発明による薄膜ＥＬ素子は、少なくとも一
方が透明である一対の電極間に絶縁膜と、前記電極間に
電圧を印加し発光させたときに印加電圧と発光輝度にヒ
ステリシス特性を有する発光層を挟持した薄膜ＥＬ素子
において、前記発光層は硫化ストロンチウムにセリウム
金属およびセリウムの塩化物、フン化物、酸化物、窒化
物、硫化物よりなる群より選択された一種以上を０．０
１〜１０ｍｏｌ％添加したものであることを特徴とする
ものである。
方が透明である一対の電極間に絶縁膜と、前記電極間に
電圧を印加し発光させたときに印加電圧と発光輝度にヒ
ステリシス特性を有する発光層を挟持した薄膜ＥＬ素子
において、前記発光層は硫化ストロンチウムにセリウム
金属およびセリウムの塩化物、フン化物、酸化物、窒化
物、硫化物よりなる群より選択された一種以上を０．０
１〜１０ｍｏｌ％添加したものであることを特徴とする
ものである。
本発明によれば、発光層として硫化ストロンチウム（Ｓ
ｒＳ ）にセリウム（Ｃｅ）またはその化合物を０．０
１〜１０ｍｏｌ ％の範囲で添加した薄膜を用い、印加
電圧に対する発光輝度特性にヒステリシス効果を持たし
たことを要旨とするものであり、これによりＢ−ν特性
にヒステリシス効果のある青色発光薄膜ＥＬ素子とする
ことができるという利点がある。
ｒＳ ）にセリウム（Ｃｅ）またはその化合物を０．０
１〜１０ｍｏｌ ％の範囲で添加した薄膜を用い、印加
電圧に対する発光輝度特性にヒステリシス効果を持たし
たことを要旨とするものであり、これによりＢ−ν特性
にヒステリシス効果のある青色発光薄膜ＥＬ素子とする
ことができるという利点がある。
第１図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一構成例の断面図
であり、図中、１は基板、２は透明電極、３および７は
絶縁層、５はＳｒＳ薄膜発光層、８は背面電極を示す。
であり、図中、１は基板、２は透明電極、３および７は
絶縁層、５はＳｒＳ薄膜発光層、８は背面電極を示す。
この第１図より明らかなように、本発明による一構成例
によれば、ガラスなどの基板１上に透明型ｂ’Ｍ２を設
けるとともに、この透明電極２に絶縁層３を形成し、Ｓ
ｒＳ発光層５を絶縁膜７とともに挟持し、さらに前記絶
縁層７上に背面電極８を形成した構造になっている。
によれば、ガラスなどの基板１上に透明型ｂ’Ｍ２を設
けるとともに、この透明電極２に絶縁層３を形成し、Ｓ
ｒＳ発光層５を絶縁膜７とともに挟持し、さらに前記絶
縁層７上に背面電極８を形成した構造になっている。
このような薄膜Ｅ Ｌ素子は素子構成に応じ、電子Ｂ−
Ｖ特性蒸着法、スパッタ法などにより、順次透明電礪２
、絶縁膜層、発光層、絶縁層７、背面電極８を基板１上
に積層することによって、製造することができる。
Ｖ特性蒸着法、スパッタ法などにより、順次透明電礪２
、絶縁膜層、発光層、絶縁層７、背面電極８を基板１上
に積層することによって、製造することができる。
本発明において、上記基板、透明電極、絶縁層・３およ
び７、背面電極８の材料は基本的に限定されるものでは
なく、従来の薄膜ＥＬ素子に用いられる材料を有効に用
いることができる。たとえば、基板１としては、石英ガ
ラスなどのガラスなどを有効に用いることができる。透
明電極２としては、たとえばＩｎｚ ０３ 、Ｓｎ０２
など、絶縁層３および７としては１、Ｙ ２０ ｓ 、
Ｓｍ２０３、Ｔａ２Ｏｓ、Ａｌ１０３．５ｉ３Ｎａ −
ＢａＴｉ０３．５ｒＴｉ０３などを用いることができる
。
び７、背面電極８の材料は基本的に限定されるものでは
なく、従来の薄膜ＥＬ素子に用いられる材料を有効に用
いることができる。たとえば、基板１としては、石英ガ
ラスなどのガラスなどを有効に用いることができる。透
明電極２としては、たとえばＩｎｚ ０３ 、Ｓｎ０２
など、絶縁層３および７としては１、Ｙ ２０ ｓ 、
Ｓｍ２０３、Ｔａ２Ｏｓ、Ａｌ１０３．５ｉ３Ｎａ −
ＢａＴｉ０３．５ｒＴｉ０３などを用いることができる
。
なお、絶縁膜３および７は、効果に変わりがないので、
どちらか−力投ければよく、必ずしも前記発光層５を挟
持するように両面に設ける必要はない。
どちらか−力投ければよく、必ずしも前記発光層５を挟
持するように両面に設ける必要はない。
このような薄膜ＥＬ素子において、本発明による薄膜Ｅ
Ｌ素子は発光層５として、硫化ストロンチウムに、セリ
ウムおよびその塩化物、フッ化物、酸化物、窒化物、硫
化物よりなる群より選択された一種以上を０．０１〜１
０ｍｏｌ ％添加した薄膜を用いている。
Ｌ素子は発光層５として、硫化ストロンチウムに、セリ
ウムおよびその塩化物、フッ化物、酸化物、窒化物、硫
化物よりなる群より選択された一種以上を０．０１〜１
０ｍｏｌ ％添加した薄膜を用いている。
このような金属セリウムないし上記セリウムの添加量は
０．０１〜１０ｍｏｌ％であるが、添加量が０．０１ｍ
ｏｌ ％未満であると、メモリ効果、すなわちヒステリ
シス効果を示さないし、一方１０ｍｏｌ％を超えると、
輝度が低くなりすぎるからである。
０．０１〜１０ｍｏｌ％であるが、添加量が０．０１ｍ
ｏｌ ％未満であると、メモリ効果、すなわちヒステリ
シス効果を示さないし、一方１０ｍｏｌ％を超えると、
輝度が低くなりすぎるからである。
このような発光層５の厚さは好ましくは１．５μｍ以下
であるのがよい。１．５μｍを超えると、素子としての
駆動電圧が高くなりすぎで、実用的ではないからである
。また、後述する電子ビーム蒸着法によって前述のよう
な発光層５を製造する場合には、好ましくは０．２μｍ
以上であるのがよい。
であるのがよい。１．５μｍを超えると、素子としての
駆動電圧が高くなりすぎで、実用的ではないからである
。また、後述する電子ビーム蒸着法によって前述のよう
な発光層５を製造する場合には、好ましくは０．２μｍ
以上であるのがよい。
０．２μｍ未満であると、膜の結晶性が悪くなる虞があ
るからである。
るからである。
このような薄膜ＥＬ素子を製造する方法は、本発明にお
いて基本的に限定されるものではない。
いて基本的に限定されるものではない。
たとえば、電子ビーム蒸着法によって製造することが可
能である。すなわち、真空中で、電子ビームによって活
性化させた蒸着原料を加熱した基板上に堆積蒸着するも
のであるが、このとき、前記基板温度は好ましくは、１
００℃以上であるのがよい。１００℃未満であると、生
成される発光層５の膜の結晶性が悪く、ヒステリシス効
果を示さない膚があるからである。特に、ガラスなどを
基板材料として用いるときには、６００℃以下であるの
がよい。６００℃を超えると、前記ガラス基板が軟化す
る虞があるからである。
能である。すなわち、真空中で、電子ビームによって活
性化させた蒸着原料を加熱した基板上に堆積蒸着するも
のであるが、このとき、前記基板温度は好ましくは、１
００℃以上であるのがよい。１００℃未満であると、生
成される発光層５の膜の結晶性が悪く、ヒステリシス効
果を示さない膚があるからである。特に、ガラスなどを
基板材料として用いるときには、６００℃以下であるの
がよい。６００℃を超えると、前記ガラス基板が軟化す
る虞があるからである。
ま、１、二、前記蒸着系の真空度は８．ＯＸＩＯ” ５
Ｔｏｒｒ以下であるのがよい。８−ＯＸｌ０−５Ｔｏｒ
ｒを超えると、前記発光層の膜質が悪化する虞があるか
らである。
Ｔｏｒｒ以下であるのがよい。８−ＯＸｌ０−５Ｔｏｒ
ｒを超えると、前記発光層の膜質が悪化する虞があるか
らである。
さらに蒸着速度は１０〜３００ ｎｍ７分であるのがよ
い。１０ｎｍ ７分未満であると、発光層に不純物が混
入する虞を生じ、３００ ｎｍ７分を超えると、膜質が
悪化する虞を生じるからである。
い。１０ｎｍ ７分未満であると、発光層に不純物が混
入する虞を生じ、３００ ｎｍ７分を超えると、膜質が
悪化する虞を生じるからである。
このようにしてＳｒＳ発光層５を形成することができる
が、ＳｒＳ発光層５形成に際しては化学量論的組成を保
持することが重要であるので、微量のＩＩ ２５ガス、
Ｓ蒸気を導入し、その中で膜形成を行うのがよい。しか
し、Ｓの共蒸着等の方法で大量にＳを膜中に取り込ませ
ると、膜中に欠陥を生じしめ、かえってヒステリシス効
果を消失させる結果となる。
が、ＳｒＳ発光層５形成に際しては化学量論的組成を保
持することが重要であるので、微量のＩＩ ２５ガス、
Ｓ蒸気を導入し、その中で膜形成を行うのがよい。しか
し、Ｓの共蒸着等の方法で大量にＳを膜中に取り込ませ
ると、膜中に欠陥を生じしめ、かえってヒステリシス効
果を消失させる結果となる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
第２図はＳｒＳ発光層を２層の絶縁層で挟持した構造の
一実施例を示す断面図であり、図中、第１図と同一の符
合は同様のものを示している。
一実施例を示す断面図であり、図中、第１図と同一の符
合は同様のものを示している。
まず、ガラス（コーニング社製、＃ ７０５９ ）基板
１上にＩｎ２０３ ：Ｓｎ透明電極２、五酸化タンタ
ル絶縁膜３を高周波スパッタ法により形成した。
１上にＩｎ２０３ ：Ｓｎ透明電極２、五酸化タンタ
ル絶縁膜３を高周波スパッタ法により形成した。
次いで、ＳｒＳの酸化防止のためのＺｎＳ膜４を蒸着で
形成し、さらにその上にＣｅＣ１３（セリウム塩化物）
を添加したＳｒＳ膜５を下記のように形成した。
形成し、さらにその上にＣｅＣ１３（セリウム塩化物）
を添加したＳｒＳ膜５を下記のように形成した。
ＳｒＳ ： ＣｅＣｌ３薄膜は、電子ビーム蒸着法に
よって形成された。まず、蒸着材料として、高純度の塩
化セリウム（ＣｅＣｌ３）をＳｒＳ粉末に対し、濃度が
０．３ ｍｏｌ ％になるように、あらかじめ添加し、
これを加圧成形したベレノ１−を用いた。蒸着時の真空
度を８．０ Ｘｌ０−５Ｔｏｒｒ以下にし、基板温度を
”１５０℃として電子ビーム蒸着を行った。このとき／
のＳｒＳ ： ＣｅＣ］ ３発光層５の蒸着速度は５
７ｎｍ／分であった。これによって膜厚が、０．８ μ
ｍの発光層５を得た。
よって形成された。まず、蒸着材料として、高純度の塩
化セリウム（ＣｅＣｌ３）をＳｒＳ粉末に対し、濃度が
０．３ ｍｏｌ ％になるように、あらかじめ添加し、
これを加圧成形したベレノ１−を用いた。蒸着時の真空
度を８．０ Ｘｌ０−５Ｔｏｒｒ以下にし、基板温度を
”１５０℃として電子ビーム蒸着を行った。このとき／
のＳｒＳ ： ＣｅＣ］ ３発光層５の蒸着速度は５
７ｎｍ／分であった。これによって膜厚が、０．８ μ
ｍの発光層５を得た。
この発光層５の上に、酸化防止膜としてＺｎＳ Ｈ’Ａ
６、Ｙ２Ｏ３絶縁膜７およびＡ１背面電極８をそれぞれ
電子ビーム真空蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子とし
た。
６、Ｙ２Ｏ３絶縁膜７およびＡ１背面電極８をそれぞれ
電子ビーム真空蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子とし
た。
第３図はこのように製造したＳｒＳ ： ＣｅＣｌ３
薄膜発光素子の５ Ｋ １１ ｚ正弦波電圧によって動
作させたときのＢ−Ｖ特性を示す。横軸は印加電圧Ｖを
示し、縦軸は輝度Ｂ（ｎ＋）を示す。
薄膜発光素子の５ Ｋ １１ ｚ正弦波電圧によって動
作させたときのＢ−Ｖ特性を示す。横軸は印加電圧Ｖを
示し、縦軸は輝度Ｂ（ｎ＋）を示す。
・ この第３図より明らかなように、本発明による薄膜
ＥＬ素子はＢ−ν特性において顕著なヒステリシス効果
を示すことがわかった。
ＥＬ素子はＢ−ν特性において顕著なヒステリシス効果
を示すことがわかった。
実施例２
第４図はＳｒＳ発光層の片側にのみ絶縁層を設けた、い
わゆる旧Ｓ構造素子を示す本発明による第二の実施例の
断面図であり、図中、第１図と同一の符合は同様のもの
を示す。
わゆる旧Ｓ構造素子を示す本発明による第二の実施例の
断面図であり、図中、第１図と同一の符合は同様のもの
を示す。
ガラス基板（コーニング社製、＃７０５９） １上にＩ
ｎ２０３ ：Ｓｎ透明電極２を高周波スパッタ法によ
り形成した。
ｎ２０３ ：Ｓｎ透明電極２を高周波スパッタ法によ
り形成した。
次いで、ＳｒＳの酸化防止のためのＺｎＳ Ｎ莫４を蒸
着で形成し、さらにその上にＣｅＣ１３（セリウム塩化
物）を添加したＳｒＳ膜５を下記のように形成した。
着で形成し、さらにその上にＣｅＣ１３（セリウム塩化
物）を添加したＳｒＳ膜５を下記のように形成した。
ＳｒＳ ： ＣｅＣ１３薄膜は、電子ビーム蒸着法に
よって形成された。まず、蒸着材料として、高純度の塩
化セリウム（ＣｅＣｌ３）をＳｒＳ粉末に対し、濃度が
０．３ ｍｏｌ ％になるように、あらかじめ添加し、
これを加圧成形したベレットを用いた。蒸着時の真空度
を８．Ｏｘｔｏ−５Ｔｏｒｒ以下にし、基板温度を４５
０℃として電子ビーム蒸着を行った。このときのＳｒＳ
： ＣｅＣ］ ３発光層５の蒸着速度は５１ｎｒｎ
／分であった。これによって膜厚が、０．８μｍの発光
層５を得た。
よって形成された。まず、蒸着材料として、高純度の塩
化セリウム（ＣｅＣｌ３）をＳｒＳ粉末に対し、濃度が
０．３ ｍｏｌ ％になるように、あらかじめ添加し、
これを加圧成形したベレットを用いた。蒸着時の真空度
を８．Ｏｘｔｏ−５Ｔｏｒｒ以下にし、基板温度を４５
０℃として電子ビーム蒸着を行った。このときのＳｒＳ
： ＣｅＣ］ ３発光層５の蒸着速度は５１ｎｒｎ
／分であった。これによって膜厚が、０．８μｍの発光
層５を得た。
この発光層５の上に、酸化防止膜としてＺｎＳ膜６、Ｙ
２Ｏ３絶縁膜７およびＡＩ背面電極８をそれぞれ電子ビ
ーム真空蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子とした。
２Ｏ３絶縁膜７およびＡＩ背面電極８をそれぞれ電子ビ
ーム真空蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子とした。
第５図はこのように製造したＳｒＳ ： ＣｅＣ１３
薄膜発光素子の５ＫＨｚ正弦波電圧によって動作させた
ときのＢ−Ｖ特性を示す。横軸は印加電圧Ｖを示し、縦
軸は輝度Ｂ（ｎ＋）を示す。
薄膜発光素子の５ＫＨｚ正弦波電圧によって動作させた
ときのＢ−Ｖ特性を示す。横軸は印加電圧Ｖを示し、縦
軸は輝度Ｂ（ｎ＋）を示す。
この第３図より明らかなように、本発明による薄膜ＥＬ
素子はＢ−Ｖ特性において顕著なヒステリシス効果を示
すことがわかった。
素子はＢ−Ｖ特性において顕著なヒステリシス効果を示
すことがわかった。
上述の実施例１および２においては発光層添加物質とし
てＣｅＣｌ３を用いたが、Ｃｅ金属、Ｃｅのフ。
てＣｅＣｌ３を用いたが、Ｃｅ金属、Ｃｅのフ。
化物、酸化物、窒化物、硫化物のいずれを用いても、添
加濃度を制御することにによって同様のヒステリシス効
果を付与することができた。
加濃度を制御することにによって同様のヒステリシス効
果を付与することができた。
以上説明したように、本発明による薄膜ＥＬ素子によれ
ば、ＳｒＳ発光層に添加するセリウムあるいはセリウム
化合物を所定量添加すことによって、発光輝度の対印加
電圧特性にヒステリシス効果を有する青色発光薄膜ＥＬ
素子であるという利点があり、メモリ効果を具備した表
示パネルなどの構成用素子などに最適に使用可能である
という利点がある。
ば、ＳｒＳ発光層に添加するセリウムあるいはセリウム
化合物を所定量添加すことによって、発光輝度の対印加
電圧特性にヒステリシス効果を有する青色発光薄膜ＥＬ
素子であるという利点があり、メモリ効果を具備した表
示パネルなどの構成用素子などに最適に使用可能である
という利点がある。
第１図は薄膜ＥＬ素子の構成を示す断面図、第２図は実
施例１で製造した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子の断
面図、第３図は前記一実施例の薄ｉｌ莫ＥＬ素子の発光
輝度対印加電圧特性を示す図、第４図は実施例２で製造
した本発明の第二の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図、第
５図は前記第二の実施例の薄膜ＥＬ素子の発光輝度対印
加電圧特性を示す図である。 １ ・・・基板、２ ・・・透明電極、３．７ ・・・
絶縁層、４ ・・・ＺｎＳ膜、５ ・・・発光層、６・
・・酸化防止膜、８ ・・・背面電極。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第４図 第５図 ＋５０ １６０ ４７０ ４８０
１９０ ２００ ２１０電圧（Ｖ） 手続補正書（眩 昭和６咋１２月２７日
施例１で製造した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子の断
面図、第３図は前記一実施例の薄ｉｌ莫ＥＬ素子の発光
輝度対印加電圧特性を示す図、第４図は実施例２で製造
した本発明の第二の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図、第
５図は前記第二の実施例の薄膜ＥＬ素子の発光輝度対印
加電圧特性を示す図である。 １ ・・・基板、２ ・・・透明電極、３．７ ・・・
絶縁層、４ ・・・ＺｎＳ膜、５ ・・・発光層、６・
・・酸化防止膜、８ ・・・背面電極。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第４図 第５図 ＋５０ １６０ ４７０ ４８０
１９０ ２００ ２１０電圧（Ｖ） 手続補正書（眩 昭和６咋１２月２７日
Claims (3)
- （１）少なくとも一方が透明である一対の電極間に絶縁
膜と、前記電極間に電圧を印加し発光させたときに印加
電圧と発光輝度にヒステリシス特性を有する発光層を挟
持した薄膜ＥＬ素子において、前記発光層は硫化ストロ
ンチウムにセリウム金属およびセリウムの塩化物、フッ
化物、酸化物、窒化物、硫化物よりなる群より選択され
た一種以上を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加したものであ
ることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）前記発光層を二層の絶縁膜で挟持したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項による薄膜ＥＬ素子。 - （３）前記発光層に片側にのみ絶縁膜を設けたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項による薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238999A JPS6298597A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238999A JPS6298597A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298597A true JPS6298597A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17038394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60238999A Pending JPS6298597A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298597A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486477A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Color el display device |
| GB2230382A (en) * | 1989-03-15 | 1990-10-17 | Asahi Chemical Ind | High luminance thin-film electroluminescent device |
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60238999A patent/JPS6298597A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486477A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Color el display device |
| GB2230382A (en) * | 1989-03-15 | 1990-10-17 | Asahi Chemical Ind | High luminance thin-film electroluminescent device |
| US5667607A (en) * | 1994-08-02 | 1997-09-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating electroluminescent device |
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