JPS6388791A - 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS6388791A JPS6388791A JP61235311A JP23531186A JPS6388791A JP S6388791 A JPS6388791 A JP S6388791A JP 61235311 A JP61235311 A JP 61235311A JP 23531186 A JP23531186 A JP 23531186A JP S6388791 A JPS6388791 A JP S6388791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- zns
- light
- electroluminescence device
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野ン
本発明は平面ディスプレイ等として使用されル薄膜エレ
クトロルミネッセンス（以下ＥＬという）素子に関する
。
クトロルミネッセンス（以下ＥＬという）素子に関する
。
（従来の技術〉
薄１ｉＱＥＬ２子に発光ｊＷ ｋ ＹｘＯｓ ｇ Ａｌ
２ｉｓ ｇ Ｓ ｒ ｓＮ＜等の絶縁物でサンドイッ
チ状にζさんだ構造のものが実用化している。第１図に
一般的な薄−ＥＬ素子の＃ＪｊｊＪ構造を示す。第１図
に於て、１にガラス基板、２に透明電極、６は第一絶縁
層、４は発光層、５は第二ＪＰ！縁層、６は背面電極で
ある。発光層としては蛍光体母体としてＺｎＳ、発光中
心としてＭｎを用いたもの（以下ＺｎＳ：Ｍｎの如く示
す。）のみが実用化され発光色は黄橙色である。この他
の色としてはＺｎＳ：Ｔｂの緑色、ＺｎＳ：Ｓｍ、Ｃａ
ｂ：Ｅｕの赤色、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ の青
色などが提案されている。
２ｉｓ ｇ Ｓ ｒ ｓＮ＜等の絶縁物でサンドイッ
チ状にζさんだ構造のものが実用化している。第１図に
一般的な薄−ＥＬ素子の＃ＪｊｊＪ構造を示す。第１図
に於て、１にガラス基板、２に透明電極、６は第一絶縁
層、４は発光層、５は第二ＪＰ！縁層、６は背面電極で
ある。発光層としては蛍光体母体としてＺｎＳ、発光中
心としてＭｎを用いたもの（以下ＺｎＳ：Ｍｎの如く示
す。）のみが実用化され発光色は黄橙色である。この他
の色としてはＺｎＳ：Ｔｂの緑色、ＺｎＳ：Ｓｍ、Ｃａ
ｂ：Ｅｕの赤色、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ の青
色などが提案されている。
（発明が解決しＬうとする問題点）
薄膜ＥＬディスプレイにおいても究毬的にはフルカラー
が要求されておりこれを央視するためには、赤、緑、１
ｔ３原色のＥＬ素子の開発が必要でめろ。このうち緑色
に関して１Ｚｎｓ：Ｔｂがほぼ実用域に達し、赤色に関
してもＣａｂ：Ｅｕ等にエラ見通しが得られてきた。し
かし青色に関しては高輝度の得られるＳｒＳ：Ｃｅに色
純度が悪く、色純度の工いＺｎＳ：Ｔｍに輝度が低（実
用に供せられないという問題があった。
が要求されておりこれを央視するためには、赤、緑、１
ｔ３原色のＥＬ素子の開発が必要でめろ。このうち緑色
に関して１Ｚｎｓ：Ｔｂがほぼ実用域に達し、赤色に関
してもＣａｂ：Ｅｕ等にエラ見通しが得られてきた。し
かし青色に関しては高輝度の得られるＳｒＳ：Ｃｅに色
純度が悪く、色純度の工いＺｎＳ：Ｔｍに輝度が低（実
用に供せられないという問題があった。
本発明は高輝度で発光する青色の博換ＥＬ累子音提供す
るものである。
るものである。
（問題点？解決するための手段）
本発明に電子線励起（カソードルミネッセンス）でに高
効率に発光するＺｎＳ：Ｔｍが薄膜ＥＬにおいてに何故
高輝度で発光しないかについて鋭意研究全行った結果な
されたものでめる。
効率に発光するＺｎＳ：Ｔｍが薄膜ＥＬにおいてに何故
高輝度で発光しないかについて鋭意研究全行った結果な
されたものでめる。
ＺｎＳ に２ａ１類の結晶形、立方晶（閃亜鉛鉱形）と
六方晶（ウルツ鉱形）が存在するが通常の薄り形成法（
電子ビーム蒸着法、スパッタ法など）では立方晶しか形
成されない。これは薄膜形成時のエネルギーが／ＪＳさ
いため低温（１０２０℃以下）で安定である立方晶が形
成されるためである。本発明者らにＺｎＳ：Ｔｍの場合
にＺｎＳ：Ｍｎ と異り立方晶中では全く低効率であり
大方晶中でのみ高効率となることを見出した。
六方晶（ウルツ鉱形）が存在するが通常の薄り形成法（
電子ビーム蒸着法、スパッタ法など）では立方晶しか形
成されない。これは薄膜形成時のエネルギーが／ＪＳさ
いため低温（１０２０℃以下）で安定である立方晶が形
成されるためである。本発明者らにＺｎＳ：Ｔｍの場合
にＺｎＳ：Ｍｎ と異り立方晶中では全く低効率であり
大方晶中でのみ高効率となることを見出した。
大方晶薄膜を得ろ方法は薄膜形成時にエネルギーを与え
ることに＝９可能となる。
ることに＝９可能となる。
例えば簡便な手法としては基板温度を上げる方法がある
がＺｎＳ Ｏ場合高温になるに従い付着確率が急激に
減少するので洒定の膜厚を形成するのに多大の時間ｔ＝
し実用的でない。この他の手法としてエネルギー緯とし
てイオン、プラズマ、光など全周いる方法がある。
がＺｎＳ Ｏ場合高温になるに従い付着確率が急激に
減少するので洒定の膜厚を形成するのに多大の時間ｔ＝
し実用的でない。この他の手法としてエネルギー緯とし
てイオン、プラズマ、光など全周いる方法がある。
これらの中でμクラスタイオンビーム法が最も良好であ
る。クラスタイオンビーム蒸着法ではイオンの効果、加
速の効果、マイグレーション効果によりエネルギー全付
与できるためＺｎ５Ｏ場会六万晶が得られる。尚、第一
、第二絶縁層に省略することが出来ろ場合もめる。
る。クラスタイオンビーム蒸着法ではイオンの効果、加
速の効果、マイグレーション効果によりエネルギー全付
与できるためＺｎ５Ｏ場会六万晶が得られる。尚、第一
、第二絶縁層に省略することが出来ろ場合もめる。
実施例、比較例
基板には＃７０５９ガラス（コーニング社製）を用い透
明電極とじてはＩＴＯを用いた。この上に第１絶縁層と
してＹ２Ｏ３をＣＬ３μ電子ビーム蒸着法により形成し
た。つづいて発光層としてＺｎＳ をクラスタイオン
ビーム蒸着法によりａ５μ形成すると同時にＴｍＦｓｋ
抵抗勝加熱法により膜中濃度で１．０ｍｏ１％になる工
５に蒸着した。ＺｎＳ の形成条件に基板温度２００
℃、ｆｆ９速度ｃＬ５１ＩＩｒＩＩ／秒、イオン化電子
ｔＡ６００ｍＡ 、加速電圧１．５ ｋＶ″′Ｃあった
。こり後真空中で５００℃の熱処理を１時間行い、続い
て第２絶縁Ｊｆ４としてＹｚＯｓ全Ｏｓ絶縁層と同様に
１５μ形成し、最後に背面［極としてＡＪをα２μ蒸着
して素子とした。また比較例として従来と同様にＺｎＳ
：Ｔｍ 焼結ペレットから電子ビーム蒸Ｎ法にエラで
発光層を形成した素子も作成した。第２図に印加電圧と
輝度との関係を示す。
明電極とじてはＩＴＯを用いた。この上に第１絶縁層と
してＹ２Ｏ３をＣＬ３μ電子ビーム蒸着法により形成し
た。つづいて発光層としてＺｎＳ をクラスタイオン
ビーム蒸着法によりａ５μ形成すると同時にＴｍＦｓｋ
抵抗勝加熱法により膜中濃度で１．０ｍｏ１％になる工
５に蒸着した。ＺｎＳ の形成条件に基板温度２００
℃、ｆｆ９速度ｃＬ５１ＩＩｒＩＩ／秒、イオン化電子
ｔＡ６００ｍＡ 、加速電圧１．５ ｋＶ″′Ｃあった
。こり後真空中で５００℃の熱処理を１時間行い、続い
て第２絶縁Ｊｆ４としてＹｚＯｓ全Ｏｓ絶縁層と同様に
１５μ形成し、最後に背面［極としてＡＪをα２μ蒸着
して素子とした。また比較例として従来と同様にＺｎＳ
：Ｔｍ 焼結ペレットから電子ビーム蒸Ｎ法にエラで
発光層を形成した素子も作成した。第２図に印加電圧と
輝度との関係を示す。
（発明の効！Ｊ、）
本発明に工り従来より２桁以上高輝度の資色発光ＥＬ素
子を得ることができＴこ。
子を得ることができＴこ。
第１図は一般的な薄膜ＥＬ素子の断Ｉｆｉ図、稟２図ｒ
Ｘ、実施例、比較例に↓る薄膜ＥＬ素子の電圧輝度特性
を示すグラフである。 符号の説明 １ ガラス基板 ２ 透明＠Ｌ極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二絶縁ｄ ６ 背而屯プ 代理人弁理士 贋 瀬 章 （− 第１図 Ｅロ力日電圧（Ｖｒｍｓ） ”・、 第２図
Ｘ、実施例、比較例に↓る薄膜ＥＬ素子の電圧輝度特性
を示すグラフである。 符号の説明 １ ガラス基板 ２ 透明＠Ｌ極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二絶縁ｄ ６ 背而屯プ 代理人弁理士 贋 瀬 章 （− 第１図 Ｅロ力日電圧（Ｖｒｍｓ） ”・、 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）発光層がＴｍを添加したＺｎＳであると共に、Ｚｎ
Ｓの結晶系が六方晶であることを特徴とする薄膜エレク
トロルミネツセンス素子。 ２）発光層がクラスタイオンビーム蒸着法により形成さ
れたものであることを特徴とする特許請求範囲第１項記
載の薄膜エレクトロルミネツセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235311A JPS6388791A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235311A JPS6388791A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388791A true JPS6388791A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16984229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61235311A Pending JPS6388791A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388791A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498791A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-31 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンス薄膜の作製方法 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61235311A patent/JPS6388791A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498791A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-31 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンス薄膜の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4751427A (en) | Thin-film electroluminescent device | |
| JPS59146192A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPS6244989A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6388791A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPS6298597A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH0516158B2 (ja) | ||
| JPS61253797A (ja) | エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH01100892A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61273894A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS58175293A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH0266872A (ja) | 白色発光薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5991697A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS59154794A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6314833B2 (ja) | ||
| JPS59146191A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JPS60172196A (ja) | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 | |
| JPS62225583A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS6158194A (ja) | ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の製法 | |
| JPS61158691A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61267297A (ja) | 両面発光体 | |
| JPS59143297A (ja) | 交流駆動薄膜電場発光素子 | |
| JPS6298595A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61245489A (ja) | 電場発光素子 |