JPS61267297A - 両面発光体 - Google Patents
両面発光体Info
- Publication number
- JPS61267297A JPS61267297A JP10854585A JP10854585A JPS61267297A JP S61267297 A JPS61267297 A JP S61267297A JP 10854585 A JP10854585 A JP 10854585A JP 10854585 A JP10854585 A JP 10854585A JP S61267297 A JPS61267297 A JP S61267297A
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- JP
- Japan
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- double
- planar
- layer
- light emitting
- sided light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、両面に向けて光を放射する両面発光体に関
する。
する。
従来、発光ダイオード（Ｌ Ｅ Ｄ）や電界発光素子な
どの発光素子は、構造上、その基板の片面からのみ光が
放射されるようになっている。電界発光素子は薄型の面
状構造にできるという特徴があるけれども、上述のごと
く、片面しか発光しないと言う制約があることも一因と
なって、他の発光体で置き換えられる場合も多く、いま
ひとつ、その用途が拡大していないというのが現状であ
る。
どの発光素子は、構造上、その基板の片面からのみ光が
放射されるようになっている。電界発光素子は薄型の面
状構造にできるという特徴があるけれども、上述のごと
く、片面しか発光しないと言う制約があることも一因と
なって、他の発光体で置き換えられる場合も多く、いま
ひとつ、その用途が拡大していないというのが現状であ
る。
他方、発光層に電界を印加するための電極を両方とも透
明電極とし、発光体全体が透明となっている電界発光素
子も考案されている。しかしながら、この発光体を、文
字や図形が両面に表示されている看板の中に、入れると
、反対側の文字や図形が裏うつりの状態で透視されると
いう不都合がある。
明電極とし、発光体全体が透明となっている電界発光素
子も考案されている。しかしながら、この発光体を、文
字や図形が両面に表示されている看板の中に、入れると
、反対側の文字や図形が裏うつりの状態で透視されると
いう不都合がある。
前記した問題を解決するため、この発明は、両面から光
が放射され、しかも、反対側の文字や図形が裏うつしの
状態となって透視されることのない両面発光体を提供す
ることを目的とする。
が放射され、しかも、反対側の文字や図形が裏うつしの
状態となって透視されることのない両面発光体を提供す
ることを目的とする。
前記目的を達成するため、この発明は、面状不透明体の
両面に、それぞれ、面状発光素子が形成されてなる両面
発光体を要旨とする。
両面に、それぞれ、面状発光素子が形成されてなる両面
発光体を要旨とする。
以下、その実施例をあられす図面を参照しながら、この
発明を詳述する。
発明を詳述する。
第１図は、この発明にかかる両面発光体の一実施例の断
面の概略構造をあられしたものである。
面の概略構造をあられしたものである。
この両面発光体１は、面状不透明体となる高融点金属層
７を間に挟むようにして形成された、ふたつの面状電昇
発光素子（以下、ｒ Ｅ Ｌ素子」と記す）を備え、こ
れらがガラス基板２上に形成されている。一方のＥ Ｌ
素子（以下、「第１ＥＩ、素子」と記す）は、透明電極
層３と高融点金属層７とを電界印加用の電極とし、この
両電極間に、高い比誘電率を有する薄膜絶縁Ｎ５，６を
両面に備えるようにして形成された薄膜からなる発光層
４が配置されてなる。もう一方のＥＬ素子（以下、［第
２ Ｅ Ｌ素子１と記す）は、透明電極層３′と高融点
金属層７とを電界印加用の電極とし、この両電極間に、
商い比誘電率を有する薄膜絶縁層５′、６′を備えるよ
うにして形成された薄膜からなる発光層４′が配置され
てなる。第１図にみるよ・うに、透明電極層３．３′と
高融点金属層７との間に、電源８，８′が配置され、こ
れらによって電界がかけられる。そうすると、第１ Ｅ
１．、素子が、矢印へに示されるように、ガラス基板
２を通して光を放射し、第２ＥＴ、素子は、矢印Ｂに示
されるように、透明電極３′を通して光を放射する。
７を間に挟むようにして形成された、ふたつの面状電昇
発光素子（以下、ｒ Ｅ Ｌ素子」と記す）を備え、こ
れらがガラス基板２上に形成されている。一方のＥ Ｌ
素子（以下、「第１ＥＩ、素子」と記す）は、透明電極
層３と高融点金属層７とを電界印加用の電極とし、この
両電極間に、高い比誘電率を有する薄膜絶縁Ｎ５，６を
両面に備えるようにして形成された薄膜からなる発光層
４が配置されてなる。もう一方のＥＬ素子（以下、［第
２ Ｅ Ｌ素子１と記す）は、透明電極層３′と高融点
金属層７とを電界印加用の電極とし、この両電極間に、
商い比誘電率を有する薄膜絶縁層５′、６′を備えるよ
うにして形成された薄膜からなる発光層４′が配置され
てなる。第１図にみるよ・うに、透明電極層３．３′と
高融点金属層７との間に、電源８，８′が配置され、こ
れらによって電界がかけられる。そうすると、第１ Ｅ
１．、素子が、矢印へに示されるように、ガラス基板
２を通して光を放射し、第２ＥＴ、素子は、矢印Ｂに示
されるように、透明電極３′を通して光を放射する。
つまり、この両面発光体１は、その両面から個別に光を
放射できるようになっている。しかも、面状不透明体が
その中にあるので、逆の面が透視されることもないので
ある。そのため、たとえば、第３図にみるように、表面
に文字が表示されて通路３０に設けられているような表
示板３１．３２の内に、この両面発光体１が入れられた
場合でも、図中矢印Ｍ、 Ｎで示されるいずれの方向
からみても、反対側の文字が裏うつりの状態で透視され
るようなこともないのである。
放射できるようになっている。しかも、面状不透明体が
その中にあるので、逆の面が透視されることもないので
ある。そのため、たとえば、第３図にみるように、表面
に文字が表示されて通路３０に設けられているような表
示板３１．３２の内に、この両面発光体１が入れられた
場合でも、図中矢印Ｍ、 Ｎで示されるいずれの方向
からみても、反対側の文字が裏うつりの状態で透視され
るようなこともないのである。
この両面発光体１では、高融点金属層７が面状不透明体
となっていると同時に、両ＥＬ素子の片側の電極を兼ね
たものとなっている。さらに高融点金属層・７の表面が
、第１図にみるように、光反射面となっている。このよ
うに光反射面となっていると、ひとつのＥ’Ｌ素子から
の放射光量が増える。
となっていると同時に、両ＥＬ素子の片側の電極を兼ね
たものとなっている。さらに高融点金属層・７の表面が
、第１図にみるように、光反射面となっている。このよ
うに光反射面となっていると、ひとつのＥ’Ｌ素子から
の放射光量が増える。
第２図は、この発明にかかる両面発光体の他の実施例の
断面の概略構造をあられしたものである。第２図におい
て、第１図と同一の番号を付したものは、第１図におけ
るものと同一のものを示している。この第２図にしめさ
れた両面発光体１は、その面状不透明体が、絶縁層７Ｃ
の両面に分離して形成された２層の高融点金属層７ａ、
７ｂからなっており、この点で、第１図に示した両面発
光体１とは異なっている。なお、絶縁層７Ｃは必ずしも
光学的に不透明である必要はない。第２の実施例では、
このように、高融点金属層７ａ、７ｂが、絶縁層７Ｃに
よって、二層に分離されており、これらが二つのＥ Ｌ
素子の電極を構成している。このように構成されている
と、第１ＥＬ素子と第２ Ｅ Ｌ素子とが完全に電気的
に分離絶縁されることとなる。そのため、実際に、ＥＬ
素子を発光駆動させたときに、相互の干渉が軽減される
。
断面の概略構造をあられしたものである。第２図におい
て、第１図と同一の番号を付したものは、第１図におけ
るものと同一のものを示している。この第２図にしめさ
れた両面発光体１は、その面状不透明体が、絶縁層７Ｃ
の両面に分離して形成された２層の高融点金属層７ａ、
７ｂからなっており、この点で、第１図に示した両面発
光体１とは異なっている。なお、絶縁層７Ｃは必ずしも
光学的に不透明である必要はない。第２の実施例では、
このように、高融点金属層７ａ、７ｂが、絶縁層７Ｃに
よって、二層に分離されており、これらが二つのＥ Ｌ
素子の電極を構成している。このように構成されている
と、第１ＥＬ素子と第２ Ｅ Ｌ素子とが完全に電気的
に分離絶縁されることとなる。そのため、実際に、ＥＬ
素子を発光駆動させたときに、相互の干渉が軽減される
。
以上に説明した両面発光体１は、製造工程からすれば、
紙面に垂直な方向に延びる面状の各層がガラス基板２−
Ｌに順次積層されていくことになる。このように、ひと
つのガラス基板２に両方のＥＬ素子が形成されていると
非常に薄型の両面発光体１となる。しかし、この発明に
かかる両面発光体は、ふたつのＥＬ素子が別々に作られ
たあと、面状不透明体の両面にそれぞれ面状発光素子と
して形成されたものであってもよい。
紙面に垂直な方向に延びる面状の各層がガラス基板２−
Ｌに順次積層されていくことになる。このように、ひと
つのガラス基板２に両方のＥＬ素子が形成されていると
非常に薄型の両面発光体１となる。しかし、この発明に
かかる両面発光体は、ふたつのＥＬ素子が別々に作られ
たあと、面状不透明体の両面にそれぞれ面状発光素子と
して形成されたものであってもよい。
発光層が薄膜であって、この薄膜の両面に、比誘電率の
大きな薄膜の絶縁層が備えられるようになっている二重
絶縁構造のＥＴ、素子は、中に、面状発光素子として作
り易いというだけでなく、高輝度・長寿命の特性を有し
ている。
大きな薄膜の絶縁層が備えられるようになっている二重
絶縁構造のＥＴ、素子は、中に、面状発光素子として作
り易いというだけでなく、高輝度・長寿命の特性を有し
ている。
第１図に示された、この発明にかかる両面発光体１０″
）具体的製造例について説明する。
）具体的製造例について説明する。
ガラス基板２として、無アルカリガラス材（例えば、保
谷硝子社製 ＨＯＹＡ ＮＡ４０ ）が使われる。
谷硝子社製 ＨＯＹＡ ＮＡ４０ ）が使われる。
ガラス基板２の表面を十分洗浄したあと、透明電極層３
として、２０００人程の厚みのＩＴＯ（インジュームス
ズ酸化物）膿が、スパッタリング法により形成される。
として、２０００人程の厚みのＩＴＯ（インジュームス
ズ酸化物）膿が、スパッタリング法により形成される。
そのあと、アニーリング処理等の方法で、この透明電極
層３の抵抗値を所望の値とする。絶縁層５として、３０
００人程の厚みのＹ２Ｏ３膜が、電子ビーム蒸着法によ
り、透明電極層３上に形成される。そして、発光層４と
して、Ｍｎが活性物質としてドープされている６０００
人程のＺｎＳ膜が、スパッタリング法により、絶縁Ｉ！
ｉＩ５にに形成される。この発光層４が形成された段階
で、温度６００℃および真空度２×１Ｏ−６ｔｏｒｒの
雰囲気下で、約１時間のアニーリング処理がなされる。
層３の抵抗値を所望の値とする。絶縁層５として、３０
００人程の厚みのＹ２Ｏ３膜が、電子ビーム蒸着法によ
り、透明電極層３上に形成される。そして、発光層４と
して、Ｍｎが活性物質としてドープされている６０００
人程のＺｎＳ膜が、スパッタリング法により、絶縁Ｉ！
ｉＩ５にに形成される。この発光層４が形成された段階
で、温度６００℃および真空度２×１Ｏ−６ｔｏｒｒの
雰囲気下で、約１時間のアニーリング処理がなされる。
それが終わると、再び、絶縁層６として、３０００人程
の厚みのＹ２Ｏ３膜が、電子ビーム蒸着法により、発光
層４−トに形成される。その上に、不透明な高融点金属
層７として、２０００人程の厚みのＭｏ膜を蒸着形成す
る。そのあと、続いて、絶縁層５’、６’としての３０
００人程の厚みのＹ２Ｏ３ＨｆＪと、発光層４′として
の、６０００人程のＺｎのＭｎがドープされたＺｎＳ膜
とが、前述と同様にして、形成される。
の厚みのＹ２Ｏ３膜が、電子ビーム蒸着法により、発光
層４−トに形成される。その上に、不透明な高融点金属
層７として、２０００人程の厚みのＭｏ膜を蒸着形成す
る。そのあと、続いて、絶縁層５’、６’としての３０
００人程の厚みのＹ２Ｏ３ＨｆＪと、発光層４′として
の、６０００人程のＺｎのＭｎがドープされたＺｎＳ膜
とが、前述と同様にして、形成される。
そして、最終的に、透明電極層３′として、２０００人
程の厚みのＩＴＯ膜が、電子ビーム蒸着法により形成さ
れる。以上のようにして、この発明の両面発光体１の製
造がおこなわれるのである。
程の厚みのＩＴＯ膜が、電子ビーム蒸着法により形成さ
れる。以上のようにして、この発明の両面発光体１の製
造がおこなわれるのである。
なお、第２図に示されている両面発光体の場合は、最初
の２０００人程の厚みのＭｏ膜が形成されたあと、その
上から４０００人程の厚みのＡｌ２Ｏ３膜が蒸着法によ
り形成され、さらに、その上から２０００人程の厚みの
Ｍｏ膜が形成されるようになっている。それ以外は、前
述したのと同様にして、両面発光体１の製造がおこなわ
れる。
の２０００人程の厚みのＭｏ膜が形成されたあと、その
上から４０００人程の厚みのＡｌ２Ｏ３膜が蒸着法によ
り形成され、さらに、その上から２０００人程の厚みの
Ｍｏ膜が形成されるようになっている。それ以外は、前
述したのと同様にして、両面発光体１の製造がおこなわ
れる。
なお、不透明電極ともなっている面状不透明体にＭＯの
ような高融点金属層が用いられるのは、つぎのような理
由によるものである。高融点金属層の形成がなされたあ
とも各層の形成がなされる。その際、２００℃〜６００
℃程度の温度下での複数の熱処理工程があり、例えば、
アルミニウム膜のようなものでは、この熱処理に耐えら
れないと同時に、他層への汚染の原因ともなる。このよ
うなことを阻止するために、高融点金属層が用いられる
のである。
ような高融点金属層が用いられるのは、つぎのような理
由によるものである。高融点金属層の形成がなされたあ
とも各層の形成がなされる。その際、２００℃〜６００
℃程度の温度下での複数の熱処理工程があり、例えば、
アルミニウム膜のようなものでは、この熱処理に耐えら
れないと同時に、他層への汚染の原因ともなる。このよ
うなことを阻止するために、高融点金属層が用いられる
のである。
絶縁層として、Ｙ２Ｏ３膜やＡｌ２Ｏ３膜のかわりに、
５ｉ０２膜や、５ｒＴｉ０３膜、ＴｉＯ２膜、Ｓ ｉ３
Ｎ４１１１ｉ’、ＢａＴｉＯ３膜等が用いられてもよい
。発光層も、その母相材として、ＺｎＳのかわりに、Ｃ
ａＳや、Ｓ ｒＳ ＊ Ｚ ｎ Ｓ ｅ等が用いられ
てもよい。また、それぞれの母相材に対する発光中心と
なる活性物質として、Ｍｎのかわりに希土類のハロゲン
化物（例えばＴｂＦ３）が用いられてもよい。透明電極
層もＩＴＯ膜のかわりに５ｎ０２膜が用いられてもよい
。もちろん、各層の材質や、膜厚、膜の作成方法は、上
記に例示したものにかぎられない。
５ｉ０２膜や、５ｒＴｉ０３膜、ＴｉＯ２膜、Ｓ ｉ３
Ｎ４１１１ｉ’、ＢａＴｉＯ３膜等が用いられてもよい
。発光層も、その母相材として、ＺｎＳのかわりに、Ｃ
ａＳや、Ｓ ｒＳ ＊ Ｚ ｎ Ｓ ｅ等が用いられ
てもよい。また、それぞれの母相材に対する発光中心と
なる活性物質として、Ｍｎのかわりに希土類のハロゲン
化物（例えばＴｂＦ３）が用いられてもよい。透明電極
層もＩＴＯ膜のかわりに５ｎ０２膜が用いられてもよい
。もちろん、各層の材質や、膜厚、膜の作成方法は、上
記に例示したものにかぎられない。
以上詳述したように、この発明にかかる両面発光体は、
面状不透明体の両面に、それぞれ、面状発光素子が形成
されてなる構成となっている。この構成によって、文字
や図形が両面に表示されている表示板の間に、この両面
発光体が挿入されるような場合でも、反対側の文字や図
形が裏うつしの状態となって透視されるようなことがな
くなる
面状不透明体の両面に、それぞれ、面状発光素子が形成
されてなる構成となっている。この構成によって、文字
や図形が両面に表示されている表示板の間に、この両面
発光体が挿入されるような場合でも、反対側の文字や図
形が裏うつしの状態となって透視されるようなことがな
くなる
第１図は、この発明にかかる両面発光体の一実施例の構
造を示すための概略断面図、第２図は、この発明にかか
る両面発光体の他の実施例の構造を示すための概略断面
図、第３図は、この発明にかかる両面発光体の使用状況
説明図である。
造を示すための概略断面図、第２図は、この発明にかか
る両面発光体の他の実施例の構造を示すための概略断面
図、第３図は、この発明にかかる両面発光体の使用状況
説明図である。
Claims (4)
- （１） 面状不透明体の両面に、それぞれ、面状発光
素子が形成されてなる両面発光体。 - （２） 面状発光素子が電界発光素子である特許請求
の範囲第１項記載の両面発光体。 - （３） 面状不透明体が高融点金属層単層で形成され
るとともに、この金属層がそれぞれの電界発光素子の片
一方の電極を構成するように前記電界発光素子が形成さ
れてなる特許請求の範囲第２項記載の両面発光体。 - （４） 面状不透明体が、絶縁層の両面に分離して形
成された高融点金属層からなり、それぞれの金属層が個
別に二つの電界発光素子の電極を構成している特許請求
の範囲第２項記載の両面発光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854585A JPS61267297A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 両面発光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854585A JPS61267297A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 両面発光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267297A true JPS61267297A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14487539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10854585A Pending JPS61267297A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 両面発光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267297A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163996A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜ｅｌ表示装置 |
| JP2006179471A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS416856Y1 (ja) * | 1964-12-07 | 1966-04-07 | ||
| JPS5728198A (en) * | 1980-04-21 | 1982-02-15 | Kiyoushin Kk | Wasing of interior of oil tank and production of fuel using wate liquid thereof |
| JPS5744990A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Sharp Kk | Thin film el element |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10854585A patent/JPS61267297A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS416856Y1 (ja) * | 1964-12-07 | 1966-04-07 | ||
| JPS5728198A (en) * | 1980-04-21 | 1982-02-15 | Kiyoushin Kk | Wasing of interior of oil tank and production of fuel using wate liquid thereof |
| JPS5744990A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Sharp Kk | Thin film el element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163996A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜ｅｌ表示装置 |
| JP2006179471A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器 |
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