JPS61142692A - マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPS61142692A JPS61142692A JP59265110A JP26511084A JPS61142692A JP S61142692 A JPS61142692 A JP S61142692A JP 59265110 A JP59265110 A JP 59265110A JP 26511084 A JP26511084 A JP 26511084A JP S61142692 A JPS61142692 A JP S61142692A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- matrix display
- display type
- insulating layer
- insulator
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明はディスプレイ装置などに用いられるマトリク
ス表示形エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子に関する
ものである。
ス表示形エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子に関する
ものである。
従来のこの種ＥＬ素子は第３図に示す構成となっている
（文献不詳）。すなわち、ガラス等の透光性を有する基
板３１上にストライプ状の透明電極３２、第１の絶縁層
３３、発光体層３４、第２の絶縁層３５、さらに上記透
明電極３２とは直交方向に延びるストライプ状の背面電
極３６が順次積層状に形成されており、上記透明電極３
２と背面電極３６との間に交流電界３７を印加すると、
両電極３２．３６の交点に対応する発光体層３４の部分
で電界によって加速された電子が発光中心を衝突励起し
て発光を呈するもので、その光は第１の絶縁層３３、透
明電極３２および基板３１を通して外部に取り出される
。
（文献不詳）。すなわち、ガラス等の透光性を有する基
板３１上にストライプ状の透明電極３２、第１の絶縁層
３３、発光体層３４、第２の絶縁層３５、さらに上記透
明電極３２とは直交方向に延びるストライプ状の背面電
極３６が順次積層状に形成されており、上記透明電極３
２と背面電極３６との間に交流電界３７を印加すると、
両電極３２．３６の交点に対応する発光体層３４の部分
で電界によって加速された電子が発光中心を衝突励起し
て発光を呈するもので、その光は第１の絶縁層３３、透
明電極３２および基板３１を通して外部に取り出される
。
ところで、一般にＥＬ素子では、第１および第２の絶縁
層３３．３５として高誘電率の絶縁体を使うことが、低
電圧で高輝度の発光を得るのに有利とされているが、上
記のようなマトリクス表示形のものにおいては、各電極
３２．３６のストライプ間隔が１００〜２００戸と小さ
いこともあって、第４図に示すように両電極３２．３６
の交点で構成される画素のうち発光すべき画素４０の周
辺部分４１が電界のもれによりわずかに発光する、いわ
ゆるクロストーク現象を起こし、これが表示を不鮮明に
させる原因となっている。
層３３．３５として高誘電率の絶縁体を使うことが、低
電圧で高輝度の発光を得るのに有利とされているが、上
記のようなマトリクス表示形のものにおいては、各電極
３２．３６のストライプ間隔が１００〜２００戸と小さ
いこともあって、第４図に示すように両電極３２．３６
の交点で構成される画素のうち発光すべき画素４０の周
辺部分４１が電界のもれによりわずかに発光する、いわ
ゆるクロストーク現象を起こし、これが表示を不鮮明に
させる原因となっている。
この発明は上記従来の不具合を解消するためになされた
もので、発光むらがなく、鮮明な表示が得られるマトリ
クス表示形ＥＬ素子を提供することを目的としている。
もので、発光むらがなく、鮮明な表示が得られるマトリ
クス表示形ＥＬ素子を提供することを目的としている。
この発明のマトリクス表示形ＥＬ素子は、第１および第
２の絶縁層における電極交点と対応する部分を高誘電率
の絶縁体で構成し、他の部分を低誘電率゛の絶縁体で構
成したことを特徴とするものである。
２の絶縁層における電極交点と対応する部分を高誘電率
の絶縁体で構成し、他の部分を低誘電率゛の絶縁体で構
成したことを特徴とするものである。
この発明のマトリクス表示形ＥＬ素子では、１対の電極
の交点で構成される画素ごとに高誘電率の絶縁体が等価
的に独立的に配列された状態となる。つまり、選択画素
での発光輝度が高いが、その周辺ではもれ電界による不
要な発光が抑制されることになる。
の交点で構成される画素ごとに高誘電率の絶縁体が等価
的に独立的に配列された状態となる。つまり、選択画素
での発光輝度が高いが、その周辺ではもれ電界による不
要な発光が抑制されることになる。
［実施例１
第１図はこの発明に係るマトリクス表示形ＥＬ素子の一
例を示すものである。
例を示すものである。
同図において、１は透光性材、たとえばガラスからなる
基板、２は上記基板１上に高周波マグネトロンスパッタ
法によって形成された厚さ２，０００λ程度の透明電極
である。この透明電極２は、Ｉｎ２Ｏ３−３ｎＯ，のよ
うな導電性の良いＩｎ−５ｎ酸化物（ＩＴＯ）で構成さ
れるとともに、幅が２００−１ ピッチが１００−のス
トライプ状に形成されている。
基板、２は上記基板１上に高周波マグネトロンスパッタ
法によって形成された厚さ２，０００λ程度の透明電極
である。この透明電極２は、Ｉｎ２Ｏ３−３ｎＯ，のよ
うな導電性の良いＩｎ−５ｎ酸化物（ＩＴＯ）で構成さ
れるとともに、幅が２００−１ ピッチが１００−のス
トライプ状に形成されている。
３は上記透明電極２上に形成されたＹ２Ｏ３等からなる
厚さ３，０ＯＯＡ程度の第１の絶縁層、４はＺｎＳの母
体に、たとえば緑色発光用の付活剤ＴｂＦ３を添加し４
て上記ｊｌ！１の絶縁層３上に電子ビーム蒸着法で４．
ＯＯＯＡ程度の厚さに形成された発光体層、５はＹ２
Ｏ３等からなり、第１の絶縁層３とで上記発光体層４を
挾み込む厚さｓ、ｏｏｏＸ程度の第２の絶縁層である。
厚さ３，０ＯＯＡ程度の第１の絶縁層、４はＺｎＳの母
体に、たとえば緑色発光用の付活剤ＴｂＦ３を添加し４
て上記ｊｌ！１の絶縁層３上に電子ビーム蒸着法で４．
ＯＯＯＡ程度の厚さに形成された発光体層、５はＹ２
Ｏ３等からなり、第１の絶縁層３とで上記発光体層４を
挾み込む厚さｓ、ｏｏｏＸ程度の第２の絶縁層である。
上記第１の絶縁層３は比誘電率が１５０と比較的高いＰ
ｂＴ！０３の絶縁体３ａと比誘電率が８と比較的低いＡ
ｌ２Ｏ３の絶縁体３ｂとからなり、つぎのように形成さ
れたものである。つまり、上記透明電極２の形成後、こ
の上にパターンマスクを置き、画素と対応する部分に対
して第２図のように上記ＰｂＴｉＯ３の絶縁体３ａをス
パッタ法で直径２５０声の大きさに形成し、しかる後、
レジスト露光を用いて画素と対応しない部分に対してＡ
Ｉ！２０３の絶縁体３ｂを電子ビーム蒸着法で形成した
ものである。
ｂＴ！０３の絶縁体３ａと比誘電率が８と比較的低いＡ
ｌ２Ｏ３の絶縁体３ｂとからなり、つぎのように形成さ
れたものである。つまり、上記透明電極２の形成後、こ
の上にパターンマスクを置き、画素と対応する部分に対
して第２図のように上記ＰｂＴｉＯ３の絶縁体３ａをス
パッタ法で直径２５０声の大きさに形成し、しかる後、
レジスト露光を用いて画素と対応しない部分に対してＡ
Ｉ！２０３の絶縁体３ｂを電子ビーム蒸着法で形成した
ものである。
また、上記第２の絶縁層５も比誘電率が１５０と比較的
高いＰｂＴｉ０．の絶縁体５ａと比誘電率が８と比較的
低いＡｌ２Ｏ３の絶縁体５ｂとからなり、上記と同様の
方法で形成されたものである。
高いＰｂＴｉ０．の絶縁体５ａと比誘電率が８と比較的
低いＡｌ２Ｏ３の絶縁体５ｂとからなり、上記と同様の
方法で形成されたものである。
６はＡｌからなり、上記第２の絶縁層５上に形成された
ストライプ状の背面電極であり、上記第２の絶縁層５上
にパターンマスクを置いて上記透明電極２と直交し、か
つ画素の位置合わせがなされるように設定した状態で抵
抗加熱蒸着法により２、ｏｏｏＸ程度の厚さに形成しで
ある。
ストライプ状の背面電極であり、上記第２の絶縁層５上
にパターンマスクを置いて上記透明電極２と直交し、か
つ画素の位置合わせがなされるように設定した状態で抵
抗加熱蒸着法により２、ｏｏｏＸ程度の厚さに形成しで
ある。
上記構成において、透明電極２と背面電極６との間に交
流電界７を印加すると、両電極２，６の交点で構成され
た画素の位置には、高誘電率のＰｂＴ ｉ０３の絶縁体
３ａ、５ａが存在しているため、１００ｖ以下の低い電
圧でも上記画素は高輝度で発光した。
流電界７を印加すると、両電極２，６の交点で構成され
た画素の位置には、高誘電率のＰｂＴ ｉ０３の絶縁体
３ａ、５ａが存在しているため、１００ｖ以下の低い電
圧でも上記画素は高輝度で発光した。
これに対し、画素以外の部分には低誘電率のＡｌ２Ｏ、
の絶縁体３ｂ、５ｂが存在しているから、もれ電界が発
生しにくく、したがって、発光の選択画素の周辺での不
要な発光はみられなかった。すなわち、各画素の位置ご
とに高誘電体が独立して存在している場合と等価の状態
となり、表示は非常に鮮明なものとなった。
の絶縁体３ｂ、５ｂが存在しているから、もれ電界が発
生しにくく、したがって、発光の選択画素の周辺での不
要な発光はみられなかった。すなわち、各画素の位置ご
とに高誘電体が独立して存在している場合と等価の状態
となり、表示は非常に鮮明なものとなった。
ところで、高誘電率の絶縁体３ａ、５ａとしては、上記
ＰｂＴｉＯ３の他に５ｒＴｉ０３等の比誘電率が１００
以上の他の絶縁材料から選択でき、また低誘電率の絶縁
体３ｂ、５ｂも上記Ａｌ２Ｏ３に限らず、Ｙ２Ｏ３等の
比誘電率が２０以下の他の絶縁材から選択できることは
勿論である。また、発光体層４についても、上記のＺｎ
Ｓの母体とＴｂＦ、の付活剤の組み合わせに限定される
ことなく、必要な発光色に合せた材料を適宜選択使用で
きるものである。
ＰｂＴｉＯ３の他に５ｒＴｉ０３等の比誘電率が１００
以上の他の絶縁材料から選択でき、また低誘電率の絶縁
体３ｂ、５ｂも上記Ａｌ２Ｏ３に限らず、Ｙ２Ｏ３等の
比誘電率が２０以下の他の絶縁材から選択できることは
勿論である。また、発光体層４についても、上記のＺｎ
Ｓの母体とＴｂＦ、の付活剤の組み合わせに限定される
ことなく、必要な発光色に合せた材料を適宜選択使用で
きるものである。
なお、上記実施例では、一方の電極２を透明電極とした
もので説明したが、１対の対向する電極２．６の双方を
透明電極としたものでも、同様の効果を奏するものであ
る。
もので説明したが、１対の対向する電極２．６の双方を
透明電極としたものでも、同様の効果を奏するものであ
る。
以上のように、この発明によれば、第１および第２の絶
縁層における電極交点に対応する部分を高誘電率の絶縁
体で構成し、他の部分を低誘電率の絶縁体で構成したこ
とにより、クロストークがなく、表示の鮮明度を高め得
るマトリクス表示形ＥＬ素子を提供することができる。
縁層における電極交点に対応する部分を高誘電率の絶縁
体で構成し、他の部分を低誘電率の絶縁体で構成したこ
とにより、クロストークがなく、表示の鮮明度を高め得
るマトリクス表示形ＥＬ素子を提供することができる。
第１図はこの発明に係るマトリクス表示形ＥＬ素子の一
例を示す断面図、第２図は第１図のものの絶縁層の構成
の模式説明図、第３図は従来のマトリクス表示形ＥＬ素
子を示す断面図、第４図は従来のもののクロストーク現
象の説明図である。 ２．６・・電極、３・・・第１の絶縁層、３ａ、５ａ・
・・高誘電率の絶縁体、３ｂ、５ｂ・・・低誘電率の絶
縁体、５・・・第２の絶縁層 特許出願人 日立マクセル株式会社 −Ａシ
例を示す断面図、第２図は第１図のものの絶縁層の構成
の模式説明図、第３図は従来のマトリクス表示形ＥＬ素
子を示す断面図、第４図は従来のもののクロストーク現
象の説明図である。 ２．６・・電極、３・・・第１の絶縁層、３ａ、５ａ・
・・高誘電率の絶縁体、３ｂ、５ｂ・・・低誘電率の絶
縁体、５・・・第２の絶縁層 特許出願人 日立マクセル株式会社 −Ａシ
Claims (1)
- （１）互に直交するストライプ状に形成されるととも
に、少なくとも一方が透明である１対の対向した電極と
、これら両電極間に第１および第２の絶縁層を介して挾
着された発光体層とを備え、上記両絶縁層における電極
交点に対応する部分を高誘電率の絶縁体で構成し、他の
部分を低誘電率の絶縁体で構成したことを特徴とするマ
トリクス表示形エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265110A JPS61142692A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265110A JPS61142692A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142692A true JPS61142692A (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=17412744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59265110A Pending JPS61142692A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | マトリクス表示形エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119193U (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | ||
| WO1999046748A1 (fr) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'emission de lumiere a matrice active et son procede de fabrication |
-
1984
- 1984-12-15 JP JP59265110A patent/JPS61142692A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119193U (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | ||
| WO1999046748A1 (fr) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'emission de lumiere a matrice active et son procede de fabrication |
| US6541918B1 (en) | 1998-03-12 | 2003-04-01 | Seiko Epson Corporation | Active-matrix emitting apparatus and fabrication method therefor |
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