JPH01315985A

JPH01315985A - Ｅｌパネルの製造方法

Info

Publication number: JPH01315985A
Application number: JP63147350A
Authority: JP
Inventors: Mutsuhiro Sekido; 関戸　睦弘
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1988-06-15
Filing date: 1988-06-15
Publication date: 1989-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＥＬ（エレク１〜ロルミネセンス）パネルの
製造方法に関し、特に、その絶縁層の製造方法に関する
。

〔従来の技術〕

第２図は従来より広く知られているＥＬパネルの、断面
図である。同図において、２１はカラス基板、２２はカ
ラス基板２１上に■ｎ２０３．５ｎ０２スはＩＴＯを複
数本のストライプ状にパターニングして形成された透明
電極、２３は第一絶縁層、２４は発光層、２５は第二絶
縁層、２６は背面電極である。

そして、このＥＬパネルの製造に際しては、複数本のス
トライプ状透明電極２２を備えたガラス基板２１上に、
スパッタ法又は電子ビーム蒸着法により、第一絶縁層２
３、発光層２４、及び第二絶縁層２５を順に形成し、さ
らにこの上に、Ａ層、Ｔａ、Ｎｉ等の抵抗率の小さい金
属よりなるストライプ状の背面電極を透明電極２２と直
交する方向延びるように形成している。

この種のＥＬパネルにおいては、発光層２４に約１０６
Ｖ／ｃｍの高電界を印加して発光させているので、発光
層２４に高電界を印加したときに、透明型ｉ２２と背面
電極２６との間にリーク電流が流れないように、第一絶
縁層２３及び第二絶縁層２５を絶縁性に漬れた特性のも
のとし、且つ絶縁破壊の起きないように絶縁耐圧の１憂
れな特性のものとしている。

まな、空気中の水分を吸着して絶縁破壊を起こさないよ
うに、第一絶縁層２３、発光層２４、及び第二絶縁層２
５を封止板２７で覆い、封止板２７内に防湿油を封入し
ている。防湿届としてはシリコーン油、黒色染料、モレ
キュラシーブス等からなるものが使用される。

〔発明か解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来例においては、絶縁層の製造に
スパッタ法又は電子ビーム蒸着法を使用しているので、
次に示すような問題があった。

即ち、スパッタ法又は電子ビーム蒸着法を使用して絶縁
層をＭ遺した場合には、絶縁層にピンポールや化学量論
的欠陥か発生しやすい。例えば、この方法でＴ”　ａ　
２　’Ｏｓ膜を形成ずれは、０原子の欠損した部分を有
するＴａ２０３−ｘ膜となり、１０６ｖ／ｃ［ｌ）程度
の高電界領域のもとでは、比抵抗が小さくなり、大きな
リヘク電流が流れてパネルを破損しゃずいという問題が
あった。

また、絶縁体であるカラス基板２１上に形成された透明
電極２２上に第一絶縁層として酸化物を、例えば、ＲＦ
スパッタ法で形成すると、透明′電極２２に電子かチャ
ージアップされて透明型＃：！２２が逆スパツタされる
ことかあった。このとき、透明電極２２を構成するＩ　
１１２０３　、Ｓ　ｎ　０２　、ＩＴＯ等が黒化し、光
束を遮るという問題があった。

さらに、スパッタ法又は電子ビーム蒸着法で形成された
絶縁層にはピンポールが多く、このピンポールから水分
か浸透して発光層２４を劣化させ、輝度を低下させる問
題があった。

そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
絶縁性に優れ、長寿命で、しかも高輝度発光の得られる
Ｅ’Ｌパネルの製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るＥＬパネルの製造方法は、基板上に金属薄
膜よりなる第一電極層を形成する工程と、陽極酸化法に
より、上記第一電極層の表面を酸化して第一絶縁層を形
成する工程と、上記第一絶縁層上に発光層、第二絶縁層
、及び第二電極層を順に形成する工程とを有することを
特徴としている。

また、ＥＬパネルの他の製造方法は、基板上に第一電極
層、第一絶縁層、及び発光層を順に形成する工程と、上
記発光層上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜を陽極酸
化法により酸化して第二絶縁層を形成する工程と、上記
第二絶縁層上に第二電極層を形成する工程とを有するこ
と゛を特徴としている。

〔作　用〕

本発明においては、基板上に少なくとも第一電極層、第
一絶縁層、発光層、第二絶縁層、及び第二電極層を有す
るＥＬパネル（第−絶縁層及び第二絶縁層以外の絶縁層
を有する場合もある）を製造するに際して、第−絶縁層
又は第二絶縁層の少なくとも一方を陽極酸化法により形
成している。

□゛陽極酸化法で形成された絶縁層は、化学量論的欠陥
やピンポールが少ないので絶縁性に優れ、このためリー
グ電流を極めて小さくできる６また、ピンポールの少な
い絶縁層は、水分を吸着しにくいので、発光層の劣化を
起こしにくい。

〔実施例〕

以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第１図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明に係るＥＬパネルの！
！！遣方遣方−実施例を示す工程説明図である。同図に
おいて、１はガラス又はセラミックよりなる基板、２は
基板１上にＩ　ｎ２０３　、Ｓ　ｎ　０４は発光層、５
は第二絶縁層、６は背面電極である。また、７は封止板
、８は接着剤である。

本実施例の製造に際しては、最初の工程で、同図（ａ）
に示すように、基板１上にＡ、ｌｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ
、Ｚｒ、Ｎｂ等の陽＃！酸化しやすい金属薄膜を形成し
、この金属薄膜をホトリソエツチングにより複数本のス
トライプ状として電極２を形成する。ここで、金属薄膜
の形成にはスパッタ法又は電子ビーム蒸着法か使用され
、膜厚１０００〜５０００Ａに形成される。一般に、ス
パッタ法による方が電子ビーム蒸着法による場合よりピ
ンホールの少ない良質の膜が得られる。また、カラス又
はセラミック等からなる基板１上に形成する場合には、
異常放電の発生が少なく、また基板１の温度を自由に選
ぶことができるので、スパッタ法により、より良質の、
膜内歪の少ない背面電極が得られる。

次の工程では、電極２の端子部（図示せず）に陽極電源
を接続し、電極２をリン酸又はしゅう酸等の希釈水溶液
中で陽極酸化して電極２表面に酸化膜を形成し、この酸
化膜を第一絶縁層３とする。

一般に、陽極酸化によると、酸化膜の厚さは、陽極酸化
される前の金属薄膜の厚さの３倍位の厚さになることが
知られている。ここでは、第一絶縁層３の厚さとしては
、１０００〜３００’ＯＡが選ばれるので、電極２の表
面から３００〜１０００人を陽極酸化する。

次の工程では、同図（ｂ）に示すように、第一絶縁層３
の上に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法に
より、発光層４、第二絶縁層５を順に形成する。

次に、第二絶縁層５上に電子ビーム蒸着法又はスパッタ
法により第二電極層６を形成する。この第二電極層６は
ＩＴＯ，ＳｎＯ２、ＺｎＯ，Ａｌ１２０３＋Ｚｎｏの薄
膜よりなる透明電極であり、上記したストライブ状の電
極２の延びる方向と直交する方向に延びるように、ホト
リソエツチングにより複数本のストライブ状に形成され
る。

そして、透明なカラス板よりなる封止板７を電極６の上
面に密着させるか、又は封止板７と電極６の上面との間
に僅かな間隙を開けて、封止板７を基板１に接着剤８で
取りイ（１ｃ′ｊる。このとき、電極２及び電極６の端
子部は封止板７の外に出るようにする。

封止板７を基板１に接着するに際しては、接着剤８とし
て熱硬化性のものを用い、電極６に封止板７を密着さぜ
、この状態で一定時間真空状態に保持し、加熱して接着
剤８を硬化させる。接着剤８は封止板７の外周付近にの
み塗布し、発光領域には塗布しない。また、真空硬化時
に接着剤８を封止板７に塗布するときに、一部塗布しな
い部分を形成して、封止板７と電′＋ｆＡ６との間に気
泡か残らないようにする。また、接着剤８を塗布しない
部分を数箇所設けることにより、接着剤８の硬化後に、
防湿油としてのシリコーン油を間隙部に浸透させて、毛
細管現象により容易に注入できる。

この間隙部は接着剤８の中に直径か５〜２０μｍのグラ
スファイバー粉末を混入することで形成できる。

本実施例の製造方法においては、第一絶縁層３を陽極酸
化法で形成するので、第一絶縁層３に化学量論的欠陥や
ピンポールが少ない。このため、第一絶縁層３の絶縁性
は高くなるので、電極２と電極６との間に流れるリーク
電流は極めて小さくなり、リーク電流は少なく、絶縁破
壊によるパネル破損は生じにくい。また、第一絶縁層３
にピンホールが少ないので、水分を吸着しにくく、水分
による発光層４の劣化を起こしにくい。このため、輝度
の低下の起こりにくい、寿命の長いＥＬパネルを製造す
ることができる。

さらに、陽極酸化法により第一絶縁層３を形成した場合
には、ＲＦスパッタ法で形成した場合と異なり電極２に
電子がチャージアップされて電極２か逆スパツタされる
ことがないので、電極２を構成するＩｎ　　Ｏ５ｎ０２
、ＩＴＯ等に黒化２　３　・が生じることはなく、光束を遮るという問題が起こらな
い。

尚、上記実施例では、ポ１〜リンエッヂング法で電極２
をス１〜ライブ状に形成し、この後に陽極酸化法により
第一絶縁層を形成した場合について説明したが、例えば
、次に示すような方法によることもできる。第３図（ａ
）、（ｂ）は第一絶縁層の他の形成方法を示す説明図で
ある。この形成方法では、同図（ａ）に示すように、基
板１上に第一電極としての金属薄膜１０を形成し、金属
薄膜１０上にレジストパターン１１を形成し、この後、
エツチングを行わすに、金属薄膜１０を陽極酸化法によ
り酸化処理する。すると、レジストパターン１１の形成
されない金属薄膜１０の露出部分のみが酸化されて絶縁
層１２になる。レジストパターン１１を除去後、同図（
ｂ）に示すように、絶縁層１２と金属薄膜１０が又１〜
ライブ状に形成されるが、陽極酸化法により金属薄膜１
０の表面を酸化処理して第一絶縁層とすることもできる
。

第４図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の製造方法の他の実施
例を示す工程説明図である。同図において、第１図の！
！！遣方法と同一の構成部分には同一の符号を付して説
明する。

＝　１１− この実施例の製造に際しては、最初の工程で、同図（ａ
）に示すように、金属薄膜をホ１〜リソエ　　　　　′
ッチンクにより複数本のス１〜ライブ状として電極２を
形成する。

次の工程では、金属薄膜の端子部（図示せず）に陽極電
源を接続し、金属薄膜をリン酸又はしゅう酸等の希釈水
溶液中で陽極酸化して電［ｉ２表面に酸化膜を形成し、
同図（ｂ）に示すように、この酸化膜を第一絶縁層３と
する。

次の工程では、同図（ｃ）に示すように、第一絶縁層３
の上に、電子ヒーム蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法に
より、発光層４を形成する。

次に、発光層４上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜に
陽極電源を接続し、電極２をリン酸又はしゆう酸等の希
釈水溶液中で陽極酸化して酸化膜を形成し、この酸化膜
を第二絶縁層５とする。

次に、第二絶縁層５上に電子ビーム蒸着法又はスパッタ
法により第二電極層６を形成する。この第二電極層６は
ストライプ状の電極２の延びる方向と直交する方向に延
ひるように、ホトリソエラ〜　１２− チングにより複数本のストライプ状に形成される。

さらに、同図（ｄ）に示すように、透明なカラス板より
なる封止板７を電極６の上面との間に僅かな間隙があく
ように基板１に接着剤８で取り付ける。

第４図の製造方法においては、第一絶縁層３を陽極酸化
法で形成すると共に、第二絶縁層５をも陽極酸化法で形
成するので、電極２と電極６との間に流れるリーク電流
は第１図の場合より一層小さく、リーク電流や絶縁破壊
によるパネル破損のおそれが小さい。また、第一絶縁層
３と第二絶縁層５にピンホールが少ないので、水分によ
る発光層４の劣化を起こしにくく、輝度の低下が起こり
にくい、寿命の長いＥＬパネルを製造することかできる
。

さらに、ＲＦスパッタ法で形成した場合と異なり電極か
逆スパツタされることがないので、電極に黒化が生じる
ことはない。

尚、第４図の実施例においては、第一絶縁層３と第二絶
縁層５の双方を陽極酸化法で形成した場台について説明
したが、第二絶縁層５のみを陽極酸化法で形成しても本
発明の目的とする効果は得られる。

また、第４図の実施例においては、ホトリソエッチツク
法で電極６をストライプ状に形成した場合について説明
しなか、例えは、次に示すような方法によることもでき
る。第５図は電極６の他の形成方法を示す説明図である
。この形成方法では、第二絶縁層５上に金属薄Ｊ１１３
を形成し、金属薄膜１３上にレジストパターン１４を形
成し、この後、エツチングを行わずに、金属薄膜１３を
陽極酸化法により酸化処理する。すると、レジストパタ
ーン１４の形成されない金属薄膜１３の露出部分のみが
酸化されて絶縁層になる。レジストパターン１４を除去
後、絶縁層１２と金属薄膜よりなる電極６かス）−ライ
ブ状に形成される。この場合には、電極６部分には段差
かできないので、この上に膜形成をすることが容易にな
る。

また、本発明は上記以外の他のＥＬパネルの製造にも適
用できる。例えは、第６図は特開昭６２＝　１４− −５５８９３号公報に開示されたＥＬパネルを示す断面
図である。同図において、第１図と同一の構成には同一
の符号を付して説明すると、このＥＬパネルは、発光層
４と第一絶縁層３との間と、発光層４と第二絶縁層５と
の間とに、電子供給層として機能する低抵抗率（１０７
〜１０９Ω■（１０５〜１０６■／ｃＭＩのとき））の
絶縁層９が価えられている。このような構成のＥＬパネ
ルにおいても、第１図又は第４図と同様に第一絶縁層３
又は第二絶縁層５を陽極酸化法で形成することができ、
同様の効果を得ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれは、第−絶縁層又は
第二絶縁層の少なくとも一方を陽極酸化法により形成し
ているので、絶縁層には化学量論的欠陥やピンポールが
少なく、このなめ、絶縁層の絶縁性は高くなる。よって
、リーク電流や絶縁破壊によるパネル破損は生じにくい
。

また、陽極酸化法で形成された絶縁層には、ピンポール
か少なく水分を吸着しにくいので、り一り電流による発
光層の劣化を起こしにくい。よって、輝度の低下の起こ
りにくい、寿命の長いＥＬパネルを製造することができ
る。

さらに、ＲＦスパッタ法で形成した場合と異なり電極に
電子かチャージアップされて電極が逆スパツタされるこ
とがないので、電極に黒化か生じることはなく、光束を
遮るという問題が起こらない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明に係るＥＬパネルの製
造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図は従来のＥ
Ｌパネルの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の場合の第一絶縁層のな
の例を示す説明図、第４図（ａ＞乃至（ｃ）はＥＬパネルの製造方法の他の
実施例を示す工程説明図、第５図は第二電極の他の製造方法を示す説明図、第６図
は本発明を適用できる他のＥＬパネルを示す断面図であ
る。＝　１６　＝ｌ・・・基板、　　　　２・・・電極（第一電極層）、
３・・・第一絶縁層、　４・・・発光層、５・・・第二
絶縁層、　６・・・電極（第二電極層）。特許出願人　　沖電気工業株式会社代理人　弁理士　　前　１）　実、　　　　閃０　　　　　　　．０醍豊昭和６３年　９月２９日

Claims

【特許請求の範囲】

１．　基板上に金属薄膜よりなる第一電極層を形成する
工程と、陽極酸化法により、上記第一電極層の表面を酸化して第
一絶縁層を形成する工程と、上記第一絶縁層上に発光層、第二絶縁層、及び第二電極
層を順に形成する工程とを有することを特徴とするＥＬ
パネルの製造方法。
２．　基板上に第一電極層、第一絶縁層、及び発光層を
順に形成する工程と、上記発光層上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜を陽極
酸化法により酸化して第二絶縁層を形成する工程と、上記第二絶縁層上に第二電極層を形成する工程とを有す
ることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。