JPS61188890A - 誘電体膜の形成方法 - Google Patents
誘電体膜の形成方法Info
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- JPS61188890A JPS61188890A JP60028623A JP2862385A JPS61188890A JP S61188890 A JPS61188890 A JP S61188890A JP 60028623 A JP60028623 A JP 60028623A JP 2862385 A JP2862385 A JP 2862385A JP S61188890 A JPS61188890 A JP S61188890A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、誘電体膜の形成方法に関し、特に透明導電膜
が形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスパッ
タリングで選択的に誘電体膜を形成する方法に関するも
のである。
が形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスパッ
タリングで選択的に誘電体膜を形成する方法に関するも
のである。
従来の技術
例えば薄膜ＥＬ表示素子は、第２図に示すようなストラ
イプ状の透明電極群１が形成されたグラス基板２上に第
１の誘電体膜３を介してＥＬ（ＩＣ１ｅｃｔｒｏ Ｌ
ｕｍ１ｎｅｓｔｃｅｎｃｅ）発光層４を形成し。
イプ状の透明電極群１が形成されたグラス基板２上に第
１の誘電体膜３を介してＥＬ（ＩＣ１ｅｃｔｒｏ Ｌ
ｕｍ１ｎｅｓｔｃｅｎｃｅ）発光層４を形成し。
さらにその上に第２の誘電体膜５を形成し、その上に上
記透明電極群１と直交するようにストライプ状の背面電
極群６を設けた構成になっている。
記透明電極群１と直交するようにストライプ状の背面電
極群６を設けた構成になっている。
すなわち、透明電極群は少なくとも端部の電極取出し部
を除いて誘電体膜で被われている。
を除いて誘電体膜で被われている。
第１の誘電体膜は、従来から高周波７２ネトロンスパツ
タリング法で作製されている。
タリング法で作製されている。
透明導電膜が形成されたガラス基板に誘電体膜を付着さ
せる際、透明導電膜とアノード電極を電気的に短絡し電
子が自由に出入り可能とするとしばしば透明導電膜の一
部が還元し黒化する現象が発生する。この透明導電膜の
還元現象の発生を防ぐため一方法として、絶縁物で電極
取出し部を被いアノード電極と絶縁して、電子の出入シ
がないようにする方法があった。すなわち第３図に示す
ように例えばガラス基板Ｔ上にガラスマスク８を用いて
誘電体膜９が透明電極１０の一部に付着するのを防ぐ方
法がある（例えば、特許願５８−１７５１８８）。
せる際、透明導電膜とアノード電極を電気的に短絡し電
子が自由に出入り可能とするとしばしば透明導電膜の一
部が還元し黒化する現象が発生する。この透明導電膜の
還元現象の発生を防ぐため一方法として、絶縁物で電極
取出し部を被いアノード電極と絶縁して、電子の出入シ
がないようにする方法があった。すなわち第３図に示す
ように例えばガラス基板Ｔ上にガラスマスク８を用いて
誘電体膜９が透明電極１０の一部に付着するのを防ぐ方
法がある（例えば、特許願５８−１７５１８８）。
発明が解決しようとする問題点
このように単に透明電極膜をマスクを用いて電気的に短
絡しないだけでは、ストライプ状の透明電極群を形成し
た基板上にスパッタリングによって誘電体膜を形成する
ときのスパッタリング中に発生する透明電極の抵抗値の
増大に対しては十分な効果が得られず、またその効果も
すべての電極に対して均一に作用することも困難である
。
絡しないだけでは、ストライプ状の透明電極群を形成し
た基板上にスパッタリングによって誘電体膜を形成する
ときのスパッタリング中に発生する透明電極の抵抗値の
増大に対しては十分な効果が得られず、またその効果も
すべての電極に対して均一に作用することも困難である
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、透明導電膜
上に誘電体膜をスパッタリングするときに透明導電膜の
抵抗値の増大を防ぐ誘電体膜の形成方法を提供すること
を目的としている。
上に誘電体膜をスパッタリングするときに透明導電膜の
抵抗値の増大を防ぐ誘電体膜の形成方法を提供すること
を目的としている。
問題点を解決するための手段
透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上で、前
記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリングによ
って形成する方法において、スパッタリング装置のカソ
ードとアノードの電位に対して電気的に短絡しない状態
に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前記誘電
体膜が形成される部分において前記複数の透明電極を相
互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッタリン
グするものである。
記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリングによ
って形成する方法において、スパッタリング装置のカソ
ードとアノードの電位に対して電気的に短絡しない状態
に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前記誘電
体膜が形成される部分において前記複数の透明電極を相
互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッタリン
グするものである。
作用
本発明は上記の方法によ）、透明導電膜で形成された複
数の透明電極をマスクの下部ではなく。
数の透明電極をマスクの下部ではなく。
誘電体膜が形成される部分で電気的に短絡することによ
シ、複数の透明電極を等電位に保ち、スパッタリング中
に透明電極内に電位差が発生して電流が流れ透明電極の
還元反応で透明電極の抵抗値が増大するのを防ぐことが
できる。
シ、複数の透明電極を等電位に保ち、スパッタリング中
に透明電極内に電位差が発生して電流が流れ透明電極の
還元反応で透明電極の抵抗値が増大するのを防ぐことが
できる。
実施例
第１図は本発明の誘電体膜の形成方法の一実施例を示す
平面図（ＩＬ）、ムーム断面図（ｂ）である。
平面図（ＩＬ）、ムーム断面図（ｂ）である。
１１は縦２２０１ｆｆ、横２２Ｏｎ、厚さ２Ｍの透明な
ガラス基板、１２は酸化インジウムすず（ＩＴＯ）透明
導電膜（厚さ０．２５μｍ’ｊをホトリソグラフィの手
法を用いて形成した幅０．１５ｆｉ、長さ２００ｆｆの
ＩＴＯ透明電極であシ、同時に形成した＠０．０２ ｆ
ｆ 、長さ０．０５ｆｆの短絡電極１３で相互に電気的
に短絡されている。１４はガラスマスク（厚さ２ｆｉ）
であ９１図のように設置した状態で次のような条件で厚
さ０．５μｍの二酸化ケイ素からなる誘電体膜１５をス
パッタリングで形成した。
ガラス基板、１２は酸化インジウムすず（ＩＴＯ）透明
導電膜（厚さ０．２５μｍ’ｊをホトリソグラフィの手
法を用いて形成した幅０．１５ｆｉ、長さ２００ｆｆの
ＩＴＯ透明電極であシ、同時に形成した＠０．０２ ｆ
ｆ 、長さ０．０５ｆｆの短絡電極１３で相互に電気的
に短絡されている。１４はガラスマスク（厚さ２ｆｉ）
であ９１図のように設置した状態で次のような条件で厚
さ０．５μｍの二酸化ケイ素からなる誘電体膜１５をス
パッタリングで形成した。
スパッタリング条件
アルゴン分圧 ５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ投入
パワー ４．６Ｗ／ｃｎｌターゲツト
二酸化ケイ素 スパッタモード ＲＦマグネトロン方式％式％ スパッタ時間 ｅ、５１ｒｔｊＲその結果、ＩＴ
Ｏ透明電極の抵抗値の上昇は２倍以下になシ、従来の数
倍から十倍程度の上昇に比べて非常に小さく、また抵抗
値の上昇率の電極間でのバラつきもほとんど見られなか
った。
パワー ４．６Ｗ／ｃｎｌターゲツト
二酸化ケイ素 スパッタモード ＲＦマグネトロン方式％式％ スパッタ時間 ｅ、５１ｒｔｊＲその結果、ＩＴ
Ｏ透明電極の抵抗値の上昇は２倍以下になシ、従来の数
倍から十倍程度の上昇に比べて非常に小さく、また抵抗
値の上昇率の電極間でのバラつきもほとんど見られなか
った。
この方法で形成した誘電体膜の上に膜厚０．５μｍのマ
ンガン付活硫化亜鉛からなる！Ｌ発光層、膜厚０・５μ
ｍの酸化イツトリウムからなる発光制御用の誘電体層を
それぞれ電子ビーム蒸着で積層して設け、さらに幅０．
１５ Ｂ、 、長さ２ＱＯｆｆ、厚さ０．１５μｍの
アルミニウム背面電極群を電極間か〈α０５ｆｆで、透
明電極と直交するように配設した。このとき短絡電極が
アルミニウム背面電極の電極間にくるように位置合わせ
をした。この後、短絡電極をプローブを用いて切断した
。このようにして作製した薄膜ＥＬ素子の電極に交流電
圧を印加したところ、高輝度、高安定に発光し、表示素
子の透明電極として問題なく機能することを確認した。
ンガン付活硫化亜鉛からなる！Ｌ発光層、膜厚０・５μ
ｍの酸化イツトリウムからなる発光制御用の誘電体層を
それぞれ電子ビーム蒸着で積層して設け、さらに幅０．
１５ Ｂ、 、長さ２ＱＯｆｆ、厚さ０．１５μｍの
アルミニウム背面電極群を電極間か〈α０５ｆｆで、透
明電極と直交するように配設した。このとき短絡電極が
アルミニウム背面電極の電極間にくるように位置合わせ
をした。この後、短絡電極をプローブを用いて切断した
。このようにして作製した薄膜ＥＬ素子の電極に交流電
圧を印加したところ、高輝度、高安定に発光し、表示素
子の透明電極として問題なく機能することを確認した。
本実施例では短絡電極を形成するのに透明電極と同じ透
明導電膜を用いたが、他の導電膜でも効果は同様であシ
、その形成法もホトリソグラフィに限定されるものでは
ないことも言うまでもない。
明導電膜を用いたが、他の導電膜でも効果は同様であシ
、その形成法もホトリソグラフィに限定されるものでは
ないことも言うまでもない。
短絡電極の切断法についても種々考案されるが、たとえ
ばエツチングやレーザを使うなどの方法が容易に考えら
れる。切断工程の時期についてもとくに限定されるもの
ではなく、素子作製上の都合のよい工程で行なえばよい
。
ばエツチングやレーザを使うなどの方法が容易に考えら
れる。切断工程の時期についてもとくに限定されるもの
ではなく、素子作製上の都合のよい工程で行なえばよい
。
発明の効果
以上述べてきたように１本発明によれば、透明電極を相
互に電気的に短絡して誘電体膜のスパッタリングを行な
うことによシ、抵抗値の上昇が小さい透明電極上に誘電
体膜を形成することができ、たとえば薄膜ＥＬ素子の製
造にきわめて有用な誘電体膜の形成方法を提供すること
ができる。
互に電気的に短絡して誘電体膜のスパッタリングを行な
うことによシ、抵抗値の上昇が小さい透明電極上に誘電
体膜を形成することができ、たとえば薄膜ＥＬ素子の製
造にきわめて有用な誘電体膜の形成方法を提供すること
ができる。
第１図（＆）は本発明の一実施例における誘電体膜の形
成方法を示す平面図、同図伽）は断面図、第２図は薄膜
ＥＬ素子の断面図、第３図（６））は従来の誘電体膜の
形成方法を示す平面図、同図（ｂ）は断面図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明電
極、１３・・・・・・短絡電極、１４・・・・・・ガラ
スマスク、１６・・・・・・誘電体膜。
成方法を示す平面図、同図伽）は断面図、第２図は薄膜
ＥＬ素子の断面図、第３図（６））は従来の誘電体膜の
形成方法を示す平面図、同図（ｂ）は断面図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明電
極、１３・・・・・・短絡電極、１４・・・・・・ガラ
スマスク、１６・・・・・・誘電体膜。
Claims (5)
- （１）透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上
で、前記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリン
グによって形成する方法において、スパッタリング装置
のカソードとアノードの電位に対して電気的に短絡しな
い状態に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前
記誘電体膜が形成される部分において前記複数の透明電
極を相互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッ
タリングすることを特徴とする誘電体膜の形成方法。 - （２）前記透明導電膜が、互いに直交する方向にそれぞ
れ複数本配列された２組の帯状電極群で構成されるマト
リックス電極間に誘電体膜を介して層設されたＥＬ発光
層を基板上に搭載して成る薄膜ＥＬ素子の、前記２組の
うちの一方の帯状電極群であることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の誘電体膜の形成方法。 - （３）前記透明導電膜が、酸化インジウムすず膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の誘
電体膜の形成方法。 - （４）前記複数の透明電極を相互に電気的に短絡する方
法として、ホトリソグラフィの手法を用いて前記複数の
透明電極および短絡用電極を同時に基板上に形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の誘電体
膜の形成方法。 - （５）前記短絡用電極の幅が、特許請求の範囲第２項記
載の薄膜ＥＬ素子の前記複数の透明電極と対向して形成
される帯状電極群の電極間かくと等しいかまたは小さい
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の誘電
体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028623A JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028623A JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188890A true JPS61188890A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12253677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60028623A Pending JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60028623A patent/JPS61188890A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
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