JPS61188890A - 誘電体膜の形成方法 - Google Patents
誘電体膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS61188890A JPS61188890A JP60028623A JP2862385A JPS61188890A JP S61188890 A JPS61188890 A JP S61188890A JP 60028623 A JP60028623 A JP 60028623A JP 2862385 A JP2862385 A JP 2862385A JP S61188890 A JPS61188890 A JP S61188890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric film
- electrodes
- transparent
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- -1 manganese-activated zinc sulfide Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、誘電体膜の形成方法に関し、特に透明導電膜
が形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスパッ
タリングで選択的に誘電体膜を形成する方法に関するも
のである。
が形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスパッ
タリングで選択的に誘電体膜を形成する方法に関するも
のである。
従来の技術
例えば薄膜EL表示素子は、第2図に示すようなストラ
イプ状の透明電極群1が形成されたグラス基板2上に第
1の誘電体膜3を介してEL(IC1ectro L
um1nestcence)発光層4を形成し。
イプ状の透明電極群1が形成されたグラス基板2上に第
1の誘電体膜3を介してEL(IC1ectro L
um1nestcence)発光層4を形成し。
さらにその上に第2の誘電体膜5を形成し、その上に上
記透明電極群1と直交するようにストライプ状の背面電
極群6を設けた構成になっている。
記透明電極群1と直交するようにストライプ状の背面電
極群6を設けた構成になっている。
すなわち、透明電極群は少なくとも端部の電極取出し部
を除いて誘電体膜で被われている。
を除いて誘電体膜で被われている。
第1の誘電体膜は、従来から高周波72ネトロンスパツ
タリング法で作製されている。
タリング法で作製されている。
透明導電膜が形成されたガラス基板に誘電体膜を付着さ
せる際、透明導電膜とアノード電極を電気的に短絡し電
子が自由に出入り可能とするとしばしば透明導電膜の一
部が還元し黒化する現象が発生する。この透明導電膜の
還元現象の発生を防ぐため一方法として、絶縁物で電極
取出し部を被いアノード電極と絶縁して、電子の出入シ
がないようにする方法があった。すなわち第3図に示す
ように例えばガラス基板T上にガラスマスク8を用いて
誘電体膜9が透明電極10の一部に付着するのを防ぐ方
法がある(例えば、特許願58−175188)。
せる際、透明導電膜とアノード電極を電気的に短絡し電
子が自由に出入り可能とするとしばしば透明導電膜の一
部が還元し黒化する現象が発生する。この透明導電膜の
還元現象の発生を防ぐため一方法として、絶縁物で電極
取出し部を被いアノード電極と絶縁して、電子の出入シ
がないようにする方法があった。すなわち第3図に示す
ように例えばガラス基板T上にガラスマスク8を用いて
誘電体膜9が透明電極10の一部に付着するのを防ぐ方
法がある(例えば、特許願58−175188)。
発明が解決しようとする問題点
このように単に透明電極膜をマスクを用いて電気的に短
絡しないだけでは、ストライプ状の透明電極群を形成し
た基板上にスパッタリングによって誘電体膜を形成する
ときのスパッタリング中に発生する透明電極の抵抗値の
増大に対しては十分な効果が得られず、またその効果も
すべての電極に対して均一に作用することも困難である
。
絡しないだけでは、ストライプ状の透明電極群を形成し
た基板上にスパッタリングによって誘電体膜を形成する
ときのスパッタリング中に発生する透明電極の抵抗値の
増大に対しては十分な効果が得られず、またその効果も
すべての電極に対して均一に作用することも困難である
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、透明導電膜
上に誘電体膜をスパッタリングするときに透明導電膜の
抵抗値の増大を防ぐ誘電体膜の形成方法を提供すること
を目的としている。
上に誘電体膜をスパッタリングするときに透明導電膜の
抵抗値の増大を防ぐ誘電体膜の形成方法を提供すること
を目的としている。
問題点を解決するための手段
透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上で、前
記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリングによ
って形成する方法において、スパッタリング装置のカソ
ードとアノードの電位に対して電気的に短絡しない状態
に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前記誘電
体膜が形成される部分において前記複数の透明電極を相
互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッタリン
グするものである。
記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリングによ
って形成する方法において、スパッタリング装置のカソ
ードとアノードの電位に対して電気的に短絡しない状態
に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前記誘電
体膜が形成される部分において前記複数の透明電極を相
互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッタリン
グするものである。
作用
本発明は上記の方法によ)、透明導電膜で形成された複
数の透明電極をマスクの下部ではなく。
数の透明電極をマスクの下部ではなく。
誘電体膜が形成される部分で電気的に短絡することによ
シ、複数の透明電極を等電位に保ち、スパッタリング中
に透明電極内に電位差が発生して電流が流れ透明電極の
還元反応で透明電極の抵抗値が増大するのを防ぐことが
できる。
シ、複数の透明電極を等電位に保ち、スパッタリング中
に透明電極内に電位差が発生して電流が流れ透明電極の
還元反応で透明電極の抵抗値が増大するのを防ぐことが
できる。
実施例
第1図は本発明の誘電体膜の形成方法の一実施例を示す
平面図(IL)、ムーム断面図(b)である。
平面図(IL)、ムーム断面図(b)である。
11は縦2201ff、横22On、厚さ2Mの透明な
ガラス基板、12は酸化インジウムすず(ITO)透明
導電膜(厚さ0.25μm’jをホトリソグラフィの手
法を用いて形成した幅0.15fi、長さ200ffの
ITO透明電極であシ、同時に形成した@0.02 f
f 、長さ0.05ffの短絡電極13で相互に電気的
に短絡されている。14はガラスマスク(厚さ2fi)
であ91図のように設置した状態で次のような条件で厚
さ0.5μmの二酸化ケイ素からなる誘電体膜15をス
パッタリングで形成した。
ガラス基板、12は酸化インジウムすず(ITO)透明
導電膜(厚さ0.25μm’jをホトリソグラフィの手
法を用いて形成した幅0.15fi、長さ200ffの
ITO透明電極であシ、同時に形成した@0.02 f
f 、長さ0.05ffの短絡電極13で相互に電気的
に短絡されている。14はガラスマスク(厚さ2fi)
であ91図のように設置した状態で次のような条件で厚
さ0.5μmの二酸化ケイ素からなる誘電体膜15をス
パッタリングで形成した。
スパッタリング条件
アルゴン分圧 5 X 10 Torr投入
パワー 4.6W/cnlターゲツト
二酸化ケイ素 スパッタモード RFマグネトロン方式%式% スパッタ時間 e、51rtjRその結果、IT
O透明電極の抵抗値の上昇は2倍以下になシ、従来の数
倍から十倍程度の上昇に比べて非常に小さく、また抵抗
値の上昇率の電極間でのバラつきもほとんど見られなか
った。
パワー 4.6W/cnlターゲツト
二酸化ケイ素 スパッタモード RFマグネトロン方式%式% スパッタ時間 e、51rtjRその結果、IT
O透明電極の抵抗値の上昇は2倍以下になシ、従来の数
倍から十倍程度の上昇に比べて非常に小さく、また抵抗
値の上昇率の電極間でのバラつきもほとんど見られなか
った。
この方法で形成した誘電体膜の上に膜厚0.5μmのマ
ンガン付活硫化亜鉛からなる!L発光層、膜厚0・5μ
mの酸化イツトリウムからなる発光制御用の誘電体層を
それぞれ電子ビーム蒸着で積層して設け、さらに幅0.
15 B、 、長さ2QOff、厚さ0.15μmの
アルミニウム背面電極群を電極間か〈α05ffで、透
明電極と直交するように配設した。このとき短絡電極が
アルミニウム背面電極の電極間にくるように位置合わせ
をした。この後、短絡電極をプローブを用いて切断した
。このようにして作製した薄膜EL素子の電極に交流電
圧を印加したところ、高輝度、高安定に発光し、表示素
子の透明電極として問題なく機能することを確認した。
ンガン付活硫化亜鉛からなる!L発光層、膜厚0・5μ
mの酸化イツトリウムからなる発光制御用の誘電体層を
それぞれ電子ビーム蒸着で積層して設け、さらに幅0.
15 B、 、長さ2QOff、厚さ0.15μmの
アルミニウム背面電極群を電極間か〈α05ffで、透
明電極と直交するように配設した。このとき短絡電極が
アルミニウム背面電極の電極間にくるように位置合わせ
をした。この後、短絡電極をプローブを用いて切断した
。このようにして作製した薄膜EL素子の電極に交流電
圧を印加したところ、高輝度、高安定に発光し、表示素
子の透明電極として問題なく機能することを確認した。
本実施例では短絡電極を形成するのに透明電極と同じ透
明導電膜を用いたが、他の導電膜でも効果は同様であシ
、その形成法もホトリソグラフィに限定されるものでは
ないことも言うまでもない。
明導電膜を用いたが、他の導電膜でも効果は同様であシ
、その形成法もホトリソグラフィに限定されるものでは
ないことも言うまでもない。
短絡電極の切断法についても種々考案されるが、たとえ
ばエツチングやレーザを使うなどの方法が容易に考えら
れる。切断工程の時期についてもとくに限定されるもの
ではなく、素子作製上の都合のよい工程で行なえばよい
。
ばエツチングやレーザを使うなどの方法が容易に考えら
れる。切断工程の時期についてもとくに限定されるもの
ではなく、素子作製上の都合のよい工程で行なえばよい
。
発明の効果
以上述べてきたように1本発明によれば、透明電極を相
互に電気的に短絡して誘電体膜のスパッタリングを行な
うことによシ、抵抗値の上昇が小さい透明電極上に誘電
体膜を形成することができ、たとえば薄膜EL素子の製
造にきわめて有用な誘電体膜の形成方法を提供すること
ができる。
互に電気的に短絡して誘電体膜のスパッタリングを行な
うことによシ、抵抗値の上昇が小さい透明電極上に誘電
体膜を形成することができ、たとえば薄膜EL素子の製
造にきわめて有用な誘電体膜の形成方法を提供すること
ができる。
第1図(&)は本発明の一実施例における誘電体膜の形
成方法を示す平面図、同図伽)は断面図、第2図は薄膜
EL素子の断面図、第3図(6))は従来の誘電体膜の
形成方法を示す平面図、同図(b)は断面図である。 11・・・・・・ガラス基板、12・・・・・・透明電
極、13・・・・・・短絡電極、14・・・・・・ガラ
スマスク、16・・・・・・誘電体膜。
成方法を示す平面図、同図伽)は断面図、第2図は薄膜
EL素子の断面図、第3図(6))は従来の誘電体膜の
形成方法を示す平面図、同図(b)は断面図である。 11・・・・・・ガラス基板、12・・・・・・透明電
極、13・・・・・・短絡電極、14・・・・・・ガラ
スマスク、16・・・・・・誘電体膜。
Claims (5)
- (1)透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上
で、前記複数の透明電極の上に誘電体膜をスパッタリン
グによって形成する方法において、スパッタリング装置
のカソードとアノードの電位に対して電気的に短絡しな
い状態に設けられたマスクの下部以外の部分で、かつ前
記誘電体膜が形成される部分において前記複数の透明電
極を相互に電気的に短絡した状態で誘電体材料をスパッ
タリングすることを特徴とする誘電体膜の形成方法。 - (2)前記透明導電膜が、互いに直交する方向にそれぞ
れ複数本配列された2組の帯状電極群で構成されるマト
リックス電極間に誘電体膜を介して層設されたEL発光
層を基板上に搭載して成る薄膜EL素子の、前記2組の
うちの一方の帯状電極群であることを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の誘電体膜の形成方法。 - (3)前記透明導電膜が、酸化インジウムすず膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の誘
電体膜の形成方法。 - (4)前記複数の透明電極を相互に電気的に短絡する方
法として、ホトリソグラフィの手法を用いて前記複数の
透明電極および短絡用電極を同時に基板上に形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の誘電体
膜の形成方法。 - (5)前記短絡用電極の幅が、特許請求の範囲第2項記
載の薄膜EL素子の前記複数の透明電極と対向して形成
される帯状電極群の電極間かくと等しいかまたは小さい
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の誘電
体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60028623A JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60028623A JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61188890A true JPS61188890A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12253677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60028623A Pending JPS61188890A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 誘電体膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61188890A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜elパネルの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60028623A patent/JPS61188890A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜elパネルの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0645073B1 (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
JPS61284091A (ja) | 薄膜el表示素子 | |
JPH11354272A (ja) | 有機薄膜elパネル及びその製造方法 | |
JP3066573B2 (ja) | 電界放出型表示素子 | |
JPS61188890A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
WO1989001730A1 (en) | Production of thin-film el device | |
JP2844964B2 (ja) | El表示装置の製造方法 | |
JP2773243B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
JPH056793A (ja) | 薄膜el素子の製造方法 | |
JPS60185395A (ja) | 薄膜el素子 | |
KR100661161B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
JPS6068590A (ja) | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 | |
JP3475023B2 (ja) | 薄膜型電子源及び薄膜型電子源マトリクス並びにそれらの製造方法並びに薄膜型電子源マトリクス表示装置 | |
EP0450077A1 (en) | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same | |
JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
JPS6344685A (ja) | 薄膜画像表示装置 | |
JPH02126589A (ja) | 薄膜elパネル | |
JPH01315985A (ja) | Elパネルの製造方法 | |
JPH05205874A (ja) | 薄膜elパネル | |
JP2773773B2 (ja) | 薄膜elパネルの製造方法 | |
JPH021335B2 (ja) | ||
JPS61124095A (ja) | 薄膜el素子の製造方法 | |
JPS61188892A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
JPS6091385A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス表示パネル | |
JPS61176093A (ja) | 薄膜elパネルの製造方法 |