JP2844964B2 - Ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ表示装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型で表示の視認性が
優れ、例えばＯＡ機器などの端末ディスプレイとして最
適であるＥＬ表示装置の製造方法に関し、更に詳しくは
発光特性が長期にわたって安定なＥＬ表示装置の製造方
法に関する。
優れ、例えばＯＡ機器などの端末ディスプレイとして最
適であるＥＬ表示装置の製造方法に関し、更に詳しくは
発光特性が長期にわたって安定なＥＬ表示装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス
構成にした薄膜ＥＬ表示装置が知られている。一般に、
このＥＬ表示装置は第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電
体層の積層薄膜の両面に水平方向電極群と垂直方向電極
群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群
に接続された給電線により、切り換え装置を通して信号
を加えて両電極の交点部分の蛍光体層を発光させ（この
交点の発光部分面を絵素と称する）、発光した絵素の組
合せによって文字、記号、図形等を表示させるものであ
る。
構成にした薄膜ＥＬ表示装置が知られている。一般に、
このＥＬ表示装置は第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電
体層の積層薄膜の両面に水平方向電極群と垂直方向電極
群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群
に接続された給電線により、切り換え装置を通して信号
を加えて両電極の交点部分の蛍光体層を発光させ（この
交点の発光部分面を絵素と称する）、発光した絵素の組
合せによって文字、記号、図形等を表示させるものであ
る。
【０００３】上記ＥＬ表示装置は通常ガラス製の透光性
基板上に、スズをドープした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略称する）からなる透明な平行電極群を形成し、そ
の上に第１誘電体層、蛍光体層、第２誘電体層を順次形
成し、さらにその上に、一般にＡｌ金属からなる背面平
行電極群を前記透明電極群に直交する配置で積層して作
製する。
基板上に、スズをドープした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略称する）からなる透明な平行電極群を形成し、そ
の上に第１誘電体層、蛍光体層、第２誘電体層を順次形
成し、さらにその上に、一般にＡｌ金属からなる背面平
行電極群を前記透明電極群に直交する配置で積層して作
製する。
【０００４】また、ＥＬ表示装置を湿気から保護し、薄
膜層間剥離を防止することによる長寿命化を目的とした
パッシベーションを、絶縁油やゼオライトでの封止、も
しくはＡｌ2Ｏ3膜のような化学的に安定な薄膜で覆うと
いった構成で行なう。
膜層間剥離を防止することによる長寿命化を目的とした
パッシベーションを、絶縁油やゼオライトでの封止、も
しくはＡｌ2Ｏ3膜のような化学的に安定な薄膜で覆うと
いった構成で行なう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、背面電極のパターニング、及びパッシベ
ーションといった、製造プロセスにおいて工程が多くな
るという問題点を有していた。
来の構成では、背面電極のパターニング、及びパッシベ
ーションといった、製造プロセスにおいて工程が多くな
るという問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、背面電極のパターニングとパッシベーションを陽極
酸化によって行い、耐環境性に優れ、化学的に安定な酸
化物によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ表
示装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、背面電極のパターニングとパッシベーションを陽極
酸化によって行い、耐環境性に優れ、化学的に安定な酸
化物によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ表
示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、背面電極と同じ
金属の金属薄膜を２回陽極酸化を行なうことにより背面
電極と酸化物薄膜とを形成することを特徴とするもので
ある。
に本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、背面電極と同じ
金属の金属薄膜を２回陽極酸化を行なうことにより背面
電極と酸化物薄膜とを形成することを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】この方法によって、製造プロセスにおける工程
を減らし、容易に耐環境性に優れ、化学的に安定な酸化
物薄膜によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ
表示装置を製造することができる。
を減らし、容易に耐環境性に優れ、化学的に安定な酸化
物薄膜によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ
表示装置を製造することができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】（図１）は本発明の一実施例による製造法
によって得られたバックパッシベーション膜を用いたＥ
Ｌ表示装置の基本構成断面図である。また、（図２）は
本発明の一実施例によるバックパッシベーション膜を用
いたＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図で
ある。（図１）および（図２）において、１は陽極酸化
物薄膜（バックパッシベーション膜）、２はポーラスタ
イプ陽極酸化膜、３はバリヤータイプ陽極酸化膜、４は
背面電極、５は背面電極用材料、６はマスク、７は第２
誘電体層、８は蛍光体層、９は第１誘電体層、１０は透
明電極、１１はガラス基板である。
によって得られたバックパッシベーション膜を用いたＥ
Ｌ表示装置の基本構成断面図である。また、（図２）は
本発明の一実施例によるバックパッシベーション膜を用
いたＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図で
ある。（図１）および（図２）において、１は陽極酸化
物薄膜（バックパッシベーション膜）、２はポーラスタ
イプ陽極酸化膜、３はバリヤータイプ陽極酸化膜、４は
背面電極、５は背面電極用材料、６はマスク、７は第２
誘電体層、８は蛍光体層、９は第１誘電体層、１０は透
明電極、１１はガラス基板である。
【００１１】（図２）（ａ）に示すように、ガラス基板
１１上に合金ターゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スパ
ッタ法で形成し、ホトリソグラフィ技術によりストライ
プ状に加工し、透明電極１０とした。第１誘電体層９は
ＳｉＯＮとし、Ｓｉターゲットを用いて窒素と一酸化窒
素の混合ガス中で、反応性スパッタ法により２００ｎｍ
の厚さに形成した。その上にＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ
を用いた蛍光体層８を４５０ｎｍの厚さに形成した。発
光センターのＭｎの含量は０．８原子％にした。蛍光体
層８形成後、輝度アップのため真空雰囲気中で５５０
℃、１時間の熱処理を行なった。そして第２誘電体層７
を蛍光体層８の上に２００〜４００ｎｍの厚さに形成し
た。薄膜材料、及び製膜方法は第１誘電体層９の時と同
じである。最後に背面電極用材料５としてＡｌを、下地
積層膜を覆い隠すように膜厚１５０ｎｍ製膜する。
１１上に合金ターゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スパ
ッタ法で形成し、ホトリソグラフィ技術によりストライ
プ状に加工し、透明電極１０とした。第１誘電体層９は
ＳｉＯＮとし、Ｓｉターゲットを用いて窒素と一酸化窒
素の混合ガス中で、反応性スパッタ法により２００ｎｍ
の厚さに形成した。その上にＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ
を用いた蛍光体層８を４５０ｎｍの厚さに形成した。発
光センターのＭｎの含量は０．８原子％にした。蛍光体
層８形成後、輝度アップのため真空雰囲気中で５５０
℃、１時間の熱処理を行なった。そして第２誘電体層７
を蛍光体層８の上に２００〜４００ｎｍの厚さに形成し
た。薄膜材料、及び製膜方法は第１誘電体層９の時と同
じである。最後に背面電極用材料５としてＡｌを、下地
積層膜を覆い隠すように膜厚１５０ｎｍ製膜する。
【００１２】次に、（図２）（ｂ）に示すようにこの背
面電極用材料５の背面電極部分の上にレジスト等により
マスク６を作製し、第１の陽極酸化として、背面電極部
分以外を陽極酸化しポーラスタイプＡｌ2Ｏ3陽極酸化膜
２を製膜する。この時、ｐＨ＝２の酸性の陽極酸化液
（例えば３％クエン酸水溶液）を用い、ウォーターバス
により溶液温度を５０℃に保ち、膜厚が約２００ｎｍと
なるように電圧１４０Ｖを印加し陽極酸化を行う。
面電極用材料５の背面電極部分の上にレジスト等により
マスク６を作製し、第１の陽極酸化として、背面電極部
分以外を陽極酸化しポーラスタイプＡｌ2Ｏ3陽極酸化膜
２を製膜する。この時、ｐＨ＝２の酸性の陽極酸化液
（例えば３％クエン酸水溶液）を用い、ウォーターバス
により溶液温度を５０℃に保ち、膜厚が約２００ｎｍと
なるように電圧１４０Ｖを印加し陽極酸化を行う。
【００１３】次に、（図２）（ｃ）に示すようにマスク
６を取り除きｐＨ＝６〜７の中性の陽極酸化液（例えば
３％ほう酸アンモニウム水溶液：エチレングリコール＝
１：９）を用いて第２の陽極酸化を行ない、マスク６に
より隠されていた部分とポーラスタイプＡｌ2Ｏ3陽極酸
化膜２の一部をバリヤータイプＡｌ2Ｏ3陽極酸化膜３と
し、背面電極４のまわりに約７５ｎｍ（電圧値約５０
Ｖ）得る。これにより、（図１）に示すような構造の、
バックパッシベーション膜１（Ａｌ2Ｏ3）により保護さ
れたＥＬ表示装置を製造することができる。
６を取り除きｐＨ＝６〜７の中性の陽極酸化液（例えば
３％ほう酸アンモニウム水溶液：エチレングリコール＝
１：９）を用いて第２の陽極酸化を行ない、マスク６に
より隠されていた部分とポーラスタイプＡｌ2Ｏ3陽極酸
化膜２の一部をバリヤータイプＡｌ2Ｏ3陽極酸化膜３と
し、背面電極４のまわりに約７５ｎｍ（電圧値約５０
Ｖ）得る。これにより、（図１）に示すような構造の、
バックパッシベーション膜１（Ａｌ2Ｏ3）により保護さ
れたＥＬ表示装置を製造することができる。
【００１４】この方法によって製膜された酸化物薄膜は
緻密であり、膜厚斑が無い等といった優れた特性を有し
ている。さらにＡｌ2Ｏ3 膜は化学的にも非常に安定な薄
膜である。その結果、ＥＬ表示装置の湿気による特性の
劣化を、このバックパッシベーション膜１を用いること
によって防ぐことができる。ここで、（図２）（ｂ）に
おけるポーラスタイプ陽極酸化膜２の代わりにバリヤー
タイプ陽極酸化膜を用いても同様のＥＬ表示装置が得ら
れる。また、この効果は普遍的なものであり、バックパ
ッシベーション膜に用いられる薄膜材料を、Ｔａ2Ｏ5、
ＴｉＯ2等、陽極酸化によって製膜が可能な材料とする
ことにより、同様の効果を示す優れたＥＬ表示装置が実
現できる。
緻密であり、膜厚斑が無い等といった優れた特性を有し
ている。さらにＡｌ2Ｏ3 膜は化学的にも非常に安定な薄
膜である。その結果、ＥＬ表示装置の湿気による特性の
劣化を、このバックパッシベーション膜１を用いること
によって防ぐことができる。ここで、（図２）（ｂ）に
おけるポーラスタイプ陽極酸化膜２の代わりにバリヤー
タイプ陽極酸化膜を用いても同様のＥＬ表示装置が得ら
れる。また、この効果は普遍的なものであり、バックパ
ッシベーション膜に用いられる薄膜材料を、Ｔａ2Ｏ5、
ＴｉＯ2等、陽極酸化によって製膜が可能な材料とする
ことにより、同様の効果を示す優れたＥＬ表示装置が実
現できる。
【００１５】さらに、（図１）に示すようなバックパッ
シベーション膜を用いたＥＬ表示装置を製造して動作を
確認した。蛍光体層には硫化物を用いたＥＬ表示装置を
製造した。上記のようなバックパッシベーション膜を用
いることにより、（図３）に示すような長時間駆動にお
いても従来の方法のパッシベーションによるＥＬ表示装
置と変わらない安定な特性を示すＥＬ表示装置ができ
た。
シベーション膜を用いたＥＬ表示装置を製造して動作を
確認した。蛍光体層には硫化物を用いたＥＬ表示装置を
製造した。上記のようなバックパッシベーション膜を用
いることにより、（図３）に示すような長時間駆動にお
いても従来の方法のパッシベーションによるＥＬ表示装
置と変わらない安定な特性を示すＥＬ表示装置ができ
た。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、背面電極となる
金属と同じ金属層を２回陽極酸化して背面電極と酸化物
薄膜とを形成するという方法であり、これによりプロセ
スが簡素化され、耐環境性に優れた化学的に安定な酸化
物薄膜によるバックパッシベーション膜を製膜し、薄膜
層間剥離を防止できる優れたＥＬ表示装置を実現できる
ものである。
金属と同じ金属層を２回陽極酸化して背面電極と酸化物
薄膜とを形成するという方法であり、これによりプロセ
スが簡素化され、耐環境性に優れた化学的に安定な酸化
物薄膜によるバックパッシベーション膜を製膜し、薄膜
層間剥離を防止できる優れたＥＬ表示装置を実現できる
ものである。
【図１】本発明の一実施例による製造方法によって得ら
れたバックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装置の
基本構成断面図
れたバックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装置の
基本構成断面図
【図２】本発明の一実施例によるＥＬ表示装置の製造方
法を説明するための断面図
法を説明するための断面図
【図３】本発明の一実施例による製造方法によって得ら
れたＥＬ表示装置の動作説明のための寿命特性図
れたＥＬ表示装置の動作説明のための寿命特性図
１ 陽極酸化物薄膜（バックパッシベーション膜） ２ ポーラスタイプ陽極酸化膜 ３ バリヤータイプ陽極酸化膜 ４ 背面電極 ５ 背面電極用材料 ６ マスク ７ 第２誘電体層 ８ 蛍光体層 ９ 第１誘電体層 １０ 透明電極 １１ ガラス基板
フロントページの続き (72)発明者 松岡 富造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−195696（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−43995（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/22 H05B 33/10 H05B 33/26
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に透明電極、第１誘電体
層、蛍光体層、第２誘電体層、背面電極となる金属と同
じ金属層を順次積層し、次いで前記金属層を所定のパタ
ーンにマスクした後第１の陽極酸化を行ない、続いて前
記マスクを除去した後第２の陽極酸化を行なうことを特
徴とするＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の陽極酸化が酸性溶液中で行なわ
れ、第２の陽極酸化が中性溶液中で行なわれることを特
徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 陽極酸化物薄膜が、アルミニウム、タン
タルまたはチタンの酸化物薄膜であることを特徴とする
請求項１記載のＥＬ表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139117A JP2844964B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｅｌ表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139117A JP2844964B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｅｌ表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363893A JPH04363893A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2844964B2 true JP2844964B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15237895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3139117A Expired - Fee Related JP2844964B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Ｅｌ表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844964B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100621862B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2006-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 표시패널의 패키징 케이스 |
| KR100447499B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-09-07 | 주식회사 엘리아테크 | 유기 전계 발광 디스플레이 및 그의 제조방법 |
| KR100707602B1 (ko) | 2005-10-20 | 2007-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20100087542A (ko) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | 삼성전자주식회사 | 유전체막이 코팅된 탄소 섬유 및 이를 포함하는 섬유형 발광 소자 |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP3139117A patent/JP2844964B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363893A (ja) | 1992-12-16 |
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