JPS61151996A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法Info
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- JPS61151996A JPS61151996A JP59273071A JP27307184A JPS61151996A JP S61151996 A JPS61151996 A JP S61151996A JP 59273071 A JP59273071 A JP 59273071A JP 27307184 A JP27307184 A JP 27307184A JP S61151996 A JPS61151996 A JP S61151996A
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- insulating
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は交流電界の印加によりエレクトロルミネンス（
ＫＬ）’に呈する薄膜エレクトロルミネセンス素子（以
下薄膜ＥＬ素子と称する）およびその製造方法に関する
ものである。
ＫＬ）’に呈する薄膜エレクトロルミネセンス素子（以
下薄膜ＥＬ素子と称する）およびその製造方法に関する
ものである。
近年、大容量ディスプレイとして、ブラウン管（以下Ｃ
ＲＴと称する）が広く用いられているが、ＣＲＴは真空
管であるため、大重量で破損の危険性もあシ、また奥行
き寸法が大きい、偏向走査歪が避けにくり、さらには数
計以上の高電圧を必要とするなどの問題があった。
ＲＴと称する）が広く用いられているが、ＣＲＴは真空
管であるため、大重量で破損の危険性もあシ、また奥行
き寸法が大きい、偏向走査歪が避けにくり、さらには数
計以上の高電圧を必要とするなどの問題があった。
一方、平面形のディスプレイとしては、プラズマディス
プレイパネル（以下ＦＤＰと称する）の開発が進められ
ているが、ＰＤＰはＣＲＴに比較して薄形でｓｂ、動作
電圧も低く、マトリックス形であるため走査歪がないと
いう利点があるが、ガス放電管であシ、また真空管の一
種であるために重量が大きく、破損の危険性は避けられ
ない。
プレイパネル（以下ＦＤＰと称する）の開発が進められ
ているが、ＰＤＰはＣＲＴに比較して薄形でｓｂ、動作
電圧も低く、マトリックス形であるため走査歪がないと
いう利点があるが、ガス放電管であシ、また真空管の一
種であるために重量が大きく、破損の危険性は避けられ
ない。
また、液晶ディスプレイディバイス（以下ＬＣＤと称す
る）は、固体素子に近く、動作電圧も数Ｖないし十数Ｖ
と低いが、応答速度が小さい、動作可能温度範囲が狭く
、さらＫは受光形ディバイスのため表示面が暗いといっ
た問題を抱えている。
る）は、固体素子に近く、動作電圧も数Ｖないし十数Ｖ
と低いが、応答速度が小さい、動作可能温度範囲が狭く
、さらＫは受光形ディバイスのため表示面が暗いといっ
た問題を抱えている。
これに対してＥＬ″ｆ！：呈する薄膜ＥＬ素子を用いた
薄膜ＥＬパネルは、ＣＲＴと比較して駆動電圧が低く、
またＦＤＰに比較して重量、大きさ等において優れ、Ｌ
ＣＤに比較して動作可能温度範囲が広い等、多くの利点
を有しておシ、文字、グラフィック表示に対して最適で
ある。
薄膜ＥＬパネルは、ＣＲＴと比較して駆動電圧が低く、
またＦＤＰに比較して重量、大きさ等において優れ、Ｌ
ＣＤに比較して動作可能温度範囲が広い等、多くの利点
を有しておシ、文字、グラフィック表示に対して最適で
ある。
この薄膜ＥＬ素子は、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体
とし、これに付加剤としてマンガン（Ｍｎ）や希土類化
合物等を添加した発光層の両側あるいは片側に酸化イツ
トリウム（Ｙ２０ｓ ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等
の絶縁層を設け、対向電極でサンドインチ状に挾持した
構成が輝度、寿命等の点で優れている。
とし、これに付加剤としてマンガン（Ｍｎ）や希土類化
合物等を添加した発光層の両側あるいは片側に酸化イツ
トリウム（Ｙ２０ｓ ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等
の絶縁層を設け、対向電極でサンドインチ状に挾持した
構成が輝度、寿命等の点で優れている。
第１図は発光層を絶縁層で挾持させた二重絶縁層構造の
薄膜ＥＬ素子の一例を示す要部断面図である。同図にお
いて、１はガラス基板、２は酸化インジウム（ＩｎｚＯ
ｓ）あるいはインジウムと錫との酸化物（ＩＴＯ）等か
らなる透明電極、３はＹ２０３ ＊５ＩＮｘ等からなる
第１の絶縁層、４はＭｎあるいは希土類化合物等を添加
したＺｎＳ発光層、５は第２の絶縁層、６はアルミニウ
ム（４ｚ）等からなる背面電極、１は交流電源である。
薄膜ＥＬ素子の一例を示す要部断面図である。同図にお
いて、１はガラス基板、２は酸化インジウム（ＩｎｚＯ
ｓ）あるいはインジウムと錫との酸化物（ＩＴＯ）等か
らなる透明電極、３はＹ２０３ ＊５ＩＮｘ等からなる
第１の絶縁層、４はＭｎあるいは希土類化合物等を添加
したＺｎＳ発光層、５は第２の絶縁層、６はアルミニウ
ム（４ｚ）等からなる背面電極、１は交流電源である。
このような構成による薄膜ＩＬ素子は、透明電極２と背
面電極６との間に交流電源７により交流電界を印加する
と、約１０ Ｖ／ａｎ程度の高電界により高輝度に発光
する。このように高輝度を得るため罠は極めて高い電界
を必要とするため、第１゜第２の絶縁層３，５は極めて
高い絶縁耐圧をもつことが不可欠である。
面電極６との間に交流電源７により交流電界を印加する
と、約１０ Ｖ／ａｎ程度の高電界により高輝度に発光
する。このように高輝度を得るため罠は極めて高い電界
を必要とするため、第１゜第２の絶縁層３，５は極めて
高い絶縁耐圧をもつことが不可欠である。
なお、絶縁層全体の絶縁性を向上させる方法としては、
絶縁層成膜後、真空中、４００〜６００℃で熱処理する
方法が特公昭５９−１００３３号公報において詳記され
ている。
絶縁層成膜後、真空中、４００〜６００℃で熱処理する
方法が特公昭５９−１００３３号公報において詳記され
ている。
しかしながら、このように構成される薄膜ＢＬ素子は、
同図から明らかなようにガラス基板１上に形成する透明
電極２．第１の絶縁層３ ＋ Ｚｎ１９発光層４．第２
の絶縁層５および背面電極６を真空蒸着あるいはスパッ
タリング法等で成膜し、透明電極２および背面電極６に
ついては所望のパターンをエツチング法あるい拡マスク
成膜法により得た場合、パターンエツジ部に段差を生じ
る。特に透明電極２のパターンエツジ部ではこの上に積
層した第１の絶縁層３２発光層４および第２の絶縁層５
にも段差が生じ、局部的に膜厚が小さくなる、また、と
のＭ２の絶縁層３上に背面電極６を形成し、透明電極２
と背面電極６との間に高電界を印加すると、透明電極２
のパターンエツジ部Ｋ１１ｔ界集中が生じ、絶縁破壊の
起点となる可能性があシ、また高輝度を得るために著し
く悪影響を与え、信頼性を著しく低下させていることが
判明し念。
同図から明らかなようにガラス基板１上に形成する透明
電極２．第１の絶縁層３ ＋ Ｚｎ１９発光層４．第２
の絶縁層５および背面電極６を真空蒸着あるいはスパッ
タリング法等で成膜し、透明電極２および背面電極６に
ついては所望のパターンをエツチング法あるい拡マスク
成膜法により得た場合、パターンエツジ部に段差を生じ
る。特に透明電極２のパターンエツジ部ではこの上に積
層した第１の絶縁層３２発光層４および第２の絶縁層５
にも段差が生じ、局部的に膜厚が小さくなる、また、と
のＭ２の絶縁層３上に背面電極６を形成し、透明電極２
と背面電極６との間に高電界を印加すると、透明電極２
のパターンエツジ部Ｋ１１ｔ界集中が生じ、絶縁破壊の
起点となる可能性があシ、また高輝度を得るために著し
く悪影響を与え、信頼性を著しく低下させていることが
判明し念。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、高電界印加
時に基板上に形成した電極パターンのエツジ部に生じる
電界集中を抑止し、品質および信頼性を向上させた薄膜
ＥＬ素子およびその製造方法を提供することにある。
れたものであシ、その目的とするところは、高電界印加
時に基板上に形成した電極パターンのエツジ部に生じる
電界集中を抑止し、品質および信頼性を向上させた薄膜
ＥＬ素子およびその製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、基板上に成
膜し九透明導電膜上に透明電極として必要なパターン形
状にマスクを形成し、透明電極として本必要な部分の透
明導電膜のみを選択的に酸化、絶縁化する仁とにより、
表面の平坦な電極形成を可能にしたことを特徴とする。
膜し九透明導電膜上に透明電極として必要なパターン形
状にマスクを形成し、透明電極として本必要な部分の透
明導電膜のみを選択的に酸化、絶縁化する仁とにより、
表面の平坦な電極形成を可能にしたことを特徴とする。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例 １
第２図ないし第７図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による
薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を説明するための要
部断面工程図および平面図である。これらの図において
、まず第２図に示すように絶縁性基板として例えばホウ
ケイ酸ガラス基板８を用い、このガラス基板８上にイン
ジウムと錫との酸化物をスパッタリング法によりシート
抵抗１５Ω／ロ、可視光透過率約９２％程度の透明導電
膜９ｔ−約２０００＾程度の厚さに形成する。次にこの
透明導電膜９の全表面にフォトレジストを１〜５μｍ程
度の厚さに形成し、所定の７オトマスクを用いて露光。
薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を説明するための要
部断面工程図および平面図である。これらの図において
、まず第２図に示すように絶縁性基板として例えばホウ
ケイ酸ガラス基板８を用い、このガラス基板８上にイン
ジウムと錫との酸化物をスパッタリング法によりシート
抵抗１５Ω／ロ、可視光透過率約９２％程度の透明導電
膜９ｔ−約２０００＾程度の厚さに形成する。次にこの
透明導電膜９の全表面にフォトレジストを１〜５μｍ程
度の厚さに形成し、所定の７オトマスクを用いて露光。
現像を行なうことによ〕、透明電極として不要な部分上
のみにフォトレジストパターン１１形成する。次に第３
図に示すようにこのフォトレジストパターン１０および
透明導電膜９にスパッタリング法により８１０２膜１１
を約２０００Ｘの厚さに形成した後、リフトオフにより
フオドレジストパターン１０とこの７オトレジストパタ
ーン１０上の５ｉＯｚ膜１１とを除去して第４図に示す
ように透明導電膜９上の透明電極として必要なパターン
にのみＳ ｉ Ｏ２膜１１を残存させる。次に第５図に
示すようにこの８１０□膜１１をマスクとして透明導電
膜９を酸素雰囲気中で約５５０℃の高温度で熱酸化させ
ることくよ’）、５ｉ０２膜１１が被覆されていない部
分のみの透明導電膜を絶縁層９′とする。次に熱酸化時
のマスクとして用いた５ｔ（ｈ膜１１を除去することに
より、第６図に示すように表面が平坦な透明電極９″が
形成される。次に第７図（ＩＬ） 、 （ｂ）に示すよ
うに表面に平坦に透明電極９″が形成された基板８上に
Ｙ２Ｏ３を約３０００１の膜厚に基板温度約３００℃で
ＥＢ蒸着により第１の絶縁膜１２を形成する。次にこの
第１の絶縁膜１２上に付加剤としてＭｎｔ−０，５ｗ
ｔ％加えたＺｎＳの焼結体を材料として基板温度約２５
０℃でＥＢ蒸着により発光層１３ｔ−約５０００１の厚
さに形成する。
のみにフォトレジストパターン１１形成する。次に第３
図に示すようにこのフォトレジストパターン１０および
透明導電膜９にスパッタリング法により８１０２膜１１
を約２０００Ｘの厚さに形成した後、リフトオフにより
フオドレジストパターン１０とこの７オトレジストパタ
ーン１０上の５ｉＯｚ膜１１とを除去して第４図に示す
ように透明導電膜９上の透明電極として必要なパターン
にのみＳ ｉ Ｏ２膜１１を残存させる。次に第５図に
示すようにこの８１０□膜１１をマスクとして透明導電
膜９を酸素雰囲気中で約５５０℃の高温度で熱酸化させ
ることくよ’）、５ｉ０２膜１１が被覆されていない部
分のみの透明導電膜を絶縁層９′とする。次に熱酸化時
のマスクとして用いた５ｔ（ｈ膜１１を除去することに
より、第６図に示すように表面が平坦な透明電極９″が
形成される。次に第７図（ＩＬ） 、 （ｂ）に示すよ
うに表面に平坦に透明電極９″が形成された基板８上に
Ｙ２Ｏ３を約３０００１の膜厚に基板温度約３００℃で
ＥＢ蒸着により第１の絶縁膜１２を形成する。次にこの
第１の絶縁膜１２上に付加剤としてＭｎｔ−０，５ｗ
ｔ％加えたＺｎＳの焼結体を材料として基板温度約２５
０℃でＥＢ蒸着により発光層１３ｔ−約５０００１の厚
さに形成する。
その後、真空中において約５５０℃で２時間アニールを
行なって発光層１３中のＭｎの分布の均一化および各薄
膜の欠陥の低減化をはかる。次にこの発光層１３上に基
板温度約３００℃でＥＢ蒸着にょシ第２の絶縁膜１４と
してＹ２Ｏ３を約３０００Ｘの厚さに形成する。最後に
透明電極パターンと直交するようにストライプ状の背面
電極１５をマスク蒸着により膜厚約２０００Ｘのアルミ
ニウムで形成し、素子を完成する。
行なって発光層１３中のＭｎの分布の均一化および各薄
膜の欠陥の低減化をはかる。次にこの発光層１３上に基
板温度約３００℃でＥＢ蒸着にょシ第２の絶縁膜１４と
してＹ２Ｏ３を約３０００Ｘの厚さに形成する。最後に
透明電極パターンと直交するようにストライプ状の背面
電極１５をマスク蒸着により膜厚約２０００Ｘのアルミ
ニウムで形成し、素子を完成する。
実施例 ２
第８図ないし第１０図は本発明による薄膜ＩＬ素；；の
製造方法の他の実施例を説明するなめの要部打面工程図
である。これらの図において、まず第８図に示すように
絶縁性基板として例えばホウゲイ酸ガラス１６上にイン
ジウムと錫との酸化物を真空蒸着法によりシート抵抗１
０Ω／ロ、可視光透過率約９２％程度の透明導電膜１７
を約２０００＾程度の厚さに形成する。次にこの透明導
電膜１７の全表面に７オトレジストを１〜５μｍ程度の
厚さに形成し、所定の７オトマスクを用いて露光。
製造方法の他の実施例を説明するなめの要部打面工程図
である。これらの図において、まず第８図に示すように
絶縁性基板として例えばホウゲイ酸ガラス１６上にイン
ジウムと錫との酸化物を真空蒸着法によりシート抵抗１
０Ω／ロ、可視光透過率約９２％程度の透明導電膜１７
を約２０００＾程度の厚さに形成する。次にこの透明導
電膜１７の全表面に７オトレジストを１〜５μｍ程度の
厚さに形成し、所定の７オトマスクを用いて露光。
現像を行なうことＫよシ、透明導電膜１Ｔ上の透明電極
として必要な部分上にのみフォトレジストパターン１Ｂ
を形成する。次にこの透明導！９１７を陽極とし、一方
陰極に白金板を用い、電解液としてＰＨ１〜４程度の硫
酸水溶液中で摺電圧約１００Ｖ、陽極電流密度５、Ｏｒ
ＨＡ／ｃｍ ２の条件で陽極酸化を行なって第９図に示
すように７オトレジストパターン１８でマスクされてい
ない部分全絶縁化して絶縁膜１７′とし、その後、フォ
トレジストパターン１８を除去する。この場合、陽極酸
化は、透明導電膜１Ｔの表面に絶縁層が形成されると、
その後、反応速度が低下するので、摺電圧をパルス波形
で印加すると、膜厚方向を均一に酸化、絶縁化でき、よ
り効果的である。このようにして透明導電膜１Ｔの７オ
トレジストパターン１８でマスクされた部分のみが透明
電極１７″となり、その他の部分社絶縁ｍ１７’となっ
て第１０図に示すように表面が平坦な透明電極１７″が
形成される。なお、前述し九電解液等の酸化条件は、透
明導１！膜１１の膜厚、特性等により、適宜最適化する
必要がある。以後、前述した実施例１と同様に第１の絶
縁層１発光層、第２の絶縁層および背面電極を順次積層
して素子を完成する。
として必要な部分上にのみフォトレジストパターン１Ｂ
を形成する。次にこの透明導！９１７を陽極とし、一方
陰極に白金板を用い、電解液としてＰＨ１〜４程度の硫
酸水溶液中で摺電圧約１００Ｖ、陽極電流密度５、Ｏｒ
ＨＡ／ｃｍ ２の条件で陽極酸化を行なって第９図に示
すように７オトレジストパターン１８でマスクされてい
ない部分全絶縁化して絶縁膜１７′とし、その後、フォ
トレジストパターン１８を除去する。この場合、陽極酸
化は、透明導電膜１Ｔの表面に絶縁層が形成されると、
その後、反応速度が低下するので、摺電圧をパルス波形
で印加すると、膜厚方向を均一に酸化、絶縁化でき、よ
り効果的である。このようにして透明導電膜１Ｔの７オ
トレジストパターン１８でマスクされた部分のみが透明
電極１７″となり、その他の部分社絶縁ｍ１７’となっ
て第１０図に示すように表面が平坦な透明電極１７″が
形成される。なお、前述し九電解液等の酸化条件は、透
明導１！膜１１の膜厚、特性等により、適宜最適化する
必要がある。以後、前述した実施例１と同様に第１の絶
縁層１発光層、第２の絶縁層および背面電極を順次積層
して素子を完成する。
実施例 ３
前述した実施例２と同様な方法で第８図に示すように透
明導電膜１Ｔ上に７オトレジストノくターン１８を形成
した後、この表面に、加速電圧０〜５０ＫｅＶと連続的
に変え打込量５×１０／ｃｒｎ なる条件で酸素イオン
を打ち込み、フォトレジストパターン１８でマスクされ
ていない透明導電膜１Ｔを酸化、絶縁化させ、第９図に
示すような酸化膜１７′ヲ形成する。その後、７オトレ
ジストノくターン１８を除去することにより、第１０図
に示すような表面が平坦化された透明電極１７″が形成
される。なお、前述した酸素イオンの打込み条件は、透
明導電８１７の膜厚、特性等により適宜最適化する必要
がある。以後、実施例１と同様に第１の絶縁膜１発光層
、第２の絶縁膜および背面電極を順次積層して素子を完
成する。
明導電膜１Ｔ上に７オトレジストノくターン１８を形成
した後、この表面に、加速電圧０〜５０ＫｅＶと連続的
に変え打込量５×１０／ｃｒｎ なる条件で酸素イオン
を打ち込み、フォトレジストパターン１８でマスクされ
ていない透明導電膜１Ｔを酸化、絶縁化させ、第９図に
示すような酸化膜１７′ヲ形成する。その後、７オトレ
ジストノくターン１８を除去することにより、第１０図
に示すような表面が平坦化された透明電極１７″が形成
される。なお、前述した酸素イオンの打込み条件は、透
明導電８１７の膜厚、特性等により適宜最適化する必要
がある。以後、実施例１と同様に第１の絶縁膜１発光層
、第２の絶縁膜および背面電極を順次積層して素子を完
成する。
実施例 ４
第１１図は本発明による薄膜ＥＬ素子の製造方法のさら
に他の実施例を説明するための素子断面図であシ、前述
の図と同一部分は同一符号を付しである。同図において
、実施例１では５ｔ（ｈ膜１１を熱酸化時のマスクとし
て用い、その後、除去したが、これを発光層１３をはさ
む第１の絶縁層の一部として用いるために除去せずに残
し、この上に第１の絶縁層１発光層、第２の絶縁層およ
び背面電極を順次積層して素子を完成する。この場合、
Ｓ ｉ Ｏｚ膜１１の膜厚は約１０００Ｘ以下とした。
に他の実施例を説明するための素子断面図であシ、前述
の図と同一部分は同一符号を付しである。同図において
、実施例１では５ｔ（ｈ膜１１を熱酸化時のマスクとし
て用い、その後、除去したが、これを発光層１３をはさ
む第１の絶縁層の一部として用いるために除去せずに残
し、この上に第１の絶縁層１発光層、第２の絶縁層およ
び背面電極を順次積層して素子を完成する。この場合、
Ｓ ｉ Ｏｚ膜１１の膜厚は約１０００Ｘ以下とした。
以上説明したような方法および構成によれば、基板上の
全面に成膜した透明導電膜のうち、透明電極として用い
ない部分を酸化、絶縁化することにより、平坦な電極パ
ターンが形成できるので、パターンエツジによる電界集
中の発生が抑止され、絶縁破壊の起点となることを防止
でき、薄膜ＥＬ素子の絶縁耐圧が大幅に向上し、発光の
寿命を向上させることができる。
全面に成膜した透明導電膜のうち、透明電極として用い
ない部分を酸化、絶縁化することにより、平坦な電極パ
ターンが形成できるので、パターンエツジによる電界集
中の発生が抑止され、絶縁破壊の起点となることを防止
でき、薄膜ＥＬ素子の絶縁耐圧が大幅に向上し、発光の
寿命を向上させることができる。
なお、前述した実施例においては、絶縁性基板にホウケ
イ酸ガラスを用いた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、さらに不透明基板を用
いた場合でも、この不透明基板上の背面電極パターン以
外を選択的に同様な方法で酸化、絶縁化することにより
、同様の効果が得られる。勿論この場合、透明基板であ
ってもさしつかえない。
イ酸ガラスを用いた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、さらに不透明基板を用
いた場合でも、この不透明基板上の背面電極パターン以
外を選択的に同様な方法で酸化、絶縁化することにより
、同様の効果が得られる。勿論この場合、透明基板であ
ってもさしつかえない。
また、前述した実施例においては、背面電極材料として
アルミニウムを用い九が、インジウム。
アルミニウムを用い九が、インジウム。
錫、チタン、タンタル、クロムあるいはジルコニウム等
を用いても同様の効果が得られる。
を用いても同様の効果が得られる。
さらに前述した実施例において杜、透明導電膜の選択酸
化の条件はそれぞれ酸化方法により異ガるので、適宜最
適化する必要があることは言うまでもない。
化の条件はそれぞれ酸化方法により異ガるので、適宜最
適化する必要があることは言うまでもない。
一以上説明したように本発明によれば、絶縁性基板上に
透明電極が表面平坦に形成でき、この電極パターンにエ
ツジが生じないので、この電極パターン上に積層形成す
る絶縁層１発光層および背面電極の平坦化が容易に実現
可能となシ、電極パターンエツジ部の電界集中が著しく
抑制でき、信頼性の高い高品質、高性能、長寿命の薄膜
ＥＬ素子が得られるという極めて優れた効果を有する。
透明電極が表面平坦に形成でき、この電極パターンにエ
ツジが生じないので、この電極パターン上に積層形成す
る絶縁層１発光層および背面電極の平坦化が容易に実現
可能となシ、電極パターンエツジ部の電界集中が著しく
抑制でき、信頼性の高い高品質、高性能、長寿命の薄膜
ＥＬ素子が得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図は二重絶縁層構造の薄膜ＥＬ素子の要部断面図、
Ｍ２図ないし第７図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による
薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を説明するための要
部断面工程図および平面図、第８図ないし第１０図は本
発明の他の実施例を説明するための要部断面工程図、第
１１図は本発明のさらに他の実施例を説明するための薄
膜ＩＩ、素子の要部断面図である。 ８・・・・ホウケイ酸ガラス基板、９・・・・透明導電
膜、９′・・・・絶縁膜、９″・・・・透明電極、１０
・・・・７オトレジストパターン、１１ＳｉＯｚｌｌ！
ｉ！、１２・・・・第１の絶縁膜、１３・・・０発光層
、１４・・・・第２の絶縁膜、１５・・・・背面電極。 第１図 第２図 第 ３ 図 第４図 篇５図 第６図 第７図 （ａ） Ｉ！８図 第９図 第１０図 第１１図
Ｍ２図ないし第７図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による
薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を説明するための要
部断面工程図および平面図、第８図ないし第１０図は本
発明の他の実施例を説明するための要部断面工程図、第
１１図は本発明のさらに他の実施例を説明するための薄
膜ＩＩ、素子の要部断面図である。 ８・・・・ホウケイ酸ガラス基板、９・・・・透明導電
膜、９′・・・・絶縁膜、９″・・・・透明電極、１０
・・・・７オトレジストパターン、１１ＳｉＯｚｌｌ！
ｉ！、１２・・・・第１の絶縁膜、１３・・・０発光層
、１４・・・・第２の絶縁膜、１５・・・・背面電極。 第１図 第２図 第 ３ 図 第４図 篇５図 第６図 第７図 （ａ） Ｉ！８図 第９図 第１０図 第１１図
Claims (5)
- １．絶縁性基板上に少なくとも透明電極，絶縁層，発光
層および背面電極を形成してなる薄膜エレクトロルミネ
センス素子において、前記絶縁性基板上の透明電極パタ
ーン非形成部分に該電極材料の酸化物からなる絶縁膜を
設けたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素
子。 - ２．絶縁性基板上に少なくとも透明電極，絶縁層，発光
層および背面電極を順次積層形成してなる薄膜エレクト
ロルミネセンス素子において、前記絶級性基板。全表面
に導電膜を形成した後に該導電膜の電極として不必要な
部分を選択的に酸化して絶縁化させることにより、透明
電極パターン相互間に絶縁膜を形成することを特徴とし
た薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法。 - ３．前記酸化を、酸化性雰囲気中で４００〜６００℃の
範囲の加熱処理により行なうことを特徴とした特許請求
の範囲第２項記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子の
製造方法。 - ４．前記酸化を、溶媒中での陽極酸化処理により行なう
ことを特徴とした特許請求の範囲第２項記載の薄膜エレ
クトロルミネセンス素子の製造方法。 - ５．前記酸化を、酸素イオン打込みより行なうことを特
徴とした特許請求の範囲第２項記載の薄膜エレクトロル
ミネセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273071A JPS61151996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273071A JPS61151996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151996A true JPS61151996A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17522737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59273071A Pending JPS61151996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151996A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116396U (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-24 | ||
| JPH02162684A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| KR20030044565A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 블랙 매트릭스를 가진 유기 발광 표시장치 및 그것의제조방법 |
| WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59273071A patent/JPS61151996A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116396U (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-24 | ||
| JPH02162684A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| WO1990007254A1 (en) * | 1988-12-16 | 1990-06-28 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same |
| KR20030044565A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 블랙 매트릭스를 가진 유기 발광 표시장치 및 그것의제조방법 |
| WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
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