JPH02213090A - 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法Info
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- JPH02213090A JPH02213090A JP1033105A JP3310589A JPH02213090A JP H02213090 A JPH02213090 A JP H02213090A JP 1033105 A JP1033105 A JP 1033105A JP 3310589 A JP3310589 A JP 3310589A JP H02213090 A JPH02213090 A JP H02213090A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、インジウム錫酸化Ｍ（以下、ｒｌＴＯ膜」
と略す。）からなる透明電極を備えた薄膜ＥＬパネルお
よびその製造方法に関する。
と略す。）からなる透明電極を備えた薄膜ＥＬパネルお
よびその製造方法に関する。
〈従来の技術〉
従来、この種の薄膜ＥＬパネルとしては、第４図に示す
ようなものがある。この薄膜ＢＬパネルは、ガラス基板
ＩＩ上に、インジウム錫酸化物のターゲットとアルゴン
および酸素の混合ガスを用いてスパッタ法により形成さ
れた単一のＩＴＯ膜からなるストライプ状の透明電極１
２と、下部絶縁層」３と、発光層１４と、上部絶縁！＋
５と、Ａｉｄ膜１６ａおよびＮｆｌｌ１６ｂからなる背
面電極１６を順次積層して作製されたものである。上記
透明電極１２の端部には、Ａ！！膜ｆ７ａおよびＮｉ膜
１７ｂからなる端子電極１７が設けられている。
ようなものがある。この薄膜ＢＬパネルは、ガラス基板
ＩＩ上に、インジウム錫酸化物のターゲットとアルゴン
および酸素の混合ガスを用いてスパッタ法により形成さ
れた単一のＩＴＯ膜からなるストライプ状の透明電極１
２と、下部絶縁層」３と、発光層１４と、上部絶縁！＋
５と、Ａｉｄ膜１６ａおよびＮｆｌｌ１６ｂからなる背
面電極１６を順次積層して作製されたものである。上記
透明電極１２の端部には、Ａ！！膜ｆ７ａおよびＮｉ膜
１７ｂからなる端子電極１７が設けられている。
そして、上記透明電極１２の電気抵抗が大きいと、上記
端子電極１７からの距離によって駆動時の印加パルス波
形が異なって、パルスの絵素間に輝度差が生じてしまう
ので、上記透明電極１２のＩＴＯＷ：ｉは、上記輝度差
を抑制するように所定の膜厚にして形成されている。
端子電極１７からの距離によって駆動時の印加パルス波
形が異なって、パルスの絵素間に輝度差が生じてしまう
ので、上記透明電極１２のＩＴＯＷ：ｉは、上記輝度差
を抑制するように所定の膜厚にして形成されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上記透明電極１２の電気抵抗を小さくするよ
うにＩＴＯ膜の膜厚を厚くして薄膜ＥＬパネルを作製し
た場合、第２図中、の矢印ａのデータに示すように、膜
厚が２５００人程度以上になると、上記下部絶縁層１３
の絶縁耐圧（ＤＣ耐圧）が低下する現象が起きる。これ
は、上記膜厚を厚くした場合、ＩＴＯ膜の膜中の結晶が
成長し、結晶粒塊が大きくなって、界面１２ａが粗くな
り、その結果、隣接する上記下部絶縁層１３のＤＣ耐圧
が低下するからであると考えられている。そして、この
現象のために、上記従来のＲＷＡＥＬパネルは、上記透
明電極１２の電気抵抗を小さくすることができず、絵素
間の輝度差を十分に抑えることが困難である。
うにＩＴＯ膜の膜厚を厚くして薄膜ＥＬパネルを作製し
た場合、第２図中、の矢印ａのデータに示すように、膜
厚が２５００人程度以上になると、上記下部絶縁層１３
の絶縁耐圧（ＤＣ耐圧）が低下する現象が起きる。これ
は、上記膜厚を厚くした場合、ＩＴＯ膜の膜中の結晶が
成長し、結晶粒塊が大きくなって、界面１２ａが粗くな
り、その結果、隣接する上記下部絶縁層１３のＤＣ耐圧
が低下するからであると考えられている。そして、この
現象のために、上記従来のＲＷＡＥＬパネルは、上記透
明電極１２の電気抵抗を小さくすることができず、絵素
間の輝度差を十分に抑えることが困難である。
そこで、この発明の目的は、パネル面内の輝度差を抑え
て表示品位を向上させると共に、絶縁耐圧を向上させた
薄膜ＥＬパネルおよびその製造方法を提供することにあ
る。
て表示品位を向上させると共に、絶縁耐圧を向上させた
薄膜ＥＬパネルおよびその製造方法を提供することにあ
る。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、透光性基板上
に、インジウム錫酸化物のターゲットとアルゴンおよび
酸素の混合ガスを用いてスパッタ法により形成された透
明電極と、下部絶縁層と、発光層と、上部絶縁層と、背
面電極とを順次積層した薄膜ＥＬパネルにおいて、上記
透明電極が、結晶粒塊が大きいが比抵抗の低い下部ＩＴ
Ｏ膜と、比抵抗が高いが結晶粒塊の小さい上部ＩＴＯ膜
からなることを特徴としている。
に、インジウム錫酸化物のターゲットとアルゴンおよび
酸素の混合ガスを用いてスパッタ法により形成された透
明電極と、下部絶縁層と、発光層と、上部絶縁層と、背
面電極とを順次積層した薄膜ＥＬパネルにおいて、上記
透明電極が、結晶粒塊が大きいが比抵抗の低い下部ＩＴ
Ｏ膜と、比抵抗が高いが結晶粒塊の小さい上部ＩＴＯ膜
からなることを特徴としている。
また、この発明は、上記下部ＩＴＯＭは、低い酸素分圧
の上記混合ガスの下で形成する一方、上記上部ＩＴＯ＠
は、高い酸素分圧の上記混合ガスの下で形成することを
特徴としている。
の上記混合ガスの下で形成する一方、上記上部ＩＴＯ＠
は、高い酸素分圧の上記混合ガスの下で形成することを
特徴としている。
く作用〉
上記透明電極は、比抵抗の低い下部ＩＴＯ膜を有してい
るため、透明電極全体が高比抵抗のＩＴＯＨからなる場
合に比して、電気抵抗が小さくなって、パネル面上の輝
度差が抑えられる。また、上記透明電極は、結晶粒塊の
小さい上部ＩＴＯ膜を有しているため、透明電極全体が
結晶粒塊が大きいｌＴＯＩＩｇからなる場合に比して、
隣接する下部絶縁層との界面が平坦になって、上記下部
絶縁層の絶縁耐圧が向上する。
るため、透明電極全体が高比抵抗のＩＴＯＨからなる場
合に比して、電気抵抗が小さくなって、パネル面上の輝
度差が抑えられる。また、上記透明電極は、結晶粒塊の
小さい上部ＩＴＯ膜を有しているため、透明電極全体が
結晶粒塊が大きいｌＴＯＩＩｇからなる場合に比して、
隣接する下部絶縁層との界面が平坦になって、上記下部
絶縁層の絶縁耐圧が向上する。
また、上記下部ＩＴＯ＠は、スパッタ法により、インジ
ウム錫酸化物のターゲットとアルゴンおよび酸素の混合
ガスを用いて低い酸素分圧にて形成した場合、高い酸素
分圧で形成した場合に比して結晶成長が起こり易く、そ
のため結晶粒塊が大きく、しかも比抵抗が低い膜となる
。一方、上記上部ＩＴＯ１！Ａは、同様にスパッタ法に
より、アルゴンおよび酸素の混合ガスを用いて高い酸素
分圧にて形成した場合、上記低い酸素分圧で形成した場
合に比して結成成長が起こりに＜＜１．そのため、比抵
抗は高いが結晶粒塊の小さい膜となる。
ウム錫酸化物のターゲットとアルゴンおよび酸素の混合
ガスを用いて低い酸素分圧にて形成した場合、高い酸素
分圧で形成した場合に比して結晶成長が起こり易く、そ
のため結晶粒塊が大きく、しかも比抵抗が低い膜となる
。一方、上記上部ＩＴＯ１！Ａは、同様にスパッタ法に
より、アルゴンおよび酸素の混合ガスを用いて高い酸素
分圧にて形成した場合、上記低い酸素分圧で形成した場
合に比して結成成長が起こりに＜＜１．そのため、比抵
抗は高いが結晶粒塊の小さい膜となる。
〈実施例〉
以下、この発明の薄膜ＥＬパネルを図示の実施例により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図に示すように、この発明の薄膜ＥＬパネルは、ア
ルカリ元素を含有しないアルミノシリケートなどからな
る透光性ガラス基板Ｉ上に、透明１を極２と、下部絶縁
Ｊｉｉ３と、発光層４と、上部絶縁１！１５と、ＡＩｌ
膜６ａおよびＮｉｌ［８ｂからなる背面電極６とが順次
積層された構造をしている。上記透明電極２の端部には
、Ａｉ２膜７ａおよびＮｉ膜７ｂからなる端子電極７を
設けている。そして、上記透明電極２は、結晶粒塊が大
きいが比抵抗の低い下部ＩＴＯＩｌ１２ｍと、比抵抗が
高いが結晶粒塊の小さい上部ｆＴｏ膜２ｂからなってい
る。
ルカリ元素を含有しないアルミノシリケートなどからな
る透光性ガラス基板Ｉ上に、透明１を極２と、下部絶縁
Ｊｉｉ３と、発光層４と、上部絶縁１！１５と、ＡＩｌ
膜６ａおよびＮｉｌ［８ｂからなる背面電極６とが順次
積層された構造をしている。上記透明電極２の端部には
、Ａｉ２膜７ａおよびＮｉ膜７ｂからなる端子電極７を
設けている。そして、上記透明電極２は、結晶粒塊が大
きいが比抵抗の低い下部ＩＴＯＩｌ１２ｍと、比抵抗が
高いが結晶粒塊の小さい上部ｆＴｏ膜２ｂからなってい
る。
この薄膜Ｅしパネルは次のようにして作製される。
■ まず、ガラス基板１上に、スパッタ法により、５ｎ
Ｏｔを５〜１０豐【％含有しているＩＴＯターゲットと
Ａｒと０．の混合ガスを用いて、酸素分圧５×１０°”
−１ｘ １０−’Ｔｏｒｒの条件にて下部ＩＴＯ膜２ｍ
を成長させる。この膜厚は２０００〜３５００人とする
。。
Ｏｔを５〜１０豐【％含有しているＩＴＯターゲットと
Ａｒと０．の混合ガスを用いて、酸素分圧５×１０°”
−１ｘ １０−’Ｔｏｒｒの条件にて下部ＩＴＯ膜２ｍ
を成長させる。この膜厚は２０００〜３５００人とする
。。
■ 次に、同じくスパッタ法により、Ｓ ｎｏ ＊を５
〜１０ｗｔ％含宵しているＩＴＯターゲットとＡ「とＯ
！の混合ガスを用いて、酸素分圧３Ｘ１０−’〜５ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒの条件にて上部ＩＴＯ膜２ｂを成長
させる。上部ｆＴＯ膜２ｂの膜厚は３００〜５００人に
する。上記下部ＩＴＯｌ１２ｇと上部ＩＴＯ膜２ｂとの
積層膜の厚みは２５００〜４０００人にする。
〜１０ｗｔ％含宵しているＩＴＯターゲットとＡ「とＯ
！の混合ガスを用いて、酸素分圧３Ｘ１０−’〜５ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒの条件にて上部ＩＴＯ膜２ｂを成長
させる。上部ｆＴＯ膜２ｂの膜厚は３００〜５００人に
する。上記下部ＩＴＯｌ１２ｇと上部ＩＴＯ膜２ｂとの
積層膜の厚みは２５００〜４０００人にする。
■ 前後、上記ガラス基板１を、真空中または不活性ガ
ス雰囲気中にて温度４５０〜６００℃でアニールする。
ス雰囲気中にて温度４５０〜６００℃でアニールする。
■ 次に、上記積層膜をフォトエツチングによってスト
ライプ状に加工して透明電極２を形成する。
ライプ状に加工して透明電極２を形成する。
■ その上に、スパッタ法により、膜厚２００〜８００
人の５ｉｎｓ膜と膜厚１Ｇ００〜３０００人の５ｉｓＮ
＊Ｉ［を連続成長して、下部絶縁ｌＩ３を形成する。
人の５ｉｎｓ膜と膜厚１Ｇ００〜３０００人の５ｉｓＮ
＊Ｉ［を連続成長して、下部絶縁ｌＩ３を形成する。
■ その上に、膜厚６（１０（１〜９０００人のＺｎＳ
：Ｍｎからなる発光ＪＩ４を蒸着にて形成して、真空中
にて温度５５０〜６５０℃でアニールする。
：Ｍｎからなる発光ＪＩ４を蒸着にて形成して、真空中
にて温度５５０〜６５０℃でアニールする。
■ さらに、スパッタ法により、膜厚１０００〜２００
０人のＳｉ＊Ｎ＊膜と膜厚２００〜８００人のＡＱｔｏ
ｚ膜からなる上部絶縁Ｍ５を形成する。
０人のＳｉ＊Ｎ＊膜と膜厚２００〜８００人のＡＱｔｏ
ｚ膜からなる上部絶縁Ｍ５を形成する。
■ さらに、蒸着法により、ＡＩ２膜６ ａ、 ？ ａ
％Ｎｉ１１に６ｂ、７ｂをｗｔＭし、フォトエツチング
によって加工して、背面電極６および端子電極７を形成
する。このようにして、作製を完了する。
％Ｎｉ１１に６ｂ、７ｂをｗｔＭし、フォトエツチング
によって加工して、背面電極６および端子電極７を形成
する。このようにして、作製を完了する。
なお、上記工程■、■における酸素分圧と！Ｔ０１の比
抵抗、成長レートとの関伜は、第３図に示すように、酸
素分圧が５Ｘ１０−ｓ−ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒと低い場
合、結晶成長が起こり易く、成長レートが大きい。その
場合、結晶粒塊が大きくなって、膜の表面が粗くなると
共に、比抵抗が低くなる。
抵抗、成長レートとの関伜は、第３図に示すように、酸
素分圧が５Ｘ１０−ｓ−ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒと低い場
合、結晶成長が起こり易く、成長レートが大きい。その
場合、結晶粒塊が大きくなって、膜の表面が粗くなると
共に、比抵抗が低くなる。
一方、酸素分圧が３ Ｘ Ｉ Ｏ−’〜５ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒと高い場合、結晶成長が起こりにくく、成長
レートが小さい。その場合、結晶粒塊が小さくなって、
膜の表面が平坦になると共に、比抵抗が高くなる。
’Ｔｏｒｒと高い場合、結晶成長が起こりにくく、成長
レートが小さい。その場合、結晶粒塊が小さくなって、
膜の表面が平坦になると共に、比抵抗が高くなる。
上記透明電極２は、このようにして形成された結晶粒塊
が大きい比抵抗が低い下部ＩＴＯ膜２ａと、比抵抗が高
いが結晶粒塊が小さい上部ＩＴＯ１１２ｂとからなって
いるため、電気抵抗が小さくなって、上記端子電極７か
らの距離による駆動時の印加パルス波形の差が小さくな
り、パネル面内における絵素間の輝度差が抑えられる。
が大きい比抵抗が低い下部ＩＴＯ膜２ａと、比抵抗が高
いが結晶粒塊が小さい上部ＩＴＯ１１２ｂとからなって
いるため、電気抵抗が小さくなって、上記端子電極７か
らの距離による駆動時の印加パルス波形の差が小さくな
り、パネル面内における絵素間の輝度差が抑えられる。
また、上記透明電極２と下部絶縁層３との界面２ｃが平
坦になって、上記下部絶縁層３が絶縁破壊しにくくなり
、第２図中の矢印すのデータに示すように、従来の薄膜
ＥＬパネル（矢印ａのデータ）に比して絶縁耐圧（ＤＣ
耐圧）が向上する。
坦になって、上記下部絶縁層３が絶縁破壊しにくくなり
、第２図中の矢印すのデータに示すように、従来の薄膜
ＥＬパネル（矢印ａのデータ）に比して絶縁耐圧（ＤＣ
耐圧）が向上する。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の′Ｒ膜ＥＬパネル
は、結晶粒塊が大きいが比抵抗の低い下部ｆＴｏ膜と比
抵抗が高いが結晶粒塊の小さい上部１ＴＯ１ｌＡとから
なる透明電極を備えているので、パネル面内の輝度差を
抑えて表示品位を向上させることができると共に、絶縁
耐圧を向上させることができる。
は、結晶粒塊が大きいが比抵抗の低い下部ｆＴｏ膜と比
抵抗が高いが結晶粒塊の小さい上部１ＴＯ１ｌＡとから
なる透明電極を備えているので、パネル面内の輝度差を
抑えて表示品位を向上させることができると共に、絶縁
耐圧を向上させることができる。
また、この発明は、上記下部ＩＴＯＩＫを、低い酸素分
圧の上記混合ガスの下で形成する一方、上記上部ＩＴＯ
膜を、高い酸素分圧の上記混合ガスの下で形成するので
、上記透明電極を簡単、安価に、製作できる。
圧の上記混合ガスの下で形成する一方、上記上部ＩＴＯ
膜を、高い酸素分圧の上記混合ガスの下で形成するので
、上記透明電極を簡単、安価に、製作できる。
第１図はこの発明の薄膜ＥＬパネルの一実施例を示す概
略断面図、第２図は［ＴＯ膜厚とＤＣ耐圧との関係を示
す図、第３図は酸素分圧とｒＴ。 膜の成長レート、比抵抗との関係を示す図、第４図は従
来の７［ＥＬパネルを示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、２ａ・・・下
部ＩＴＯ膜、２ｂ・・・上部ＩＴＯ膜、２ｃ・・・界面
、３・・・下部絶縁層、４・・・発光層、５・・・上部
絶縁層、６・・・背面電極、６ ａ、 ７ ａ−ＡＩｌ
ｍ、 ６ ｂ、 ７ ｂ−Ｎ ｉ模、７・・・端子電極
。 特 許 出 動 人 シャープ株式会社代 理１人
弁理士 青白 葆 ほか１名第 図 第４図 ＋２０ 箇３！！ ＩＴＯＲ１＃厚（ム） 融ＩＡｆｒｊＥ（ｔｏｒｒ）
略断面図、第２図は［ＴＯ膜厚とＤＣ耐圧との関係を示
す図、第３図は酸素分圧とｒＴ。 膜の成長レート、比抵抗との関係を示す図、第４図は従
来の７［ＥＬパネルを示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、２ａ・・・下
部ＩＴＯ膜、２ｂ・・・上部ＩＴＯ膜、２ｃ・・・界面
、３・・・下部絶縁層、４・・・発光層、５・・・上部
絶縁層、６・・・背面電極、６ ａ、 ７ ａ−ＡＩｌ
ｍ、 ６ ｂ、 ７ ｂ−Ｎ ｉ模、７・・・端子電極
。 特 許 出 動 人 シャープ株式会社代 理１人
弁理士 青白 葆 ほか１名第 図 第４図 ＋２０ 箇３！！ ＩＴＯＲ１＃厚（ム） 融ＩＡｆｒｊＥ（ｔｏｒｒ）
Claims (2)
- （１） 透光性基板上に、インジウム錫酸化物のターゲ
ットとアルゴンおよび酸素の混合ガスを用いてスパッタ
法により形成された透明電極と、下部絶縁層と、発光層
と、上部絶縁層と、背面電極とを順次積層した薄膜ＥＬ
パネルにおいて、上記透明電極は、結晶粒塊が大きいが
比抵抗の低い下部インジウム錫酸化膜と、比抵抗が高い
が結晶粒塊の小さい上部インジウム錫酸化膜からなるこ
とを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - （２） 上記下部インジウム錫酸化膜は、低い酸素分圧
の上記混合ガスの下で形成する一方、上記上部インジウ
ム錫酸化膜は、高い酸素分圧の上記混合ガスの下で形成
することを特徴とする請求項１に記載の薄膜ＥＬパネル
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033105A JPH02213090A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033105A JPH02213090A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213090A true JPH02213090A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12377382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1033105A Pending JPH02213090A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016180448A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method of manufacturing a layer stack for display manufacturing and apparatus therefore |
| WO2021149414A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1033105A patent/JPH02213090A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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