JPH01186589A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH01186589A JPH01186589A JP63005532A JP553288A JPH01186589A JP H01186589 A JPH01186589 A JP H01186589A JP 63005532 A JP63005532 A JP 63005532A JP 553288 A JP553288 A JP 553288A JP H01186589 A JPH01186589 A JP H01186589A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はエレクトロルミネッセンス素子（以後ＥＬ素子
と略称する）に関し、特に安定した動作が得られ、耐久
性が改善されたＥＬ素子に関する。
と略称する）に関し、特に安定した動作が得られ、耐久
性が改善されたＥＬ素子に関する。
［従来の技術］
ＥＬ素子は、情報端末機器用平面表示素子の一つとして
有力視されているデイスプレィである。
有力視されているデイスプレィである。
デイスプレィとしてのＥＬ素子には、０，５μｍ程度の
発光層を二層の絶縁膜で挟んだ二重絶縁膜構造の交流印
加型（ＡＣ）ＥＬ素子及び、Ｃｕが被覆されたＭｎドー
プＺｎＳ粉体を発光層とし、て用いるパウダー型直流印
加型（ＤＣ）ＥＬ素子が知られている。
発光層を二層の絶縁膜で挟んだ二重絶縁膜構造の交流印
加型（ＡＣ）ＥＬ素子及び、Ｃｕが被覆されたＭｎドー
プＺｎＳ粉体を発光層とし、て用いるパウダー型直流印
加型（ＤＣ）ＥＬ素子が知られている。
パウダー型のＤＣＥＬ素子は、パネル内に発光領域を形
成する為の“フォーミング（ｆｏｒｍｉｎｇ）”という
プロセスによってパネル処理しなければならず、商業的
な規模で実施された場合にはコスト高のプロセスであり
、且つ再現性良〈実施することは困難である。更に、Ｅ
Ｌ素子の動作中に電界によるＣｕの移動による“ファザ
ー フォーミング（ｆｕｔｈｅｒ ｆｏｒｍｉｎｇ）
”の為に、デバイスのしきい電圧が変動するという問題
があった。又発光層である活性剤をドープしたＺｎＳ薄
膜及び、粉体状の導電性あるいは、半導電性の電流制限
層から成るＤＣＥＬ素子が知られている。
成する為の“フォーミング（ｆｏｒｍｉｎｇ）”という
プロセスによってパネル処理しなければならず、商業的
な規模で実施された場合にはコスト高のプロセスであり
、且つ再現性良〈実施することは困難である。更に、Ｅ
Ｌ素子の動作中に電界によるＣｕの移動による“ファザ
ー フォーミング（ｆｕｔｈｅｒ ｆｏｒｍｉｎｇ）
”の為に、デバイスのしきい電圧が変動するという問題
があった。又発光層である活性剤をドープしたＺｎＳ薄
膜及び、粉体状の導電性あるいは、半導電性の電流制限
層から成るＤＣＥＬ素子が知られている。
ＤＣＥＬの発光層であるＭｎＳ薄膜は電子線加熱による
蒸着法等により、１５０から２５０℃程度の基板温度で
堆積されるが、被膜作成直後の状態では十分な輝度特性
が得られないため、３５０°Ｃ以上での真空中のアニー
ルプロセスを必要とする。
蒸着法等により、１５０から２５０℃程度の基板温度で
堆積されるが、被膜作成直後の状態では十分な輝度特性
が得られないため、３５０°Ｃ以上での真空中のアニー
ルプロセスを必要とする。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来のＤＣＥＬに於いては、発光層
である活性剤がドープされたＺｎＳ層が、パターニング
された透明電極上に形成される為、電気絶縁性基板と直
接接することになり、発光層のアニールプロセスに於い
て基板から不純物、特にアルカリイオンが発光層に侵入
し、動作が不安定になるという問題があった。本発明は
、上記の様な従来のものの問題点を解決し、安価なガラ
ス基板上に、信頼性の高いＥＬデイスプレィを形成する
ことを目的とする。
である活性剤がドープされたＺｎＳ層が、パターニング
された透明電極上に形成される為、電気絶縁性基板と直
接接することになり、発光層のアニールプロセスに於い
て基板から不純物、特にアルカリイオンが発光層に侵入
し、動作が不安定になるという問題があった。本発明は
、上記の様な従来のものの問題点を解決し、安価なガラ
ス基板上に、信頼性の高いＥＬデイスプレィを形成する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記問題点を解決する為になされたものであ
って、ガラス基板上に、透明な第１の電極、蛍光体薄膜
、電流制限層、第２の電極を順次積層したエレクトロル
ミネッセンス素子において、該ガラス基板と該第１の電
極との間にアルカリ金属イオン不透過性薄膜を設けてい
る。
って、ガラス基板上に、透明な第１の電極、蛍光体薄膜
、電流制限層、第２の電極を順次積層したエレクトロル
ミネッセンス素子において、該ガラス基板と該第１の電
極との間にアルカリ金属イオン不透過性薄膜を設けてい
る。
該アルカリ金属イオン不透過性薄膜としては、任意の材
料が使用できるが、内でも二酸化珪素、窒化珪素および
炭化珪素より選ばれた少な（とも１種の薄膜であること
がアルカリイオンの拡散防止効果が高いので好ましい。
料が使用できるが、内でも二酸化珪素、窒化珪素および
炭化珪素より選ばれた少な（とも１種の薄膜であること
がアルカリイオンの拡散防止効果が高いので好ましい。
該アルカリ金属イオン不透過性薄膜は、前記混合薄膜で
あっても良いし、アルカリゲッターと呼ばれるアルカリ
金属を捕獲する作用を持つ不純物をわずかに含むもので
あっても良い。
あっても良いし、アルカリゲッターと呼ばれるアルカリ
金属を捕獲する作用を持つ不純物をわずかに含むもので
あっても良い。
該アルカリ金属イオン不透過性薄膜は薄すぎると本発明
の効果が現れに＜＜、又厚すぎても生産性が低下するの
で、１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さが好ましい。
の効果が現れに＜＜、又厚すぎても生産性が低下するの
で、１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さが好ましい。
［作 用コ
即ち、本発明によれば、発光層アニール時の３５０°Ｃ
以上の高温に於いてもガラス基板から発光層へのアルカ
リイオンの拡散を防止するバリヤー層を有している為、
デバイス動作下での電界によるアルカリイオンの移動に
起因するしきい電圧の変動は起こらない。
以上の高温に於いてもガラス基板から発光層へのアルカ
リイオンの拡散を防止するバリヤー層を有している為、
デバイス動作下での電界によるアルカリイオンの移動に
起因するしきい電圧の変動は起こらない。
［実 施 例コ
以下、添付図面を参照して、本発明の好実施例を記述す
る。
る。
添付図面に示された様に、通常のガラス基板１（ソーダ
・ライムガラス）上にスパッタリング法、あるいはプラ
ズマＣＶＤ法により窒化珪素薄膜２を５０から２００ｎ
ｍ１１ＴＯ薄膜３を２００から８００ｎｍ堆積した後、
ホトリソ工程によりＩＴｏをパターニングした。次にＥ
ＢＮ着法により発光層としてのＭｎドープＺｎＳ４を８
００ｎｍ堆積し、４５０℃で３０分間アニールした。
・ライムガラス）上にスパッタリング法、あるいはプラ
ズマＣＶＤ法により窒化珪素薄膜２を５０から２００ｎ
ｍ１１ＴＯ薄膜３を２００から８００ｎｍ堆積した後、
ホトリソ工程によりＩＴｏをパターニングした。次にＥ
ＢＮ着法により発光層としてのＭｎドープＺｎＳ４を８
００ｎｍ堆積し、４５０℃で３０分間アニールした。
電流制限層５は、Ｍ ｎ Ｏ２粉体をバインダーににト
ロセルロース）に分散させたものをスプレー法により約
１０μｍ形成した。第２電極６としてＡＩを蒸着法によ
り堆積後、ＡＩ及び、電流制限層、発光層をダイヤモン
ド針によりスクライブし、表示エレメントを形成するこ
とにより完成した。
ロセルロース）に分散させたものをスプレー法により約
１０μｍ形成した。第２電極６としてＡＩを蒸着法によ
り堆積後、ＡＩ及び、電流制限層、発光層をダイヤモン
ド針によりスクライブし、表示エレメントを形成するこ
とにより完成した。
本実施例により作成したＥＬ素子は、窒化珪素薄膜を設
けなかったＥＬ素子はｔｏｏｏ時間後の輝度低下が初期
の約５０％であったのに対し、約６０％であるという良
好な特性を示した。
けなかったＥＬ素子はｔｏｏｏ時間後の輝度低下が初期
の約５０％であったのに対し、約６０％であるという良
好な特性を示した。
本実施例においては、透明導電膜としてＩＴＯ（インジ
ウム拳スズ酸化物）を用いたが、酸化スズ、酸化インジ
ウム等の通常使用される透明導電膜を使用することもで
きる。
ウム拳スズ酸化物）を用いたが、酸化スズ、酸化インジ
ウム等の通常使用される透明導電膜を使用することもで
きる。
［発明の効果］
本発明によれば、アルカリイオンバリヤー層を備えてい
る為、安価なソーダライムガラス基板上に生産性に優れ
た、信頼性の高いハイブリッドＤＣＥＬを提供すること
が出来る。
る為、安価なソーダライムガラス基板上に生産性に優れ
た、信頼性の高いハイブリッドＤＣＥＬを提供すること
が出来る。
第１図は本発明によるハイブリッドＤＣＥＬパネルの断
面図である。 第１図
面図である。 第１図
Claims (3)
- （１） ガラス基板上に、透明な第１の電極、蛍光体薄
膜、電流制限層、第２の電極を順次積層したエレクトロ
ルミネッセンス素子において、該ガラス基板と該第１の
電極との間にアルカリ金属イオン不透過性薄膜を設けた
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 - （２） 該アルカリ金属イオン不透過性薄膜が二酸化珪
素、窒化珪素および炭化珪素よりなる群より選ばれた少
なくとも１種の薄膜である特許請求の範囲第１項記載の
エレクトロルミネッセンス素子。 - （３） 該アルカリ金属イオン不透過性薄膜が厚さ１０
ｎｍ〜２００ｎｍの薄膜である特許請求の範囲第１項又
は第２項記載のエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005532A JPH01186589A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005532A JPH01186589A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01186589A true JPH01186589A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11613800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63005532A Pending JPH01186589A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01186589A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052864A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2004006243A (ja) * | 1999-06-04 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2006032977A (ja) * | 1999-06-04 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
| JP2007048758A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2007066912A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| JP2007188890A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
| US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63005532A patent/JPH01186589A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052864A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
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| JP4515469B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
| JP4515349B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
| JP4532452B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
| US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US9293726B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
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