KR20200118515A - 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치 - Google Patents

디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법 및 그 장치가 설명된다. 방법은, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제1 층을 스퍼터링함으로써 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계(101); 프로세싱 파라미터들의 제1 세트와 상이한 프로세싱 파라미터들의 제2 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제2 층을 제1 층 상에 스퍼터링하는 단계; 및 에칭에 의해 층 스택을 패터닝하는 단계(102)를 포함한다. 장치(200)는, 진공 챔버(210); 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들(220a, 220b); 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230); 및 가스 분배 시스템(230)에 연결되고, 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240)를 포함한다.

Description

디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치{METHOD OF MANUFACTURING A LAYER STACK FOR DISPLAY MANUFACTURING AND APPARATUS THEREFORE}
[0001] 본 개시내용은 기판을 진공 프로세스 챔버에서 코팅하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용은 디스플레이 제조를 위해, 스퍼터링된 재료의 적어도 하나의 층을 기판 상에 형성하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 실시예들은 전자 디바이스를 위한 층 스택들 및 기판 상에 트랜지스터를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
[0002] 많은 어플리케이션들에서, 기판 상에, 예컨대, 유리 기판 상에 얇은 층들을 증착시키는 것이 요구된다. 통상적으로, 기판들은 코팅 장치의 다양한(different) 챔버들에서 코팅된다. 몇몇 어플리케이션들의 경우, 기판들은, 기상 증착 기법을 사용하여 진공에서 코팅된다. 기판 상에 재료를 증착시키기 위한 여러 방법들이 공지되어 있다. 예컨대, 기판들은 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스, 등에 의해 코팅될 수 있다. 통상적으로, 프로세스는, 코팅될 기판이 로케이팅되는 프로세스 챔버 또는 프로세스 장치에서 수행된다.
[0003] 전자 디바이스들 그리고 특히 광-전자 디바이스들은, 지난 몇 년 동안 비용 측면에서 상당한 감소를 나타냈다. 또한, 디스플레이들에서 픽셀 밀도가 계속해서 증가되고 있다. TFT 디스플레이들의 경우, 고밀도 TFT 집적화(integration)가 요구된다. 그러나, 디바이스 내에서 TFT(thin-film transistors)의 개수가 증가함에도 불구하고, 수율을 증가시키려고 시도되고, 제조 비용을 감소시키려고 시도된다.
[0004] 따라서, 특히 고품질 저비용에 대해, 제조 동안 TFT 디스플레이 특성들을 튜닝하기 위한 개선된 방법들 및 장치들을 제공하는 것에 대한 요구가 계속되고 있다.
[0005] 상기 내용을 고려하여, 독립 청구항들에 따라, 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치가 제공된다. 또한, 전자 디바이스를 위한 패터닝된 층 스택, 및 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법에 의해 제조된 패터닝된 층을 포함하는 전자 디바이스가 제공된다. 추가적인 장점들, 특징들, 양상들, 및 세부 사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명, 및 도면들로부터 자명하다.
[0006] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법이 제공된다. 방법은, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제1 층을 스퍼터링함으로써 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계; 프로세싱 파라미터들의 제1 세트와 상이한 프로세싱 파라미터들의 제2 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제2 층을 제1 층 상에 스퍼터링하는 단계 ― 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는 층 스택의 높은 에칭성(etchability)에 대해 적응되고, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는 제2 층 스택의 낮은 저항에 대해 적응됨 ―; 및 에칭에 의해 층 스택을 패터닝하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 다른 양상에 따라, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법에 의해 제조된, 전자 디바이스를 위한 패터닝된 층 스택이 제공된다.
[0008] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따라, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법에 의해 제조된 패터닝된 층 스택을 포함하는 전자 디바이스가 제공된다.
[0009] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치가 제공된다. 장치는, 진공 챔버; 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들; 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템; 층 스택을 에칭하기 위한 에칭 디바이스; 및 가스 분배 시스템에 연결되고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기를 포함한다.
[0010] 본원에서 설명되는 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치의 개략도를 도시하고;
도 2는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치의 개략도를 도시하며;
도 3은, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법을 예시하는 블록도를 도시하고;
도 4a는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 패터닝 이전의 층 스택의 개략도를 도시하며;
도 4b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 패터닝 이후의 층 스택의 개략도를 도시한다.
[0011] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 이하에서, 오직, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로서 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의미되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0012] 본 개시내용에서, "프로세싱 가스 분위기(atmosphere)"라는 표현은 프로세싱 챔버 내부, 특히, 층을 증착시키기 위한 장치의 진공 프로세싱 챔버 내부의 분위기로서 이해될 수 있다. "프로세싱 가스 분위기"는 프로세싱 챔버 내부의 용적에 의해 특정되는 용적을 가질 수 있다.
[0013] 본 개시내용에서, 약어 "H2"는 수소, 특히 가스성 수소(gaseous hydrogen)를 의미한다.
[0014] 또한, 본 개시내용에서, 약어 "O2"는 산소, 특히 가스성 산소를 의미한다.
[0015] 본 개시내용에서, "비결정질(amorphous) 구조의 정도(degree)"라는 표현은, 고체 상태의 비결정질 구조 대 비결정질이-아닌(non-amorphous) 구조의 비율로서 이해될 수 있다. 비결정질이-아닌 구조는 결정질(crystalline) 구조일 수 있다. 비결정질 구조는 유리형(glass-like) 구조일 수 있다.
[0016] 본 개시내용에서, "시트 저항(sheet resistance)"이라는 표현은 본원에서 설명된 실시예들에 따른 방법에 의해 제조된 층의 저항으로서 이해될 수 있다. 특히, "시트 저항"은 층이 2차원 엔티티로서 간주되는 경우를 지칭할 수 있다. "시트 저항"이라는 표현이, 전류가 층의 평면을 따른다(즉, 전류는 층에 대해 수직이 아니다)는 것을 의미한다는 점이 이해될 수 있다. 또한, 시트 저항은 균일한 층 두께에 대한 저항률의 경우를 지칭할 수 있다.
[0017] 도 1에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치(200)의 개략도가 도시된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치는, 진공 챔버(210); 투명 전도성 옥사이드 층(예컨대, 제1 층 및/또는 제2 층)을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드(특히 ITO(indium tin oxide)) 함유 타겟들(220a, 220b); 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230); 층 스택을 에칭하기 위한 에칭 디바이스(280); 및 가스 분배 시스템(230)에 연결되고 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240)를 포함한다. 프로그램 코드의 실행 시에, 본원에서 설명된 바와 같은 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법이 수행될 수 있다.
[0018] 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 챔버 벽들(211)에 의해 한정되고, 수증기를 위한 제1 가스 유입구(231) 및 H2를 위한 제2 가스 유입구(232)에서 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 가스 유입구(231)는 프로세싱 가스 분위기(222)에 제공되는 수증기의 양을 제어하도록 구성된 제1 질량 유동 제어기(mass flow controller)(234), 예컨대, 제1 밸브를 갖는 제1 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 제2 가스 유입구(232)는 프로세싱 가스 분위기에 제공되는 H2의 양을 제어하도록 구성된 제2 질량 유동 제어기(235), 예컨대, 제2 밸브를 갖는 제2 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다.
[0019] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 수증기를 제공하기 위한 제1 가스 소스 및 H2를 제공하기 위한 제2 가스 소스를 포함할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 장치는 수증기 및 H2를 서로 독립적으로 제공하도록 구성될 수 있으며, 이로써, 진공 챔버(210) 내의 프로세싱 가스 분위기(222)의 수증기 함량(content) 및/또는 H2 함량이 독립적으로 제어될 수 있다.
[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스를 포함할 수 있다. 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스는, 예컨대, 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스와 진공 챔버를 연결하는 별개의 가스 유입구를 통해 불활성 가스를 수증기 및/또는 H2와 별개로 프로세싱 가스 분위기에 제공하도록 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 프로세싱 가스 분위기에 제공되는 불활성 가스의 양을 제어하도록 구성된 불활성 가스 유동 제어기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스는, 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있는 불활성 가스/수증기 혼합물을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 불활성 가스/수증기 혼합물은, 불활성 가스/수증기 혼합물이 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공되기 이전에, 제3 가스 소스로부터의 불활성 가스와 제1 가스 소스로부터의 수증기를 혼합함으로써 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스는, 예컨대, 제2 가스 유입구를 통해, 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있는 불활성 가스/H2 혼합물을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/H2 혼합물은, 불활성 가스/H2 혼합물이 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공되기 이전에, 제3 가스 소스로부터의 불활성 가스와 제2 가스 소스로부터의 H2를 혼합함으로써 제공될 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 수증기를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제1 가스 소스가 불활성 가스/수증기 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력(partial pressure)은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 수증기의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 수증기 부분 압력의 상한과 수증기 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 H2를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제2 가스 소스가 불활성 가스/H2 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/H2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 하한 내지 불활성 가스 부분 압력의 상한에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/H2 혼합물에서의 H2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 H2 부분 압력의 하한 내지 H2 부분 압력의 상한에서 선택될 수 있다.
[0023] 예시적으로 도 1을 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 배출구 도관에 연결된 배출구 포트(233)를 포함할 수 있고, 배출구 포트(233)는 진공 챔버(210)의 진공을 제공하기 위한 배출구 펌프(236)와 유체 연결(fluid connection)된다.
[0024] 도 1에 예시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치는, 기판(300) 상에 증착된 층 스택을 에칭하기 위한 에칭 디바이스(280)를 포함할 수 있다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 에칭 디바이스(280)는 진공 챔버(210)의 외부에 로케이팅될 수 있다. 예컨대, 에칭 디바이스(280)는 층 스택의 증착이 진공 록(lock) 챔버(290)를 통해 수행되는 진공 챔버(210)에 연결될 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 록 챔버(290)는 진공 챔버(210)의 측벽에 배치될 수 있다. 진공 록 챔버(290)는 프로세싱 가스 분위기를 에칭 디바이스(280) 내부의 분위기와 분리시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 에칭 디바이스는 에칭 소스(281)를 갖는 에칭 챔버로서 구성될 수 있다. 에칭 소스(281)는 건식(dry) 화학 에칭 또는 습식(wet) 화학 에칭을 위해 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방사선(radiation)에 대한 노출을 통해 층 스택을 구조화(structuring)하기 위한 포토레지스트 코팅이, 에칭 이전에 적용될 수 있다.
[0025] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치는, 층 스택의 증착이 진공 록 챔버(290)를 통해 수행되는 진공 챔버(210)로부터 에칭 디바이스(280) 내로 기판을 운송하도록 구성될 수 있다.
[0026] 도 1에 예시된 바와 같이, 진공 챔버(210) 내에, 제1 증착 소스(223a) 및 제2 증착 소스(223b)가 제공될 수 있다. 증착 소스들은, 예컨대, 기판 상에 증착될 재료의 타겟들을 갖는 회전 가능한 캐소드들일 수 있다. 특히, 타겟은 ITO(indium tin oxide) 함유 타겟, 특히, ITO 90/10 함유 타겟일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, ITO 90/10은 인듐 옥사이드(In2O3) 및 주석 옥사이드(SnO2)를 In2O3 : SnO2 = 90:10의 비율로 포함한다.
[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 캐소드들은 캐소드 내부에 자석 조립체들(221a, 221b)이 구비된 회전 가능한 캐소드들일 수 있다. 따라서, 본원에서 설명된 바와 같은 장치를 이용하여, 층을 증착시키기 위해 마그네트론 스퍼터링이 수행될 수 있다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제1 증착 소스(223a) 및 제2 증착 소스(223b)의 캐소드들은 전력 공급부(250)에 연결될 수 있다. 증착 프로세스의 성질에 따라서, 캐소드들은 AC(alternating current) 전력 공급부 또는 DC(direct current) 전력 공급부에 연결될 수 있다. 예컨대, 예를 들어 투명 전도성 옥사이드 막(film)을 위한 인듐 옥사이드 타겟으로부터의 스퍼터링은 DC 스퍼터링으로서 수행될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 방법으로 생산되는 제1 층 및/또는 제2 층은 인듐 옥사이드 타겟으로부터 DC 모드로 스퍼터링될 수 있다. DC 스퍼터링의 경우, 제1 증착 소스(223a)는 제1 DC 전력 공급부에 연결될 수 있고, 제2 증착 소스(223b)는 제2 DC 전력 공급부에 연결될 수 있다. 따라서, DC 스퍼터링의 경우 제1 증착 소스(223a) 및 제2 증착 소스(223b)는 개별 DC 전력 공급부들을 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, DC 스퍼터링은 펄스식(pulsed)-DC 스퍼터링, 특히 양극(bipolar)-펄스식-DC 스퍼터링을 포함할 수 있다. 따라서, 전력 공급부는 펄스식-DC를 제공하도록, 특히 양극-펄스식-DC를 제공하도록 구성될 수 있다. 특히, 제1 증착 소스(223a)를 위한 제1 DC 전력 공급부 및 제2 증착 소스(223b)를 위한 제2 DC 전력 공급부는 펄스식-DC 전력을 제공하도록, 특히 양극-펄스식-DC를 제공하도록 구성될 수 있다. 도 1에서, 코팅될 기판(300) 및 증착 소스들의 수평 어레인지먼트가 도시된다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 코팅될 기판(300) 및 증착 소스들의 수직 어레인지먼트가 사용될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 수직 구성(setup)의 층 스택을 에칭하도록 구성된 에칭 디바이스가 제공될 수 있다.
[0028] 예시적으로 도 1을 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기(222)의 조성(composition)을 측정하기 위해 진공 챔버(210)에 센서(270)가 제공될 수 있다. 특히, 센서(270)는 본원에서 특정된 바와 같은 각각의 함량 범위들 내의 불활성 가스, H2, O2 및 잔여 가스의 함량을 측정하도록 구성될 수 있다.
[0029] 도 1에 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 센서(270), 제1 질량 유동 제어기(234) 및 제2 질량 유동 제어기(235)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 및 배출구 펌프(236)는 제어기(240)에 연결될 수 있다. 제어기(240)는 제1 질량 유동 제어기(234) 및 제2 질량 유동 제어기(235)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 불활성 가스 유동 제어기, 및 배출구 펌프(236)를 제어할 수 있고, 이로써, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 프로세싱 분위기가 진공 챔버(210)에서 생성되고 유지될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 선택된 제1 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분들 및 설명된 바와 같은 조성을 갖는 선택된 제2 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분들이 서로로부터 독립적으로 제어될 수 있다. 특히, 제어기는, 본원에서 설명된 바와 같은 선택된 조성으로 제1 프로세싱 가스 분위기 및 본원에서 설명된 바와 같은 선택된 조성으로 제2 프로세싱 가스 분위기를 설정하기 위해 H2의 유동, O2의 유동, 및 불활성 가스의 유동이 서로 독립적으로 제어될 수 있도록 가스 분배 시스템을 제어하게 구성될 수 있다. 따라서, 선택된 프로세싱 가스 분위기의 조성은 매우 정확하게 조정될 수 있다.
[0030] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제어기(240)는 전력 공급부(250)에 연결될 수 있다. 대안적으로, 예컨대, DC 스퍼터링의 경우, 제어기는 제1 DC 전력 공급부 및 제2 DC 전력 공급부에 연결될 수 있다. 또한, 제어기는, 제1 전력에 대한 각각의 하한 및 상한에 의해 본원에서 특정되는 바와 같은 제1 전력 범위 내에서 제1 증착 소스(223a) 및 제2 증착 소스(223b)에 공급되는 제1 전력을 제어하도록 구성될 수 있다. 따라서, 제어기는, 제2 전력에 대한 각각의 하한 및 상한에 의해 본원에서 특정되는 바와 같은 제2 전력 범위 내에서 제1 증착 소스(223a) 및 제2 증착 소스(223b)에 공급되는 제2 전력을 제어하도록 구성될 수 있다.
[0031] 본원에서 설명된 바와 같은 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치(200)가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법을 수행하는 데에 사용되는 경우에, 기판(300)은, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 소스들 아래에 배치될 수 있다. 기판(300)은 기판 지지부(310) 상에 배열될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 코팅될 기판을 위한 기판 지지 디바이스가 진공 챔버에 배치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지 디바이스는 컨베잉 롤들(conveying rolls), 자석 안내 시스템들, 및 추가적인 피처들을 포함할 수 있다. 기판 지지 디바이스는 코팅될 기판을 진공 챔버(210) 안팎으로 구동하기 위한 기판 구동 시스템을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판 구동 시스템은, 코팅되지 않은 기판을 진공 챔버 내로 운송하고, 예컨대, 본원에서 설명된 바와 같은 층 스택으로 코팅된 기판을 진공 챔버(210)로부터 에칭 디바이스(280) 내로 운송하도록 구성될 수 있다.
[0032] 예시적으로 도 2를 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 O2를 위한 제3 가스 유입구(238)에서 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제3 가스 유입구(238)는 프로세싱 가스 분위기(222)에 제공되는 O2의 양을 제어하도록 구성된 제3 질량 유동 제어기(237), 예컨대, 제3 밸브를 갖는 제3 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다.
[0033] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 O2를 제공하기 위한 제4 가스 소스를 포함할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 장치는 수증기, H2, 및 O2를 서로 독립적으로 제공하도록 구성될 수 있으며, 이로써, 진공 챔버(210) 내의 프로세싱 가스 분위기(222)의 수증기 함량 및/또는 H2 함량 및/또는 O2 함량이 독립적으로 제어될 수 있다.
[0034] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 O2를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제4 가스 소스가 불활성 가스/O2 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/O2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/O2 혼합물에서의 O2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 O2 부분 압력의 상한과 O2 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.
[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 불활성 가스를 제공하기 위한 제3 가스 소스는, 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있는 불활성 가스/O2 혼합물을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 불활성 가스/O2 혼합물은, 불활성 가스/O2 혼합물이 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공되기 이전에, 제3 가스 소스로부터의 불활성 가스와 제4 가스 소스로부터의 O2를 혼합함으로써 제공될 수 있다.
[0036] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템(230)은 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기의 원하는 압력을 제공하기 위한 펌프들 및/또는 압축기들을 포함할 수 있다. 특히, 가스 분배 시스템은, 불활성 가스, H2, 수증기, 및 O2의 각각의 부분 압력 상한 및 부분 압력 하한에 의해 본원에서 특정된 바와 같은 각각의 부분 압력 범위들에 따라, 불활성 가스의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 H2의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 수증기의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 O2의 부분 압력을 제공하기 위한 펌프들 및/또는 압축기들을 포함할 수 있다.
[0037] 도 2에 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 센서(270), 제1 질량 유동 제어기(234), 제2 질량 유동 제어기(235), 및 제3 질량 유동 제어기(237)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 및 배출구 펌프(236)는 제어기(240)에 연결될 수 있다. 제어기(240)는 제1 질량 유동 제어기(234), 제2 질량 유동 제어기(235), 및 제3 질량 유동 제어기(237)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 및 배출구 펌프(236)를 제어할 수 있고, 이로써, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 프로세싱 분위기가 진공 챔버(210)에서 생성되고 유지될 수 있다.
[0038] 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 장치는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 층 스택을 제조하는 방법을 채용함으로써 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하도록 구성된다.
[0039] 도 3은, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법을 예시하는 블록도를 도시한다. 방법(100)은 프로세싱 파라미터들의 제1 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제1 층을 스퍼터링함으로써 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계(101)를 포함한다. 또한, 방법은 프로세싱 파라미터들의 제1 세트와 상이한 프로세싱 파라미터들의 제2 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제2 층을 제1 층 상에 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는 층 스택의 높은 에칭성에 대해 적응되고, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는 층 스택의 낮은 저항에 대해 적응된다. 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 방법은 에칭에 의해, 예컨대, 화학 에칭, 특히, 습식 화학 에칭에 의해 층 스택을 패터닝하는 단계(102)를 포함한다.
[0040] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, "프로세싱 파라미터들의 제1 세트가 층 스택의 높은 에칭성에 대해 적응된다"는 표현은, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트가, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트에 의해 특정된 스퍼터 조건들 하에서 스퍼터링된 제1 층의 분자 구조가 에칭, 예컨대, 화학 에칭, 특히 습식 화학 에칭에 대해 적응되도록, 적응된다는 것으로 이해될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트에 의해 특정된 스퍼터 조건들 하에서 스퍼터링된 제1 층의 분자 구조가, 본원에서 특정된 바와 같은 하한 내지 상한의 비결정질 구조의 정도를 갖도록, 적응될 수 있다.
[0041] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, "프로세싱 파라미터들의 제1 세트가 층 스택의 높은 에칭성에 대해 적응된다"는 표현은, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트가, 층 스택의 제1 층의 에칭성이, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트에 의해 특정된 스퍼터 조건들 하에서 스퍼터링된 층 스택의 제2 층의 에칭성보다 더 양호하도록, 적응된다는 것으로 이해될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는, 제1 층에서의 비결정질 구조의 정도가 제2 층에서의 비결정질 구조의 정도보다 더 높도록 적응될 수 있다. 따라서, 제1 층의 에칭성은 층 스택의 에칭성에 영향을 줄 수 있다.
[0042] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, "프로세싱 파라미터들의 제2 세트가 층 스택의 낮은 저항에 대해 적응된다"는 표현은, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트가, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트에 의해 특정된 스퍼터 조건들 하에서 스퍼터링된 층 스택의 제2 층이 100μOhm cm의 하한, 특히 125μOhm cm의 하한, 더 특히 150μOhm cm의 하한 내지 200μOhm cm의 상한, 특히 250μOhm cm의 상한, 더 특히 300μOhm cm의 상한의 범위의 저항률을 갖도록, 적응된다는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 제2 층의 시트 저항은 층 스택의 시트 저항에 영향을 줄 수 있다.
[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 스퍼터링함으로써 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계(101)는, ITO(indium tin oxide) 함유 타겟, 특히 ITO 90/10 함유 타겟으로부터의 스퍼터링을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, ITO 90/10은 인듐 옥사이드(In2O3) 및 주석 옥사이드(SnO2)를 In2O3 : SnO2 = 90:10의 비율로 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계(101)는 상온에서 수행될 수 있다.
[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는, 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량; 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량; 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량; 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력; 및 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 제1 파라미터를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 층을 증착시키는 단계는 상온에서 수행될 수 있다.
[0045] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량은 2.2%의 하한, 특히 4.2%의 하한, 더 특히 6.1%의 하한 내지 10%의 상한, 특히 15.0%의 상한, 더 특히 20.0%의 상한의 범위일 수 있다. H2의 하한들에 대해, H2의 폭발(explosion) 하한은 4.1%이고 불활성화(inertisation) 하한은 6.0%라는 것이 이해되어야 한다. 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한에서 선택된 제1 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제1 층, 특히 층 스택의 제1 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 에칭성이 조정될 수 있다. 특히, 층 스택의 에칭성은, 예컨대, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량에 의해 제어될 수 있는, 층 스택의 비결정질 구조의 정도에 따른다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량을 증가시킴으로써, 층 스택의 제1 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다. 따라서, 층 스택의 에칭성이 개선될 수 있다.
[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량은 0.0%의 하한, 특히 2.0%의 하한, 더 특히 4.0%의 하한 내지 6.0%의 상한, 특히 8.0%의 상한, 더 특히 10.0%의 상한의 범위일 수 있다. 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 제1 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제1 층, 특히 층 스택의 제1 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 에칭성이 조정될 수 있다. 특히, 층 스택의 에칭성은, 예컨대, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량에 의해 제어될 수 있는, 층 스택의 비결정질 구조의 정도에 따른다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량을 증가시킴으로써, 층 스택의 제1 층의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다. 따라서, 층 스택의 에칭성이 개선될 수 있다.
[0047] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 수증기 대 H2의 비율은 1:1의 하한, 특히 1:1.25의 하한, 더 특히 1:1.5의 하한 내지 1:2의 상한, 특히 1:3의 상한, 더 특히 1:4의 상한의 범위이다. 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기 대 H2 함량의 비율이 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도에 대한 제어가 개선된다. 따라서, 비결정질 구조의 정도는, 예컨대, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 오직 수증기에 의해서만 제어될 수 있는 경우와 비교하여, 더 정확하게 제어될 수 있다.
[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량은 0.5%의 하한, 특히 1.0%의 하한, 더 특히 1.5%의 하한 내지 3.0%의 상한, 특히 4.0%의 상한, 더 특히 15.0%의 상한의 범위일 수 있다.
[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들이, 제1 프로세싱 가스 분위기로 진공 챔버를 채우기에 앞서서, 혼합될 수 있다. 따라서, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 제1 층의 증착 동안, 제1 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들은 동일한 가스 샤워기들(showers)을 통해 유동할 수 있다. 특히, 본원에서 설명된 바와 같은 제1 프로세싱 가스 분위기의 선택된 조성에 따라, H2, 수증기, O2, 및 불활성 가스는 동일한 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버에 공급될 수 있다. 예컨대, 선택된 제1 프로세싱 가스 분위기의 가스성 구성 성분들은, 선택된 제1 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 혼합 유닛에서 혼합될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 층 스택을 증착시키기 위한 장치는, 선택된 제1 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 선택된 제1 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들을 혼합하기 위한 혼합 유닛을 포함할 수 있다. 따라서, 매우 균질한 제1 프로세싱 가스 분위기가 진공 챔버에 확립될 수 있다.
[0050] 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 수증기 함량 및/또는 H2 함량을 갖는 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 함유 타겟으로부터 층 스택의 제1 층을 스퍼터링함으로써, 결정질 ITO 상(phase)의 형성이 억제될 수 있다. 이를 고려하여, 예컨대, 화학적 에칭에 의한, 스퍼터링된 옥사이드 층의 후속 패터닝의 경우에, 옥사이드 층 상에서의 결정질 ITO 잔여물들의 감소가 달성될 수 있다. 따라서, TFT 디스플레이 제조를 위해 채용되는 패터닝된 옥사이드 층의 품질이 증가될 수 있다. 또한, 본원에서 설명되는 바와 같은 수증기 함량 및 H2 함량을 갖는 프로세싱 가스 분위기를 제공함으로써, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 가연성 및 폭발의 위험이 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력은 0.2Pa의 하한, 특히 0.3Pa의 하한, 더 특히 0.4Pa의 하한 내지 0.6Pa의 상한, 특히 0.7Pa의 상한, 더 특히 0.8Pa의 상한의 범위일 수 있다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기의 총 압력은 0.3Pa일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제1 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 에칭성이 조정될 수 있다. 특히, 층 스택의 에칭성은, 예컨대, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 총 압력에 의해 제어될 수 있는, 층 스택의 비결정질 구조의 정도에 따른다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기의 총 압력을 증가시킴으로써, 층 스택의 제1 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다. 따라서, 층 스택의 에칭성이 개선될 수 있다.
[0052] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력은 1kW의 하한, 특히 2kW의 하한, 더 특히 4kW의 하한 내지 5kW의 상한, 특히 10kW의 상한, 더 특히 15kW의 상한의 범위일 수 있다. 예컨대, 2.7m의 타겟 길이를 갖는 8.5세대 타겟을 사용하는 경우, 타겟에 0.4kW/m 내지 5.6kW/m의 범위의 전력이 제공될 수 있다. 따라서, 타겟에 공급되는 제1 전력의 각각의 하한들 및 상한들이 타겟의 길이에 대해 정규화될(normalized) 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 본원에서 설명되는 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 제1 전력으로 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제1 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도가 조정될 수 있다. 특히, 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력을 감소시킴으로써, 층 스택의 제1 층의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다.
[0053] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는, 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량; 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량; 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량; 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력; 및 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 제2 파라미터를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 층을 증착시키는 단계는 상온에서 수행될 수 있다.
[0054] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량은 0.5%의 하한, 특히 1.0%의 하한, 더 특히 1.5%의 하한 내지 3.0%의 상한, 특히 4.0%의 상한, 더 특히 15.0%의 상한의 범위일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 제2 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제2 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 시트 저항이, 낮은 저항에 대해 조정 및 최적화될 수 있다. 특히, 낮은 저항에 대해 시트 저항을 최적화하기 위해, O2의 함량은 하위 임계값과 상위 임계값 사이의 범위에서 선택되어야 한다. 예컨대, O2의 함량이 하위 임계값 미만이거나 상위 임계값 초과인 경우, 시트 저항에 대해서 상대적으로 높은 값들을 얻을 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들은 낮은 저항에 대해 옥사이드 층 스택들의 시트 저항을 조정 및 최적화하는 것을 제공한다.
[0055] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량은 2.2%의 하한, 특히 5.0%의 하한, 더 특히 7.0%의 하한 내지 10%의 상한, 특히 15.0%의 상한, 더 특히 20.0%의 상한의 범위일 수 있다.
[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량은 0.0%의 하한, 특히 2.0%의 하한, 더 특히 4.0%의 하한 내지 6.0%의 상한, 특히 8.0%의 상한, 더 특히 10.0%의 상한의 범위일 수 있다.
[0057] 제2 프로세싱 가스 분위기가 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2를 포함하는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2의 각각의 함량들은 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
[0058] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들이, 제2 프로세싱 가스 분위기로 진공 챔버를 채우기에 앞서서, 혼합될 수 있다. 따라서, 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 제2 층의 증착 동안, 제2 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들은 동일한 가스 샤워기들을 통해 유동할 수 있다. 특히, 본원에서 설명된 바와 같은 제2 프로세싱 가스 분위기의 선택된 조성에 따라, H2, 수증기, O2, 및 불활성 가스는 동일한 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버에 공급될 수 있다. 예컨대, 선택된 제2 프로세싱 가스 분위기의 가스성 구성 성분들은, 선택된 제2 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 혼합 유닛에서 혼합될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 층 스택을 증착시키기 위한 장치는, 선택된 제2 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 선택된 제2 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들을 혼합하기 위한 혼합 유닛을 포함할 수 있다. 따라서, 매우 균질한 제2 프로세싱 가스 분위기가 진공 챔버에 확립될 수 있다.
[0059] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력은 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력보다 더 낮을 수 있다. 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력은 0.2Pa의 하한, 특히 0.3Pa의 하한, 더 특히 0.4Pa의 하한 내지 0.6Pa의 상한, 특히 0.7Pa의 상한, 더 특히 0.8Pa의 상한의 범위일 수 있다. 특히, 제2 프로세싱 가스 분위기의 총 압력은 0.3Pa일 수 있다. 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력이, 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력보다 더 낮게 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제2 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 결정화도(crystallinity)가 조정될 수 있다. 특히, 층 스택의 결정화도는, 예컨대, 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 제2 총 압력에 의해 제어될 수 있다. 특히, 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력을 감소시킴으로써, 층 스택의 제2 층에서의 결정화도의 정도가 증가될 수 있다.
[0060] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 층을 스퍼터링하기 위해 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력은 제1 층을 스퍼터링하기 위해 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력보다 더 높을 수 있다. 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력은 5kW의 하한, 특히 8kW의 하한, 더 특히 10kW의 하한 내지 13kW의 상한, 특히 16kW의 상한, 더 특히 20kW의 상한의 범위일 수 있다. 예컨대, 2.7m의 타겟 길이를 갖는 8.5세대 타겟을 사용하는 경우, 타겟에 1.9kW/m 내지 7.4kW/m의 범위의 전력이 제공될 수 있다. 따라서, 타겟에 공급되는 제2 전력의 각각의 하한들 및 상한들이 타겟의 길이에 대해 정규화될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 본원에서 설명되는 바와 같은 하한 내지 상한에서 선택된 제2 전력으로 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 층 스택의 제2 층을 스퍼터링함으로써, 층 스택의 결정화도가 조정될 수 있다. 특히, 층 스택의 결정화도는, 예컨대, 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력에 의해 제어될 수 있다. 특히, 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력을 증가시킴으로써, 층 스택의 제2 층의 결정화도의 정도가 증가될 수 있다.
[0061] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, O2, 및 불활성 가스를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 제1 프로세싱 가스 분위기의 구성물들의 함량은 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 특히, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 수증기, H2, O2, 및 불활성 가스의 함량은 제1 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다. 불활성 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논, 또는 라돈으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 불활성 가스는 아르곤(Ar)일 수 있다.
[0062] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력은, 예컨대, 제1 프로세싱 가스 분위기 또는 제2 프로세싱 가스 분위기에 대해서 0.0%의 수증기 함량의 하한이 선택된 경우에 0.0Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 제1 프로세싱 가스 분위기에 대해서 10.0%의 수증기 함량의 상한이 선택된 경우에 0.08Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.
[0063] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 수증기 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.
[0064] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 제1 프로세싱 가스 분위기에 대해서 2.2%의 H2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.0044Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 제1 프로세싱 가스 분위기에 대해서 20.0%의 H2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.16Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.
[0065] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 H2 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.
[0066] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, O2, 및 불활성 가스를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 제2 프로세싱 가스 분위기의 구성물들의 함량은 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 특히, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 수증기, H2, O2, 및 불활성 가스의 함량은 제2 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다. 불활성 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논, 또는 라돈으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 불활성 가스는 아르곤(Ar)일 수 있다. 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기 및 H2의 부분 압력들 및 함량들은, 제1 프로세싱 가스 분위기에 대한 각각의 상한 및 하한에 의해 본원에서 특정된 범위들 내에서 선택될 수 있다.
[0067] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 0.5%의 O2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.001Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 15.0%의 O2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.12Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.
[0068] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 O2 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.
[0069] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기 및/또는 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 함량은 55%의 하한, 특히 73%의 하한, 더 특히 81%의 하한 내지 87.5%의 상한, 특히 92.0%의 상한, 더 특히 97.3%의 상한의 범위일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 투명 전도성 옥사이드 층의 품질이 보장될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같이 불활성 가스를 프로세싱 가스 분위기에 제공함으로써, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 가연성 및 폭발의 위험이 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
[0070] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기 및/또는 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 55%의 불활성 가스 함량의 하한, 10%의 수증기 함량의 상한, 20%의 H2 함량의 상한, 및 15.0%의 O2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.11Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 97.3%의 불활성 가스 함량의 상한, 0.0%의 수증기 함량의 하한, 2.2%의 H2 함량의 하한, 및 0.5%의 O2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.7784Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.
[0071] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 불활성 가스 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.
[0072] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택의 에칭성을 제어하기 위해, 예컨대, 제1 층의 비결정질 구조의 정도를 제어함으로써, 예컨대, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량 및/또는 수증기의 함량을 제어함으로써, 제1 프로세싱 분위기가 선택되고 제어될 수 있다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량 및/또는 수증기의 함량을 증가시킴으로써, 제1 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다. 특히, 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량을 증가시킴으로써, 특히, 기판과 제1 층 사이의 계면(interface)에서의 결정립들(crystalline grains)의 개수가 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택의 에칭성은 오직 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량을 제어하는 것에 의해서만 개선될 수 있다. 이는, 특히, 수증기가 또한, 층 스택의 에칭성에 부가하여 저항률에도 영향을 줄 수 있기 때문에, 층 스택 특성들의 저항률의 조정에 대해 유리할 수 있다.
[0073] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택의 시트 저항(104)을 제어하기 위해, 예컨대, 제2 층의 증착 동안 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량을 제어함으로써, 제2 프로세싱 분위기가 선택되고 제어될 수 있다. 특히, 어닐링 이후 낮은 저항에 대해 층 스택의 시트 저항을 최적화하기 위해, 층 증착 동안 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량은 본원에서 설명된 바와 같은 하한과 상한 사이의 범위에서 선택되어야 한다. 실시예들에 따르면, 층 증착 이후에 어닐링 절차가, 예컨대, 200°C 내지 250°C의 온도 범위에서 수행될 수 있다.
[0074] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택의 어닐링 이후의 저항률은 100μOhm cm의 하한, 특히 120μOhm cm의 하한, 더 특히 150μOhm cm의 하한 내지 250μOhm cm의 상한, 특히 275μOhm cm의 상한, 더 특히 300μOhm cm의 상한의 범위일 수 있다. 특히, 층 스택의 어닐링 이후의 저항률은 대략 230μOhm cm일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 층 스택의 저항률은 제2 층에 의해 결정될 수 있다.
[0075] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, 불활성 가스, 및 잔여 가스로 구성될 수 있다. 수증기, H2, 불활성 가스, 및 잔여 가스로 구성된 제1 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기, H2, 불활성 가스, 및 잔여 가스의 함량은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 하한 내지 각각의 상한에서 선택될 수 있다.
[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성될 수 있다. 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성된 제2 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2의 함량은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 하한 내지 각각의 상한에서 선택될 수 있다.
[0077] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 잔여 가스는 제1 프로세싱 가스 분위기 또는 제2 프로세싱 가스 분위기의 임의의 불순물 또는 임의의 오염 물질일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 잔여 가스의 함량은 각각의 프로세싱 가스 분위기의 0.0% 내지 1.0%일 수 있다. 특히, 잔여 가스의 함량은 각각의 프로세싱 가스 분위기의 0.0%일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 가스 분위기의 구성물들의 함량은 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
[0078] 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 장치를 이용하여, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법을 채용함으로써, 도 4b에 예시적으로 도시된 바와 같은 패터닝된 층 스택(334)이 제조될 수 있다. 도 4a에서, 패터닝 이전, 특히, 에칭에 의한 패터닝 이전의 층 스택(333)이 도시된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법에 의해 제조되는 패터닝된 층 스택(334)의 실시예들에 따르면, 층 스택은 제1 층(311) 및 제2 층(312)을 포함할 수 있다. 제1 층(311)은 기판(300) 바로 위에 증착될 수 있다. 제2 층(312)은, 도 4a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제1 층(312) 바로 위에 증착될 수 있다.
[0079] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 층은 10nm의 하한, 특히 15nm의 하한, 더 특히 20nm의 하한 내지 30nm의 상한, 특히 40nm의 상한, 더 특히 50nm의 상한의 범위의 제1 두께(T1)를 가질 수 있다.
[0080] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 층은 30nm의 하한, 특히 40nm의 하한, 더 특히 50nm의 하한 내지 70nm의 상한, 특히 85nm의 상한, 더 특히 150nm의 상한의 범위의 제2 두께(T2)를 가질 수 있다.
[0081] 도 4b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 패터닝된 층 스택(334)은 주기적으로(regularly) 이격된 공동들(330)을 포함할 수 있다. 공동들은 화학 에칭, 특히, 습식 화학 에칭을 사용함으로써 생성될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방사선(radiation)에 대한 노출을 통해 층 스택을 구조화(structuring)하기 위한 포토레지스트 코팅이, 에칭 이전에 적용될 수 있다. 또한, 공동들은 제1 층의 제1 두께(T1)와 제2 층의 제2 두께(T2)의 합에 대응하는 깊이를 가질 수 있다.
[0082] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 층 스택을 제조하는 방법에 의해 제조된 층 스택이 전자 디바이스에, 특히, 광-전자 디바이스에 채용될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 층 스택을 전자 디바이스에 제공함으로써, 전자 디바이스의 품질이 개선될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치가, 고품질 및 저비용의 TFT 디스플레이 제조를 제공한다는 점이 당업자에 의해 이해될 것이다.

Claims (15)

  1. 디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법(100)으로서,
    프로세싱 파라미터들의 제1 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제1 층을 스퍼터링함으로써 층 스택을 기판 상에 증착시키는 단계(101);
    상기 프로세싱 파라미터들의 제1 세트와 상이한 프로세싱 파라미터들의 제2 세트를 이용하여 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 제2 층을 상기 제1 층 상에 스퍼터링하는 단계 ― 상기 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는 상기 층 스택의 높은 에칭성(etchability)에 대해 적응되고, 상기 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는 상기 층 스택의 낮은 저항에 대해 적응됨 ―; 및
    에칭에 의해 상기 층 스택을 패터닝하는 단계(102)를 포함하는,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는,
    - 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량;
    - 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량;
    - 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량;
    - 상기 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력; 및
    - 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력
    으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 제1 파라미터를 포함하는,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량은 2.2% 내지 20.0%인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량은 0.0% 내지 10%인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력은 0.2Pa 내지 0.8Pa인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력은 0.4kW/m 내지 5.6kW/m인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는,
    - 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량;
    - 상기 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량;
    - 상기 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량;
    - 상기 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력; 및
    - 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력
    으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 제2 파라미터를 포함하는,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량은 0.5% 내지 15.0%인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력은 0.2Pa 내지 0.8Pa인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력은 1.9kW/m 내지 7.4kW/m인,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 층은 10nm 내지 50nm의 두께를 갖고, 상기 제2 층은 30nm 내지 150nm의 두께를 갖는,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟은 ITO(indium tin oxide), 특히, ITO 90/10 함유 타겟이고,
    상기 프로세싱 파라미터들의 제1 세트는,
    - 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2 함량 ― 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량은 2.2% 내지 20.0%임 ―;
    - 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량 ― 상기 수증기의 함량은 0.0% 내지 10%임 ―;
    - 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2 함량 ― 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량은 0.5% 내지 15.0%임 ―;
    - 상기 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력 ― 상기 제1 프로세싱 가스 분위기의 제1 총 압력은 0.2Pa 내지 0.8Pa임 ―; 및
    - 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력 ― 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제1 전력은 0.4kW/m 내지 5.6kW/m임 ―
    으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 제1 파라미터를 포함하며,
    상기 프로세싱 파라미터들의 제2 세트는,
    - 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2 함량 ― 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 H2-함량은 2.2% 내지 20.0%임 ―;
    - 상기 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 수증기의 함량 ― 상기 수증기의 함량은 0.0% 내지 10%임 ―;
    - 제2 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2 함량 ― 상기 제1 프로세싱 가스 분위기에 제공된 O2-함량은 0.5% 내지 15.0%임 ―;
    - 상기 제2 프로세싱 가스 분위기의 제2 총 압력 ― 상기 제2 프로세싱 가스 분위기의 총 압력은 0.2Pa 내지 0.8Pa임 ―; 및
    - 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력 ― 상기 인듐 옥사이드 함유 타겟에 공급되는 제2 전력은 1.9kW/m 내지 7.4kW/m임 ―
    으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 파라미터를 포함하고,
    상기 제1 층은 20nm 내지 50nm의 두께를 가지며, 상기 제2 층은 30nm 내지 150nm의 두께를 갖는,
    디스플레이 제조를 위한 패터닝된 층 스택을 제조하는 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 방법(100)에 의해 제조된, 전자 디바이스를 위한 패터닝된 층 스택(334).
  14. 제 13 항에 따른 패터닝된 층 스택(334)을 포함하는 전자 디바이스.
  15. 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치(200)로서,
    진공 챔버(210);
    투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 상기 진공 챔버(210) 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들(220a, 220b);
    상기 진공 챔버(210) 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230);
    특히, 상기 층 스택을 에칭하기 위한 에칭 디바이스(280); 및
    상기 가스 분배 시스템(230)에 연결되고, 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240) ― 상기 프로그램 코드의 실행 시에, 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따른 방법(100)이 수행됨 ― 를 포함하는,
    디스플레이 제조를 위한 층 스택을 증착시키기 위한 장치.
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