JPH0950712A - 透明導電膜及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜及びその形成方法Info
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- JPH0950712A JPH0950712A JP7200637A JP20063795A JPH0950712A JP H0950712 A JPH0950712 A JP H0950712A JP 7200637 A JP7200637 A JP 7200637A JP 20063795 A JP20063795 A JP 20063795A JP H0950712 A JPH0950712 A JP H0950712A
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- Japan
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- ito
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Abstract
(57)【要約】
【構成】酸素欠乏したＩＴＯターゲット３、及び水蒸気
と水素の混合ガスからなる雰囲気ガスを用いて、スパッ
タ法で非晶質ＩＴＯ薄膜を形成する。 【効果】膜中に存在する酸素に対する水素の比率が増加
する結果、微結晶量が低減する。
と水素の混合ガスからなる雰囲気ガスを用いて、スパッ
タ法で非晶質ＩＴＯ薄膜を形成する。 【効果】膜中に存在する酸素に対する水素の比率が増加
する結果、微結晶量が低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜及びその形成
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ａ−ＩＴＯ膜は、室温から２００℃程度
までの比較的低温で形成できるため、耐熱性の低い、例
えば、プラスチック基板の上に形成できる。従って、プ
ラスチック基板を用いた軽量、低価格液晶ディスプレイ
用の透明電極材料として将来的に有望である。このよう
な特徴をもつａ−ＩＴＯ膜は、従来、主にスパッタ法で
形成されるが、その場合は特開平2−163363 号公報に示
されるように、ターゲットとしてＩｎ2Ｏ3へＳｎＯ2 を
混入したＩＴＯ焼結ターゲットを用い、Ａｒ等の不活性
ガスからなるスパッタガスに水蒸気或いはＨ2ＯとＯ2の
混合ガスを混入させて形成されていた。各ガスの混入量
を調整することで、ａ−ＩＴＯ膜中の酸素と水素の組成
を制御して、良好な透過率，導電性、及び加工性を得る
ことが行われてきた。ここで、加工性が良好であると
は、基板上に形成したａ−ＩＴＯ膜をエッチングにより
パターン加工した際に、ＩＴＯ膜が除去されるべき基板
面上に、問題となる程度にＩＴＯ膜が残る(以下、残渣
と呼ぶ)ことがないことである。
までの比較的低温で形成できるため、耐熱性の低い、例
えば、プラスチック基板の上に形成できる。従って、プ
ラスチック基板を用いた軽量、低価格液晶ディスプレイ
用の透明電極材料として将来的に有望である。このよう
な特徴をもつａ−ＩＴＯ膜は、従来、主にスパッタ法で
形成されるが、その場合は特開平2−163363 号公報に示
されるように、ターゲットとしてＩｎ2Ｏ3へＳｎＯ2 を
混入したＩＴＯ焼結ターゲットを用い、Ａｒ等の不活性
ガスからなるスパッタガスに水蒸気或いはＨ2ＯとＯ2の
混合ガスを混入させて形成されていた。各ガスの混入量
を調整することで、ａ−ＩＴＯ膜中の酸素と水素の組成
を制御して、良好な透過率，導電性、及び加工性を得る
ことが行われてきた。ここで、加工性が良好であると
は、基板上に形成したａ−ＩＴＯ膜をエッチングにより
パターン加工した際に、ＩＴＯ膜が除去されるべき基板
面上に、問題となる程度にＩＴＯ膜が残る(以下、残渣
と呼ぶ)ことがないことである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ａ−ＩＴＯ膜
中には粒径約２０ｎｍの微結晶粒が点在する。微結晶粒
は、ａ−ＩＴＯ膜の導電率及び加工性を低下させる。導
電率の低下は、微結晶／非晶質界面で伝導電子が散乱さ
れ、抵抗を受けるために起きる。また、加工性の低下
は、微結晶は非晶質部よりもエッチング速度が約２桁小
さくエッチングされにくいために起きる。これは、非晶
質部が十分エッチングされた後でも、微結晶はエッチン
グされずに基板上に残り、残渣となるためである。
中には粒径約２０ｎｍの微結晶粒が点在する。微結晶粒
は、ａ−ＩＴＯ膜の導電率及び加工性を低下させる。導
電率の低下は、微結晶／非晶質界面で伝導電子が散乱さ
れ、抵抗を受けるために起きる。また、加工性の低下
は、微結晶は非晶質部よりもエッチング速度が約２桁小
さくエッチングされにくいために起きる。これは、非晶
質部が十分エッチングされた後でも、微結晶はエッチン
グされずに基板上に残り、残渣となるためである。
【０００４】従って、ａ−ＩＴＯ膜の導電性及び加工性
を向上するためには、膜中に形成される微結晶粒の発生
量を低減する必要がある。従来方法では、微結晶量は水
蒸気混入量の増加に伴い、一旦、減少した後、再び増加
した。微結晶量が最小になる最適水蒸気混入量でも、ａ
−ＩＴＯ膜が部分的に結晶化して、膜中に大きさ約２０
ｎｍの微結晶粒が１０個／μｍ2 程度散在した。このた
め、最適水蒸気混入量でも、残渣が部分的に発生し、導
電率は６００μΩｃｍ程度であった。
を向上するためには、膜中に形成される微結晶粒の発生
量を低減する必要がある。従来方法では、微結晶量は水
蒸気混入量の増加に伴い、一旦、減少した後、再び増加
した。微結晶量が最小になる最適水蒸気混入量でも、ａ
−ＩＴＯ膜が部分的に結晶化して、膜中に大きさ約２０
ｎｍの微結晶粒が１０個／μｍ2 程度散在した。このた
め、最適水蒸気混入量でも、残渣が部分的に発生し、導
電率は６００μΩｃｍ程度であった。
【０００５】従来の方法で、Ｈ2Ｏ 混入量の増加に伴
い、微結晶量が十分減少する前に再び増加し始める理由
は、以下に示すように、水蒸気がａ−ＩＴＯ膜結晶化の
抑制作用と促進作用を同時に有するためである。Ｈ2Ｏ
を添加しない場合、Ｓｎを無視した場合のＩＴＯ膜の組
成比は、化学量論比(Ｏ/Ｉｎ＝３/２)よりも酸素が欠乏
した状態になる(Ｏ／Ｉｎ＜３／２)。この場合、Ｉｎ−
Ｓｎ−Ｏネットワーク中には酸素欠損に起因したダング
リングボンド(未結合手)が存在し、原子が動きやすく結
晶化しやすい。水蒸気を混入すると、プラズマ中でのＨ
2Ｏ の分解によって発生したＯＨがＩＴＯ膜中に導入さ
れる。酸素に結合した水素がダングリングボンドを終端
するため、結晶化が抑制される。しかし、ＯＨは同時に
膜中の酸素量を増加させる。これにより、ＩＴＯ膜の組
成比が化学量論比に近づくと、再び結晶化しやすくな
る。
い、微結晶量が十分減少する前に再び増加し始める理由
は、以下に示すように、水蒸気がａ−ＩＴＯ膜結晶化の
抑制作用と促進作用を同時に有するためである。Ｈ2Ｏ
を添加しない場合、Ｓｎを無視した場合のＩＴＯ膜の組
成比は、化学量論比(Ｏ/Ｉｎ＝３/２)よりも酸素が欠乏
した状態になる(Ｏ／Ｉｎ＜３／２)。この場合、Ｉｎ−
Ｓｎ−Ｏネットワーク中には酸素欠損に起因したダング
リングボンド(未結合手)が存在し、原子が動きやすく結
晶化しやすい。水蒸気を混入すると、プラズマ中でのＨ
2Ｏ の分解によって発生したＯＨがＩＴＯ膜中に導入さ
れる。酸素に結合した水素がダングリングボンドを終端
するため、結晶化が抑制される。しかし、ＯＨは同時に
膜中の酸素量を増加させる。これにより、ＩＴＯ膜の組
成比が化学量論比に近づくと、再び結晶化しやすくな
る。
【０００６】本発明の目的は、ａ−ＩＴＯ膜の導電性及
び加工性をさらに向上させるため、従来よりも微結晶数
密度が少ない(１０個／μｍ2以下）ａ−ＩＴＯ膜及びそ
の形成方法を提供する。
び加工性をさらに向上させるため、従来よりも微結晶数
密度が少ない(１０個／μｍ2以下）ａ−ＩＴＯ膜及びそ
の形成方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このために、組成比が化
学量論的比よりも酸素欠乏側にずれた状態で、かつＨに
よってダングリングボンドが十分終端されたａ−ＩＴＯ
膜を形成する。即ち、ＩｎとＯの一定組成比に対して、
従来よりも水素含有量が多いａ−ＩＴＯ膜を形成する。
学量論的比よりも酸素欠乏側にずれた状態で、かつＨに
よってダングリングボンドが十分終端されたａ−ＩＴＯ
膜を形成する。即ち、ＩｎとＯの一定組成比に対して、
従来よりも水素含有量が多いａ−ＩＴＯ膜を形成する。
【０００８】これには、２通りの方法がある。第１の方
法は、化学量論比よりも酸素欠乏側にずれた組成比を有
するＩＴＯターゲットを用いること、第２の方法は、混
入ガスとしてＨ2ＯとＨ2の混合ガスを用いることであ
る。
法は、化学量論比よりも酸素欠乏側にずれた組成比を有
するＩＴＯターゲットを用いること、第２の方法は、混
入ガスとしてＨ2ＯとＨ2の混合ガスを用いることであ
る。
【０００９】
【作用】上記方法により、ＩｎとＯの一定組成比に対し
て、従来よりも水素含有量を増加できることを説明す
る。以下の議論では、Ｓｎは含有量が少ないため無視す
る。従来のＩＴＯターゲットを用いて、水蒸気を混入し
ないで形成した場合、ITO膜の組成比は化学量論比(Ｏ／
Ｉｎ＝３／２)から酸素が欠乏した状態にずれる。即
ち、Ｉｎ2Ｏ3-T（３＞Ｔ＞０）となる。
て、従来よりも水素含有量を増加できることを説明す
る。以下の議論では、Ｓｎは含有量が少ないため無視す
る。従来のＩＴＯターゲットを用いて、水蒸気を混入し
ないで形成した場合、ITO膜の組成比は化学量論比(Ｏ／
Ｉｎ＝３／２)から酸素が欠乏した状態にずれる。即
ち、Ｉｎ2Ｏ3-T（３＞Ｔ＞０）となる。
【００１０】水蒸気混入により、ＯＨがＩＴＯ膜中に組
成比で(ＯＨ)Ａだけ導入されると、ＩＴＯ膜の組成比
は、Ｉｎ2Ｏ3-T+A：ＨA ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比
になるまで（３−Ｔ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、
水素の含有量比ＡはＴとなる。これに対して、化学量論
比よりも酸素欠乏側にずれた組成比を有するＩＴＯター
ゲットを用いると、水蒸気を混入しないで形成した場
合、組成比が従来よりもさらに酸素欠乏側にずれて、Ｉ
ｎ2Ｏ3-T-R（３＞Ｔ＋Ｒ＞０，Ｒ＞０）となる。水蒸気
を混入して形成した場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-R+A：ＨA となる
から、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比になるまで（３−
Ｔ−Ｒ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、水素の含有量
比ＡはＴ＋Ｒとなり、従来のＩＴＯターゲットを用いた
場合よりもＲだけ増加する。
成比で(ＯＨ)Ａだけ導入されると、ＩＴＯ膜の組成比
は、Ｉｎ2Ｏ3-T+A：ＨA ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比
になるまで（３−Ｔ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、
水素の含有量比ＡはＴとなる。これに対して、化学量論
比よりも酸素欠乏側にずれた組成比を有するＩＴＯター
ゲットを用いると、水蒸気を混入しないで形成した場
合、組成比が従来よりもさらに酸素欠乏側にずれて、Ｉ
ｎ2Ｏ3-T-R（３＞Ｔ＋Ｒ＞０，Ｒ＞０）となる。水蒸気
を混入して形成した場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-R+A：ＨA となる
から、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比になるまで（３−
Ｔ−Ｒ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、水素の含有量
比ＡはＴ＋Ｒとなり、従来のＩＴＯターゲットを用いた
場合よりもＲだけ増加する。
【００１１】また、Ｈ2ガスを混入して形成した場合
は、従来ターゲットを用いても、組成比がより酸素欠乏
側にずれて、Ｉｎ2Ｏ3-T-S（３＞Ｔ＋Ｓ＞０，Ｓ＞０）
これは、膜形成時で、Ｈ2 の還元作用によって膜表面か
ら酸素が脱離する確率が増加するためである。従って、
Ｈ2ＯとＨ2の混合ガスを用いた場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-S+A：
ＨA となるから、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比になる
まで（３−Ｔ−Ｓ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、水
素の含有量比ＡはＴ＋Ｓとなり、従来のＩＴＯターゲッ
トを用いた場合よりもＳだけ増加する。
は、従来ターゲットを用いても、組成比がより酸素欠乏
側にずれて、Ｉｎ2Ｏ3-T-S（３＞Ｔ＋Ｓ＞０，Ｓ＞０）
これは、膜形成時で、Ｈ2 の還元作用によって膜表面か
ら酸素が脱離する確率が増加するためである。従って、
Ｈ2ＯとＨ2の混合ガスを用いた場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-S+A：
ＨA となるから、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論比になる
まで（３−Ｔ−Ｓ＋Ａ＝３）水蒸気を混入した場合、水
素の含有量比ＡはＴ＋Ｓとなり、従来のＩＴＯターゲッ
トを用いた場合よりもＳだけ増加する。
【００１２】さらに、化学量論比よりも酸素欠乏側にず
れた組成比を有するＩＴＯターゲット、及びＨ2ＯとＨ2
の混合ガスを用いた場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-R-S+A：ＨA(３＞
Ｔ＋Ｒ＋Ｓ＞０）となるから、ＩＴＯ膜の組成比が化学
量論比になるまで（３−Ｔ−Ｒ−Ｓ＋Ａ＝３）水蒸気を
混入した場合、水素の含有量比ＡはＴ＋Ｒ＋Ｓとなり、
前２者よりもさらに増加する。
れた組成比を有するＩＴＯターゲット、及びＨ2ＯとＨ2
の混合ガスを用いた場合、Ｉｎ2Ｏ3-T-R-S+A：ＨA(３＞
Ｔ＋Ｒ＋Ｓ＞０）となるから、ＩＴＯ膜の組成比が化学
量論比になるまで（３−Ｔ−Ｒ−Ｓ＋Ａ＝３）水蒸気を
混入した場合、水素の含有量比ＡはＴ＋Ｒ＋Ｓとなり、
前２者よりもさらに増加する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明による実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１４】図３は本発明の水素を含有するａ−ＩＴＯ
膜の形成方法を実現するスパッタ装置の要部断面図であ
る。１は真空チャンバ、２はターボポンプと油回転ポン
プからなる排気装置、３はＩＴＯからなるスパッタター
ゲット、４は放電用高圧電源、５は基板ホルダ、６はコ
ーニング７０５９ガラスからなる基板、７はＡｒガスの
供給管、８は水蒸気の供給管、９はＨ2 ガスの供給管、
１０はＡｒガス供給装置、１１は水蒸気供給装置、１２
はＨ2 ガス供給装置、１３〜１５は各ガスの流量制御装
置である。このスパッタ装置では、排気装置２により真
空チャンバ１を真空排気し、供給管７〜９からＡｒガ
ス、Ａｒガスの圧力に対して０.０５〜５％の分圧の水
蒸気及びＨ2 ガスを供給し、放電用高圧電源４によりス
パッタターゲット３に電圧を印加すれば、基板６上にａ
−ＩＴＯ薄膜が形成される。
膜の形成方法を実現するスパッタ装置の要部断面図であ
る。１は真空チャンバ、２はターボポンプと油回転ポン
プからなる排気装置、３はＩＴＯからなるスパッタター
ゲット、４は放電用高圧電源、５は基板ホルダ、６はコ
ーニング７０５９ガラスからなる基板、７はＡｒガスの
供給管、８は水蒸気の供給管、９はＨ2 ガスの供給管、
１０はＡｒガス供給装置、１１は水蒸気供給装置、１２
はＨ2 ガス供給装置、１３〜１５は各ガスの流量制御装
置である。このスパッタ装置では、排気装置２により真
空チャンバ１を真空排気し、供給管７〜９からＡｒガ
ス、Ａｒガスの圧力に対して０.０５〜５％の分圧の水
蒸気及びＨ2 ガスを供給し、放電用高圧電源４によりス
パッタターゲット３に電圧を印加すれば、基板６上にａ
−ＩＴＯ薄膜が形成される。
【００１５】図１は本発明の方法及び従来法で形成した
場合の、ａ−ＩＴＯ膜中微結晶発生量の水蒸気分圧依存
性である。化学量論比の組成比を有するＩＴＯターゲッ
ト及び水蒸気またはＨ2ＯとＯ2の混合ガスを供給して形
成した従来のａ−ＩＴＯ膜と比較して、少なくとも、Ｉ
ｎ及びＳｎに対するＯの組成比が３／２よりも小さく酸
素欠乏状態にあるＩＴＯ焼結ターゲットを用いるか、Ｈ
2ＯとＨ2の混合ガスを混入して形成した、本発明のａ−
ＩＴＯ膜の方が、最適な水蒸気分圧における微結晶発生
量が少なく、本発明の効果は明らかである。従来法で、
Ｈ2ＯとＯ2の混合ガスを用いた場合、水蒸気のみを用い
た場合よりも微結晶発生量が多い理由は、Ｏ2 ガスが膜
中の酸素量を増加させて、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論
比に近づくためである。
場合の、ａ−ＩＴＯ膜中微結晶発生量の水蒸気分圧依存
性である。化学量論比の組成比を有するＩＴＯターゲッ
ト及び水蒸気またはＨ2ＯとＯ2の混合ガスを供給して形
成した従来のａ−ＩＴＯ膜と比較して、少なくとも、Ｉ
ｎ及びＳｎに対するＯの組成比が３／２よりも小さく酸
素欠乏状態にあるＩＴＯ焼結ターゲットを用いるか、Ｈ
2ＯとＨ2の混合ガスを混入して形成した、本発明のａ−
ＩＴＯ膜の方が、最適な水蒸気分圧における微結晶発生
量が少なく、本発明の効果は明らかである。従来法で、
Ｈ2ＯとＯ2の混合ガスを用いた場合、水蒸気のみを用い
た場合よりも微結晶発生量が多い理由は、Ｏ2 ガスが膜
中の酸素量を増加させて、ＩＴＯ膜の組成比が化学量論
比に近づくためである。
【００１６】図２は従来及び本発明のａ−ＩＴＯ膜にお
ける、微結晶発生量と波長２０００ｎｍにおける透過率
の関係である。この透過率はＩＴＯ膜の組成比と対応
し、透過率が低いほど組成比が化学量論比から酸素欠乏
側にずれていることを意味する。従って、従来及び本発
明のａ−ＩＴＯ膜で透過率が等しい場合、その組成比が
等しいことを意味する。透過率の増加に伴って微結晶量
が単調減少する領域で、両者の微結晶発生量を比較した
場合、本発明のＩＴＯ膜の方が微結晶発生量が少ない。
また、従来よりも高い透過率で微結晶発生量が最小にな
る。いずれも、本発明のＩＴＯ膜は、等しい組成比で比
較した場合、従来よりも水素含有量が高く、結晶化が抑
制されるためである。
ける、微結晶発生量と波長２０００ｎｍにおける透過率
の関係である。この透過率はＩＴＯ膜の組成比と対応
し、透過率が低いほど組成比が化学量論比から酸素欠乏
側にずれていることを意味する。従って、従来及び本発
明のａ−ＩＴＯ膜で透過率が等しい場合、その組成比が
等しいことを意味する。透過率の増加に伴って微結晶量
が単調減少する領域で、両者の微結晶発生量を比較した
場合、本発明のＩＴＯ膜の方が微結晶発生量が少ない。
また、従来よりも高い透過率で微結晶発生量が最小にな
る。いずれも、本発明のＩＴＯ膜は、等しい組成比で比
較した場合、従来よりも水素含有量が高く、結晶化が抑
制されるためである。
【００１７】透過率が５０％以下での微結晶数密度は、
従来のＩＴＯ膜では１０個／μｍ2以上であるが、本発
明のＩＴＯ膜では１０個／μｍ2以下になり得る。
従来のＩＴＯ膜では１０個／μｍ2以上であるが、本発
明のＩＴＯ膜では１０個／μｍ2以下になり得る。
【００１８】また、電子ビームマイクロアナリシス(Ｅ
ＰＭＡ)法及び昇温熱脱離(ＴＤＳ)法による組成分析に
よれば、本発明により、Ｉｎ及びＳｎに対するＯの組成
比が３／２よりも小さく、しかも、Ｏに対するＨの組成
比が０.０１ 以上と、従来よりも水素含有率が高いａ−
ＩＴＯ膜が初めて形成できていることがわかった。
ＰＭＡ)法及び昇温熱脱離(ＴＤＳ)法による組成分析に
よれば、本発明により、Ｉｎ及びＳｎに対するＯの組成
比が３／２よりも小さく、しかも、Ｏに対するＨの組成
比が０.０１ 以上と、従来よりも水素含有率が高いａ−
ＩＴＯ膜が初めて形成できていることがわかった。
【００１９】なお、本発明における酸素欠乏状態にある
ＩＴＯ焼結ターゲットは、ＩＴＯ微粉末とＩｎ微粉末を
混合して焼結することにより形成できる。この場合、Ｉ
ＴＯ微粉末のみを焼結して形成した従来ターゲットより
も、Ｏに対するＩｎの割合が高い、即ち酸素欠乏が大き
くなる。
ＩＴＯ焼結ターゲットは、ＩＴＯ微粉末とＩｎ微粉末を
混合して焼結することにより形成できる。この場合、Ｉ
ＴＯ微粉末のみを焼結して形成した従来ターゲットより
も、Ｏに対するＩｎの割合が高い、即ち酸素欠乏が大き
くなる。
【００２０】
【発明の効果】ａ−ＩＴＯ膜中に形成される微結晶量が
低減する。その結果、導電性及び加工性が向上する。
低減する。その結果、導電性及び加工性が向上する。
【図１】非晶質ＩＴＯ膜中に発生する微結晶量の水蒸気
分圧依存性の特性図。
分圧依存性の特性図。
【図２】微結晶数密度の波長２０００ｎｍにおける透過
率依存性の特性図。
率依存性の特性図。
【図３】スパッタ装置の要部の断面図。
１…真空チャンバ、２…排気装置、３…スパッタターゲ
ット、４…放電用高圧電源、５…基板ホルダ、６…基
板、７…Ａｒガスの供給管、８…水蒸気の供給管、９…
Ｈ2 ガスの供給管、１０…Ａｒガス供給装置、１１…水
蒸気供給装置、１２…Ｈ2 ガス供給装置、１３…Ａｒガ
スの流量制御装置、１４…水蒸気の流量制御装置、１５
…Ｈ2ガスの流量制御装置。
ット、４…放電用高圧電源、５…基板ホルダ、６…基
板、７…Ａｒガスの供給管、８…水蒸気の供給管、９…
Ｈ2 ガスの供給管、１０…Ａｒガス供給装置、１１…水
蒸気供給装置、１２…Ｈ2 ガス供給装置、１３…Ａｒガ
スの流量制御装置、１４…水蒸気の流量制御装置、１５
…Ｈ2ガスの流量制御装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高畠 勝 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 安生 健二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】水素を含有する非晶質構造のＩｎ−Ｓｎ−
Ｏ系透明導電膜において、Ｉｎ及びＳｎに対するＯの組
成比が３／２よりも小さく、しかも、Ｏに対するＨの組
成比が０.０１ 以上であることを特徴とする透明導電
膜。 - 【請求項２】水素を含有する非晶質構造のＩｎ−Ｓｎ−
Ｏ系透明導電膜において、波長2000ｎｍにおける光透過
率が５０％以下で、膜中に存在する微結晶の最大径が５
０nm以下、かつ、数密度が１０個／μｍ2 以下であるこ
とを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項３】スパッタ法により、室温から２００℃程度
までの基板上に、請求項１または２に示した水素を含有
する非晶質構造のＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜を形成す
る方法であって、スパッタガス中に水蒸気を混入し、Ｉ
ｎ及びＳｎに対するＯの組成比が３／２以下のＩｎ−Ｓ
ｎ−Ｏ焼結ターゲットを用いるか、または、スパッタガ
ス中にＨ2ガスを混入する透明導電膜の形成方法。 - 【請求項４】請求項３の水素を含有する非晶質構造Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜の形成する方法で用いる酸素欠
乏状態にあるＩＴＯ焼結ターゲット、及びＩＴＯ微粉末
とＩｎ微粉末を混合して焼結するＩＴＯ焼結ターゲット
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200637A JPH0950712A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200637A JPH0950712A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950712A true JPH0950712A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16427708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7200637A Pending JPH0950712A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950712A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002341367A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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