JPH0242765A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH0242765A JPH0242765A JP63192013A JP19201388A JPH0242765A JP H0242765 A JPH0242765 A JP H0242765A JP 63192013 A JP63192013 A JP 63192013A JP 19201388 A JP19201388 A JP 19201388A JP H0242765 A JPH0242765 A JP H0242765A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、シリコン系太陽電池とその製造方法に関し
、さらに詳しくは、pin型太陽電池の窓側層に用いた
微結晶シリコン薄膜の材質の改良と、その窓側層の製造
方法に関するものである。
、さらに詳しくは、pin型太陽電池の窓側層に用いた
微結晶シリコン薄膜の材質の改良と、その窓側層の製造
方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、シリコン系太陽電池は、アモルファスシリコン太
陽電池(以後a−81太陽電池という)を主流として開
発が進められており、その特性上の概説として下記刊行
物に開示されたものがある。
陽電池(以後a−81太陽電池という)を主流として開
発が進められており、その特性上の概説として下記刊行
物に開示されたものがある。
電気学会:太陽電池調査専門委員会線;太陽電池ハンド
ブック;電気学会発行(昭和60年7月30日) 、
99B とくに、a−3l太陽電池のpIn構造において、ヘテ
ロ接合セルで形成される代表的な太陽電池の構成を以下
説明する。
ブック;電気学会発行(昭和60年7月30日) 、
99B とくに、a−3l太陽電池のpIn構造において、ヘテ
ロ接合セルで形成される代表的な太陽電池の構成を以下
説明する。
第3図はa−3iC: H(p型) /a−8l: H
(i型)のへテロ接合セルを窓側層としたa−81太陽
電池の構造模式図である。図において、lは光(hν)
の窓を構成するガラス基板で、2はガラス基板に形成さ
れたITOで示される透明導電膜、3はa−8ICから
なるp型層(窓側層)、4はa−8lで形成されるi型
層、5はa−8iからなるn型層、6はメタル(Me)
で形成された電極である。この構成はガラス/ ITO
/ pln / Meという符号で示されるもので、a
−8IC層3とa−8i層4とによってヘテロ接合を形
成し、光(hν)の変換効率の向上をはかっている。
(i型)のへテロ接合セルを窓側層としたa−81太陽
電池の構造模式図である。図において、lは光(hν)
の窓を構成するガラス基板で、2はガラス基板に形成さ
れたITOで示される透明導電膜、3はa−8ICから
なるp型層(窓側層)、4はa−8lで形成されるi型
層、5はa−8iからなるn型層、6はメタル(Me)
で形成された電極である。この構成はガラス/ ITO
/ pln / Meという符号で示されるもので、a
−8IC層3とa−8i層4とによってヘテロ接合を形
成し、光(hν)の変換効率の向上をはかっている。
第4図はa−8iの微結晶化層を窓側層に用いたヘテロ
接合太陽電池の構成模式図である。なお、この微結晶化
層はa−3i中に微結晶S1が点在して含まれた層で、
一般にμc−8lといわれているものである。図におい
て、1,2.4及び6は第3図の従来例と同−又は相当
部分の符号と同一符号で示し、説明を省略する。
接合太陽電池の構成模式図である。なお、この微結晶化
層はa−3i中に微結晶S1が点在して含まれた層で、
一般にμc−8lといわれているものである。図におい
て、1,2.4及び6は第3図の従来例と同−又は相当
部分の符号と同一符号で示し、説明を省略する。
7は窓側層を形成するn型の微結晶化シリコン層であり
、以下n(μc−81)層と称する。そして、8はp型
のa−81層であり、第4図の構成は、ガラス/ IT
O/ n<u e−81)ip / Meで表わされ、
正確にはn1p構造である。この場合、n(μc−3i
)層7とi型のa−81層4によってヘテロ接合を形成
し、光電変換効率を向上している。
、以下n(μc−81)層と称する。そして、8はp型
のa−81層であり、第4図の構成は、ガラス/ IT
O/ n<u e−81)ip / Meで表わされ、
正確にはn1p構造である。この場合、n(μc−3i
)層7とi型のa−81層4によってヘテロ接合を形成
し、光電変換効率を向上している。
この光電変換効率の向上については、とくに第4図の従
来例に示したヘテロ接合太陽電池においては、通常のa
−8I太陽電池に比べて開放電圧及び光電変換効率が大
幅に改善されるということが報告されている、このn(
μe−3t)膜、すなわちn型の微結晶化a−8i膜は
一般のa−81:H膜に比べて吸収係数が小さく、光電
導電率が高いことに起因するものと考えられている。
来例に示したヘテロ接合太陽電池においては、通常のa
−8I太陽電池に比べて開放電圧及び光電変換効率が大
幅に改善されるということが報告されている、このn(
μe−3t)膜、すなわちn型の微結晶化a−8i膜は
一般のa−81:H膜に比べて吸収係数が小さく、光電
導電率が高いことに起因するものと考えられている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記のような従来のへテロ接合型a−8
i太陽電池、とくに従来法によって作成されたμc−8
I膜は、a−8i膜中に微結晶が点在するにすぎない形
態を有するものであるから、その光電変換効率は7.8
%程度であり、上記文献にみられる他の方法による値(
〜10%)に比べて満足すべき値といえない。したがっ
て、太陽電池を形成するSt膜としてのとくにμc−3
1膜の物性の向上が要望されていた。
i太陽電池、とくに従来法によって作成されたμc−8
I膜は、a−8i膜中に微結晶が点在するにすぎない形
態を有するものであるから、その光電変換効率は7.8
%程度であり、上記文献にみられる他の方法による値(
〜10%)に比べて満足すべき値といえない。したがっ
て、太陽電池を形成するSt膜としてのとくにμc−3
1膜の物性の向上が要望されていた。
この発明はこのような要請に応するためになされたもの
で、μc−81膜の中の微結晶体の体積率を増大させる
というように膜体の物性を制御して光電変換効率が向上
する太陽電池の製造方法とその電池構成を提供すること
を目的とするものである。
で、μc−81膜の中の微結晶体の体積率を増大させる
というように膜体の物性を制御して光電変換効率が向上
する太陽電池の製造方法とその電池構成を提供すること
を目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るpin型太陽電池は、p型層及びn型層
のうちのいずれか一つの層で構成する窓側層を実質的に
平均粒径が100Å以下の微結晶S1のみの薄膜とする
ものである。
のうちのいずれか一つの層で構成する窓側層を実質的に
平均粒径が100Å以下の微結晶S1のみの薄膜とする
ものである。
また、この発明に係るpin型太陽電池の製造方法は、
p型層及びn型層のうちのいずれか一つを微結晶S1薄
膜からなる窓側層として形成するもので、窓を構成する
ガラス基板上に透明導電膜を形成したのち、上記ガラス
基板の温度を0℃以下に保持しながら、水素プラズマに
よるSlのスパッタリングを行って透明導電膜上に81
を堆積することにより、実質的に100%に近い体積率
を有する微結晶シリコンのみの薄膜からなる窓側層を形
成するものである。
p型層及びn型層のうちのいずれか一つを微結晶S1薄
膜からなる窓側層として形成するもので、窓を構成する
ガラス基板上に透明導電膜を形成したのち、上記ガラス
基板の温度を0℃以下に保持しながら、水素プラズマに
よるSlのスパッタリングを行って透明導電膜上に81
を堆積することにより、実質的に100%に近い体積率
を有する微結晶シリコンのみの薄膜からなる窓側層を形
成するものである。
なお、窓側層の極性を左右するドーピングは、スパッタ
リング中に無機水素化物を導入することで達成され、例
えばn型機結晶SI薄膜の形成にはpH5(ホスフィン
)、p型機結晶S1薄膜の形成にはB2H,(ジボラン
)を導入する。
リング中に無機水素化物を導入することで達成され、例
えばn型機結晶SI薄膜の形成にはpH5(ホスフィン
)、p型機結晶S1薄膜の形成にはB2H,(ジボラン
)を導入する。
[作 用]
この発明の太陽電池の製造方法においては、pin構造
の窓側層を形成する場合、ガラス基板上に形成された透
明導電膜上にガラス基板温度を0℃以下とし、水素プラ
ズマのスパッタリングによりSlを堆積するから、平均
粒径が100Å以下で、かつ100%近くの体積率を有
するSt微結晶体からなるSiの微結晶膜が得られる。
の窓側層を形成する場合、ガラス基板上に形成された透
明導電膜上にガラス基板温度を0℃以下とし、水素プラ
ズマのスパッタリングによりSlを堆積するから、平均
粒径が100Å以下で、かつ100%近くの体積率を有
するSt微結晶体からなるSiの微結晶膜が得られる。
そして、この発明の製造方法で得られた微結晶S1膜は
とくに平均結晶粒径が100Å以下のときはバンドギャ
ップ幅が2.OeV位に大きくなる。さらに、この微結
晶St薄膜は微結晶体の内部はStであり、外部はシリ
コン水素化物となって形成されており、各微結晶体はフ
ァンデルワールス力でつながっているため、強固な薄膜
が形成される。
とくに平均結晶粒径が100Å以下のときはバンドギャ
ップ幅が2.OeV位に大きくなる。さらに、この微結
晶St薄膜は微結晶体の内部はStであり、外部はシリ
コン水素化物となって形成されており、各微結晶体はフ
ァンデルワールス力でつながっているため、強固な薄膜
が形成される。
このような微結晶Si薄膜を窓側層として形成されたヘ
テロ接合構造の太陽電池は大きな光電変換効率特性を有
する。
テロ接合構造の太陽電池は大きな光電変換効率特性を有
する。
[実施例]
実施例1;
第1図はこの発明の一実施例を示すシリコン系太陽電池
の構造を説明する模式図である。
の構造を説明する模式図である。
図において、11は光(hν)の窓を構成するガラス基
板であり、12はガラス基板11の表面に形成されたI
TO/ Sn O2の2層膜からなる透明導電膜で、窓
側の電極を形成するものである。13は透明導電膜12
上に形成され、100%に近い体積率をもち、かつ平均
粒径が100人(オングストローム)以下の微結晶St
粒子からなるn型微結晶S1薄膜(n型の窓側層)であ
る。14はi型のa−8i : H薄膜(i型層)、I
5はp型のa−9j : H薄膜(p型層)である。n
型微結晶S1薄膜13.i型a−81:H薄膜14及び
p型a−8I : H薄膜15によってヘテロ接合型太
陽電池のnip構造を構成し、第1図の実施例に示す全
体で太陽電池を形成している。
板であり、12はガラス基板11の表面に形成されたI
TO/ Sn O2の2層膜からなる透明導電膜で、窓
側の電極を形成するものである。13は透明導電膜12
上に形成され、100%に近い体積率をもち、かつ平均
粒径が100人(オングストローム)以下の微結晶St
粒子からなるn型微結晶S1薄膜(n型の窓側層)であ
る。14はi型のa−8i : H薄膜(i型層)、I
5はp型のa−9j : H薄膜(p型層)である。n
型微結晶S1薄膜13.i型a−81:H薄膜14及び
p型a−8I : H薄膜15によってヘテロ接合型太
陽電池のnip構造を構成し、第1図の実施例に示す全
体で太陽電池を形成している。
この太陽電池の動作については、従来のa−8i型太陽
電池の動作と同様であり、周知であるので説明は省略す
る。
電池の動作と同様であり、周知であるので説明は省略す
る。
第1図の実施例の太陽電池の性能を試験した結果、開放
電圧は0.95 Vと高い値を示し、光電変換効率は1
3.0%と大幅に増大し、はぼ満足される結果が得られ
た。
電圧は0.95 Vと高い値を示し、光電変換効率は1
3.0%と大幅に増大し、はぼ満足される結果が得られ
た。
実施例2;
この発明による太陽電池の上記窓側層の形成はプラズマ
スパッタリング装置を用いて行い、その他の部分、は
通常の方法によって行った。以下、はじめに、プラズマ
スパッタリング装置の構成について説明し、ついで製
造方法について説明する。
スパッタリング装置を用いて行い、その他の部分、は
通常の方法によって行った。以下、はじめに、プラズマ
スパッタリング装置の構成について説明し、ついで製
造方法について説明する。
第2図は第1図の実施例の太陽電池を例として、太陽電
池の窓側層13の製造方法に用いたプラズマ スパッタ
リング装置の模式断面図である。図において、21は真
空容器で、図示しない真空装置に連結された排気孔31
と真空容器21の雰囲気を調整するガス導入孔22が設
けられている。27.29はプラズマ放電用の電極で、
電極27には永久磁石2Bが組込まれ、電極2丁の上面
に半導体材料(この場合St)からなるターゲット25
が設置されており、電+5.29には太陽電池のガラス
基板28が設置される。
池の窓側層13の製造方法に用いたプラズマ スパッタ
リング装置の模式断面図である。図において、21は真
空容器で、図示しない真空装置に連結された排気孔31
と真空容器21の雰囲気を調整するガス導入孔22が設
けられている。27.29はプラズマ放電用の電極で、
電極27には永久磁石2Bが組込まれ、電極2丁の上面
に半導体材料(この場合St)からなるターゲット25
が設置されており、電+5.29には太陽電池のガラス
基板28が設置される。
電極29には図示しない冷却装置に連結された冷却媒体
の出入孔30が設けられている。23は電極27゜29
に電源を供給する高周波電源である。なお、24は形成
された水素プラズマである。
の出入孔30が設けられている。23は電極27゜29
に電源を供給する高周波電源である。なお、24は形成
された水素プラズマである。
下表にこの実施例において上記窓側層13を形成したと
きの具体的な動作条件を挙げる。
きの具体的な動作条件を挙げる。
以下、第2図のプラズマ スパッタリング装置による窓
側層13の形成方法を主として、この発明による太陽電
池の製造方法を説明する。
側層13の形成方法を主として、この発明による太陽電
池の製造方法を説明する。
まず、ガラス基板11(第2図では28に相当)を真空
容器21内に設置する前に、ガラス基板11上にITO
/ Sn02 (ITOは1nとTiの酸化物)の2
層膜からなる透明導電膜12を形成する。この状態のガ
ラス基板をガラス基板28として電極29上に設置し、
ターゲット25と対向させる。
容器21内に設置する前に、ガラス基板11上にITO
/ Sn02 (ITOは1nとTiの酸化物)の2
層膜からなる透明導電膜12を形成する。この状態のガ
ラス基板をガラス基板28として電極29上に設置し、
ターゲット25と対向させる。
ついで、窓側層13を構成するn型微結晶Si膜を形成
するのであるが、その手順はガス導入孔22より水素(
)()ガスと所定量のpH3ガスを導入し、真空容器2
1内の雰囲気として0.5 Torrのガス圧を形成し
たのち、電tff27.29に高周波電源23からの電
圧を印加する。このときプラズマ24が形成されプラズ
マ24中の水素イオンによりターゲット25を構成する
Siをスパッタリングし、液体窒素を冷却媒体の出入口
孔30からの導入により液体窒素温度に冷却されたガラ
ス基板28上にStの薄膜を形成して窓側層13を形成
する。この場合、冷却媒体は0℃以下に冷却された水で
あってもよい。
するのであるが、その手順はガス導入孔22より水素(
)()ガスと所定量のpH3ガスを導入し、真空容器2
1内の雰囲気として0.5 Torrのガス圧を形成し
たのち、電tff27.29に高周波電源23からの電
圧を印加する。このときプラズマ24が形成されプラズ
マ24中の水素イオンによりターゲット25を構成する
Siをスパッタリングし、液体窒素を冷却媒体の出入口
孔30からの導入により液体窒素温度に冷却されたガラ
ス基板28上にStの薄膜を形成して窓側層13を形成
する。この場合、冷却媒体は0℃以下に冷却された水で
あってもよい。
形成されたSt薄膜、すなわち窓側層13を観s+ L
たところ、平均粒径が100Å以下の81微結晶がほぼ
連続的に結合して形成されていることがわかった。
たところ、平均粒径が100Å以下の81微結晶がほぼ
連続的に結合して形成されていることがわかった。
ついで、この窓側層13上に通常の方法によりアモルフ
ァスのi型層であるi型a−3l : H膜14を形成
し、さらにアモルファスのp型層であるp型a−3i:
H膜I5を順次形成してnip構造を形成した。
ァスのi型層であるi型a−3l : H膜14を形成
し、さらにアモルファスのp型層であるp型a−3i:
H膜I5を順次形成してnip構造を形成した。
最後に、通常の真空蒸着法により金属(Me)を蒸着し
て電極I6を形成することにより、この発明による太陽
電池の作製を完了する。
て電極I6を形成することにより、この発明による太陽
電池の作製を完了する。
なお、上記実施例1,2においては、太陽電池のSi層
をnip構造とし、n型微結晶Si膜を窓側層とする場
合について説明したが、太陽電池の93層をpin構造
とし、p型機結晶Si膜を窓側層とすることも太陽電池
の構成上差支えないものである。
をnip構造とし、n型微結晶Si膜を窓側層とする場
合について説明したが、太陽電池の93層をpin構造
とし、p型機結晶Si膜を窓側層とすることも太陽電池
の構成上差支えないものである。
この場合、n1p構造は一般に称されるpin構造の中
に含まれるものである。また、ガラス基板の冷却媒体と
しては0℃以下であればよいが、実施例の液体窒素のほ
かに低温下限は液体ヘリウム温度まで実施可能であり、
微結晶媒体の形成には低温はどよいことが確認されてい
る。
に含まれるものである。また、ガラス基板の冷却媒体と
しては0℃以下であればよいが、実施例の液体窒素のほ
かに低温下限は液体ヘリウム温度まで実施可能であり、
微結晶媒体の形成には低温はどよいことが確認されてい
る。
[発明の効果コ
以上説明したようにこの発明による太陽電池は、微結晶
St膜を窓側層として有するので、通常の製法では作製
された微結晶化a−8I膜(μc−91)よりバンドギ
ャップが広くなり、アモルファスS1太陽電池の開放電
圧が増大し、かつ光電変換効率の高性能な太陽電池の開
発が可能である。
St膜を窓側層として有するので、通常の製法では作製
された微結晶化a−8I膜(μc−91)よりバンドギ
ャップが広くなり、アモルファスS1太陽電池の開放電
圧が増大し、かつ光電変換効率の高性能な太陽電池の開
発が可能である。
また、この発明による太陽電池の製造方法は、S1膜の
窓側層形成において、基板温度を0℃以下に保持した状
態で水素プラズマによるスパッタリングを行って、ガラ
ス基板上にSt膜を形成するので、窓側層として100
%に近いSt微結晶からなる微結晶S1膜が形成される
。このため上記のような高性能太陽電池の供給に対する
寄与が大である。
窓側層形成において、基板温度を0℃以下に保持した状
態で水素プラズマによるスパッタリングを行って、ガラ
ス基板上にSt膜を形成するので、窓側層として100
%に近いSt微結晶からなる微結晶S1膜が形成される
。このため上記のような高性能太陽電池の供給に対する
寄与が大である。
第1図はこの発明の一実施例を示す太陽電池の構造模式
図、第2図はこの発明の太陽電池の製造工程中に用いた
プラズマ スパッタリング装置の模式断面図、第3図は
従来のa−3を太陽電池のヘテロ接合セルの模式図、第
4図は従来のa−8l太陽電池に微結晶化St膜を用い
たヘテロ接合セルの模式図において、11はガラス基板
、12は透明導電膜、13はn型微結晶S1膜、14は
i型のa−8i膜、15はp型のa−8i膜、16は電
極、21は真空容器、22はガス導入孔、23は高周波
電源、24は水素プラズマ、25はターゲット、26は
永久磁石、27は電極、28はガラス基板、29は電極
、30は冷却媒体の出入孔、31は排気孔である。
図、第2図はこの発明の太陽電池の製造工程中に用いた
プラズマ スパッタリング装置の模式断面図、第3図は
従来のa−3を太陽電池のヘテロ接合セルの模式図、第
4図は従来のa−8l太陽電池に微結晶化St膜を用い
たヘテロ接合セルの模式図において、11はガラス基板
、12は透明導電膜、13はn型微結晶S1膜、14は
i型のa−8i膜、15はp型のa−8i膜、16は電
極、21は真空容器、22はガス導入孔、23は高周波
電源、24は水素プラズマ、25はターゲット、26は
永久磁石、27は電極、28はガラス基板、29は電極
、30は冷却媒体の出入孔、31は排気孔である。
Claims (2)
- (1)p型層、i型層及びn型層のpin構造を有する
太陽電池において、 上記p型層及びn型層のうちのいずれか1つの層を窓側
層とし、この窓側層が実質的に平均粒径100Å以下の
微結晶シリコンのみからなる微結晶シリコン膜であるこ
とを特徴とする太陽電池。 - (2)p型層、i型層及びn型層のpin構造を有し、
上記p型層及びn型層のうちのいずれか1つの層を微結
晶シリコン膜からなる窓側層とする太陽電池の製造方法
において、 窓を構成するガラス基板上に透明導電膜を形成したのち
、上記ガラス基板温度を0℃以下に保ち、水素プラズマ
によるスパッタリングを行って上記透明導電膜上にシリ
コンを堆積して上記窓側層を形成することを特徴とする
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63192013A JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63192013A JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0242765A true JPH0242765A (ja) | 1990-02-13 |
JPH0650780B2 JPH0650780B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16284153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63192013A Expired - Lifetime JPH0650780B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0650780B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002520877A (ja) * | 1998-07-14 | 2002-07-09 | エーケーティー株式会社 | 半導体とその他の薄膜の視準スパッタリング |
US6448577B1 (en) | 1990-10-15 | 2002-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with grain boundaries |
JP2004335733A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜太陽電池 |
JP2004335734A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜太陽電池 |
JP2004356163A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | シリコン系薄膜及び光電変換素子、並びにシリコン系薄膜の製造方法 |
WO2009037815A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Nissin Electric Co., Ltd. | 光起電力素子およびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187971A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar cell |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63192013A patent/JPH0650780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187971A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar cell |
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JP2004335733A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜太陽電池 |
JP2004335734A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜太陽電池 |
JP2004356163A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | シリコン系薄膜及び光電変換素子、並びにシリコン系薄膜の製造方法 |
WO2009037815A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Nissin Electric Co., Ltd. | 光起電力素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0650780B2 (ja) | 1994-06-29 |
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