JPH0677510A - 光起電力素子 - Google Patents

光起電力素子

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JPH0677510A
JPH0677510A JP4223805A JP22380592A JPH0677510A JP H0677510 A JPH0677510 A JP H0677510A JP 4223805 A JP4223805 A JP 4223805A JP 22380592 A JP22380592 A JP 22380592A JP H0677510 A JPH0677510 A JP H0677510A
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light
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Keishi Saito
恵志 斉藤
Toshimitsu Kariya
俊光 狩谷
Koichi Matsuda
高一 松田
Naoto Okada
直人 岡田
Takaharu Kondo
隆治 近藤
Yutaka Nishio
豊 西尾
Tomonori Nishimoto
智紀 西元
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 過酷な環境下においても高い初期特性を長期
間に渡り維持し得る光起電力素子を提供する。また、光
起電力素子を高い歩留まりで大量生産可能な光起電力素
子を提供する。 【構成】 導電性基板１０１上に、光反射層１０２、光
反射増加層１０３、少なくともシリコン原子を含有する
非単結晶半導体材料からなるｎ型層１０４、ｉ型層１０
５及びｐ型層１０６、及び透明電極１０７を積層して構
成される光起電力素子において、前記光反射層は銀また
は銅原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子または
炭素原子の内少なくとも１つを含有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力素子に係わ
り、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料、例え
ば水素化非晶質シリコン、水素化非晶質シリコンゲルマ
ニウム、水素化非晶質シリコンカーバイド、微結晶シリ
コンまたは多結晶シリコン等からなる光起電力素子で、
特に光反射層を有する光起電力素子に関する。本発明の
光起電力素子は、例えば、太陽電池、センサー、撮像素
子等に好適に適用される。
【０００２】
【従来の技術】光起電力素子については、光反射層の材
質及び表面性等の観点から多くの研究がなされている。
【０００３】例えば、太陽電池への応用という観点から
は水素化非晶質シリコン半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と金属
（Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｉ）
との間の反射率について検討されている（Ａ，Ｍａｄａ
ｎ，Ｍ．Ｐ．Ｓｈａｗ，Ｔｈｅ ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎ
ｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ａｍｏｒｐｈｏ
ｕｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，Ａｃａｄｅｍｉ
ｃ Ｐｒｅｓｓ，１９８８）。また銀原子から構成され
る光反射層について反射率とテクスチャー構造について
検討されている（例えば、「２９ｐ−ＭＦ−２ ステン
レス基板上のａ−ＳｉＧｅ太陽電池における光閉じこめ
効果」１９９０年秋季第５１回応用物理学会学術講演会
予稿集第２分冊；”ａ−ＳｉＣ／ａ−Ｓｉ／ａ−ＳｉＧ
ｅ ＭＵＬＴＩ−ＢＡＮＤＧＡＰ ＳＴＡＣＫＥＤ Ｓ
ＯＬＡＲ ＣＥＬＬＳ ＷＩＴＨＢＡＮＤＧＡＰ ＰＲ
ＯＦＩＬＩＮＧ”，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ ｔｈｅＩＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥ
Ｃ−５，Ｋｙｏｔｏ，Ｊａｐａｎ，１９９０，Ｐ−ＩＡ
−１５）。
【０００４】また更に、Ａｌ，ＳＵＳ／Ａｌ／ポリマ
ー，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／Ａｌ等のテクスチャー基板につ
いて検討されている（Ｍ．ＨＩＲＡＳＡＫＡ ｅｔ．ａ
ｌ．，”ＤＥＳＩＧＮ ＯＦ ＴＥＸＴＵＲＥＤ ＡＬ
ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ ＦＯＲＡ ＨＹＤＲＯＧＥＮＡ
ＴＥＤ ＡＨＯＲＰＨＯＵＳ ＳＩＬＬＩＣ ＯＮＳＯ
ＬＡＲ ＣＥＬＬ”，ｉｎ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，（１９９０）９９−１１０，Ｎ
ｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光起電
力素子は、優れた光電変換特性を有するものであるが、
使用される環境及び耐久特性等の観点からの検討が殆ど
されていないのが現状である。それ故、実用上の観点か
ら、優れた耐久性を有し、しかもより一層高い特性を有
す光起電力素子が強く望まれている。
【０００６】本発明は、以上の状況に鑑み、過酷な環境
下においても高い初期特性を長期間に渡り維持し得る光
起電力素子を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、光起電力素子を高い歩留
まりで大量生産可能な光起電力素子を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の問
題点を解決し、本発明の目的を達成するために鋭意検討
した結果、本発明を完成した。
【０００９】本発明の第１の要旨は、導電性基板上に、
光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含
有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、ｉ型層及び
ｐ型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素
子において、前記光反射層は銀原子を主構成元素とし、
酸素原子、窒素原子または炭素原子の内少なくとも１つ
を含有していることを特徴とする光起電力素子に存在す
る。
【００１０】本発明の第２の要旨は、導電性基板上に、
光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含
有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、ｉ型層及び
ｐ型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素
子において、前記光反射層は銅原子を主構成元素とし、
酸素原子、窒素原子または炭素原子の内少なくとも１つ
を含有していることを特徴とする光起電力素子に存在す
る。
【００１１】第１及び第２の要旨において、光反射層に
含まれる酸素原子、窒素原子及び炭素原子の総量は、
０．１〜１０００ｐｐｍであることが好ましい。
【００１２】本発明の第３の要旨は、導電性基板上に、
光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含
有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、ｉ型層及び
ｐ型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素
子において、前記光反射層は銀原子を主構成元素とし、
鉛原子または鉛原子及び金または鉛及び金及び第１遷移
金属原子を２〜１００ｐｐｍ含有していることを特徴と
する光起電力素子に存在する。
【００１３】
【作用】銀原子を主構成元素とする光反射層は、可視光
の反射率の高い膜として知られている。そして本発明の
光起電力素子の光反射層は、銀原子を主構成元素とし、
酸素原子、窒素原子及び炭素原子の内少なくとも１つを
含有するもので、該構成にすることによって、光起電力
素子特性が著しく向上する。
【００１４】銀原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素
原子または炭素原子を含有する光反射層を有する光起電
力素子の効果の詳細なメカニズムは未だ明らかではない
ものの、その理由として、光反射層が銀原子を主構成元
素とし酸素原子、窒素原子または炭素原子を含有する層
で構成すると、含有される酸素原子、窒素原子または炭
素原子のイオン性が高いこと、酸素（または窒素、炭
素）原子と銀原子の結合距離が銀と銀の結合距離より短
いことで歪が酸素原子（窒素原子、炭素原子）の周辺に
局在化するため、光反射層の堆積時の構造的歪みが減少
すること、及び酸素原子（窒素原子、炭素原子）が銀の
結晶粒界に集まり易いため、銀の結晶の粒界に起因する
銀原子の拡散の低減、銀の結晶粒径の分散の低下、及び
銀の結晶粒界に起因する銀の異常成長の減少等が起こる
と考えられる。
【００１５】銅原子を主構成元素とする光反射層は、可
視光の特に長波長領域の反射率の高い膜として知られて
いる。そして本発明の光起電力素子の光反射層は、銅原
子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子及び炭素原子
の内少なくとも１つを含有するもので、該構成にするこ
とによって、光起電力素子特性が著しく向上する。
【００１６】銅原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素
原子または炭素原子を含有する光反射層を有する光起電
力素子の効果の詳細なメカニズムは未だ明らかではない
が、銅原子を主構成元素とした層を形成する際、膜形成
の初期過程の格子間隔は、島状構造をとるためバルクの
格子間隔と比べて大きくなり、引張応力が発生すると考
えられる。しかし、不純物として酸素原子、窒素原子を
含有するさせると、膜中に圧縮応力が発生し、光反射層
中の前記残留応力が緩和されるものと考えられる。ま
た、炭素原子を含有させると、含有される炭素原子の最
短原子間距離（１．５４Ａ）に比べ銅原子の最短原子間
距離（２．５５Ａ）が大きいため歪が炭素原子周辺に極
在し、光反射層堆積時の構造歪が減少すると考えられ
る。更に、炭素原子、酸素原子及び窒素原子は銅の結晶
粒界に集まり易いため銅の結晶の粒界に起因する銅原子
の異常成長が抑制されると考えられる。
【００１７】本発明の光起電力素子の光反射層は、銀原
子を主構成元素とし、鉛原子または鉛原子及び金原子ま
たは鉛原子及び金原子及び第１遷移金属原子を２〜１０
０ｐｐｍ含有するもので、該構成にすることによって、
光起電力素子特性が著しく向上する。
【００１８】銀原子を主構成元素とし、鉛原子または鉛
原子及び金原子または鉛原子及び金原子及び第１遷移金
属原子を含有する光反射層を有する光起電力素子の効果
の詳細なメカニズムは未だ明らかではないもが、光反射
層が銀原子を主構成元素とし鉛原子または鉛原子及び金
原子または鉛原子及び金原子及び第１遷移金属原子を含
有する層で構成すると、含有される鉛原子、金原子また
は第１遷移金属原子により膜中に圧縮応力が発生し、銀
の膜が本来有する引張応力を相殺するため、光反射層の
堆積時の構造的歪みが減少すること、及び鉛原子、金原
子、第１遷移金属原子が銀の結晶粒界に集まり易いた
め、銀の結晶の粒界に起因する銀原子の拡散の低減、銀
の結晶粒径の分散の低下、銀の結晶粒界に起因する銀の
異常成長の減少等が起こると考えられる。更に、第１遷
移金属原子の配位子場吸収により光吸収の変化が起こ
り、その結果光反射分散の変化による初期特性の改善が
考えられる。第１遷移金属原子の内、特に鉄、ニッケ
ル、クロム原子が好ましい。
【００１９】以上の結果、導電性基板と光反射層の密着
性及び光反射層と反射増加層との密着性が改善され、光
起電力素子の耐環境性及び耐久性が向上する。
【００２０】更に、光反射層の金属が光反射増加層及び
非単結晶半導体層へ拡散するのを抑制し、光起電力素子
の耐久性が向上する。加えて、光反射層を堆積した後、
光反射増加層及び非単結晶半導体層を堆積する際の基板
温度変化や高温高湿を繰り返す環境下で光起電力素子を
使用することによる結晶成長の進行を抑え、光起電力素
子の特性が経時変化することを防止する。更に加えて、
光起電力素子を大量生産する場合の上記理由によって分
留りが向上するものと考えられる。
【００２１】以下本発明を図面に用いて詳細に説明す
る。
【００２２】図１、図２、図３は、本発明の光起電力素
子の構成例を模式的に示す概念図である。
【００２３】図１の光起電力素子は、不透明の導電性基
板１０１上に、光反射層１０２、光反射増加層１０３、
ｎ型（またはｐ型）の非単結晶シリコン系半導体層１０
４、ｉ型（実質的にｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）の非単結晶シ
リコン系半導体層１０５、ｐ型（またはｎ型）の非単結
晶シリコン系半導体層１０６、透明電極１０７、集電電
極１０８から構成されている。光反射層１０２は、銀ま
たは銅原子を主構成元素とし酸素原子、窒素原子及び炭
素原子の内少なくとも１つを含有するもの、あるいは、
銀を主構成元素とし鉛原子または鉛原子及び金原子また
は鉛原子及び金及び第１遷移金属原子を２〜１００ｐｐ
ｍ含有するものである。該光起電力素子に対して、光１
０９は透明電極１０７側から照射される。
【００２４】図２の光起電力素子は、タンデム構造の例
であり、透明基板２０１上に、集電電極２０８、透明電
極２０７、ｐ型（またはｎ型）の非単結晶シリコン系半
導体層２０６ｂ、ｉ型（実質的にｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）
の非単結晶シリコン系半導体層２０５ｂ、ｎ型（または
ｐ型）の非単結晶シリコン系半導体層２０４ｂ、ｐ型
（またはｎ型）の非単結晶シリコン系半導体層２０６
ａ、ｉ型（実質的にｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）の非単結晶シ
リコン系半導体層２０５ａ、ｎ型（またはｐ型）の非単
結晶シリコン系半導体層２０４ａ、光反射増加層２０
３、光反射層２０２、導電層（または／及び保護層）２
１０から構成されている。光反射層２０２は、銀または
銅原子を主構成元素とし酸素原子、窒素原子及び炭素原
子の内少なくとも１つを含有するもの、あるいは、銀を
主構成元素とし鉛原子または鉛原子及び金原子または鉛
原子及び金及び第１遷移金属原子を２〜１００ｐｐｍ含
有するものである。
【００２５】不図示ではあるが、ｐｉｎのユニットを３
層積層したトリプルの光起電力素子も本発明の適した光
起電力素子である。
【００２６】図３の光起電力素子は、テクスチャー構造
を有するタンデムセルの例であり、不透明の導電性基板
３０１上に、テクスチャー構造の光反射層３０２、光反
射増加層３０３、ｎ型（またはｐ型）の非単結晶シリコ
ン系半導体層３０４ａ、ｉ型（実質的にｉｎｔｒｉｎｓ
ｉｃ）の非単結晶シリコン系半導体層３０５ａ、ｐ型
（またはｎ型）の非単結晶シリコン系半導体層３０６
ａ、ｎ型（またはｐ型）の非単結晶シリコン系半導体層
３０４ｂ、ｉ型（実質的にｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）の非単
結晶シリコン系半導体層３０５ｂ、ｐ型（またはｎ型）
の非単結晶シリコン系半導体層３０６ｂ、透明電極３０
７、集電電極３０８、から構成されている。テクスチャ
構造の光反射層３０２は、銀または銅原子を主構成元素
とし酸素原子、窒素原子及び炭素原子の内少なくとも１
つを含有するもの、あるいは、銀を主構成元素とし鉛原
子または鉛原子及び金原子または鉛原子及び金及び第１
遷移金属原子を２〜１００ｐｐｍ含有するものである。
該光起電力素子に対して、光３０９は透明電極３０７側
から照射される。
【００２７】図３の例では、テクスチャー構造は光反射
層で形成したが、基板３０１、光反射増加層３０３等で
形成しても良い。
【００２８】以下に、本発明の光起電力素子の構成要素
を詳細に説明する。
【００２９】光反射層本発明の光起電力素子において光
反射層は、光起電力素子の耐環境性や耐久性に影響を与
える重要な機能を有する層である。
【００３０】本発明の光起電力素子に適した光反射層
は、銀または銅原子を主構成元素とし酸素原子、窒素原
子または炭素原子の内少なくとも１つを含むものであ
り、酸素原子、窒素原子または炭素原子の好ましい含有
量は、０．１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍである。０．１〜
１０００ｐｐｍとすることで、光電変換特性、素子の耐
久性及び耐環境性は一層向上する。
【００３１】本発明の光起電力素子に適した他の光反射
層は、銀原子を主構成元素とし鉛原子または鉛原子及び
金原子または鉛原子及び金及び第１遷移金属原子を２〜
１００ｐｐｍを含むものである。
【００３２】本発明の光起電力素子の光反射層に適した
堆積方法としてはスパッタリング法、真空蒸着法等が上
げられる。
【００３３】図４は本発明の光起電力素子の光反射層の
堆積に適したＤＣマグネトロンスパッタリング装置の一
例を示す模式図である。該装置は、堆積室４０１、基板
４０２、加熱ヒータ４０３、ターゲット４０４、絶縁性
支持体４０５、ＤＣ電源４０６、シャッター４０７、真
空計４０８、コンダクタンスバルブ４０９、ガス導入バ
ルブ４１０、４１２、４１４、４１６、マスフローコン
トローラー４１１、４１３、４１５、４１７等から構成
されている。
【００３４】該ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で
光反射層を堆積する場合、予め酸素原子、窒素原子、炭
素原子、鉛、金、第１遷移金属原子等を所定量添加した
銀または銅のターゲットを用意し堆積室４０１のターゲ
ット４０４にセットし、また光反射層を堆積すべき基板
を基板４０２にセットする。
【００３５】酸素原子、炭素原子または窒素原子を含有
する銀の光反射層の形成に用いられる銀ターゲットに含
有される酸素原子、窒素原子または炭素原子の好ましい
含有量は０．１ｐｐｍから１５００ｐｐｍである。ま
た、酸素原子、炭素原子または窒素原子を含有する銅の
光反射層の形成に用いられる銅ターゲットに含有される
酸素原子、窒素原子または炭素原子の好ましい含有量は
０．１ｐｐｍから１５００ｐｐｍである。さらに、鉛原
子、鉛原子及び金原子、または鉛原子及び金原子及び第
１遷移金属原子を含有する銀の光反射層の形成に用いら
れる銀ターゲットに含有される鉛原子、金原子及び第１
遷移金属原子の総含有量は２ｐｐｍから２００ｐｐｍが
好ましい範囲として挙げられる。
【００３６】そして油拡散ポンプとロータリーポンプか
らなる不図示の排気系でコンダクタンスバルブ４０９を
介して堆積室４０１を５×１０-5以下に排気する。また
基板４０２の温度を加熱ヒータ４０３で室温から４００
℃の範囲に設定することが好ましい。
【００３７】基板加熱の時、堆積室４０１内に水素、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン等の銀のターゲ
ットと反応しにくいガスを流し、堆積室４０１内をパー
ジすることが好ましい。スパッタリング用の不活性ガス
としては、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプ
トン等ガ挙げられ、堆積室４０１内への導入圧としては
５×１０-4〜１０-2ｔｏｒｒ、導入量として１〜２００
ｓｃｃｍが好ましい。
【００３８】上記ターゲットを用いる場合のＤＣ電圧
は、１０Ｖ〜５００Ｖが好ましく、そして、光反射層の
堆積速度は、０．１Ａ／ｓｅｃ〜１００Ａ／ｓｅｃが好
ましい。
【００３９】また同様にしてＤＣマグネトロンスパッタ
リング法に代えてＲＦスパッタリング法を用いることが
できる。ＲＦスパッタリング法の場合、前記条件の内Ｄ
Ｃ電源に代えてＲＦ電源が使用され、周波数としては１
３．５６ＭＨｚ付近の周波数が好ましい周波数として挙
げられる。そしてＲＦ電源から堆積室４０１に投入され
るＲＦパワーとしては０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ2 が好ま
しい。
【００４０】一方、酸素、窒素または炭素原子を含有す
る光反射層は反応性スパッタリング法で形成することも
できる。この場合、前記酸素、窒素または酸素を含有す
る銀または銅ターゲットを酸素、窒素または炭素の含有
量の少ないかまたは全く含まない銀または銅ターゲット
に取り替え、更に前記不活性ガスに替えて、酸素含有ガ
ス、窒素含有ガスまたは炭素含有ガスを添加した不活性
ガスをスパッタリング用ガスとして使用して光反射層を
堆積することができる。反応性スパッタリング法の場合
前記不活性ガス中に添加される酸素原子、窒素原子また
は炭素原子の添加量としては１〜２０００ｐｐｍが好ま
しい。
【００４１】図８は、光反射層と光反射増加層を堆積室
の真空を破ることなく連続して堆積できるスパッタリン
グ装置である。該装置は堆積室８０１、基板８０２、加
熱ヒータ８０３、光反射層堆積用のターゲット８０４、
光反射増加層堆積用のターゲット８１４等で構成され
る。光反射層の堆積条件は、図４の堆積装置の堆積条件
と同様である。
【００４２】図９は、真空蒸着法による光反射層の堆積
装置（真空蒸着装置）である。該真空蒸着装置は、堆積
室９０１、基板９０２、加熱ヒータ９０３、蒸着源９０
４、電子ビーム（ＥＢ）ガン９０５、高電圧電源９０
６、シャッター９０７、真空計９０８、コンダクタンス
バルブ９０９、ガス導入バルブ９１０、９１２、９１
４、９１６、マスフローコントロラー９１１、９１３、
９１５、９１７、不図示の排気装置等から構成されてい
る。この真空蒸着装置で、光反射層を堆積する場合、基
板を堆積室内にセットし、蒸着源をセットする。
【００４３】酸素原子、窒素原子または炭素原子を含有
する銀の光反射層を形成する場合、蒸着源としては、酸
素原子、窒素原子または炭素原子を含有する銀を用い
る。蒸着源の銀に含有される酸素原子、窒素原子または
炭素原子の好ましい含有量は１ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍ
である。
【００４４】酸素原子、窒素原子または炭素原子を含有
する銅の光反射層を形成する場合、蒸着源としては、酸
素原子、窒素原子または炭素原子を含有する銅を用い
る。蒸着源の銅に含有される酸素原子、窒素原子または
炭素原子の好ましい含有量は１ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍ
である。
【００４５】さらに、鉛原子、鉛原子及び金原子、また
は鉛原子及び金原子及び第１遷移金属原子を含有する銀
の光反射層の形成する場合、蒸着源としては鉛原子、鉛
原子及び金原子、または鉛原子及び金原子及び第１遷移
金属原子を含有する銀を用いる。蒸着源の銀に含まれる
鉛原子、金原子及び第１遷移金属原子の総含有量は、２
ｐｐｍから２００ｐｐｍが好ましい範囲として挙げられ
る。
【００４６】そして堆積室を５×１０-5ｔｏｒｒ以下に
排気し、基板温度を室温から４００℃の間に設定する。
基板温度が所定の温度になったならば、ＥＢガンから電
子ビームを蒸着源に照射する。蒸着時の堆積室内の圧力
は１０-5ｔｏｒｒ〜５×１０ -4ｔｏｒｒが好ましく、更
に光反射層の堆積速度としては、０．１〜１００Ａ／ｓ
ｅｃが好ましい。
【００４７】また反応性蒸着で酸素原子、炭素原子また
は窒素原子を含有する銀または銅の光反射層を堆積する
場合、前記酸素原子、窒素原子または炭素原子を含有す
る銀に代えて、上記原子の含有量の少ないかあるいは全
く含有しない銀を蒸着源にし、酸素原子含有ガス、窒素
含有ガスまたは炭素含有ガスを１０-4ｔｏｒｒ〜５×１
０-3ｔｏｒｒ導入する。このような圧力下で前記銀また
は銅原子を電子ビーム蒸着し、光反射層を形成すること
ができる。
【００４８】図１２は、光反射層を電子ビーム蒸着法で
堆積する方法と光反射増加量をスパッタリング方法で堆
積する方法とを同一の堆積装置に組み込んだ装置であ
る。光反射層の堆積条件は、前記図９に置ける電子ビー
ム蒸着装置を利用した堆積条件と同一である。
【００４９】本発明の光反射層を反応性スパッタリング
法または反応性蒸着法により堆積する場合用いられる酸
素原子含有ガス、炭素原子含有ガス、窒素原子含有ガス
としては、例えばそれぞれＯ2、ＣＯ2，Ｎ2ガスが用い
られる。
【００５０】本発明の光反射層をテクスチャー構造にす
るには、例えば、基板温度を比較的高め（３００℃以
上）に設定して堆積することにより得られる。
【００５１】本発明の光起電力素子に適した光反射層の
銀または銅の結晶粒経は、１００Ａ〜１０μｍが適した
範囲であり、５００Ａ〜２μｍが最適な範囲である。ま
た、本発明の光起電力素子に適した光反射層の膜厚は５
００Ａ〜３μｍである。
【００５２】光反射増加層 本発明の光起電力素子において光反射増加層は、光反射
層と接触し光起電力素子の特性に密接に関係する重要な
層であり、例えばＺｎＯ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ a ，ＩＴ
Ｏ，ＴｉＯ2 ，ＣｄＯ，Ｃｄ2 ＳｎＯ4 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，
ＭｏＯ3 ，Ｎａ X ＷＯ3 （ｘ＝２〜３ ）等が好適に
用いられる。
【００５３】反射増加層の堆積方法としては、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スプレー法、
スピンオン法、ディップ法等が適した方法として挙げら
れる。
【００５４】また層厚としては、屈折率により最適な層
厚は異なるが、好ましい膜厚の範囲としては５００Ａ〜
１０μｍが挙げられる。
【００５５】光反射増加層でテクスチャ構造を形成する
場合、光反射増加層堆積時の基板温度を３００℃以上の
高めに設定し、光反射増加層を２μｍ以上厚く堆積す
る。
【００５６】ｐ型層またはｎ型層 本発明の光起電力素子において、ｐ型層またはｎ型層
は、光起電力素子の特性を左右する重要な層である。
【００５７】本発明の光起電力素子のｐ型層またはｎ型
層の非晶質材料（ａ−と表示する）、微結晶材料（μｃ
−と表示する）または多結晶材料（「ｐｏｌｙ−」と表
示する）等にｐ型の価電子制御剤（周期率表第ＩＩＩ族
原子 Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）やｎ型の価電子制
御剤（周期率表第Ｖ族原子 Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ）を
高濃度に添加した材料が挙げられる。
【００５８】非晶質材料としては、例えばａ−Ｓｉ：
Ｈ，ａ−Ｓｉ：ＨＸ，ａ−ＳｉＣ：Ｈ，ａ−ＳｉＣ：Ｈ
Ｘ，ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−ＳｉＧｅＣ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ，ａ−Ｓｉｎ：Ｈ，ａ−ＳｉＯＮ：ＨＸ，ａ−Ｓ
ｉＯＣＮ：ＨＸ，μｃ−Ｓｉ：Ｈ，微結晶材料として
は、例えばμｃ−ＳｉＣ：Ｈ，μｃ−Ｓｉ：ＨＸ，μｃ
−ＳｉＣ：ＨＸ，μｃ−ＳｉＧｅ：Ｈ，μｃ−ＳｉＯ：
Ｈ，μｃ−ＳｉＧｅＣ：Ｈ、μｃ−ＳｉＮ：Ｈ，μｃ−
ＳｉＯＮ：ＨＸ，μｃ−ＳｉＯＣＮ：ＨＸ，）、多結晶
材料としては、例えばｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈ，ｐｏｌｙ−
Ｓｉ：ＨＸ，ｐｏｌｙ−ＳｉＣ：Ｈ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ
Ｃ：ＨＸ，ｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，
ｐｏｌｙ−ＳｉＣ，ｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ等が挙げられ
る。ここで、Ｘはハロゲン原子である。
【００５９】特に光入射側のｐ型層またはｎ型層には、
光吸収の少ない結晶性の半導体層か、またはバンドギャ
ップの広い非晶質半導体層が適している。
【００６０】ｐ型層への周期率表第ＩＩＩ族原子の添加
量およびｎ型層への周期率表第Ｖ族原子の添加量は０．
１〜５０ａｔ％が適量として挙げられる。
【００６１】またｐ型層またはｎ型層に含有される水素
原子（Ｈ，Ｄ）またはハロゲン原子Ｘはｐ型層またはｎ
型層の未結合手を補償する働きをし、ｐ型層またはｎ型
層のドーピング効率を向上させるものである。ｐ型層ま
たはｎ型層へ添加される水素原子またはハロゲン原子は
０．１〜４０ａｔ％が適量である。特にｐ型層またはｎ
型層が結晶性の場合、水素原子またはハロゲン原子の好
適な含有量は０．１〜８ａｔ％である。
【００６２】更にｐ型層／ｉ型層、ｎ型層／ｉ型層の各
界面側で水素原子または／及びハロゲン原子の含有量が
多く分布しているものが好ましく、該界面近傍での水素
原子または／及びハロゲン原子の好ましい含有量はバル
ク内の含有量の１．１〜２倍である。このようにｐ型層
／ｉ型層、ｎ型層／ｉ型層の各界面近傍で水素原子また
はハロゲン原子の含有量を多くすることによって該界面
近傍の欠陥準位や機械的歪を減少させることができ、本
発明の光起電力素子の光起電力や光電流を増加させるこ
とができる。
【００６３】更に透明電極／ｐ型層、または透明電極／
ｎ型層の各界面側で水素原子または／及びハロゲン原子
の含有量が多く分布しているものが好ましい分布形態と
して挙げられ、該界面近傍での水素原子または／及びハ
ロゲン原子の含有量はバルク内の含有量の１．１〜２倍
が好ましい。このように透明電極／ｐ型層、または透明
電極／ｎ型層の各界面近傍で水素原子またはハロゲン原
子の含有量を多くすることによって該界面近傍の欠陥準
位や機械的歪みを減少させることができ、本発明の光起
電力素子の光起電力や光電流を増加させることができ
る。
【００６４】本発明の光起電力素子のｐ型層及びｎ型層
の電気特性としては活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下
のものが好ましく、０．１ｅＶ以下のものがより好まし
い。また比抵抗としては１００Ωｃｍ以下が好ましく、
１Ωｃｍ以下がより好ましい。さらにｐ型層及びｎ型層
の層厚は１０〜５００Ａが好ましく、３０〜１００Ａが
より好ましい。
【００６５】本発明の光起電力素子のｐ型層またはｎ型
層の堆積に適した原料ガスとしては、例えばシリコン原
子を含有したガス化し得る化合物、ゲルマニウム原子を
含有したガス化し得る化合物、窒素原子を含有したガス
化し得る化合物等、及び該化合物の混合ガスを挙げるこ
とができる。
【００６６】具体的にシリコン原子を含有するガス化し
得る化合物としては、例えばＳｉＨ 4 ，ＳｉＨ6 ，Ｓｉ
Ｆ4 ，ＳｉＦＨ3 ，ＳｉＦ2 Ｈ2 ，ＳｉＦ3 Ｈ，Ｓｉ3
Ｈ8，ＳｉＤ4 ，ＳｉＨＤ3 ，ＳｉＨ2 Ｄ2 ，ＳｉＨ3
Ｄ，ＳｉＦＤ3 ，ＳｉＦ2 Ｄ 2 ，ＳｉＤ3 Ｈ，Ｓｉ2 Ｄ
3 Ｈ3 等が挙げられる。また、ゲルマニウム原子を含有
するガス化し得る化合物としては、例えばＧｅＨ4 ，Ｇ
ｅＤ4 ，ＧｅＦ4 ，ＧｅＦＨ3 ，ＧｅＦ2 Ｈ2 ，ＧｅＦ
3 Ｈ，ＧｅＨＤ3 ，ＧｅＨ2 Ｄ2 ，ＧｅＨ3 Ｄ，Ｇｅ2
Ｈ6 ，Ｇｅ2Ｄ6 等が挙げられる。炭素原子を含有する
ガス化し得る化合物としては、例えばＣＨ4 ，ＣＤ4 ，
Ｃn Ｈ2n+2（ｎは整数）Ｃn Ｈ2n（ｎは整数），Ｃ2 Ｈ
2 ，Ｃ6 Ｈ6 ，ＣＯ2 ，ＣＯ等が挙げられる。窒素含有
ガスとしては、例えばＮ2 ，ＮＨ3 ，ＮＤ3 ，ＮＯ，Ｎ
Ｏ2 ，Ｎ2 Ｏが挙げられる。酸素含有ガスとしては、例
えばＯ2 ，ＣＯ，ＣＯ2 ，ＮＯ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，ＣＨ
3 ＣＨ2 ，ＯＨ，ＣＨ3 ＯＨ等が挙げられる。
【００６７】本発明において価電子制御するためにｐ型
層またはｎ型層に導入される物質としては周期率表第Ｉ
ＩＩ族原子及び第Ｖ族原子が挙げられる。第ＩＩＩ族原
子導入用の出発物質として有効に使用されるものとして
は、例えば、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ
4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ
6 Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 等のハロゲ
ン化ホウ素等を挙げることができる。このほかにＡｌＣ
ｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，ＩｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げる
ことができるが、特にＢ2 Ｈ6 ，ＢＦ3 が適している。
また、第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効に使用さ
れるのは、例えば燐原子導入用としてはＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ
4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣ
ｌ3 ，ＰＣｌ 5 ，ＰＢｒ3 ＰＢｒ5 ，ＰＩ3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。このほかＡｓＨ 3 ，ＡｓＦ3 ，Ａ
ｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ5 ，ＳｂＨ3 ，Ｓｂ
Ｆ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，
ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も挙げることができる。これ
らの内、特にＰＨ3 ，ＰＦ5が適している。
【００６８】ｐ型層またはｎ型層の堆積方法は、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ法とμＷプラズマＣＶＤ法である。特にＲ
ＦプラズマＣＶＤ法で堆積する場合、容量結合型のＲＦ
プラズマＣＶＤ法が適している。
【００６９】ＲＦプラズマＣＶＤ法でｐ型層またはｎ型
層を堆積する場合、基板温度は、１００〜３５０℃、内
圧は、０．１〜１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは、０．０５
〜１．０Ｗ／ｃｍ2 、堆積速度は、０．１〜３０Ａ／ｓ
ｅｃ等が好ましい条件として挙げられる。
【００７０】また前記ガス化し得る化合物をＨ2 ，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等のガスで適宜希釈して堆
積室に導入しても良い。特に微結晶半導体やａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ等の光吸収の少ないバンドギャップの広い層を堆
積する場合は水素ガスで２〜１００倍に原料ガスを希釈
し、ＲＦパワーは比較的高くして導入するのが好まし
い。ＲＦの周波数としては１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚが適
した範囲であり、特に１３．５６ＭＨｚ近傍の周波数が
好ましい。
【００７１】また、ｐ型層またはｎ型層をμＷプラズマ
ＣＶＤ法で堆積する場合、μＷプラズマＣＶＤ装置は、
堆積室に誘電体窓（アルミナセラミックス等）を介して
導波管でマイクロ波を導入する方法が適している。ｐ型
層またはｎ型層をμＷプラズマＣＶＤ法で堆積する場
合、堆積室内の基板温度は１００〜４５０℃、内圧は
０．５〜３０ｍｔｏｒｒ、μＷパワーは０．０１〜１Ｗ
／ｃｍ3 ，μＷの周波数は０．５〜１０ＧＨｚが好まし
い。
【００７２】この時、前記ガス化し得る化合物をＨ2 ，
Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等のガスで適宜希釈して
堆積室に導入しても良い。特に微結晶半導体やａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ等の光吸収の少ない層またはバンドギャップの広
い層を堆積する場合は水素ガスで２〜１００倍に原料ガ
スを希釈し、μＷパワーは比較的高いパワーを導入する
のが好ましい。
【００７３】ｉ型層 本発明の光起電力素子において、ｉ型層は照射光に対し
てキャリアを発生輸送する重要な層である。
【００７４】本発明の光起電力素子のｉ型層としては、
僅かにｐ型、僅かにｎ型としてもよい。正孔の移動度と
寿命の積が電子の移動度と寿命との積より小さい半導体
層をｉ型層として用いる場合、僅かにｐ型とした層が適
している。また、逆の場合、即ち電子の移動度と寿命の
積が正孔の移動度と寿命との積より小さい半導体層を用
いる場合、僅かにｎ型の層が適している。
【００７５】ｉ型層としては、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ
−Ｓｉ：ＨＸ，ａ−ＳｉＣ：Ｈ，ａ−ＳｉＣ：ＨＸ、ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−ＳｉＧｅ：ＨＸ，ａ−ＳｉＧｅ
Ｃ：ＨＸ等の非晶質材料等が挙げられる。特に、ｉ型層
としては、前記の非晶質材料に価電子制御剤として周期
率表第ＩＩＩ族原子または／および第Ｖ族原子を添加し
てイントリンジック化（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）した材料
が好適なものとして挙げられる。
【００７６】ｉ型層に含有される水素原子（Ｈ，Ｄ）ま
たはハロゲン原子（Ｘ）は、ｉ型層の未結合手を補償す
る働きをし、ｉ型層でのキャリアの移動度と寿命の積を
向上させるものである。またこれらの原子は、ｐ型層／
ｉ型層、ｎ型層／ｉ型層の各界面の界面準位を補償する
働きをし、光起電力素子の光起電力、光電流そして光応
答性を向上させる効果がある。ｉ型層中の水素原子また
は／及びハロゲン原子の好適な含有量は、１〜４０ａｔ
％である。特に、ｐ型層／ｉ型層、ｎ型層／ｉ型層の各
界面側では、水素原子または／及びハロゲン原子の含有
量が多く分布しているものが好ましい分布形態として挙
げられ、該界面近傍での水素原子または／及びハロゲン
原子の含有量は、バルク内の含有量の１．１〜２倍が好
ましい。
【００７７】ｉ型層の層厚は、光起電力素子の構造（例
えばシングルセル、タンデムセル、トリプルセル）及び
ｉ型層のバンドギャップに大きく依存するが０．１〜
１．０μｍが最適な層厚として挙げられる。
【００７８】本発明の目的を効果的に達成するために、
ｉ型層の基本的な物性としては、例えば電子の移動度は
０．０１ｃｍ2 ／Ｖ／ｓｅｃ以上、正孔の移動度は０．
０００１ｃｍ2 Ｖ／ｓｅｃ以上、バンドギャップは１．
１〜２．２ｅＶ、禁制帯中央の局在密度は１０18／ｃｍ
3 ／ｅＶ以下、価電子帯側のアーバックテイルの傾きは
６５ｍｅＶが望ましい。更に本発明の光起電力素子をＡ
Ｍ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 の下で電流電圧特性を測
定しＨｅｃｈｔ式でカーブフィッティングを行い、この
カーブフィッティングから求めた移動度と寿命の積が１
０-10 ｃｍ2 ／Ｖ以上であることが望ましい。
【００７９】またｉ型層のバンドギャップはｐ型層／ｉ
型層、ｎ型層／ｉ型層の各界面側で広くなるように設計
することが好ましい。このように設計することによっ
て、光起電力素子の光起電力、光電流を大きくすること
ができ、更に長時間使用した場合の光劣化等を防止する
ことができる。
【００８０】本発明の光起電力素子のｉ型層の堆積に適
した原料ガスとしては、シリコン原子を含有したガス化
し得る化合物、ゲルマニウム原子を含有したガス化し得
る化合物、炭素原子を含有したガス化し得る化合物等、
及び該化合物の混合ガスを挙げることができる。
【００８１】具体的にシリコン原子を含有するガス化し
得る化合物としては、例えばＳｉＨ 4 ，ＳｉＨ6 ，Ｓｉ
Ｆ4 ，ＳｉＦＨ3 ，ＳｉＦ2 Ｈ2 ，ＳｉＦ3 Ｈ，Ｓｉ3
Ｈ8，ＳｉＤ4 ，ＳｉＨＤ3 ，ＳｉＨ2 Ｄ2 ，ＳｉＨ3
Ｄ，ＳｉＦＤ3 ，ＳｉＦ2 Ｄ 2 ，ＳｉＤ3 Ｈ，Ｓｉ2 Ｄ
3 Ｈ3 等が挙げられる。また、ゲルマニウム原子を含有
するガス化し得る化合物としては、例えばＧｅＨ4 ，Ｇ
ｅＤ4 ，ＧｅＦ4 ，ＧｅＦＨ3 ，ＧｅＦ2 Ｈ2 ，ＧｅＦ
3 Ｈ，ＧｅＨＤ3 ，ＧｅＨ2 Ｄ2 ，ＧｅＨ3 Ｄ，Ｇｅ2
Ｈ6 ，Ｇｅ2Ｄ6 等が挙げられる。炭素原子を含有する
ガス化し得る化合物としては、例えばＣＨ4 ，ＣＤ4 ，
Ｃn Ｈ2n+2（ｎは整数）Ｃn Ｈ2n（ｎは整数），Ｃ2 Ｈ
2 ，Ｃ6 Ｈ6 等が挙げられる。
【００８２】本発明においてｉ型層の価電子制御するた
めにｉ型層に導入される物質としては周期率表第ＩＩＩ
族原子及び第Ｖ族原子が挙げられる。第ＩＩＩ族原子導
入用の出発物質として有効に使用されるものとしては、
具体的にはホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4
Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ 6
Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，等のハロゲ
ン化ホウ素等を挙げることができる。このほかにＡｌＣ
ｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，ＩｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も用いる
ことができる。また、第Ｖ族原子導入用の出発物質とし
て有効に使用されるのは、例えば燐原子導入用としては
ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ，ＰＦ3 ，Ｐ
Ｆ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ＰＢｒ5 ，ＰＩ3
等のハロゲン化燐が挙げられる。このほかＡｓＨ3 ，Ａ
ｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ5 ，Ｓｂ
Ｈ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，
ＢｉＨ 3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も挙げることがで
きる。
【００８３】ｉ型層に伝導型を制御するために導入され
る周期率表第ＩＩＩ族原子及び第Ｖ族原子の導入量は１
０００ｐｐｍ以下が好ましい。
【００８４】本発明に適したｉ型層の堆積方法としては
ＲＦプラズマＣＶＤ法、μＷプラズマＣＶＤ法が挙げら
れる。ＲＦプラズマＣＶＤ法の場合、特に容量結合型の
ＲＦプラズマＣＶＤ法が適している。
【００８５】該ＲＦプラズマＣＶＤ法でｉ型層を堆積す
る場合、基板温度は、１００〜３５０℃、内圧は、０．
１〜１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは、０．０５〜１．０Ｗ
／ｃｍ2 、堆積速度は、０．１〜３０Ａ／ｓｅｃ等の条
が好適に用いられる。
【００８６】また前記ガス化し得る化合物をＨ2 ，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等のガスで適宜希釈して堆
積室に導入しても良い。特にａ−ＳｉＣ：Ｈ等のバンド
ギャップの広い層を堆積する場合は、水素ガスで２〜１
００倍に原料ガスを希釈し、ＲＦパワーは比較的高いパ
ワーを導入するのが好ましい。ＲＦの周波数としては１
ＭＨｚ〜１００ＭＨｚが適した範囲であり、特に１３．
５６ＭＨｚ近傍の周波数が好ましい。
【００８７】ｉ型層をμＷプラズマＣＶＤ法で堆積する
場合、堆積室に誘電体窓（アルミナセラミックス等）を
介して導波管でマイクロ波を導入する方法が適してい
る。堆積室内の基板温度は１００〜４５０℃、内圧は
０．５〜３０ｍｔｏｒｒ、μＷパワーは０．０１〜１Ｗ
／ｃｍ3 ，μＷの周波数は０．５〜１０ＧＨｚが好まし
い。更にプラズマ内にバイアス棒（板状、リング状でも
良い）を設置してプラズマ電位を制御すると特性がより
一層向上する。特に導入したμＷパワーに対して堆積速
度が飽和していない領域では、バイアス棒によるプラズ
マ電位の制御が効果的に働く。この時、バイアス棒を基
板の電位に対してプラスにすることがもっとも効果的で
ある。バイアス棒に印加するバイアスがＤＣバイアスの
場合、１０Ｖから５００Ｖが好ましく、またＡＣバイア
スの場合は、印加電圧の極大極小間の電圧は１０Ｖから
５００Ｖが好ましい。更にバイアス棒にＲＦバイアスを
印加する場合、ＲＦ電力は、１０Ｗから３ＫＷが好まし
い。ＲＦバイアスの場合、特にμＷパワーより以上にＲ
Ｆパワーを導入すると特性が向上する。ＡＣバイアス、
ＲＦバイアスいずれの場合もＤＣバイアスの場合と同様
に基板がバイアス棒にたいして負電位であることが好ま
しい。
【００８８】このようにバイアスによる堆積膜の特性が
向上するのは、μＷプラズマＣＶＤ法において正イオン
が重要な働きをしていると考えられる。更にμＷパワー
とバイアスの特異な組み合わせにおいて特性が向上する
ことからプラズマ中の活性種とイオン種の組み合わせが
重要であることが考えられる。
【００８９】また前記ガス化し得る化合物をＨ2 ，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等のガスで適宜希釈して堆
積室に導入しても良い。特にａ−ＳｉＣ：Ｈ等のバンド
ギャップの広い層を堆積する場合は水素ガスで２〜１０
０倍に原料ガスを希釈し、μＷパワーは比較的高いパワ
ーを導入するのが好ましい。
【００９０】図１３、図１４は本発明のｐ型層、ｎ型層
及びｉ型層の堆積に適したμＷプラズマＣＶＤ装置とＲ
ＦプラズマＣＶＤ装置の模式的説明図である。
【００９１】図１３に示すμＷプラズマＣＶＤ装置は堆
積室１３０１、マイクロ波導入用誘電体窓１３０２、ガ
ス導入管１３０３、基板１３０４、加熱ヒータ１３０
５、真空計１３０６、コンダクタンスバルブ１３０７、
補助バルブ１３０８、リークバルブ１３０９、導波部１
３１０、バイアス電源１３１１、バイアス棒１３１２、
原料ガス供給装置１３２０、マスフローコントローラー
１３２１〜１３２６、ガス流入バルブ１３３１〜１３３
６、ガス流出バルブ１３４１〜１３４６、原料ガスボン
ベのバルブ１３５１〜ｌ３５６、圧力調整器１３６１〜
１３６６、原料ガスボンベｌ３７１〜１３７６等から構
成されている。
【００９２】図１４に示すＲＦプラズマＣＶＤ装置は、
堆積室１４０１、カソード１４０２、ガス導入管ｌ４０
３、基板１４０４、加熱ヒーター１４０５、真空計１４
０６、コンダクタンスバルブ１４０７、補助バルブ１４
０８、リークバルブ１４０９、ＲＦマッチングボックス
１４１２等から構成されている。
【００９３】本発明の光起電力素子の堆積に適した図１
３及び図１４に示す堆積装置は、ステンレスまたはアル
ミニウム材で作製するのが適している。特にステンレス
材で作製する場合にはＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３０４Ｎ
２，ＳＵＳ３０４Ｌ，ＳＵＳ３０４ＬＮ，ＳＵＳ３２
１，ＳＵＳ３４７，ＳＵＳ３１６，ＳＵＳ３１６Ｌ等の
耐食性、耐孔食性、耐粒界腐食性、及び耐熱性の優れた
ステンレス材が最適な材料として挙げられる。また、ア
ルミニウム材で堆積装置を作製する場合は、ＪＩＳの５
０００番台のＡｌ−Ｍｇ系の材料が最適なものとして挙
げられる。
【００９４】図１３に示すμＷプラズマＣＶＤ装置のマ
イクロ波導入用の誘電体窓の材料としてはアルミナセラ
ミックス（Ａｌ2Ｏ3）が９５％以上含有されているもの
が最適なものとして挙げられる。
【００９５】透明電極 本発明の光起電力素子で用いられる透明電極は、例えば
スズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム−スズ酸化
物等の透明電極が適し、特にこれら酸化物透明電極に窒
素原子または／及び炭素原子を含有させた酸化物透明電
極が適している。
【００９６】スズ酸化物、インジウム酸化物、インジウ
ム−スズ酸化物に窒素原子を含有させることにより、透
明電極を構成する前記酸化物の結晶粒径が増加し、また
該結晶粒径の分散が小さくなる。更には透明電極の歪を
小さくすることができる。この結果、透明電極の比抵抗
を小さくすると共に透明電極の透過率を向上させること
ができる。
【００９７】更に加えて透明電極に窒素原子を含有させ
ることによって透明電極を構成する前記酸化物の結晶の
形を比較的なめらかな形にすることができ、透明電極の
表面性を向上させることができる。特に半導体層上に前
記透明電極を堆積した場合、半導体層と透明電極の密着
性が著しく向上する。また、該透明電極上に非単結晶シ
リコン系半導体層を堆積する場合に、非単結晶シリコン
系半導体層の異常堆積を少なくすることも可能となる。
したがって、薄いｐ型層（またはｎ型層）を堆積しても
電気的リークを減少させることができる。その結果光起
電力素子の平均的な特性が向上する。
【００９８】また、詳細は不明であるが窒素原子が酸化
物の結晶成長に関係すると考えられ、窒素原子を導入す
ることで比較的低温においても良質な特性の透明電極を
得ることができる。
【００９９】本発明の窒素原子を含有する透明電極は以
下のようにして堆積される。
【０１００】透明電極の堆積にはスパッタリング法と真
空蒸着法が適した堆積方法である。例えば、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置において、窒素原子を含有す
るスズ酸化物から成る透明電極を基板上に堆積する場
合、ターゲットは金属スズ（Ｓｎ）やスズ酸化物（Ｓｎ
Ｏ2 ）等に窒素原子含有物を含有させたターゲット等が
用いられる。
【０１０１】また窒素原子を含有するインジウム酸化物
から成る透明電極を堆積する場合、ターゲットは金属イ
ンジウム（Ｉｎ）やインジウム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）等
に窒素原子含有物を含有させたターゲットが用いられ
る。窒素原子を含有するインジウム−スズ酸化物から成
る透明電極を堆積する場合には、ターゲットは金属ス
ズ、金属インジウムまたは金属スズと金属インジウムの
合金、スズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム−ス
ズ酸化物等に窒素原子含有物を含有させたターゲットを
適宜組み合わせて用いられる。
【０１０２】また反応性スパッタリング法で本発明の透
明電極を堆積する場合には、前記ターゲットまたは／及
び窒素原子を含有しない前記ターゲットを適宜組み合わ
せたものをスパッタ用ターゲットとし、窒素原子含有の
原料ガスを堆積室に導入してプラズマエネルギーを利用
して透明電極に窒素原子を導入することができる。
【０１０３】反応性スパッタリング法に適した窒素原子
含有の原料ガスとしては、例えばＮ 2 ，ＮＨ3 ，Ｎ
Ｄ3 ，ＮＯ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏが挙げられる。
【０１０４】本発明の透明電極中に含有される窒素原子
の含有量は１００ｐｐｍ以下が好ましい。また、透明電
極中に１００ｐｐｍ以下の窒素原子を含有させるために
前記ターゲット中に含有される窒素原子の含有量はスパ
ッター条件によって大きく依存するもののおおむね１０
０ｐｐｍである。
【０１０５】また反応性スパッタリング法で透明電極中
に１００ｐｐｍ以下の窒素原子を含有させるためには前
記窒素原子含有ガスのスパッタリング用ガスへの混合比
は２００ｐｐｍ以下が好ましい。
【０１０６】本発明の窒素原子を含有する透明電極をス
パッタリング法で堆積する場合、基板温度は重要な因子
であって、２５℃〜６００℃が好ましい。２５℃〜２５
０℃の低温でも、従来技術と比べて優れた特性を示す透
明電極が得られる。また、スパッタリング用のガスとし
ては、アルゴンガス（Ａｒ），ネオンガス（Ｎｅ）、キ
セノンガス（Ｘｅ），ヘリウムガス（Ｈｅ）等の不活性
ガスが用いられ、特にＡｒガスが好ましい。また前記不
活性ガスに酸素ガス（Ｏ2 ）を必要に応じて添加するこ
とが好ましく、特に金属をターゲットにしている場合、
酸素ガス（Ｏ2）は必須のものである。
【０１０７】スパッタリングする場合、放電空間の圧力
は効果的にスパッタリングを行うために、０．１〜５０
ｍｔｏｒｒが好ましい。電源としては、ＤＣ電源やＲＦ
電源が適したものとして挙げられる。スパッタリング時
の電力としては１０〜１０００Ｗが適した範囲である。
また、堆積速度は、放電空間内の圧力や放電電力に依存
し、好ましい堆積速度としては、０．１〜１００Ａ／ｓ
ｅｃである。
【０１０８】本発明の窒素原子を含有する透明電極の層
厚は、反射防止膜の条件を満たすような条件に堆積する
のが好ましい。具体的な層厚としては５００Ａ〜３００
０Ａである。
【０１０９】本発明の窒素原子を含有する透明電極を堆
積するに適した第２の方法として真空蒸着法が挙げられ
る。蒸着源としては、金属スズ、金属インジウム、イン
ジウム−スズ合金に前記窒素原子含有物を添加したもの
が用いられる。前記窒素原子の含有量としては、おおむ
ね１００ｐｐｍ以下が適した範囲である。
【０１１０】また、堆積条件としては、基板温度を２５
℃〜６００℃として、圧力１０-6ｔｏｒｒ台以下に減圧
した後に酸素ガス（Ｏ2 ）を５×１０-5ｔｏｒｒ〜９×
１０ -4ｔｏｒｒの範囲で堆積室に導入する。
【０１１１】この範囲の酸素を導入することによって蒸
着源から気化した金属が気相中の酸素と反応して良好な
透明電極が堆積される。
【０１１２】また反応性蒸着で窒素原子含有の透明電極
を堆積する場合、前記蒸着源または／及び窒素原子を含
有しない蒸着源を、窒素原子含有ガスを堆積室内に５×
１０ -4ｔｏｒｒ以下導入した状態で、蒸発させて透明電
極を堆積しても良い。加えて前記真空度でＲＦ電力を導
入してプラズマを発生させて、該プラズマを介して蒸着
を行っても良い。
【０１１３】上記条件による透明電極の好ましい堆積速
度としては０．１〜１００Ａ／ｓｅｃである。堆積速度
が０．１Ａ／ｓｅｃ未満であると生産性が低下し、１０
０Ａ／ｓｅｃより大きくなると粗い膜となり透過率、導
電率や密着性が低下する。
【０１１４】本発明の窒素原子を含有する透明電極に炭
素原子を同時に含有させることによって、光起電力素子
の特性を一層向上させることができる。即ち、透明電極
に窒素原子と炭素原子を同時に含有させることによっ
て、光起電力素子のヒートサイクルに対する耐性がより
改善され、また透明電極の柔軟性がより向上して光起電
力素子のひび割れを防止する効果がより一層向上する。
本発明の添加される炭素原子の好ましい添加量は、１０
０ｐｐｍ以下である。
【０１１５】炭素原子の透明電極への導入方法は前記窒
素原子と同様な手段方法で行うことができる。
【０１１６】例えば、透明電極堆積用のターゲットや蒸
着源に炭素原子を含有させたターゲットや蒸着源を使用
してスパッタリングや真空蒸着を行うことで透明電極に
炭素原子を含有させることができる。この際、ターゲッ
トや蒸着源に含有させる炭素原子の出発物質としてはグ
ラファイト状炭素、ダイヤモンド状炭素等が適してい
る。
【０１１７】また反応性スパッタリング法で窒素原子と
炭素原子を含有する透明電極を堆積する場合は、前記タ
ーゲットまたは／及び炭素原子を含有しないターゲット
を適宜組み合わせて、スパッタリング用ターゲットとし
て、前記窒素原子含有の原料ガスに加えて炭素原子含有
の原料ガスを堆積室に導入してプラズマエネルギーを利
用して透明電極に窒素原子に加えて炭素原子を導入する
ことができる。
【０１１８】反応性スパッタリング法に適した炭素原子
含有の原料ガスとしてはＣＨ4 ，ＣＤ4 ，Ｃn Ｈ
2n+2（ｎは整数）Ｃn Ｈ2n（ｎは整数），Ｃ2 Ｈ2 ，Ｃ
6 Ｈ6 ，ＣＯ2 ＣＯ等が挙げられる。
【０１１９】また反応性蒸着により窒素原子に加えて炭
素原子含有の透明電極を堆積する場合、前記蒸着源また
は／及び炭素原子を含有しない蒸着源を、前記炭素原子
含有ガスを堆積室内に５×１０-4ｔｏｒｒ以下導入した
状態で、蒸発させて透明電極を堆積しても良い。加えて
前記真空度でＲＦ電力を導入してプラズマを発生させ
て、該プラズマを介して蒸着を行っても良い。
【０１２０】一方窒素原子及び／または炭素原子を含有
しない酸化物からなる透明電極を形成する場合には、従
来の方法で透明電極を堆積すれば良い。
【０１２１】導電性基板 導電性基板は、導電性材料そのまま用いてもよく、また
絶縁性材料または導電性材料で支持体を形成し、その上
に導電性処理をしたものであっても良い。導電性支持体
としては、例えば、ＮｉＣｒ，ステンレス，Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，
Ｓｎ等の金属または、これらの合金が挙げられる。ま
た、電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネートナー、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム、またはシート、ガラス、セラミックス、紙などが挙
げられる。これらの電気絶縁性支持体は、少なくともそ
の一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に
光起電力層を設けるのが望ましい。
【０１２２】例えばガラスであれば、その表面に、例え
ばＮｉＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ
3 ＋ＳｎＯ2）等から成る膜薄を設けることによって導
電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、例えばＮｉＣｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐ
ｂ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ等の金属薄膜を真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、または前
記金属でその表面を面をラミネート処理して、その表面
に導電性を付与する。支持体の形状は平滑表面あるいは
凹凸表面のシート状でよい。その厚さは所望通りの光起
電力素子を形成し得るように適宜決定するが光起電力素
子としての柔軟性が要求される場合には、支持体として
の機能が十分発揮される範囲で可能な限り薄くすること
ができる。しかしながら、支持体の製造上および取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は１０μｍ以上とされ
る。
【０１２３】導電層（及び保護層） 導電層は、導電性材料そのものであってもよく、導電性
材料に絶縁性材料を形成したものであっても良い。導電
性材料としては、例えば、ＮｉＣｒ，ステンレス，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，
Ｐｂ，Ｓｎ等の金属または、これらの合金が挙げられ
る。該金属を真空蒸着法、スパッタリング法等で薄膜と
して形成すれば良い。電気絶縁性材料としては、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネートナー、セルロ
ースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、等の合
成樹脂のフィルム、またはシート、ガラス、セラミック
ス、紙などが挙げられる。これらの電気絶縁性材料は、
好適には少なくともその一方の表面に接着剤を塗布し、
前記金属薄膜層上に接着するのが好ましい。
【０１２４】電気絶縁性材料は保護層としての機能が十
分発揮される範囲で可能な限り薄くすることができる。
しかしながら、製造上および取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は１０μｍ以上とされる。
【０１２５】（実験例）以下の本発明に至る過程で行っ
た実験例により本発明の効果を詳細に説明する。
【０１２６】（実験例１−１）まず、図４に示すＤＣマ
グネトロンスパッタリング装置により、ステンレス基板
上に酸素原子を含有するＡｇの光反射層を作製した。
【０１２７】図中４０２は５０ｍｍ角、厚さ０．２ｍ
ｍ、表面に鏡面加工を施したステンレス（ＳＵＳ４３
０）であり、アセトン（ＣＨ3 ＯＣＨ3 ）で１０分間、
イソプロパノール（ＣＨ3 ＣＨＯＨＣＨ3 ）で１０分間
の超音波洗浄を行い、８０℃で３０分間の温風乾燥を行
ったものである。
【０１２８】図中４０４は、純度９９．９９９％の銀
（Ａｇ）ターゲットであり、絶縁性支持体４０５で堆積
室４０１より絶縁されている。図中４１０、４１２、４
１４、４１４はガス導入バルブであり、それぞれアルゴ
ン（Ａｒ）ガスボンベ（純度９９．９９９９％）、アル
ゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐｍに希釈された窒素（Ｎ2
／Ａｒ）ガスボンベ、アルゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐ
ｍに希釈されたメタン（ＣＨ4／Ａｒ）ガスボンベ、ア
ルゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐｍに希釈された酸素（Ｏ
2 ／Ａｒ）ガスボンベに接続されている。
【０１２９】まず、堆積室４０１内を不図示の真空ポン
プにより排気し、真空計４０８の読みが約１×１０-5Ｔ
ｏｒｒになった時点で、ガス導入バルブ４１０、４１６
を徐々に開いて、Ｏ2 ／Ａｒガス流量が２ｓｃｃｍ、Ａ
ｒガス流量が１０ｓｃｃｍとなるように、各々のマスフ
ローコントローラー４１１、４１７で調整し、堆積室４
０１内の圧力が６ｍＴｏｒｒとなるように、真空計４０
８を見ながらコンダクタンスバルブ（バタフライ型）４
０９の開口を調整した。その後、ＤＣ電源４０６の電圧
を−４００Ｖに設定して、ターゲット４０４にＤＣ電力
を導入し、ＤＣグロー放電を生起させた。５分経過した
後にシャッター４０７を開けて、基板４０２上にＡｇの
光反射層の作製を開始し、層厚４５０ｎｍの光反射層を
作製したところでシャッター４０７を閉じ、ＤＣ電源４
０６の出力を切り、ＤＣグロー放電を止めた。次に、ガ
ス導入バルブ４１６を閉じて、堆積室４０１内へのＯ2
／Ａｒガスの流入を止め、Ａｒガスの流量が１００ｓｃ
ｃｍとなるようにマスフローコントロラー４１１を調整
した。
【０１３０】次に、コンダクタンスバルブ４０９を閉じ
て、堆積室４０１を徐々にリークし、酸素原子を含むＡ
ｇの光反射層の作製を終えた。
【０１３１】（実験例１−２）実験例１−１において、
Ａｒガスで希釈した酸素ガスの代わりに、Ａｒガスで５
０ｐｐｍに希釈したＮ2 ガスを導入し、他は実験例１−
１と同様にして窒素原子を含有する光反射層を作製し
た。
【０１３２】（実験例１−３）実験例１−１において、
Ａｒガスで希釈した酸素ガスの代わりに、Ａｒガスで５
０ｐｐｍに希釈したＣＨ4 ガスを導入し、他は実験例１
−１と同様にして炭素原子を含有する光反射層を作製し
た。
【０１３３】（実験例１−４）実験例１−１において、
Ａｒガスで希釈した酸素ガスの代わりに、Ａｒガスで５
０ｐｐｍに希釈したＮＯガス（ＮＯ／Ａｒガス）を用
い、Ａｒガス流量２０ｓｃｃｍ、ＮＯ／Ａｒガス２０ｓ
ｃｃｍ、圧力５ｍＴｏｒｒとし、他は実験例１−１と同
様にして窒素原子と酸素原子を含有する光反射層を作製
した。
【０１３４】（実験例１−５）実験例１−１において、
Ａｒガス流量１０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ／Ａｒガス流量１０
ｓｃｃｍ、Ｏ2 ／Ａｒガス流量５ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガス流
量１０ｓｃｃｍ、圧力８ｍＴｏｒｒの条件とし、他は実
験例１−１と同様にして窒素原子、酸素原子及び炭素原
子を含有する光反射層を作製した。
【０１３５】（比較実験例１）光反射層の作製中に堆積
室４０１内へＯ2 ガスを流さず、他は実験例１−１と同
様な方法により、従来のＡｇの光反射層を作製した。
【０１３６】以上のようにして作製した光反射層に対し
て本発明の効果を実証するために次に挙げる４つの評価
試験を行った。
【０１３７】１．（評価ａ）結晶粒径のばらつき ２．（評価ｂ）密着性 ３．（評価ｃ）結晶粒径の温度依存性 ４．（評価ｄ）積層構造での密着性。
【０１３８】（評価ａ）結晶粒径のばらつき 光反射層中のＡｇの結晶粒径のばらつきを調べるため
に、日立製作所製の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）Ｓ−５
３０を用いてその表面を観察し、面積１００μｍ×１０
０μｍの正方形内のすべての結晶の粒径を測定した。試
料の粒径分布は図５に示すようになり、実験例１−１〜
１−５のほうが比較実験例１よりもはるかに結晶粒径の
ばらつきが小さいことが分かった。また、実験例１−１
〜１−５の試料間での違いはほとんど観られなかった。
【０１３９】（評価ｂ）密着性 光反射層の密着製を調べるために、図６のような曲げ試
験器を用いて光反射層が作製されたステンレス基板６０
１の曲げ試験をおこなった。（条件Ａ）図において、ま
ず光反射層が作製された面６０１ａを右方向に向け、曲
げ棒６０２の先端にわずかに接触するようにステンレス
基板６０１の端部をしっかりと固定する。つぎにエアー
シリンダー６０３に圧縮空気を導入し、曲げ棒の押し出
し速度約１ｍ／ｓ、引き込み速度約１ｍ／ｓ、ストロー
ク３．０ｃｍになるように圧縮空気の圧力を調整した。
通常雰囲気中にて１００００回の曲げ試験を行ない、通
常の光学顕微鏡を使用して剥がれた光反射層の面積を算
出した。（条件Ｂ）さらに光反射層が作製された面６０
１ａを左方向に向けて、同様な曲げ試験を行った。結果
を表１に示す。
【０１４０】表１から明らかなように、実験例１−１〜
１−５の光反射層は、比較実験例１に比べ、密着性が大
きく改善されていることが分かる。
【０１４１】（評価ｃ）結晶粒径の温度依存性 光反射層中のＡｇ結晶の成長と温度との関係を調べるた
めに図４の装置を用い、光反射層を形成したステンレス
基板の加熱アニーリングを行った。まず光反射層を形成
したステンレス基板を光反射層が下向きになるように加
熱ヒーター４０３に取り付け、堆積室４０１内を不図示
の真空ポンプにより排気し、真空計４０８の読みが約１
×１０-6Ｔｏｒｒになった時点で、ガス導入バルブ４１
２を徐々に開いて、Ａｒガス流量が１００ｓｃｃｍとな
るようにマスフローコントローラー４１１で調整し、堆
積室４０１内の圧力が８ｍＴｏｒｒとなるように、コン
ダクタンスバルブ４０９の開口を調整した。つぎに加熱
ヒーター４０３に電力を供給し、ステンレス基板４０２
が４００℃となるように不図示の温度コントローラーで
調整した。加熱アニーリングを３時間施した後にヒータ
ーへの電力供給を止め、堆積室４０１内の圧力が１０Ｔ
ｏｒｒになるようにコンダクタンスバルブ４０９の開口
を調整し、ステンレス基板４０２を徐冷した。ステンレ
ス基板４０２の温度が室温まで下がったところで、コン
ダクタンスバルブ４０９を閉じ、堆積室４０１をリーク
し、ステンレス基板を取り出した。
【０１４２】取り出したステンレス基板を（評価ａ）で
用いた走査型電子顕微鏡を使用して同様な方法でそれぞ
れの結晶粒径を調べた。その結果、実験例１−１〜１−
５の試料はいずれも図７（ａ）に示すように、加熱アニ
ーリングによって結晶粒径の変化は観られなかった（平
均粒径０．２μｍ）。一方、比較実験例１の試料は、図
７（ｂ）に示すように、アニーリングにより結晶粒径が
大きくなることが分かった。
【０１４３】（評価ｄ）積層構造での密着性 積層構造にした場合の密着性を評価するために、光反射
層の上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）の光反射増加層を作製し
た。
【０１４４】まず、図８に示すＤＣマグネトロンスパッ
タリング装置により、基板上に実験例１−１〜１−５と
比較実験例１と同じ光反射層を作製した。
【０１４５】実験例１−１と同様な手順に従ってシャッ
ター８０７を開けて、基板８０２上にＡｇの光反射層の
作製を開始し、層厚４５０ｎｍの光反射層を作製したと
ころでシャッター８０７を閉じ、ＤＣ電源８０６の出力
を切り、ＤＣグロー放電を止めた。次に、ガス導入バル
ブを閉じ、再び堆積室８０１内の圧力が１×１０-6Ｔｏ
ｒｒになるまで十分に真空排気した。
【０１４６】次にＡｇの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製した。図中８１８は、純度９
９．９９％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）ターゲットであり、絶
縁性支持体８０５で堆積室８０１より絶縁されている。
まずガス導入バルブ８１０を徐々に開いて、Ａｒガス流
量が３０ｓｃｃｍとなるようにマスフローコントローラ
ー８１１を調整し、堆積室８０１内の圧力が６ｍＴｏｒ
ｒとなるように、コンダクタンスバルブ８０９の開口を
調整した。その後、ＤＣ電源８２０の電圧を−４００Ｖ
に設定して、ＺｎＯのターゲット８１８にＤＣ電力を導
入し、ＤＣグロー放電を生起させた。５分経過した後に
シャッター８２１を開けて、Ａｇの光反射層の上にＺｎ
Ｏの光反射増加層の作製を開始し、層厚１．０μｍの光
反射増加量を作製したところでシャッター８２１を閉
じ、ＤＣ電源８２０の出力を切り、ＤＣグロー放電を止
めた。次に、Ａｒガスの流量が１００ｓｃｃｍとなるよ
うにマスフローコントローラー８１１を調整し、コンダ
クタンスバルブ８０９を閉じて、堆積室８０１を徐々に
リークし、ＺｎＯの光反射増加量の作製を終えた。
【０１４７】以上の試料について、（評価ｂ）と同様な
方法で密着性を評価した。結果を表２に示す。
【０１４８】表２が示すように、実験例１−１〜１−５
の試料は比較実験例１に比べて膜の剥離は少なく、積層
構造とした場合でも高い密着性を示すことが分かった。
【０１４９】実験例２ 電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法によって本発明のＡｇの
光反射層子を作製した。
【０１５０】まず、図９に示す電子ビーム（ＥＢ）真空
蒸着法の製造装置により、基板上に、酸素原子を含有す
る銀（Ａｇ）の光反射層を作製した。
【０１５１】図中９０２は実験例１−１で用いたステン
レス基板であり、９０４は、純度９９．９９９％のＥＢ
蒸着用の銀（Ａｇ）の蒸着源である。図中９１０、９１
２、９１４、９１６はガス導入バルブであり、それぞれ
アルゴン（Ａｒ）ボンベ（純度９９．９９９％）、アル
ゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐｍに希釈された窒素（Ｎ 2
／Ａｒ）ガスボンベ、アルゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐ
ｍに希釈されたメタン（ＣＨ4／Ａｒ）ガスボンベ、ア
ルゴン（Ａｒ）ガスで５０ｐｐｍに希釈された酸素（Ｏ
2 ／Ａｒ）ガスボンベに接続されている。
【０１５２】まず、堆積室９０１内を不図示の真空ポン
プにより排気し、真空計９０８の読みが約１×１０-6Ｔ
ｏｒｒになった時点で、ガス導入バルブ９１６を徐々に
開いて、Ｏ2 ／Ａｒガス流量が２ｓｃｃｍとなるよう
に、マスフローコントローラー９１７で調整し、堆積室
９０１内の圧力が１×１０-4Ｔｏｒｒとなるように、真
空計９０８を見ながらコンダクタンスバルブ（バタフラ
イ型）９０９の開口を調整した。その後、電子銃９０５
に高電圧を印加し、成膜速度が２．５Ａ／ｓｅｃとなる
ように高電圧電源９０６の電圧を調整した。５分経過し
た後にシャッター９０７を開けて、基板９０２上にＡｇ
の光反射層の作製を開始し、層厚４５０ｎｍの光反射層
を作製したところでシャッター９０７を閉じ、高電圧電
源９０６の出力を切り、ＥＢ真空蒸着を終えた。次に、
ガス導入バルブ９１６を閉じて、堆積室９０１内へのＯ
2 ／Ａｒガスの流入を止め、ガス導入バルブ９１０を開
け、Ａｒガスの流量が１００ｓｃｃｍとなるようにマス
フローコントローラー９１１を調整した。
【０１５３】次に、コンダクタンスバルブ９０９を閉じ
て、堆積室９０１を徐々にリークし、酸素原子を含むＡ
ｇの光反射層の作製を終えた。
【０１５４】（比較実験例２）光反射層の作製中に堆積
室９０１内へＯ2 ／Ａｒガスを流さず、他は実験例２と
同様な方法により、従来の光反射層を作製した。
【０１５５】以上、真空蒸着法で作製した二つのＡｇの
光反射層に対して本発明の効果を実証するために実験例
１−１〜１−５と同様な評価試験を行った。
【０１５６】（評価ａ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
ばらつきを図１０に示す。図から明らかなように、実験
例２の試料のほうが比較実験例２の試料よりもはるかに
結晶粒径（平均粒径０．１μｍ）のばらつきが小さいこ
とが分かる。
【０１５７】（評価ｂ）光反射膜の密着性評価の結果、
条件Ａでは実験例２の試料はその表面積の０．３％しか
剥がれなかったのに対して、Ａｇ比較実験例２のそれは
２％であった。
【０１５８】また、条件Ｂでは、実験２の試料はその表
面積の０．４％しか剥がれなかったのに対して、比較実
験例のそれは２％であった。
【０１５９】（評価ｃ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
温度依存性測定結果を図１１に示す。図から明らかなよ
うに、実験例２の試料では、加熱アニーリングによって
結晶粒径の変化はほとんどないが、比較実験例２では結
晶粒径が大きくなっていることが分かった。
【０１６０】（評価ｄ）積層構造にした場合の密着性を
評価するためにＡｇの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製した。
【０１６１】図１２に示すＥＢ真空蒸着法とＤＣマグネ
トロンスパッタリング法を兼ね備える装置を使用し、ま
ず、ＥＢ真空蒸着法でステンレス基板上に酸素原子を含
有するＡｇの光反射層を作製した。図中１２０２はステ
ンレス基板であり、１２０４は、純度９９．９９９％の
ＥＢ蒸着用の銀（Ａｇ）の蒸着源である。
【０１６２】図中１２１０、１２１２、１２１４、１２
１６はガス導入バルブであり、それぞれ図９と同じボン
ベが接続されている（不図示）。手順は実験例２と同様
に堆積室１２０１内を不図示の真空ポンプにより排気
し、真空計１２０８読みが約１×１０-6Ｔｏｒｒになっ
た時点で、ガス導入バルブ１２１６を徐々に開いて、Ｏ
2 ／Ａｒガス流量が１ｓｃｃｍとなるように、マスフロ
ーコントローラー１２１７で調整し、堆積室１２０１内
の圧力が１×１０-4Ｔｏｒｒとなるように、真空計１２
０８を見ながらコンダクタンスバルブ（バタフライ型）
１２０９の開口を調整した。その後、電子銃１２０５に
高電圧を印加し、成膜速度が２．５Ａ／ｓｅｃとなるよ
うに高電圧電源１２０６の電圧を調整した。５分経過し
た後にシャッター１２０７を開けて、基板１２０２上に
光反射層の作製を開始し、層厚４５０ｎｍの光反射層を
作製したところでシャッター１２０７を閉じ、高電圧電
源１２０６の出力を切り、ＥＢ真空蒸着を終えた。次
に、ガス導入バルブ１２１６を閉じて、堆積室１２０１
内への、Ｏ2 ／Ａｒガスの流入を止め、再び堆積室１２
０１内の圧力が１×１０-6Ｔｏｒｒになるまで十分に真
空排気し、酸素原子を含むＡｇの光反射層の作製を終え
た。
【０１６３】次にＡｇの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製した。
【０１６４】図中１２１８は、純度９９．９９％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）ターゲットであり、絶縁性支持体１２１
９で堆積室１２０１より絶縁されている。まず、Ａｇの
光反射層を作製した基板１２０２を、ヒーター１２０３
により３５０℃に保持し、次にガス導入バルブ１２１０
を徐々に開いて、Ａｒガス流量が２０ｓｃｃｍとなるよ
うにマスフローコントローラー１２１１を調整し、堆積
室１２０１内の圧力が５ｍＴｏｒｒとなるように、コン
ダクタンスバルブ１２０９の開口を調整した。その後、
ＤＣ電源１２２０の電圧を−４００Ｖに設定して、Ｚｎ
Ｏのターゲット１２１８にＤＣ電力を導入し、ＤＣグロ
ー放電を生起させた。
【０１６５】５分経過した後にシャッター１２２１を開
けて、Ａｇの光反射層の上にＺｎＯの光反射増加層の作
製を開始し、層厚１．０μｍの光反射増加層を作製した
ところでシャッター１２２１を閉じ、ＤＣ電源１２２０
の出力を切り、ＤＣグロー放電を止めた。次に、Ａｒガ
スの流量が１００ｓｃｃｍとなるようにマスフローコン
トローラー１２１０を調整し、コンダクタンスバルブ１
２０９を閉じて、堆積室１２０１を徐々にリークし、Ｚ
ｎＯの光反射増加層の作製を終えた。
【０１６６】同様にＯ2 ／Ａｒガスを堆積室に流さずに
作製した光反射層Ａｇの上にも上記と同じＺｎＯの光反
射増加量を作製した。
【０１６７】以上のようにして作製した積層構造の密着
性を前記した方法で評価した。その結果、条件Ａでは実
験２の試料はその表面積の０．４％しか剥がれなかった
のに対して、比較実験例のそれは１．５％であった。さ
らに条件Ｂでは実験例２の試料の剥離面積は０．５％で
あったのに対して、比較実験例２のそれは２．３％であ
った。
【０１６８】実験例３ （実験例３−１）実験例１−１と同様にして、図４に示
すＤＣマグネトロンスパッタリング装置により酸素原子
を含有する銅の光反射層を作製した。
【０１６９】ターゲットを銅（９９．９９９％）に変
え、Ｏ2／Ａｒガス流量を５ｓｃｃｍ，圧力を８ｍＴｏ
ｒｒと変えた以外は、実験例１−１と同様の条件で酸素
を含有する銅の光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１７０】（実験例３−２）実験例１−１と同様にし
て、図４に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
より窒素原子を含有する銅の光反射層を作製した。
【０１７１】ターゲットを銅（９９．９９９％）に変
え、Ｎ2／Ａｒガス流量を１０ｓｃｃｍ，圧力を８ｍＴ
ｏｒｒと変えた以外は、実験例１−１と同様の条件で窒
素を含有する銅の光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１７２】（実験例３−３）実験例１−１と同様にし
て、図４に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
より炭素原子を含有する銅の光反射層を作製した。
【０１７３】ターゲットを銅（９９．９９９％）に変
え、ＣＨ4／Ａｒガス流量を１０ｓｃｃｍ，圧力を８ｍ
Ｔｏｒｒと変えた以外は、実験例１−１と同様の条件で
炭素を含有する銅の光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１７４】（比較実験例３）光反射層の作製中に堆積
室４０１内へ，Ｏ2／Ａｒガスを流さず、Ａｒガスを３
５ｓｃｃｍ流入させ、他は実験例３−１と同様にして従
来の光反射層を作製した。
【０１７５】以上スパッタリング法で作製した実験例３
−１〜３−３及び比較実験例３の光反射層について、本
発明の効果を実証するために実験例１と同様な評価を行
った。
【０１７６】（評価ａ）光反射層中のＣｕの結晶粒径の
ばらつきを実験例１と同様にして調べたところ図５と同
様に、実験例３−１〜３−３の試料のほうが比較実験例
３の試料よりもはるかに結晶粒径のばらつきが小さいこ
とが分かった。
【０１７７】（評価ｂ）光反射膜の密着性評価の結果、
実験例３−１の膜剥離面積は比較実験例３の１／４（条
件Ａ），１／５（条件Ｂ）となった。または実験例３−
２の試料については、１／６（条件Ａ，Ｂ）、実験例３
−３の試料では１／５（条件Ａ），１／６（条件Ｂ）と
なり、実験例３の光反射層が従来の反射層に比べ高い密
着性を示すことがわかった。
【０１７８】（評価ｃ）光反射層中のＣｕの結晶粒径の
温度依存性を実験例１と同様にして測定したところ、図
７と同様な結果となり、実験例３−１〜３−３の試料で
は、加熱アニーリングによって結晶粒径の変化はほとん
どないが、比較実験例３では結晶粒径が大きくなってい
ることが分かった。
【０１７９】（評価ｄ）積層構造にした場合の密着性を
評価するためにＣｕの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製した。
【０１８０】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置を使用し、基板温度を３５０℃とした以外は実験
例３−１〜３−３及び比較実験例３と同条件で銅の光反
射層を３００ｎｍ形成した後、それぞれの光反射増加層
１．０μｍ形成した。
【０１８１】光反射増加層の形成は、純度９９．９９％
のＺｎＯターゲット８１８を用い、基板温度を３５０
℃、Ａｒガス流量を２５ｓｃｃｍ、堆積室８０１内の圧
力を５ｍＴｏｒｒとし、ＺｎＯのターゲット８１８に−
４００ＶのＤＣ電力を導入し、ＤＣグロー放電を生起さ
せて行った。
【０１８２】以上の試料について、（評価ｂ）と同様な
方法で密着性を評価したところ、実験例３−１の試料の
膜剥離面積は比較実験例３の試料に対し、条件Ａ及びＢ
の評価方法とも１／５であった。また、実験例３ー２の
試料は，１／６（条件Ａ），１／７（条件Ｂ）、実験例
３−３の試料は，１／６（条件Ａ，Ｂ）となり、本実験
例の光反射層は従来の光反射層に比べ、積層構造とした
場合でも高い密着性を示すことが分かった。
【０１８３】実験例４ （実験例４−１）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法によっ
て本発明のＣｕの光反射層子を作製した。作製には図９
に示す電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法の製造装置を用
い、ステンレス基板上に、酸素原子を含有する銅（Ｃ
ｕ）の光反射層を作製した。
【０１８４】純度９９．９９９％のＥＢ蒸着用の銅（Ｃ
ｕ）の蒸着源を用い、Ｏ2 ／Ａｒガス流量を１ｓｃｃｍ
とし、他は実験例２と同様にして酸素を含有するＣｕの
光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１８５】（実験例４−２）図９に示す電子ビーム
（ＥＢ）真空蒸着法の製造装置を用い、ステンレス基板
上に、窒素原子を含有する銅（Ｃｕ）の光反射層を作製
した。
【０１８６】純度９９．９９９％のＥＢ蒸着用の銅（Ｃ
ｕ）の蒸着源を用い、Ｎ2 ／Ａｒガス流量を２ｓｃｃｍ
とし、他は実験例４−１と同様にして窒素を含有するＣ
ｕの光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１８７】（実験例４−３）図９に示す電子ビーム
（ＥＢ）真空蒸着法の製造装置を用い、ステンレス基板
上に、炭素原子を含有する銅（Ｃｕ）の光反射層を作製
した。
【０１８８】純度９９．９９９％のＥＢ蒸着用の銅（Ｃ
ｕ）の蒸着源を用い、ＣＨ4／Ａｒガス流量を２ｓｃｃ
ｍとし、他は実験例４−１と同様にして炭素を含有する
Ｃｕの光反射層を３００ｎｍ形成した。
【０１８９】（比較実験例４）光反射層の作製中に堆積
室９０１内へＯ2 ／Ａｒガスを流さずに、他は実験例４
−１と同様な方法により、従来の光反射層を作製した。
【０１９０】以上、真空蒸着法で作製した二つのＣｕの
光反射層に対して本発明の効果を実証するために実験例
１と同様な評価試験を行った。
【０１９１】（評価ａ）光反射層中のＣｕの結晶粒径の
ばらつきを調べたところ、図１０と同様な結果が得ら
れ、実験例４−１〜４−３の試料のほうが比較実験例４
の試料よりもはるかに結晶粒径のばらつきが小さいこと
が分かった。
【０１９２】（評価ｂ）光反射膜の密着性評価の結果、
実験例４−１の試料の剥離した面積は、比較実験例４の
試料に比べ１／４（条件Ａ，Ｂ）であった。また、実験
例４−２の試料は１／６（条件Ａ），１／７（条件
Ｂ）、実験例４−３の試料は，１／５（条件Ａ、Ｂ）で
あり、本実験例の光反射膜が優れた密着性を示すことが
分かった。
【０１９３】（評価ｃ）光反射層中のＣｕの結晶粒径の
温度依存性を調べたところ、図１１と同様な結果とな
り、実験例４−１〜４−３の試料では、加熱アニーリン
グによって結晶粒径の変化はほとんどないが、比較実験
例４では結晶粒径が大きくなっていることが分かった。
【０１９４】（評価ｄ）積層構造にした場合の光反射膜
の密着性を評価するためにＣｕの光反射層の上に酸化亜
鉛（ＺｎＯ）の光反射増加層を作製した。
【０１９５】積層膜の作製には図１２に示すＥＢ真空蒸
着法とＤＣマグネトロンスパッタリング法を兼ね備える
装置を使用した。まず、実験例４−１〜４−３で述べた
光反射膜と同じ条件で酸素原子、窒素原子または炭素原
子を含有するＣｕの光反射層を３００ｎｍ形成し、続い
て実験例３の（評価ｄ）で形成したＺｎＯと同条件で光
反射増加層１μｍを作製した。
【０１９６】以上のようにして作製した積層構造の密着
性を前記した方法で評価した。その結果、実験４−１の
試料の膜剥離面積は比較実験例４の膜剥離面積の１／４
（条件Ａ，Ｂ）、実験例４−２は１／７（条件Ａ），１
／８（条件Ｂ）、実験例４−３は１／６（条件Ａ，Ｂ）
となり、本実験例の光反射膜は積層構造でも優れた密着
性を示した。
【０１９７】実験例５ 図４のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、
鉛、鉛及び金、鉛及び第１遷移金属を含有する銀の光反
射層を作製した。
【０１９８】ターゲットとして、純度９９．９９９％の
銀に、鉛原子を２０ｐｐｍ含有させたもの（実験例５−
１）、鉛原子と金原子を２０ｐｐｍ含有させたもの（実
験例５−２）、鉛原子と金原子と第１遷移金属原子
（鉄、クロム、ニッケルのいずれか）を２０ｐｐｍ含有
させたもの（実験例５ー３−１〜５−３−３）を用い、
スパッタリングガスとしてＡｒガスだけを４０ｓｃｃｍ
流し、圧力を５ｍＴｏｒｒとした以外は、実験例１と同
条件で光反射膜を３００ｎｍ作製した。
【０１９９】（比較実験例５）比較のために、ターゲッ
トとして含有原子のない９９，９９９％Ａｇを用い、他
は実験例５と同様にして光反射層を作製した。
【０２００】得られた試料について、実験例１と同様な
評価を行った。結果を表３に示す。
【０２０１】（評価ａ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
ばらつきを実験例１と同様にして調べたところ図５と同
様な結果となり、また表３に示す粒径分布の半値幅から
本実験例の試料のほうがいずれも比較実験例５の試料よ
りも結晶粒径のばらつきが小さいことが分かった。
【０２０２】（評価ｂ）表３の光反射膜の条件Ａでの密
着性評価の結果から明らかなように、本実験例の膜剥離
面積は比較実験例５と比べはるかに小さく、本実験例の
光反射層が従来の反射層に比べ高い密着性を示すことが
わかった。
【０２０３】（評価ｃ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
温度依存性を実験例１と同様にして測定したところ、表
３に示すように、比較実験例３では加熱アニーリングに
よって結晶粒径が増加したのに対し、本実験例の試料で
はいずれも結晶粒径の変化はほとんどないことが分かっ
た。
【０２０４】（評価ｄ）積層構造にした場合の密着性を
評価するためにＡｇの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製し、評価ｂと同様な試験を行
った。
【０２０５】試料は、図８のＤＣスパッタリング装置に
より、実験例５−１〜５−３−３及び比較実験例５と同
条件で光反射層を３００ｎｍ作製し、続いて、２μｍの
ＺｎＯ光反射層を作製した。本実験例ではＯ2／Ａｒガ
スボンベの代わりにＯ2ボンベを取り付けた。
【０２０６】光反射増加層の形成は、純度９９．９９％
のＺｎＯターゲット８１８を用い、基板温度を３５０
℃、Ａｒガス流量を２５ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを０．２ｓ
ｃｃｍ、堆積室８０１内の圧力を５ｍＴｏｒｒとし、Ｚ
ｎＯのターゲット８１８に−４５０ＶのＤＣ電力を導入
し、ＤＣグロー放電を生起させて行った。
【０２０７】評価結果は、表３に示すとおり、本実験例
の光反射膜は積層構造としても極めて高い密着性を示す
ことが分かった。
【０２０８】実験例６ 図９のＥＢ加熱真空蒸着装置を用いて、鉛、鉛及び金、
鉛及び第１遷移金属を含有する銀の光反射層を作製し
た。
【０２０９】蒸着源として、純度９９．９９９％の銀
に、鉛原子を２０ｐｐｍ含有させたもの（実験例６−
１）、鉛原子と金原子を２０ｐｐｍ含有させたもの（実
験例６−２）、鉛原子と金原子と第１遷移金属原子
（鉄、クロム、ニッケルのいずれか）を２０ｐｐｍ含有
させたもの（実験例６ー３−１〜６−３−３）を用い、
成膜速度２．５Ａ／ｓｅｃで、光反射層３００ｎｍを形
成した。
【０２１０】（比較実験例６）比較のために、蒸着源と
して含有原子のない９９，９９９％Ａｇを用い、他は実
験例６と同様にして光反射層を作製した。
【０２１１】得られた試料について、実験例１と同様な
評価を行った。結果を表４に示す。
【０２１２】（評価ａ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
ばらつきを実験例１と同様にして調べたところ図１０と
同様な結果となり、また表４に示す粒径分布の半値幅か
ら、本実験例の試料のいずれも比較実験例６の試料より
も結晶粒径のばらつきが小さいことが分かった。
【０２１３】（評価ｂ）表４の光反射膜の条件Ａでの密
着性評価の結果から明らかなように、本実験例の膜剥離
面積は比較実験例６と比べはるかに小さく、本実験例の
光反射層が従来の反射層に比べ高い密着性を示すことが
わかった。
【０２１４】（評価ｃ）光反射層中のＡｇの結晶粒径の
温度依存性を実験例１と同様にして測定したところ、表
４に示すように、本実験例の試料ではいずれも、加熱ア
ニーリングによって結晶粒径の変化はほとんどないが、
比較実験例６では結晶粒径が大きくなっていることが分
かった。
【０２１５】（評価ｄ）積層構造にした場合の密着性を
評価するためにＡｇの光反射層の上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の光反射増加層を作製し、評価ｂと同様な試験を行
った。
【０２１６】試料は、図１２の装置を用いて、まずＥＢ
真空蒸着により実験例６−１〜６−３−３及び比較実験
例６と同条件で光反射層を３００ｎｍ作製し、続いて、
スパッタリング法により１μｍのＺｎＯ光反射層を作製
した。
【０２１７】光反射増加層の形成は、純度９９．９９％
のＺｎＯターゲット８１８を用い、基板温度を３５０
℃、Ａｒガス流量を２５ｓｃｃｍ、堆積室８０１内の圧
力を５ｍＴｏｒｒとし、ＺｎＯのターゲット８１８に−
４５０ＶのＤＣ電力を導入し、ＤＣグロー放電を生起さ
せて行った。
【０２１８】評価結果は、表４に示すとおり、本実験例
の光反射膜は積層構造としても極めて高い密着性を示す
ことが分かった。
【０２１９】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例によって限定されるもの
ではない。
【０２２０】実施例１及び比較例１ （実施例１）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及びマ
イクロ波（μＷ）グロー放電分解法によって図１に示し
た構成の光起電力素子を作製した。
【０２２１】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、５０ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍの
鏡面研磨されたステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板上
に、実験例１−１と同様に酸素原子を含有するＡｇの光
反射層を４５０ｎｍ、及び光反射増加層を１μｍ作製し
た。
【０２２２】次に、図１３に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１３００からなるμＷグロー放電分解法
による製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリ
コン系半導体層を作製した。
【０２２３】図中の１３７１〜１３７６のガスボンベに
は、本発明の非単結晶シリコン系半導体層を作製するた
めの原料ガスが密封されており、１３７１はＳｉＨ4 ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、１３７２はＨ2 ガス
（純度９９．９９９９％）ボンベ、１３７３はＨ2 ガス
で１０％に希釈されたＰＨ3 ガス（純度９９．９９％、
以下「ＰＨ3 ／Ｈ2 」と略記する）ボンベ、１３７４は
Ｈ2 ガスで１０％に希釈されたＢ2 Ｈ6 ガス（純度９
９．９９％、以下「Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ2 」と略記する）ボン
ベ、１３７５はＣＨ4 ガス（純度９９．９９９９％）ボ
ンベ、１３７６はＧｅＨ4 ガス（純度９９．９９％）ボ
ンベである。また、あらかじめ、ガスボンベ１３７１〜
１３７６を取り付ける際に、各々のガスを、バルブ１３
５１〜１３５６から流入バルブ１３３１〜１３３６のガ
ス配管内に導入してある。
【０２２４】図中１３０４は、前述した方法により、光
反射層及び光反射増加層を作製した基板である。
【０２２５】まず、ガスボンベ１３７１よりＳｉＨ4 ガ
ス、ガスボンベ１３７２よりＨ2 ガス、ガスボンベ１３
７３よりＰＨ3 ／Ｈ2 ガス、ガスボンベ１３７４よりＢ
2 Ｈ 6 ／Ｈ2 ガス、ガスボンベ１３７５よりＣＨ4 ガ
ス、ガスボンベ１３７６よりＧｅＨ4 ガスを、バルブ１
３５１〜１３５６を開けて導入し、圧力調整器１３６１
〜１３６６により各ガス圧力を約２Ｋｇ／ｃｍ2 に調整
した。
【０２２６】次に、流入バルブ１３３１〜１３３６、堆
積室１３０１のリークバルブ１３０９が閉じられている
ことを確認し、また、流出バルブ１３４１〜１３４６、
補助バルブ１３０８が開かれていることを確認して、コ
ンダクタンス（バタフライ型）バルブ１３０７を全開に
して、不図示の真空ポンプにより堆積室１３０１及びガ
ス配管内を排気し、真空計１３０６の読みが約１×１０
-4Ｔｏｒｒになった時点で流出バルブ１３４１〜１３４
６を閉じた。
【０２２７】次に、流入バルブ１３３１〜１３３６を徐
々に開けて、各々のガスをマスフローコントローラー１
３２１〜１３２６内に導入した。
【０２２８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基板１３０４上に、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層の成膜
を行なった。
【０２２９】ｎ型層を作製するには、基板１３０４を加
熱ヒーター１３０５により３５０℃に加熱し、流出バル
ブ１３４１〜１３４３を徐々に開いて、ＳｉＨ4 ガス、
Ｈ2ガス、ＰＨ3 ／Ｈ2 ガス流量がそれぞれ３０ｓｃｃ
ｍ、１００ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍとなるように各々のマ
スフローコントローラー１３２１〜１３２３で調整し
た。堆積室１３０１内の圧力は、１０ｍＴｏｒｒとなる
ように真空計１３０６を見ながらコンダクタンスバルブ
１３０７の開口を調整した。その後、不図示のμＷ電源
の電力を５０ｍＷ／ｃｍ3 に設定し、不図示の導波管、
導波部１３１０及び誘電体窓１３０２を通じて堆積室１
３０１内にμＷ電力を導入し、μＷグロー放電を生起さ
せ、光反射増加層上にｎ型層の作製を開始し、層厚１０
ｎｍのｎ型層を作製したところでμＷグロー放電を止
め、流出バルブ１３４１〜１３４３及び補助バルブ１３
０８を閉じて、堆積室１３０１内へのガス流入を止め、
ｎ型層の作製を終えた。
【０２３０】次に、ｉ型層を作製するには、基板１３０
４を加熱ヒーター１３０５により３５０℃に加熱し、流
出バルブ１３４１，１３４２を徐々に開いて、ＳｉＨ4
ガス、Ｈ2 ガスをガス導入管１３０３を通じて堆積室１
３０１内に流入させた。この時、ＳｉＨ4 ガス流量が、
１００ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガス流量が２００ｓｃｃｍとなる
ように各々のマスフローコントローラー１３２１，１３
２２で調整した。堆積室１３０１内の圧力は、５ｍＴｏ
ｒｒとなるように真空計１３０６を見ながらコンダクタ
ンスバルブ１３０７の開口を調整した。次に、バイアス
電源の高周波（ＲＦ）バイアスを１００ｍＷ／ｃｍ3 、
直流バイアスを基板１３０４に対して７５Ｖに設定し、
バイアス棒１３１２に印加した。その後、不図示のμＷ
電源の電力を１００ｍＷ／ｃｍ3 に設定し、不図示の導
波管、導波部１３１０及び誘電体窓１３０２を通じて堆
積室１３０１内にμＷ電力を導入し、μＷグロー放電を
生起させ、ｎ型層上にｉ型層の作製を開始し、層厚４０
０ｎｍのｉ型層を作製したところでμＷグロー放電を止
め、バイアス電源１３１１の出力を切り、ｉ型層の作製
を終えた。
【０２３１】ｐ型層を作製するには、基板１３０４を加
熱ヒーター１３０５により３００℃に加熱し、流出バル
ブ１３４４を徐々に開いて、ＳｉＨ4 ガス、Ｈ2 ガス、
Ｂ2Ｈ6 ／Ｈ2 ガスをガス導入管１３０３を通じて堆積
室１３０１内に流入させた。この時、ＳｉＨ4 ガス流量
が１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガス流量が１００ｓｃｃｍ、Ｂ 2
Ｈ6 ／Ｈ2 ガス流量が５ｓｃｃｍとなるように各々のマ
スフローコントローラー１３２１、１３２２、１３２４
で調整した。堆積室１３０１内の圧力は、２０ｍＴｏｒ
ｒとなるように真空計１３０６を見ながらコンダクタン
スバルブ１００７の開口を調整した。その後、μＷ電源
の電力を４００ｍＷ／ｃｍ3 に設定し、不図示の導波
管、導波部１３１０及び誘電体窓１３０２を通じて堆積
室１３０１内にμＷ電力を導入し、μＷグロー放電を生
起させ、ｉ型層上にｐ型層の作製を開始し、層厚５ｎｍ
のｐ型層を作製したところでμＷグロー放電を止め、流
出バルブ１３４１、１３４２、１３４４及び補助バルブ
１３０８を閉じて、堆積室１３０１内へのガス流入を止
め、ｐ型層の作製を終えた。
【０２３２】それぞれの層を作製する際に、必要なガス
以外の流出バルブ１３４１〜１３４６は完全に閉じられ
ていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが
堆積室１３０１内、流出バルブ１３４１〜１３４６から
堆積室１３０１に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１３４１〜１３４６を閉じ、補助バル
ブ１３０８を開き、さらにコンダクタンスバルブ１３０
７を全開にして、系内を一旦高真空を排気する操作を必
要に応じて行う。
【０２３３】次に、ｐ型層上に、透明電極として、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ蒸
着し、集電電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着
し、光起電力素子を作製した（素子実１）。以上の、光
起電力素子の作製条件を表５に示す。
【０２３４】（比較例１）実施例１と同様に方法によ
り、従来の光起電力素子を作製した。
【０２３５】まず、図８示すＤＣマグネトロンスパッタ
リング法の製造装置により、基板上に、比較実験１と同
様の方法で酸素原子を含有していないＡｇ光反射層を４
５０ｎｍに作製した。
【０２３６】次に、実施例１と同じ作製条件で、光反射
層上に、光反射増加層、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層、透明
電極、集電電極を作製して光起電力素子を作製した（素
子比１）。
【０２３７】以上作製した実施例１及び比較例１の光起
電力素子について、本発明の効果を実証するために、次
に挙げる３つの評価を行った。
【０２３８】１．（Ａ）初期特性 ２．（Ｂ）特性の密着性依存 ３．（Ｃ）特性の環境変化依存性。 （Ａ）初期特性 光起電力素子及びの太陽電池特性の初期特性を調べるた
めに前記光起電力素子を、ＡＭ−1.5 （１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 ）光照射下に設置して、Ｖ−１特性を測定すること
により得られる光電変換効率により評価した。結果を表
６に示す。
【０２３９】表６が示すようにより、比較例１の光起電
力素子に対して実施例１の光起電力素子は光電変換効率
が１．０４倍大きく、本発明の酸素原子を含有する光反
射層を用いた光起電力素子が従来の光反射層を用いた光
起電力素子に比べて優れた特性を示すことが実証され
た。
【０２４０】（Ｂ）特性の密着性依存 光起電力素子の太陽電池特性の密着性に対する依存性を
調べるためち、実験例と同様にして、図６のような曲げ
試験器を用いて光起電力素子が堆積されたステンレス基
板の６０１の曲げ試験をおこなった。
【０２４１】特性については前述したように光電変換効
率の測定を行い、次に光起電力素子が堆積された面６０
１ａを右方向に向け、曲げ棒６０２の先端にわずかに接
触するようにステンレス基板６０１の端部をしっかりと
固定し、次にエアーシリンダー６０３に圧縮空気を導入
し、曲げ棒の押し出し速度約１ｍ／ｓ、引き込み速度約
１ｍ／ｓ、ストローク３．０ｃｍになるように圧縮空気
の圧力を調整し、通常雰囲気中にて１００００回の曲げ
試験を行った後、再びＡＭ−１．５光照射下において、
光電変換効率を測定した。測定結果を表６にまとめた。
【０２４２】この結果より、比較例１の光起電力素子に
対して実施例１の光起電力素子の光電変換効率が１．０
５倍おおきく、本発明の酸素原子を含有する光反射層を
用いた光起電力素子が従来の光起電力素子をに比べて優
れた耐久性を示すことが実証された。
【０２４３】（Ｃ）特性の環境変化依存性 実施例１及び比較例１で作製した光起電力素子を、温度
８５℃での相対温度８５％の暗所に放置し、温度８５℃
で４時間、温度−４０℃で３０分のヒートサイクルを３
０回繰り返し、光電変換効率の変化を調べた。結果を表
６に示す。
【０２４４】表６から明らかなように、実施例１の光起
電力素子では、ヒートサイクルによる光電変換効率の低
下は抑えられ、耐環境性は比較例１の光起電力素子に対
して、１．０８倍優れていることが分かった。
【０２４５】以上の評価試験により、本発明の酸素原子
を含有する光反射層を用いた光起電力素子が、従来の光
起電力素子に対して、優れた耐環境特性を有することが
判明し、本発明の効果が実証された。
【０２４６】実施例２及び３ （実施例２）図８のＤＣマグネトロンスパッタリング装
置を用い、実験例１−４と同様にして、ＳＵＳ基板上
に、０．３μｍの窒素及び酸素原子を含有した光反射層
を形成し、他は実施例１と同様にして光起電力素子を作
製した。得られた光起電力素子を実施例１と同様な評価
を行った。結果を表７に示す。
【０２４７】（実施例３）図８のＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置を用い、実験例１−５と同様にしてＳＵ
Ｓ基板上に０．３μｍの酸素、窒素及び炭素を含む光反
射層を作製し、他は実施例１と同様にして、光起電力素
子を作製した。この素子についての評価結果を表７に示
す。
【０２４８】表７から明らかなように、実施例２及び３
の光起電力素子は、比較例１の素子に比べ、初期特性の
みならず耐久性、耐環境性においても優れていることが
分かる。また、実施例１との比較により、Ａｇ中の添加
物は２種以上添加した方がより高い特性が得られること
が分かった。
【０２４９】実施例４〜６及び比較例２ （実施例４）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び高
周波（ＲＦ）グロー放電分解法によって本発明の光起電
力素子を作製した。
【０２５０】まず、実施例１と同じ作製条件で、図８の
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、基板上
に酸素原子を含むＡｇの光反射層を４５０ｎｍ、及び光
反射増加層を１μｍ作製した。
【０２５１】次に、図１４に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１４００からなるＲＦグロー放電分解法
による製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリ
コン系半導体層を作製した。
【０２５２】図中１４０４は、前述した光反射増加層及
び光反射層を作製した基板である。図中、ガスボンベ１
３７１〜１３７６の各ガスボンベには、実施例１と同じ
原料ガスが密封されており、実施例１と同様の操作手順
により各ガスをマスフローコントローラー１３２１〜１
３２６内に導入した。
【０２５３】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基板１４０４上にｎ型層、ｉ型層、ｐ型層の成膜を
行なった。
【０２５４】ｎ型層を作製するには、基板１４０４を加
熱ヒーター１４０５により３００℃に加熱し、流出バル
ブ１３４１〜１３４３及び補助バルブ１４０８を除々に
開いて、ＳｉＨ4 ガス、Ｈ2 ガス、ＰＨ3 ／ガスをガス
導入管１４０３を通じて堆積室１４０１内に流入させ
た。この時、ＳｉＨ4 ガス流量が２ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガス
流量が２０ｓｃｃｍ、ＰＨ3 ／Ｈ2 ガス流量が１ｓｃｃ
ｍとなるように各々のマスフローコントローラー１３２
１〜１３２３で調整した。堆積室１４０１内の圧力は、
１Ｔｏｒｒとなるように真空計１４０６を見ながらコン
ダクタンスバルブ１４０７の開口を調整した。その後、
不図示のＲＦ電源の電力を５ｍＷ／ｃｍ3に設定し、Ｒ
Ｆマッチングボックス１４１２を通じてカソード１４０
２にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起サセ、光
反射増加層上にｎ型層の作製を開始し、層厚１０ｎｍの
ｎ型層を作製したことろでＲＦグロー放電を止め、流出
バルブ１３４１〜１３４３を閉じて、堆積室１４０１内
へのガス流入を止め、ｎ型層の作製を終えた。
【０２５５】次に、ｉ型層を作製するには、基板１４０
４を加熱ヒーター１４０５により３００℃に加熱し、流
出バルブ１３４１，１３４２を除々に開いて、ＳｉＨ4
ガス、Ｈ2 ガスをガス導入管１４０３を通じて堆積室１
４０１内に流入させた。この時、ＳｉＨ4 ガス流量が２
ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガス流量が２０ｓｃｃｍとなるように各
々のマスフローコントローラー１３２１，１３２２で調
整した。堆積室１０４１内の圧力は、１Ｔｏｒｒとなる
ように真空計１４０６を見ながらコンダクタンスバルブ
１４０７の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源
の電力を５ｍＷ／ｃｍ3 に設定し、ＲＦマッチングボッ
クス１４１２を通じてカソード１４０２にＲＦ電力を導
入し、ＲＦグロー放電を生起させ、ｐ型層上にｉ型層の
作製を開始し、層厚４００μｍのｉ型層を作製したこと
ろでＲＦグロー放電を止め、ｉ型層の作製を終えた。
【０２５６】次にｐ型層を作製するには、基板１４０４
を加熱ヒーター１４０５により２５０℃に加熱し、流出
バルブ１３４４を除々に開いて、ＳｉＨ4 ガス、Ｈ2 ガ
ス、Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ2 ガスをガス導入管１４０３を通じて
堆積室１４０１内に流入させた。この時、ＳｉＨ4 ガス
流量が２ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガス流量が５０ｓｃｃｍ、Ｂ 2
Ｈ6 ／Ｈ2 ガス流量が１ｓｃｃｍとなるように各々のマ
スフローコントローラー１３２１，１３２２，１３２４
で調整した。堆積室１４０１内の圧力は、１Ｔｏｒｒと
なるように真空計１４０６を見ながらコンダクタンスバ
ルブ１４０７の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ
電源の電力を２００ｍＷ／ｃｍ3 に設定し、ＲＦマッチ
ングボックス１４１２を通じてカソード１４０２にＲＦ
電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、ｉ型層上に
ｐ型層の作製を開始し、層厚５ｎｍのｐ型層を作製した
したろでＲＦグロー放電を止め、流出バルブ１３４１，
１３４２，１３４４及び補助バルブ１４０８をとじて、
堆積室１４０１内へのガス流入を止め、ｐ型層の作製を
終えた。
【０２５７】それぞれの層を作製する際に、必要なガス
以外の流出バルブ１３４１〜１３４６は完全に閉じられ
ていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが
堆積室１４０１内、流出バルブ１３４１〜１３４６から
堆積室１４０１に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１３４１〜１３４６を閉じ、補助バル
ブ１４０８を開き、さらにコンダクタンスバルブ１４０
７を全開にして、系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。
【０２５８】次に、ｐ型層上に、透明電極として、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ蒸
着し、集電電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着
し、光起電力素子を作製した（素子実４）。以上の、光
起電力素子の作製条件を表８に示す。
【０２５９】（比較例２）比較例１と同様な方法により
光反射層を形成し、その後実施例４と同様にして光反射
増加層、半導体層、透明電極、集電電極を形成し、従来
の光起電力素子を作製した。
【０２６０】まず、図８に示すＤＣマグネトロンスパッ
タリング装置により、基板上に比較実験例１同様な方法
で酸素原子を含有しないＡｇ光反射層を４５０ｎｍ作製
した。続いて、実施例５と同じ作製条件で、光反射層上
に光反射増加層、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、
集電電極を形成し、光起電力素子を作製した（素子比
２）。
【０２６１】（実施例５）実施例２と同様にしてＳＵＳ
基板上に光反射層及び光反射増加層を形成し、その後実
施例４と同様にして光起電力素子を作製した（素子実
５）。
【０２６２】（実施例６）実施例３と同様にしてＳＵＳ
基板上に光反射層及び光反射増加層を形成し、その後実
施例４と同様にして光起電力素子を作製した（素子実
６）。
【０２６３】実施例４〜６及び比較例２で作製した光起
電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実証す
るために、実施例１と同様な評価試験を行った。結果を
表９に示す。
【０２６４】表９から明らかなように、実施例４〜６の
光起電力素子は、比較例２の素子に比べ、初期特性のみ
らず耐久性、耐環境性が大きく改善されることが分かっ
た。実施例７ 実施例１と同様に、図８に示すＤＣマグネトロンスパッ
タリング法の製造装置により、基板上に実施例１と同様
の方法で堆積室８０１に導入するＯ2 ガスの流量を、Ａ
ｒガス流量に対して１ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍまで変
化させて、酸素原子の含有量の異なるＡｇの光反射層を
４５０ｎｍ作製した。本実施例では、Ｏ 2／Ａｒガスボ
ンベとして５０ｐｐｍ希釈と１％希釈のＯ2ガスを用い
た。
【０２６５】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＡｇの光反射層中の酸素量を測定した。
【０２６６】この結果作製された光反射層に含まれる酸
素原子の量は０．０５ｐｐｍから１％であることがわか
った。
【０２６７】次に、実施例１と同様に、図８に示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれぞ
れの量の酸素原子を含む光反射層上に、層厚１μｍの光
反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に図１３
に示すμＷグロー放電分解法による製造装置により、光
反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電極、
集電電極を積層し、光起電力素子を作製した。これら光
起電力素子の太陽電池特性について、実施例１と同様な
評価試験を行った。結果を表１０に示す。
【０２６８】表１０から明らかなように、光反射層に含
まれる酸素原子の量が０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ
の範囲内にあるときの光起電力素子は、酸素原子の量
が、０．１ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上の光起
電力素子に対して、光電変換特性の初期特性で１．０３
倍以上大きく、また密着性試験後及び環境試験後で１．
０４倍以上大きくなり、酸素原子を０．１ｐｐｍから１
０００ｐｐｍ含有する光反射層を用いることにより、よ
り一層高い効果が得られることが分かった。
【０２６９】（実施例８）実施例２と同様に、図８に示
すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置によ
り、基板上に、実施例２と同様の方法で堆積室８０１に
導入するＮＯガスの流量を、Ａｒガス流量に対して０．
５〜３００ｓｃｃｍまで変化させて、酸素及び窒素原子
の含有流量の異なるＡｇの光反射層を３００ｎｍ作製し
た。次にそれぞれの光反射層の堆積した基板について、
その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）を行
い、Ａｇの光反射層中の酸素及び窒素原子含有量を測定
した。
【０２７０】更に、実施例２と同様に、図８に示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれぞ
れの量の酸素及び窒素原子を含む光反射層上に、層厚１
μｍの光反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層上に
図１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装置によ
り、光反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明
電極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素
子実８−１〜８−９）。こられ光起電力素子の太陽電池
特性について、実施例１と同様な評価試験を行った。光
反射層中の酸素および窒素含有量（全量）と光電変換効
率の関係を表１１に示す。
【０２７１】表１１から明らかなように、光反射層に含
まれる酸素と窒素の全量が０．１ｐｐｍから１０００ｐ
ｐｍの範囲内にあるときの光起電力素子は、前記酸素及
び窒素原子の総量が、０．１ｐｐｍ以下または１０００
ｐｐｍ以上の光起電力素子に対して、光電変換特性の初
期特性で１．０３倍以上大きく、また密着性試験及び環
境試験後で、１．０５倍以上大きくなり、酸素及び窒素
原子の全量で０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ含有する
光反射層を用いることにより、より一層高い効果が得ら
れることが分かった。
【０２７２】実施例９ 実施例３と同様に、図８に示すＤＣマグネトロンスパッ
タリング法の製造装置により、基板上に、実施例３と同
様の方法で堆積室８０１に導入するメタンガス、酸素ガ
ス及び窒素ガスの流量を変えて、炭素、酸素及び窒素原
子の含有量の異なるＡｇの反射層を３００ｎｍ作製し
た。この際、メタンガスボンベ、酸素ガスボンベ及び窒
素ガスボンベには、Ａｒガスで１ｐｐｍに希釈したもの
と１％に希釈したものを用意した。
【０２７３】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＡｇの光反射層中の酸素、炭素及び窒素原子
含有量を測定した。
【０２７４】更に、実施例３と同様に、図８に示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれぞ
れの量の酸素、窒素及び炭素原子を含む光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層を堆積し、さらに光反射増加
層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装
置により、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体
層、透明電極集電電極を積層し、光起電力素子を作製し
た（素子実９−１〜９−７）。これら光起電力素子の太
陽電池特性につてい、実施例１と同様な評価試験を行っ
た。光反射層中の酸素、窒素及び炭素含有量と光電変換
効率の関係を表１２に示す。
【０２７５】表１２から明らかなように、光反射層に含
まれる酸素原子の量が０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ
の範囲内にあるときの光起電力素子は、前記酸素原子の
量が０．１ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上の光起
電力素子に対して、光電変換特性の初期特性で１．１３
倍以上大きく、また密着性試験後及び環境試験後で１．
１２倍以上大きくなり、酸素、炭素及び窒素原子を全量
で０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ含有する光反射層を
用いることにより、より一層高い効果か得られることが
分かった。
【０２７６】実施例１０〜１２及び比較例３ （実施例１０）基板に、５０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのバリ
ウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製７０５９）を
用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８０ｎｍ作製し
た後、表１３の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ
型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層、第
２のｎ型層を作製し、実施例１の方法で、光反射増加
層、及び酸素原子を含有するＡｇの光反射層を作製して
図２に示す光起電力素子を作製した（素子実１０）。
【０２７７】（比較例３）実施例１０と同様に、基板上
に透明電極としてＩＴＯを８０ｍｍ作製した後、表１３
の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ型層、第１の
ｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層電第２のｎ型層を
作製し、比較例１と同様に光反射増加層、及び酸素原子
を含有しない光反射層を作製して光起電力素子を作製し
た（素子比３）。
【０２７８】（実施例１１）実施例１０と同様にして、
バリウムほう珪酸ガラス基板に、透明電極、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層、光反射増加層を、作製し、続
いて実施例２と同様にして酸素原子及び窒素原子を含有
するＡｇの光反射層を作製して図２に示す光起電力素子
を作製した（素子実１１）。
【０２７９】（実施例１２）実施例１０と同様にして、
バリウムほう珪酸ガラス基板に、透明電極、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層、光反射増加層を、作製し、続
いて実施例３と同様にして酸素原子、窒素原子及び炭素
原子を含有するＡｇの光反射層を作製して図２に示す光
起電力素子を作製した（素子実１２）。
【０２８０】以上の実施例１０〜１２及び比較例３で作
製した光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効
果を実証するために、実施例１と同様な評価試験を行
い、結果を表１４にまとめた。
【０２８１】表１４から明らかなように、実施例１０〜
１２の光起電力素子は、比較例３の素子に比べ、初期特
性のみならず耐久性、耐環境性が大きく改善されること
が分かった。
【０２８２】実施例１３〜１５及び比較例４ （実施例１３）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０２８３】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例１と同様に、
酸素原子を含有する層厚４５０ｎｍのＡｇの光反射層、
光反射増加層を作製し、次に、図１３に示すμＷグロー
放電分解法による製造装置で表１５の条件を用い、光反
射層上に非単結晶シリコン系半導体層を第１のｎ型層、
第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ
型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第
３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透明電極、集電
電極を積層し、トリプル型の光起電力素子を作製した
（素子実１３）。
【０２８４】（実施例１４）図８に示すようにＤＣマグ
ネトロンスパッタリング装置によりステンレス基板上
に、実施例２と同様に、酸素と窒素原子を含有する層厚
３００ｎｍのＡｇの光反射層、光反射増加層を作製し、
次に、実施例１３と同様にして、光反射層上に非単結晶
シリコン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型層、第
１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２のｐ型
層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層からな
る構成で積層し、更に透明電極、集電電極を積層し、光
起電力素子を作製した（素子実１４）。
【０２８５】（実施例１５）図８に示すＤＣマグネトロ
ンスパッタリング装置によりステンレス基板上に、実施
例３と同様に、酸素、窒素及び炭素原子を含有する層厚
３００ｎｍのＡｇの光反射層、光反射増加層を作製し、
次に、実施例１３と同様にして、光反射層上に非単結晶
シリコン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型層、第
１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２のｐ型
層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層からな
る構成で積層し、さらに透明電極、集電電極を積層し、
光起電力素子を作製した（素子実１５）。
【０２８６】（比較例４）比較例１と同様に、ステンレ
ス基板上に、酸素原子を含有しない光反射層及び光反射
増加層を作製し、次に実施例１３と同様な方法により図
１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装置によ
り、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を積層
し、実施例１３と同様な方法および条件で透明電極、集
電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子比
４）。
【０２８７】実施例１３〜１５及び比較例４で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表１６にまとめた。
【０２８８】表１６から明らかなように、実施例１３〜
１５の光起電力素子は、比較例４の素子に比べ、初期特
性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されること
が分かった。
【０２８９】実施例１６〜１８及び比較例５ （実施例１６）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法及びＤＣ
マグネトロンスパッタリング法、およびμＷグロー放電
分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０２９０】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着によりステンレス基板上に、酸素原子を含
有する層厚４５０ｎｍのＡｇの光反射層を形成し、その
上にＤＣスパッタリングにより酸化亜鉛（ＺｎＯ）から
なる光反射増加層を作製した。次に、実施例１３と同様
にして、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体層
を積層し、続いて透明電極、集電電極を積層し、光起電
力素子を作製した（素子実１６）。
【０２９１】（比較例５）図１２の装置を用い、ステン
レス基板上に、酸素原子を含有しない層厚４５０ｎｍの
Ａｇの光反射層とその上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる
１μｍの光反射増加層を作製した。他は実施例１６と同
様にして、光起電力素子を作製した（素子比５）。
【０２９２】（実施例１７）図１２に示す装置を用い、
電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着によりステンレス基板上に
酸素原子と窒素原子を含有する層厚３００ｎｍのＡｇの
光反射層を形成し、更にその上にＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射
増加層を作製た。他は実施例１６と同様にして、光起電
力素子を作製した（素子実１７）。
【０２９３】（実施例１８）図１２に示す装置を用い、
電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着ステンレス基板上に酸素原
子、窒素原子及び炭素原子を含有する層厚３００ｎｍの
Ａｇの光反射層を形成し、更にその上にＤＣマグネトロ
ンスパッタリング装置により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からな
る光反射増加層を作製した。他は実施例１６と同様にし
て、光起電力素子を作製した。
【０２９４】実施例１６〜１８及び比較例５で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表１７に示す。
【０２９５】表１７から明らかなように、実施例１６〜
１８の光起電力素子は、比較例５の素子に比べ、初期特
性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されること
が分かった。
【０２９６】実施例１９〜２１及び比較例６ （実施例１９）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０２９７】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例１と同じ条
件で基板８０２上に酸素原子を含有するテクスチャー構
造の光反射層を４５０ｍｍ作製した。 次に実施例１と
同様に、光反射層上に、層厚１μｍの光反射増加層（Ｚ
ｎＯ）を堆積し、さらに光反射増加層上に第１３図に示
すμＷグロー放電分解法による製造装置により、光反射
増加層上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電極、集
電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子実１
９）。
【０２９８】（比較例６）堆積室８０２に、Ｏ2 ／Ａｒ
ガスのかわりにＡｒガスを導入した以外は実施例１９と
同じ条件で基板８０２上に酸素原子を含有しないテクス
チャー構造の光反射層を４５０ｎｍ作製した。その後、
実施例１と同様にして、光起電力素子を作製した（素子
比６）。
【０２９９】（実施例２０）ヒーター８０３により基板
８０２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例２と同
じ条件で基板８０２に酸素及び窒素原子を含むテクスチ
ャー構造の光反射層を４５０ｎｍ作製した。更に、実施
例２と同様にして、１μｍの光反射増加層、非単結晶シ
リコン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起
電力素子を作製した（素子実２０）。
【０３００】（実施例２１）ヒーター８０３により基板
８０２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例３と同
じ条件で基板８０２上に酸素、窒素及び炭素原子を含む
テクスチャー構造の光反射層を４５０ｎｍ作製した。更
に、実施例３と同様にして、光反射増加層、非単結晶シ
リコン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起
電力素子を作製した（素子実２１）。
【０３０１】実施例１９〜２１と比較例６で作製した光
起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実証
するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結果
を表１８に示す。
【０３０２】表１８から明らかなように、実施例１９〜
２１の光起電力素子は、比較例６の素子に比べ、初期特
性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されること
が分かった。
【０３０３】実施例２２〜２４及び比較例７ （実施例２２）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
マイクロ波（μＷ）グロー放電分解法によって図１に示
した構成の光起電力素子を作製した。
【０３０４】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置により、５０ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍの鏡面研磨
されたステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板上に、実験例
３−１と同様にして酸素原子を含有するＣｕの光反射層
を３００ｎｍ、及び光反射増加層を１μｍ作製した。
【０３０５】次に、図１３に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１３００からなるμＷグロー放電分解法
による製造装置により、光反射増加層上にｎ型層、ｉ型
層、ｐ型層の非単結晶シリコン系半導体層を作製した。
【０３０６】最後に、透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎ2
Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ蒸着し、集電
電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着し、光起電力
素子を作製した（素子実２２）。以上の、光起電力素子
の作製条件を表１９に示す。
【０３０７】（実施例２３）実験例３−２と同様にして
ステンレス基板上に窒素原子を含有するＣｕの光反射層
を３００ｎｍ、光反射増加層を１μｍ形成した。続いて
実施例２２と同様にして、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透
明電極、集電電極を形成して図１の光起電力素子を作製
した（素子実２３）。
【０３０８】（実施例２４）実験例３−３と同様にし
て、ステンレス基板上に炭素原子を含有するＣｕの光反
射層を３００ｎｍ、光反射増加層を１μｍ形成した。続
いて実施例２２と同様にして、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型
層、透明電極、集電電極を形成して図１の光起電力素子
を作製した（素子実２４）。
【０３０９】（比較例７）比較実験例３と同様の方法で
従来のＣｕ光反射層を３００ｎｍに作製し、次に、実施
例２２と同じ作製条件で、光反射層上に、光反射増加
層、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極を作
製して光起電力素子を作製した（素子比７）。
【０３１０】以上作製した実施例２２〜２４及び比較例
７の光起電力素子について、本発明の効果を実証するた
めに、実施例１と同様な評価を行った。 （Ａ）初期特性 光起電力素子及びの太陽電池特性の初期特性を調べるた
めに前記光起電力素子を、ＡＭ−1.5 （１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 ）光照射下に設置して、Ｖ−１特性を測定すること
により得られる光電変換効率により評価した。結果を表
２０に示す。
【０３１１】表２０が示すようにより、比較例７の光起
電力素子に対して実施例２２〜２４の光起電力素子は光
電変換効率が大きくなり、本発明の酸素原子、炭素原子
または窒素原子を含有するＣｕ光反射層を用いた光起電
力素子が従来の光反射層を用いた光起電力素子に比べて
優れた特性を示すことが実証された。 （Ｂ）特性の密着性依存 光起電力素子の太陽電池特性の密着性に対する依存性を
調べるため、図６の曲げ試験器を用いて光起電力素子が
堆積されたステンレス基板の６０１の曲げ試験をおこな
った。その後、ＡＭ−１．５光照射下において、光電変
換効率を測定した。測定結果を表２０にまとめた。
【０３１２】この結果より、実施例２２〜２４の光起電
力素子の光電変換効率は比較例７の光起電力素子に比べ
て大きく、本発明の酸素原子、炭素原子または窒素原子
を含有するＣｕ光反射層を用いた光起電力素子が従来の
光起電力素子をに比べて優れた耐久性を示すがこと実証
された。 （Ｃ）特性の環境変化依存性 光起電力素子を、温度８５℃での相対温度８５％の暗所
に放置し、温度８５℃で４時間、温度−４０℃で４０分
のヒートサイクルを３０回繰り返し、光電変換効率を調
べた。結果を表２０に示す。
【０３１３】表から明らかなように、実施例２２〜２４
の光起電力素子では、ヒートサイクルによる光電変換効
率の低下は抑えられ、耐環境性は比較例７の光起電力素
子に対して、優れていることが分かった。
【０３１４】以上の評価試験により、本発明の酸素原
子、炭素原子または窒素原子を含有するＣｕ光反射層を
用いた光起電力素子が、従来の光起電力素子に対して、
優れた耐環境特性を有することが判明し、本発明の効果
が実証された。
【０３１５】実施例２５〜２７及び比較例８ （実施例２５）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
高周波（ＲＦ）グロー放電分解法によって本発明の光起
電力素子を作製した。
【０３１６】まず、実験例３−１と同じ作製条件で、図
８のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、基
板上に酸素原子を含むＣｕの光反射層を３００ｎｍ、及
び光反射増加層を１μｍ作製した。
【０３１７】次に、図１４に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１４００からなるＲＦグロー放電分解法
による製造装置により、表８の作製条件で光反射増加層
上にｎ型層，ｉ型層、ｐ型層からなる非単結晶シリコン
系半導体層を作製した。
【０３１８】最後に、ｐ型層上に、透明電極として、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ
蒸着し、集電電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着
し、光起電力素子を作製した（素子実２５）。
【０３１９】（実施例２６）実験例３−２と同様にして
ステンレス基板上に窒素原子を含有するＣｕの光反射層
を形成し、その上に実施例２５と同様にして光反射増加
層、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極を形
成して光起電力素子を作製した（素子実２６）。
【０３２０】（実施例２７）実験例３−３と同様にして
ステンレス基板上に炭素原子を含有するＣｕの光反射層
を形成し、その上に実施例２５と同様にして光反射増加
層、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極を形
成して光起電力素子を作製した（素子実２７）。
【０３２１】（比較例８）比較実験例３と同様な方法に
より、光反射層を形成し、続いて実施例２５と同様にし
て光反射増加層、半導体層、透明電極、集電電極を形成
し従来の光起電力素子を作製した（素子比８）。
【０３２２】実施例２５〜２７及び比較例８で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表２１に示す。
【０３２３】表２１から明らかなように、実施例２５〜
２７の光起電力素子は、比較例８の素子に比べ、初期特
性のみらず耐久性、耐環境性が大きく改善されることが
分かった。
【０３２４】（実施例２８）実施例２２と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例２２と同様の方法で堆積室８０１
に導入する酸素ガスの流量を変えて、酸素原子含有量の
異なるＣｕ光反射層を３００ｎｍ作製した。この際、酸
素（Ｏ2／Ａｒ）ガスボンベにはＡｒガスで１ｐｐｍと
１％に希釈したガスを用意した。
【０３２５】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＣｕの光反射層中の酸素原子含有量を測定し
た。
【０３２６】この結果作製された光反射層に含まれる酸
素原子の量は表２２に示す。
【０３２７】次に、実施例１と同様に、図８に示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれぞ
れの量の酸素原子を含む光反射層上に、層厚１μｍの光
反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に図１３
に示すμＷグロー放電分解法による製造装置により、光
反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電極、
集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子実２
８−１〜２８−９）。これら光起電力素子の太陽電池特
性について、実施例１と同様な評価試験を行った。結果
を表２２に示す。
【０３２８】表２２から明らかなように、光反射層に含
まれる酸素原子の量が０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ
の範囲内にあるときの光起電力素子は、前記酸素原子の
量が、０．１ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上の光
起電力素子に対して、光電変換特性の初期特性、密着性
試験後及び環境試験後の特性も高い値を示し、酸素原子
を０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ含有する光反射層を
用いることにより、より一層高い効果が得られることが
分かった。
【０３２９】（実施例２９）実施例２３と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例２３と同様の方法で堆積室８０１
に導入する窒素ガスの流量を変えて、窒素原子含有量の
異なるＣｕ光反射層を３００ｎｍ作製した。この際、窒
素（Ｎ2／Ａｒ）ガスボンベにはＡｒガスで１ｐｐｍと
１％に希釈したガスを用意した。
【０３３０】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＣｕの光反射層中の窒素原子含有量を測定し
た。この結果作製された光反射層に含まれる窒素原子の
量は表２３に示す。
【０３３１】次に、実施例２２と同様に、図８に示すＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれ
ぞれの量の窒素原子を含む光反射層上に、層厚１μｍの
光反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に図１
３に示すμＷグロー放電分解法による製造装置により、
光反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
実２９−１〜２９−９）。これら光起電力素子の太陽電
池特性について、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表２３に示す。
【０３３２】表２３から明らかなように、光反射層に含
まれる窒素原子の量が０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ
の範囲内にあるときの光起電力素子は、前記窒素原子の
量が、０．１ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上の光
起電力素子に対して、光電変換特性の初期特性、密着性
試験後及び環境試験後の特性も高い値を示し、窒素原子
を０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ含有する光反射層を
用いることにより、より一層高い効果が得られることが
分かった。
【０３３３】（実施例３０）実施例２４と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例２４と同様の方法で堆積室８０１
に導入するメタンガスの流量を変えて、炭素原子含有量
の異なるＣｕ光反射層を３００ｎｍ作製した。この際、
メタン（ＣＨ4／Ａｒ）ガスボンベにはＡｒガスで１ｐ
ｐｍと１％に希釈したガスを用意した。
【０３３４】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＣｕの光反射層中の炭素原子含有量を測定し
た。この結果作製された光反射層に含まれる炭素原子の
量は表２４に示す。
【０３３５】次に、実施例２２と同様に、図８に示すＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれ
ぞれの量の炭素原子を含む光反射層上に、層厚１μｍの
光反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に図１
３に示すμＷグロー放電分解法による製造装置により、
光反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
実３０−１〜３０−９）。これら光起電力素子の太陽電
池特性について、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表２４に示す。
【０３３６】表２４から明らかなように、光反射層に含
まれる炭素原子の量が０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ
の範囲内にあるときの光起電力素子は、前記炭素原子の
量が、０．１ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上の光
起電力素子に対して、光電変換特性の初期特性、密着性
試験後及び環境試験後の特性も高い値を示し、炭素原子
を０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍ含有する光反射層を
用いることにより、より一層高い効果が得られることが
分かった。
【０３３７】実施例３１〜３３及び比較例９ （実施例３１）基板に、５０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのバリ
ウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製７０５９）を
用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８０ｎｍ作製し
た後、表２５の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ
型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層、第
２のｎ型層を作製し、実施例２２の条件で、光反射増加
層、及び酸素原子を含有するＣｕの光反射層を作製して
図２に示す光起電力素子を作製した（素子実３１）。
【０３３８】（実施例３２）基板に、５０ｍｍ角、厚さ
１ｍｍのバリウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製
７０５９）を用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８
０ｎｍ作製した後、表２５の条件を用いて、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層を作製し、実施例２３の条件
で、光反射増加層、及び窒素原子を含有するＣｕの光反
射層を作製して図２に示す光起電力素子を作製した（素
子実３２）。
【０３３９】（実施例３３）基板に、５０ｍｍ角、厚さ
１ｍｍのバリウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製
７０５９）を用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８
０ｎｍ作製した後、表２５の条件を用いて、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層を作製し、実施例２４の条件
で、光反射増加層、及び炭素原子を含有するＣｕの光反
射層を作製して図２に示す光起電力素子を作製した（素
子実３３）。
【０３４０】（比較例９）実施例３１と同様に、基板上
に透明電極としてＩＴＯを８０ｍｍ作製した後、表２５
の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ型層、第１の
ｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層電第２のｎ型層を
作製し、比較実験例３と同様の条件で光反射増加層、及
び不純物原子を含有しない光反射層を作製して光起電力
素子を作製した（素子比９）。
【０３４１】以上の実施例３１〜３３及び比較例９で作
製した光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効
果を実証するために、実施例１と同様な評価試験を行
い、結果を表２６にまとめた。
【０３４２】表２６から明らかなように、実施例３１〜
３３の光起電力素子は、比較例９の素子に比べ、初期特
性のみならず耐久性、耐環境性が大きく改善されること
が分かった。
【０３４３】実施例３４〜３６及び比較例１０ （実施例３４）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法及びＤＣ
マグネトロンスパッタリング法、およびμＷグロー放電
分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０３４４】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例４−１と同様にして、ステ
ンレス基板上に、酸素原子を含有する層厚３００ｎｍの
Ｃｕの光反射層を形成し、その上にＤＣスパッタリング
により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製
した。次に、表２７の条件で、光反射増加層上に非単結
晶シリコン系半導体層を積層し、続いて透明電極、集電
電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子実３
４）。
【０３４５】（実施例３５）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０３４６】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例４−２と同様にして、ステ
ンレス基板上に、窒素原子を含有する層厚３００ｎｍの
Ｃｕの光反射層を形成し、その上にＤＣスパッタリング
により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製
した。次に、実施例３４と同様にして、光反射増加層上
に非単結晶シリコン系半導体層を積層し、続いて透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
実３５）。
【０３４７】（実施例３６）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０３４８】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例４−３と同様にして、ステ
ンレス基板上に、炭素原子を含有する層厚３００ｎｍの
Ｃｕの光反射層を形成し、その上にＤＣスパッタリング
により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製
した。次に、実施例３４と同様にして、光反射増加層上
に非単結晶シリコン系半導体層を積層し、続いて透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
実３６）。
【０３４９】（比較例１０）図１２の装置を用い、比較
実験例４と同様にしてステンレス基板上に、不純物原子
を含有しない層厚３００ｎｍのＣｕの光反射層とその上
に酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる１μｍの光反射増加層を
作製した。他は実施例３４と同様にして、光起電力素子
を作製した（素子比１０）。
【０３５０】実施例３４〜３６及び比較例１０で作製し
た光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を
実証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表２８に示す。
【０３５１】表２８から明らかなように、実施例３４〜
３６の光起電力素子は、比較例１０の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０３５２】実施例３７〜３９及び比較例１１ （実施例３７）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０３５３】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例２２と同様
に、酸素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣｕの光反射
層、光反射増加層を作製し、次に、実施例３４と同様に
して、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を第１
のｎ型層、第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型
層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３
のｉ型層、第３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透
明電極、集電電極を積層し、トリプル型の光起電力素子
を作製した（素子実３７）。
【０３５４】（実施例３８）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０３５５】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例２３と同様
に、窒素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣｕの光反射
層、光反射増加層を作製し、次に、実施例３４と同様に
して、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を第１
のｎ型層、第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型
層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３
のｉ型層、第３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透
明電極、集電電極を積層し、トリプル型の光起電力素子
を作製した（素子実３８）。
【０３５６】（実施例３９）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０３５７】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例２４と同様
に、炭素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣｕの光反射
層、光反射増加層を作製し、次に、実施例３４と同様に
して、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を第１
のｎ型層、第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型
層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３
のｉ型層、第３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透
明電極、集電電極を積層し、トリプル型の光起電力素子
を作製した（素子実３９）。
【０３５８】（比較例１１）比較実験例３と同様に、ス
テンレス基板上に、不純物原子を含有しない光反射層及
び光反射増加層を作製し、次に実施例３４と同様な方法
により図１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装
置により、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を
積層し、実施例１７と同様な方法および条件で透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
比１１）。
【０３５９】実施例３７〜３９及び比較例１１で作製し
た光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を
実証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表２９にまとめた。
【０３６０】表２９から明らかなように、実施例３７〜
３９の光起電力素子は、比較例１１の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０３６１】実施例４０〜４２及び比較例１２ （実施例４０）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０３６２】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例２２と同じ
条件で基板８０２上に酸素原子を含むテクスチャー構造
の光反射層を３００ｍｍ作製した。
【０３６３】次に実施例２２と同様に、光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層（ＺｎＯ）を堆積し、さらに
光反射増加層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコ
ン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力
素子を作製した（素子実４０）。
【０３６４】（実施例４１）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０３６５】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例２３と同じ
条件で基板８０２上に窒素原子を含むテクスチャー構造
の光反射層を３００ｍｍ作製した。
【０３６６】次に実施例２３と同様に、光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層（ＺｎＯ）を堆積し、さらに
光反射増加層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコ
ン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力
素子を作製した（素子実４１）。
【０３６７】（実施例４２）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０３６８】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例２４と同じ
条件で基板８０２上に炭素原子を含むテクスチャー構造
の光反射層を３００ｍｍ作製した。 次に実施例２４と
同様に、光反射層上に、層厚１μｍの光反射増加層（Ｚ
ｎＯ）を堆積し、さらに光反射増加層上に図１３に示す
μＷグロー放電分解法による製造装置により、光反射増
加層上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電極、集電
電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子実４
２）。
【０３６９】（比較例１２）堆積室８０２に、Ｏ2 ／Ａ
ｒガスのかわりにＡｒガスを導入した以外は実施例４０
と同じ条件で基板８０２上に不純物原子を含有しないテ
クスチャー構造の光反射層を３００ｎｍ作製した。その
後、実施例２２同様にして、光起電力素子を作製した
（素子比１２）。
【０３７０】実施例４０〜４２と比較例１２で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表３０に示す。
【０３７１】表３０から明らかなように、実施例４０〜
４２の光起電力素子は、比較例１２の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０３７２】実施例４３〜４５及び比較例１３ （実施例４３）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法及びＤＣ
マグネトロンスパッタリング法、およびμＷグロー放電
分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０３７３】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着によりステンレス基板上に、実験例４−２
においてＮ2ガスに加え５０ｐｐｍのＯ2／Ａｒガスを５
ｓｃｃｍ流した他は実験例４ー２と同様にして、酸素原
子と窒素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣｕの光反射
層を形成した。その上にＤＣスパッタリングにより酸化
亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製した。
【０３７４】次に、表２７の条件で、光反射層上に非単
結晶シリコン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型
層、第１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２
のｐ型層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層
からなる構成で積層し、更に透明電極、集電電極を積層
し、トリプル型の光起電力素子を作製した（素子実４
３）。
【０３７５】（実施例４４）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０３７６】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着によりステンレス基板上に、実験例４−３
においてＣＨ4／Ａｒガスに加え５０ｐｐｍのＯ2／Ａｒ
ガスを５ｓｃｃｍ流した他は実験例４ー３と同様にし
て、酸素原子と炭素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣ
ｕの光反射層を形成した。その上にＤＣスパッタリング
により酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製
した。
【０３７７】次に、表２７の条件で、光反射層上に非単
結晶シリコン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型
層、第１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２
のｐ型層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層
からなる構成で積層し、更に透明電極、集電電極を積層
し、トリプル型の光起電力素子を作製した（素子実４
４）。
【０３７８】（実施例４５）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０３７９】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着によりステンレス基板上に、実験例４−２
においてＮ2ガスに加え、５０ｐｐｍのＯ2／Ａｒガスを
５ｓｃｃｍ、５０ｐｐｍのＣＨ4／Ａｒガスを１０ｓｃ
ｃｍ流した他は実験例４ー２と同様にして、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子を含有する層厚３００ｎｍのＣｕ
の光反射層を形成した。その上にＤＣスパッタリングに
より酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製し
た。
【０３８０】次に、表２７の条件で、光反射層上に非単
結晶シリコン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型
層、第１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２
のｐ型層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層
からなる構成で積層し、更に透明電極、集電電極を積層
し、トリプル型の光起電力素子を作製した（素子実４
５）。
【０３８１】（比較例１３）比較実験例４と同様に、ス
テンレス基板上に、不純物原子を含有しない光反射層及
び光反射増加層を作製し、次に、表２７の条件で、光反
射層上に非単結晶シリコン系半導体層を第１のｎ型層、
第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ
型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３のｉ型層、第
３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透明電極、集電
電極を積層し、トリプル型の光起電力素子を作製した
（素子比１３）。
【０３８２】実施例４３〜４５と比較例１３で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表３１に示す。
【０３８３】表３１から明らかなように、実施例４３〜
４５の光起電力素子は、比較例１３の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０３８４】実施例４６〜４８及び比較例１４ （実施例４６）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
マイクロ波（μＷ）グロー放電分解法によって図１に示
した構成の光起電力素子を作製した。
【０３８５】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置により、５０ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍの鏡面研磨
されたステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板上に、実験例
５−１と同様にして鉛原子を含有するＡｇの光反射層を
３００ｎｍ、及び光反射増加層ＺｎＯを１μｍ作製し
た。
【０３８６】次に、図１３に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１３００からなるμＷグロー放電分解法
による製造装置により、表５に示す作製条件で光反射増
加層上にｎ型層、ｉ型層、ｐ型層の非単結晶シリコン系
半導体層を作製した。
【０３８７】最後に、透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎ2
Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ蒸着し、集電
電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着し、光起電力
素子を作製した（素子実４６）。
【０３８８】（実施例４７）実験例５−２と同様にして
ステンレス基板上に鉛原子及び金原子を含有するＡｇの
光反射層を３００ｎｍ、光反射増加層ＺｎＯを１μｍ形
成した。続いて実施例４６と同様にして、ｎ型層，ｉ型
層、ｐ型層、透明電極、集電電極を形成して図１の光起
電力素子を作製した（素子実４７）。
【０３８９】（実施例４８）実験例５−３と同様にし
て、ステンレス基板上に鉛原子、金原子及び第１遷移金
属原子（鉄、クロム、ニッケル原子のいずれか）を含有
するＡｇの光反射層を３００ｎｍ、光反射増加層ＺｎＯ
を１μｍ形成した。続いて実施例４６と同様にして、ｎ
型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極を形成して
図１の光起電力素子を作製した（素子実４８−１〜４８
−３）。
【０３９０】（比較例１４）比較実験例５と同様の方法
で不純物原子を含有していないＡｇ光反射層を３００ｎ
ｍに作製し、次に、実施例４６と同じ作製条件で、光反
射層上に、光反射増加層、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層、透
明電極、集電電極を作製して光起電力素子を作製した
（素子比１４）。
【０３９１】以上作製した実施例４６〜４８及び比較例
１４の光起電力素子について、本発明の効果を実証する
ために、実施例１と同様な評価を行った。 （Ａ）初期特性 光起電力素子及びの太陽電池特性の初期特性を調べるた
めに前記光起電力素子を、ＡＭ−1.5 （１００μＷ／ｃ
ｍ2 ）光照射下に設置して、Ｖ−１特性を測定すること
により得られる光電変換効率により評価した。結果を表
３２に示す。
【０３９２】表３２が示すようにより、比較例１４の光
起電力素子に対して実施例４６〜４８の光起電力素子は
光電変換効率が大きくなり、本発明の鉛原子、鉛と金原
子、または鉛と金と第１遷移金属原子を含有するＡｇ光
反射層を用いた光起電力素子が従来の光反射層を用いた
光起電力素子に比べて優れた特性を示すことが実証され
た。 （Ｂ）特性の密着性依存 光起電力素子の太陽電池特性の密着性に対する依存性を
調べるため、図６の曲げ試験器を用いて光起電力素子が
堆積されたステンレス基板の６０１の曲げ試験をおこな
った。その後、ＡＭ−１．５光照射下において、光電変
換効率を測定した。測定結果を表３２にまとめた。
【０３９３】この結果より、実施例４６〜４８の光起電
力素子の光電変換効率は比較例１４の光起電力素子に比
べて大きく、本発明の鉛原子、鉛と金原子、または鉛と
金と第１遷移金属原子酸素原子を含有するＡｇ光反射層
を用いた光起電力素子が従来の光起電力素子をに比べて
優れた耐久性を示すことが実証された。 （Ｃ）特性の環境変化依存性 光起電力素子を、温度８５℃での相対温度８５％の暗所
に放置し、温度８５℃で４時間、温度−４０℃で４０分
のヒートサイクルを３０回繰り返し、光電変換効率を調
べた。結果を表３２に示す。
【０３９４】表から明らかなように、実施例４６〜４８
の光起電力素子では、ヒートサイクルによる光電変換効
率の低下は抑えられ、耐環境性は比較例１４の光起電力
素子に対して、優れていることが分かった。
【０３９５】以上の評価試験により、本発明の鉛原子、
鉛と金原子、または鉛と金と第１遷移金属原子を含有す
るＡｇ光反射層を用いた光起電力素子が、従来の光起電
力素子に対して、優れた初期特性、耐久性、耐環境特性
を有することが判明し、本発明の効果が実証された。
【０３９６】実施例４９〜５１及び比較例１５ （実施例４９）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
高周波（ＲＦ）グロー放電分解法によって本発明の光起
電力素子を作製した。
【０３９７】まず、実験例５−１と同じ作製条件で、図
８のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、基
板上に鉛原子を含むＡｇの光反射層を３００ｎｍ、及び
光反射増加層を１μｍ作製した。
【０３９８】次に、図１４に示す原料ガス供給装置１３
２０と堆積装置１４００からなるＲＦグロー放電分解法
による製造装置により、表８の作製条件で光反射増加層
上にｎ型層，ｉ型層、ｐ型層からなる非単結晶シリコン
系半導体層を作製した。
【０３９９】最後に、ｐ型層上に、透明電極として、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ
蒸着し、集電電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着
し、光起電力素子を作製した（素子実４９）。
【０４００】（実施例５０）実験例５−２と同様にして
ステンレス基板上に鉛及び金原子を含有するＡｇの光反
射層を形成し、その上に実施例４９と同様にして光反射
増加層、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極
を形成して光起電力素子を作製した（素子実５０）。
【０４０１】（実施例５１）実験例５−３と同様にして
ステンレス基板上に鉛、金及び第１遷移金属（鉄、クロ
ム、ニッケルのいずれか）を含有するＣｕの光反射層を
形成し、その上に実施例４９と同様にして光反射増加
層、ｎ型層，ｉ型層、ｐ型層、透明電極、集電電極を形
成して光起電力素子を作製した（素子実５１−１〜５１
−３）。
【０４０２】（比較例１５）比較例１４と同様な方法に
より、光反射層を形成し、続いて実施例４９と同様にし
て光反射増加層、半導体層、透明電極、集電電極を形成
し従来の光起電力素子を作製した（素子比１５）。
【０４０３】実施例４９〜５１及び比較例１５で作製し
た光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を
実証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表３３に示す。
【０４０４】表３３から明らかなように、実施例４９〜
５１の光起電力素子は、比較例１５の素子に比べ、初期
特性のみらず耐久性、耐環境性が大きく改善されること
が分かった。
【０４０５】（実施例５２）実施例４６と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例４６と同様の方法でターゲットと
して純度９９．９９９％のＡｇに含有させたＰｂの量を
２〜５００ｐｐｍとした複数のターゲットを用いて、鉛
原子の含有量の異なるＡｇ光反射層を３００ｎｍ作製し
た。
【０４０６】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＡｇの光反射層中の鉛含有量を測定した。
【０４０７】この結果作製された光反射層に含まれる鉛
原子の量を表３４に示す。
【０４０８】次に、実施例４６と同様に、図８に示すＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれ
ぞれの量の鉛原子を含む光反射層上に、層厚１μｍの光
反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に図１３
に示すμＷグロー放電分解法による製造装置により、光
反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明電極、
集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子実５
２−１〜５２−９）。これら光起電力素子の太陽電池特
性について、実施例１と同様な評価試験を行った。結果
を表３４に示す。
【０４０９】表３４から明らかなように、光反射層に含
まれる鉛原子の量が２ｐｐｍから１００ｐｐｍの範囲内
にあるときの光起電力素子は、前記鉛原子の量が、２ｐ
ｐｍ以下または１００ｐｐｍ以上の光起電力素子に対し
て、光電変換特性の初期特性、密着性試験後及び環境試
験後の特性が高い値を示し、鉛原子を２ｐｐｍから１０
０ｐｐｍ含有する光反射層を用いることにより、より一
層高い効果が得られることが分かった。
【０４１０】（実施例５３）実施例４７と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例４７と同様の方法でターゲットと
して純度９９．９９９％のＡｇに含有させたＰｂとＡｕ
の量を２〜５００ｐｐｍとした複数のターゲットを用い
て、鉛及び金原子の含有量の異なるＡｇ光反射層を３０
０ｎｍ作製した。
【０４１１】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＡｇの光反射層中の鉛及び金の含有量を測定
した。
【０４１２】この結果作製された光反射層に含まれる鉛
及び金原子の量を表３５に示す。
【０４１３】次に、実施例４６と同様に、図８に示すＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれ
ぞれの量の鉛及び金原子を含む光反射層上に、層厚１μ
ｍの光反射増加層を堆積し、さらに光反射増加層層上に
図１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装置によ
り、光反射増加上に非単結晶シリコン系半導体層、透明
電極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素
子実５３−１〜５３−９）。これら光起電力素子の太陽
電池特性について、実施例１と同様な評価試験を行っ
た。結果を表３５に示す。
【０４１４】表３５から明らかなように、光反射層に含
まれる鉛及び金原子の量が２ｐｐｍから１００ｐｐｍの
範囲内にあるときの光起電力素子は、前記鉛及び金原子
の量が、２ｐｐｍ以下または１００ｐｐｍ以上の光起電
力素子に対して、光電変換特性の初期特性、密着性試験
後及び環境試験後の特性が高い値を示し、鉛及び金原子
を２ｐｐｍから１００ｐｐｍ含有する光反射層を用いる
ことにより、より一層高い効果が得られることが分かっ
た。
【０４１５】（実施例５４）実施例４８と同様に、図８
に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置に
より、基板上に実施例４８と同様の方法でターゲットと
して純度９９．９９９％のＡｇに含有させたＰｂとＡｕ
と第１遷移金属原子（Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ）の量を１．５
〜５００ｐｐｍとした複数のターゲットを用いて、鉛、
金及び第１遷移金属原子の含有量の異なるＡｇ光反射層
を３００ｎｍ作製した。
【０４１６】次にそれぞれの光反射層の堆積した基板に
ついて、その一部を用いて二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）を行いＡｇの光反射層中の鉛及び金第１遷移金属原
子の含有量を測定した。
【０４１７】この結果作製された光反射層に含まれる鉛
及び金及び第１遷移金属原子の量を表３６に示す。
【０４１８】次に、実施例４６と同様に、図８に示すＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法の製造装置によりそれ
ぞれの量の鉛及び金及び第１遷移金属原子を含む光反射
層上に、層厚１μｍの光反射増加層を堆積し、さらに光
反射増加層層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加上に非単結晶シリコン
系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力素
子を作製した（素子実５４−１−１〜５４−３−９）。
これら光起電力素子の太陽電池特性について、実施例１
と同様な評価試験を行った。結果を表３６に示す。
【０４１９】表３６から明らかなように、光反射層に含
まれる鉛、金及び第１遷移金属原子の量が２ｐｐｍから
１００ｐｐｍの範囲内にあるときの光起電力素子は、前
記鉛、金及び第１遷移金属原子の量が、２ｐｐｍ以下ま
たは１００ｐｐｍ以上の光起電力素子に対して、光電変
換特性の初期特性、密着性試験後及び環境試験後の特性
が高い値を示し、鉛、金及び第１遷移金属原子を２ｐｐ
ｍから１００ｐｐｍ含有する光反射層を用いることによ
り、より一層高い効果が得られることが分かった。
【０４２０】実施例５５〜５７及び比較例１６ （実施例５５）基板に、５０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのバリ
ウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製７０５９）を
用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８０ｎｍ作製し
た後、表１３の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ
型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層、第
２のｎ型層を作製し、実施例４６の方法で、光反射増加
層、及び鉛原子を含有するＡｇの光反射層を作製して図
２に示す光起電力素子を作製した（素子実５５）。
【０４２１】（実施例５６）基板に、５０ｍｍ角、厚さ
１ｍｍのバリウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製
７０５９）を用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８
０ｎｍ作製した後、表１３の条件を用いて、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層を作製し、実施例４７の方法
で、光反射増加層、及び鉛と金原子を含有するＡｇ光反
射層を作製して図２に示す光起電力素子を作製した（素
子実５６）。
【０４２２】（実施例５７）基板に、５０ｍｍ角、厚さ
１ｍｍのバリウムほう珪酸ガラス（コーニング（株）製
７０５９）を用い、基板上に透明電極として１ＴＯを８
０ｎｍ作製した後、表１３の条件を用いて、第１のｐ型
層、第１のｉ型層、第１のｎ型層、第２のｐ型層、第２
のｉ型層、第２のｎ型層を作製し、実施例４８の方法
で、光反射増加層、及び鉛、金及び第１遷移金属原子を
含有するＡｇ光反射層を作製して図２に示す光起電力素
子を作製した（素子実５７−１〜５７−３）。
【０４２３】（比較例１６）実施例５５と同様に、基板
上に透明電極としてＩＴＯを８０ｍｍ作製した後、表１
３の条件を用いて、第１のｐ型層、第１のｉ型層、第１
のｎ型層、第２のｐ型層、第２のｉ型層電第２のｎ型層
を作製し、比較実験例５の条件で光反射増加層、及び不
純物原子を含有しないＡｇ光反射層を作製して光起電力
素子を作製した（素子比１６）。
【０４２４】以上の実施例５５〜５７及び比較例１６で
作製した光起電力素子の太陽電池特性について本発明の
効果を実証するために、実施例１と同様な評価試験を行
い、結果を表３７にまとめた。
【０４２５】表３７から明らかなように、実施例５５〜
５７の光起電力素子は、比較例１６の素子に比べ、初期
特性のみならず耐久性、耐環境性が大きく改善されるこ
とが分かった。
【０４２６】実施例５８〜６０及び比較例１７ （実施例５８）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０４２７】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例４６と同様
に、鉛原子を含有する層厚３００ｎｍのＡｇの光反射
層、光反射増加層を作製し、次に、表１５の作製条件
で、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体層を第
１のｎ型層、第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２のｎ型
層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、第３
のｉ型層、第３のｐ型層からなる構成で積層し、更に透
明電極、集電電極を積層し、トリプル型の光起電力素子
を作製した（素子実５８）。
【０４２８】（実施例５９）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０４２９】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例４７と同様
に、鉛及び金原子を含有する層厚３００ｎｍのＡｇ光反
射層、光反射増加層を作製し、次に、実施例５８と同様
にして、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体層
を第１のｎ型層、第１のｉ型層、第１のｐ型層、第２の
ｎ型層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、第３のｎ型層、
第３のｉ型層、第３のｐ型層からなる構成で積層し、更
に透明電極、集電電極を積層し、トリプル型の光起電力
素子を作製した（素子実５９）。
【０４３０】（実施例６０）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０４３１】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置によりステンレス基板上に、実施例４８と同様
に、鉛、金及び第１遷移金属原子を含有する層厚３００
ｎｍのＡｇ光反射層、光反射増加層を作製し、次に、実
施例５８と同様にして、光反射増加層上に非単結晶シリ
コン系半導体層を第１のｎ型層、第１のｉ型層、第１の
ｐ型層、第２のｎ型層、第２のｉ型層、第２のｐ型層、
第３のｎ型層、第３のｉ型層、第３のｐ型層からなる構
成で積層し、更に透明電極、集電電極を積層し、トリプ
ル型の光起電力素子を作製した（素子実６０）。
【０４３２】（比較例１７）比較実験例５と同様に、ス
テンレス基板上に、不純物原子を含有しない光反射層及
び光反射増加層を作製し、次に実施例５８と同様な方法
により図１３に示すμＷグロー放電分解法による製造装
置により、光反射層上に非単結晶シリコン系半導体層を
積層し、実施例５８と同様な方法および条件で透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
比１７）。
【０４３３】実施例５８〜６０及び比較例１７で作製し
た光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を
実証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表３８にまとめた。
【０４３４】表３８から明らかなように、実施例５８〜
６０の光起電力素子は、比較例１７の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０４３５】実施例６１〜６３及び比較例１８ （実施例６１）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸着法及びＤＣ
マグネトロンスパッタリング法、およびμＷグロー放電
分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０４３６】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例６−１と同様にして、ステ
ンレス基板上に、鉛原子を含有する層厚３００ｎｍのＡ
ｇ光反射層を形成し、その上にＤＣスパッタリングによ
り酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作製し
た。次に、実施例５８と同様にして、光反射増加層上に
非単結晶シリコン系半導体層を積層し、続いて透明電
極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素子
実６１）。
【０４３７】（実施例６２）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０４３８】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例６−２と同様にして、ステ
ンレス基板上に、鉛及び金原子を含有する層厚３００ｎ
ｍのＡｇ光反射層を形成し、その上にＤＣスパッタリン
グにより酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光反射増加層を作
製した。次に、実施例５８と同様にして、光反射増加層
上に非単結晶シリコン系半導体層を積層し、続いて透明
電極、集電電極を積層し、光起電力素子を作製した（素
子実６２）。
【０４３９】（実施例６３）電子ビーム（ＥＢ）真空蒸
着法及びＤＣマグネトロンスパッタリング法、およびμ
Ｗグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作
製した。
【０４４０】図１２に示す装置を用い電子ビーム（Ｅ
Ｂ）真空蒸着により、実験例６−３と同様にして、ステ
ンレス基板上に、鉛、金及び第１遷移金属原子を含有す
る層厚３００ｎｍのＡｇ光反射層を形成し、その上にＤ
Ｃスパッタリングにより酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる光
反射増加層を作製した。次に、実施例５８と同様にし
て、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体層を積
層し、続いて透明電極、集電電極を積層し、光起電力素
子を作製した（素子実６３）。
【０４４１】（比較例１８）図１２の装置を用い、比較
実験例６と同様にしてステンレス基板上に、不純物原子
を含有しない層厚３００ｎｍのＡｇ光反射層とその上に
酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる１μｍの光反射増加層を作
製した。他は実施例５８と同様にして、光起電力素子を
作製した（素子比１８）。
【０４４２】実施例６１〜６３及び比較例１８で作製し
た光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を
実証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。
結果を表３９に示す。
【０４４３】表３９から明らかなように、実施例６１〜
６３の光起電力素子は、比較例１８の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０４４４】実施例６４〜６６及び比較例１９ （実施例６４）ＤＣマグネトロンスパッタリング法及び
μＷグロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を
作製した。
【０４４５】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例４６と同じ
条件で基板８０２上に鉛原子を含むテクスチャー構造の
Ａｇ光反射層を３００ｍｍ作製した。
【０４４６】次に実施例４６と同様に、光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層（ＺｎＯ）を堆積し、さらに
光反射増加層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコ
ン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力
素子を作製した（素子実６４）。
【０４４７】（実施例６５）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０４４８】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例４７と同じ
条件で基板８０２上に鉛及び金原子を含むテクスチャー
構造のＡｇ光反射層を３００ｍｍ作製した。
【０４４９】次に実施例４７と同様に、光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層（ＺｎＯ）を堆積し、さらに
光反射増加層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコ
ン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力
素子を作製した（素子実６５）。
【０４５０】（実施例６６）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０４５１】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は実施例４８と同じ
条件で基板８０２上に鉛、金、第１遷移金属原子を含む
テクスチャー構造の光反射層を３００ｍｍ作製した。
【０４５２】次に実施例４８と同様に、光反射層上に、
層厚１μｍの光反射増加層（ＺｎＯ）を堆積し、さらに
光反射増加層上に図１３に示すμＷグロー放電分解法に
よる製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコ
ン系半導体層、透明電極、集電電極を積層し、光起電力
素子を作製した（素子実６６）。
【０４５３】（比較例１９）ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法及びμＷグロー放電分解法によって本発明の光
起電力素子を作製した。
【０４５４】図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法の製造装置により、ヒーター８０３により基板８０
２の温度を３５０℃に保持する以外は比較実験例５と同
様にして基板８０２上に不純物原子を含有しないテクス
チャー構造のＡｇ光反射層を３００ｎｍ作製した。その
後、実施例６４同様にして、光起電力素子を作製した
（素子比１９）。
【０４５５】実施例６４〜６６と比較例１９で作製した
光起電力素子の太陽電池特性について本発明の効果を実
証するために、実施例１と同様な評価試験を行った。結
果を表４０に示す。
【０４５６】表４０から明らかなように、実施例６４〜
６６の光起電力素子は、比較例１９の素子に比べ、初期
特性、耐久性、耐環境性のいずれも大きく改善されるこ
とが分かった。
【０４５７】
【表１】
【０４５８】
【表２】
【０４５９】
【表３】
【０４６０】
【表４】
【０４６１】
【表５】
【０４６２】
【表６】
【０４６３】
【表７】
【０４６４】
【表８】
【０４６５】
【表９】
【０４６６】
【表１０】
【０４６７】
【表１１】
【０４６８】
【表１２】
【０４６９】
【表１３】
【０４７０】
【表１４】
【０４７１】
【表１５】
【０４７２】
【表１６】
【０４７３】
【表１７】
【０４７４】
【表１８】
【０４７５】
【表１９】
【０４７６】
【表２０】
【０４７７】
【表２１】
【０４７８】
【表２２】
【０４７９】
【表２３】
【０４８０】
【表２４】
【０４８１】
【表２５】
【０４８２】
【表２６】
【０４８３】
【表２７】
【０４８４】
【表２８】
【０４８５】
【表２９】
【０４８６】
【表３０】
【０４８７】
【表３１】
【０４８８】
【表３２】
【０４８９】
【表３３】
【０４９０】
【表３４】
【０４９１】
【表３５】
【０４９２】
【表３６−１】
【０４９３】
【表３６−２】
【０４９４】
【表３６−３】
【０４９５】
【表３７】
【０４９６】
【表３８】
【０４９７】
【表３９】
【０４９８】
【表４０】
【０４９９】
【発明の効果】本発明により、短絡電流が増加し、直列
抵抗が減少して、変換効率が向上した光起電力素子を提
供することが可能となる。
【０５００】また、本発明により、導電性基板と光反射
層の密着性及び光反射層と反射増加層との密着性が改善
され、耐環境性及び耐久性が向上した光起電力素子を提
供することが可能となる。
【０５０１】更に本発明により、光反射層の金属が反射
増加層及び非単結晶半導体層に拡散するのを防止でき、
耐久性の高い光起電力素子を提供することが可能とな
る。
【０５０２】加えて本発明により、光反射層を堆積した
後、反射増加層及び非単結晶半導体層等の堆積時の基板
温度変化や光起電力素子を高温高湿の繰り返し環境下で
使用することによる結晶成長の進行を防止でき、素子特
性が経時的に安定な光起電力素子を提供することができ
る。
【０５０３】更に加えて本発明により、高歩留まりで大
量生産可能な光起電力素子を提供することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光起電力素子の一構成例を示した模式
図である。
【図２】本発明の光起電力素子の他の構成例を示した模
式図である。
【図３】本発明の光起電力素子の他の構成例を示した模
式図である。
【図４】本発明の光起電力素子を構成する透明電極を作
製するための装置の一例であり、ＤＣマグネトロンスパ
ッタリング放置の模式図である。
【図５】実験例１−１〜１−５と比較実験例１で作製し
た光反射層中の銀の結晶粒径分布を示すグラフである。
【図６】曲げ試験を行うための装置の一例を示す模式図
である。
【図７】実験例１−１〜１−５と比較実験例１で作製し
た光反射層について、銀の結晶粒径の分布の変化をアニ
ーリング前後で示したグラフである。
【図８】本発明の光起電力素子を構成する光反射層と光
反射増加層を作製するための装置の一例であり、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング法による製造装置の模式図で
ある。
【図９】本発明の光起電力素子を構成する光反射層を作
製するための装置の一例であり、真空蒸着法による製造
装置の模式図である。
【図１０】実験例２と比較実験例２で作製した光反射層
において、銀の結晶粒径分布を示すグラフである。
【図１１】実験例２と比較実験例２で作製した光反射層
について、銀の結晶粒径の分布の変化をアニーリング前
後で示したグラフである。
【図１２】本発明の光起電力素子を構成する光反射層と
光反射増加層を連続して作製するための装置の一例であ
り、ＤＣマグネトロンスパッタリング法と真空蒸着法に
よる製造装置の模式図である。
【図１３】本発明の光起電力素子を構成する非単結晶シ
リコン系半導体層を作製するための装置の一例であり、
マイクロ波グロー放電法による製造装置の模式図であ
る。
【図１４】本発明の光起電力素子を構成する非単結晶シ
リコン系半導体層を作製するための装置の一例であり、
ＲＦグロー放電法による製造装置の模式的図である。
【符号の説明】
１０１，３０１ 導電性基板 １０２，２０２ 光反射層 １０３，２０３，３０３ 光反射増加層 １０４，２０４ａ，２０４ｂ，３０４ａ，３０４ｂ ｎ
型（またはｐ型）非単結晶シリコン半導体層 １０５，２０５ａ，２０５ｂ，３０５ａ，３０５ｂ ｉ
型非単結晶シリコン系半導体層 １０６，２０６ａ，２０６ｂ，３０６ａ，３０６ｂ ｐ
型層（またはｎ型）非単結晶シリコン系半導体層 １０７，２０７，３０７ 透明電極 １０８，２０８，３０８ 集電電極 １０９，２０９，３０９ 光 ２０１ 透明基板 ２１０ 導電層（または／及び保護層） ３０２ テクスチャ構造の光反射層 ４０１，８０１ 堆積室 ４０２，８０２ 基板 ４０３，８０３ 加熱ヒータ ４０４，８０４，８１８ ターゲット ４０５，８０５ 絶縁性支持体 ４０６，８０６、８２０ ＤＣ電源 ４０７，８０７，８２１ シャッター ４０８，８０８ 真空計 ４０９，８０９，コンダクタンスバルブ ４１０，４１２，４１４、４１６、８１０，８１２、８
１４、８１６ ガス導入バルブ ４１１，４１３，４１５、４１７、８１１，８１３、８
１５、８１７ マスフローコントローラー ６０１ 基板 ６０２ 基板曲げ棒 ６０３ エアーシリンダー ９０１ 堆積室 ９０２ 基板 ９０３ 加熱ヒータ ９０４ 蒸着 ９０５ 電子銃 ９０６ 高電圧電源 ９０７ シャッター ９０８ 真空計 ９０９ コンダクタンスバルブ ９１０，９１２、９１４、９１６ ガス導入バルブ ９１１，９１３、９１５、９１７ マスフローコントロ
ーラー １２０１ 堆積室 １２０２ 基板 １２０３ 加熱ヒータ １２０４ 蒸着源 １２０５ 電子銃 １２０６ 高電圧電源 １２０７，１２２１ シャッター １２０８ 真空計 １２０９ コンダクタンスバルブ １２１０，１２１２、１２１４、１２１６ ガス導入バ
ルブ １２１１，１２１３、１２１５、１２１７ マスフロー
コントローラー １２１８ ターゲット １２１９ 絶縁性支持体 １２２０ ＤＣ電源 １３０１ μＷグロー放電分解法による成膜装置の堆積
室 １３０２ 誘電体窓 １３０３、１４０３ ガス導入管 １３０４，１４０４ 基板 １３０５，１４０５ 加熱ヒータ １３０６，１４０６ 真空計 １３０７，１４０７ コンダクタンスバルブ １３０８，１４０８ 補助バルブ １３０９，１４０９ リークバルブ １３１０ 導波部 １３１１ バイアス電源 １３１２ バイアス棒 １３２０ 原料ガス供給装置 １３２１〜１３２６ マスフローコントローラー １３３１〜１３８６ ガス流入バルブ １３４１〜１３４６ ガス流出バルブ １３５１〜１３５６ 原料ガスボンベのバルブ １３６１〜１３６６ 圧力調整器 １３７１〜１３７６ 原料ガスボンベ １４０１ ＲＦグロー旗電分解法による成膜装置の堆積
室 １４０２ カソード １４１２ ＦＲマッチクングボックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 直人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 近藤 隆治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 西尾 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 西元 智紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性基板上に、光反射層、光反射増加
    層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体
    材料からなるｎ型層、ｉ型層及びｐ型層、及び透明電極
    を積層して構成される光起電力素子において、前記光反
    射層は銀原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子ま
    たは炭素原子の内少なくとも１つを含有していることを
    特徴とする光起電力素子。
  2. 【請求項２】 導電性基板上に、光反射層、光反射増
    加層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導
    体材料からなるｎ型層、ｉ型層及びｐ型層、及び透明電
    極を積層して構成される光起電力素子において、前記光
    反射層は銅原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子
    または炭素原子の内少なくとも１つを含有していること
    を特徴とする光起電力素子。
  3. 【請求項３】 前記光反射層に含まれる酸素原子、窒素
    原子及び炭素原子の総量は、０．１〜１０００ｐｐｍで
    あることを特徴とする請求項１または２に記載の光起電
    力素子。
  4. 【請求項４】 導電性基板上に、光反射層、光反射増加
    層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体
    材料からなるｎ型層、ｉ型層及びｐ型層、及び透明電極
    を積層して構成される光起電力素子において、前記光反
    射層は銀原子を主構成元素とし、鉛原子または鉛原子及
    び金または鉛及び金及び第１遷移金属原子を２〜１００
    ｐｐｍ含有していることを特徴とする光起電力素子。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6292238B1 (en) 1996-08-06 2001-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Reflection-type liquid crystal apparatus
JP2002277855A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Sharp Corp Ａｇ合金薄膜の形成方法および情報表示素子
WO2011027459A1 (ja) * 2009-09-04 2011-03-10 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法
JP2011158888A (ja) * 2010-01-08 2011-08-18 Central Glass Co Ltd 反射体及び該反射体を用いた可視光反射部材

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5769963A (en) * 1995-08-31 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device
US6379994B1 (en) * 1995-09-25 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photovoltaic element
US5824566A (en) * 1995-09-26 1998-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a photovoltaic device
US6172296B1 (en) * 1996-05-17 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic cell
US6166318A (en) 1998-03-03 2000-12-26 Interface Studies, Inc. Single absorber layer radiated energy conversion device
US20030219917A1 (en) * 1998-12-21 2003-11-27 Johnson Ralph H. System and method using migration enhanced epitaxy for flattening active layers and the mechanical stabilization of quantum wells associated with vertical cavity surface emitting lasers
US20030190551A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording information in the same
US7479363B2 (en) * 2002-04-26 2009-01-20 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US6996055B2 (en) * 2002-04-30 2006-02-07 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US7231649B2 (en) * 2002-05-31 2007-06-12 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4059714B2 (ja) * 2002-07-04 2008-03-12 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
JP4092147B2 (ja) * 2002-07-04 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
US7781146B2 (en) * 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
US7932015B2 (en) 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP2004265889A (ja) * 2003-01-16 2004-09-24 Tdk Corp 光電変換素子、光電変換装置、及び鉄シリサイド膜
JP4084674B2 (ja) * 2003-01-28 2008-04-30 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
JP2005044395A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
DE102004032810B4 (de) * 2004-07-07 2009-01-08 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Photovoltaische Solarzelle mit einer Schicht mit Licht streuenden Eigenschaften und Solarmodul
JP4222992B2 (ja) * 2004-09-29 2009-02-12 三洋電機株式会社 光起電力装置
US7860137B2 (en) * 2004-10-01 2010-12-28 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror
CA2581614A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts
US7544974B2 (en) * 2005-08-23 2009-06-09 Showa Denko K.K. Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device
US7588957B2 (en) * 2007-10-17 2009-09-15 Applied Materials, Inc. CVD process gas flow, pumping and/or boosting
KR101413273B1 (ko) * 2007-10-31 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 광 검출 장치
EP2075840B1 (en) * 2007-12-28 2014-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for dicing a wafer with semiconductor elements formed thereon and corresponding device
JP5437626B2 (ja) * 2007-12-28 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5317712B2 (ja) * 2008-01-22 2013-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5376961B2 (ja) * 2008-02-01 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8076175B2 (en) 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8049292B2 (en) * 2008-03-27 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5518381B2 (ja) * 2008-07-10 2014-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器
US20100147361A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-17 Chen Yung T Tandem junction photovoltaic device comprising copper indium gallium di-selenide bottom cell
US20110079288A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Bruker Biospin Corporation Method and apparatus for preventing energy leakage from electrical transmission lines
US20130334688A1 (en) * 2011-03-25 2013-12-19 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Multi-elements-doped zinc oxide film, manufacturing method and application thereof
US9065156B2 (en) * 2011-08-08 2015-06-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Photovoltaic capacitor for direct solar energy conversion and storage
US10551771B2 (en) 2018-04-19 2020-02-04 Canon Kabuskiki Kaisha Electrophotographic belt and electrophotographic image forming apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58170075A (ja) * 1982-03-18 1983-10-06 エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド 背面リフレクタを備えた光起電力デバイス
JPS5929476A (ja) * 1982-08-04 1984-02-16 エクソン・リサ−チ・アンド・エンジニアリング・カンパニ− 半導体装置及びその製造方法
JPH0494173A (ja) * 1990-08-09 1992-03-26 Canon Inc 太陽電池用基板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682855B2 (ja) * 1985-03-05 1994-10-19 帝人株式会社 半導体デバイス及びその製造方法
JPH02105582A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池
JPH0399476A (ja) * 1989-09-12 1991-04-24 Canon Inc 光起電力装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58170075A (ja) * 1982-03-18 1983-10-06 エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド 背面リフレクタを備えた光起電力デバイス
JPS5929476A (ja) * 1982-08-04 1984-02-16 エクソン・リサ−チ・アンド・エンジニアリング・カンパニ− 半導体装置及びその製造方法
JPH0494173A (ja) * 1990-08-09 1992-03-26 Canon Inc 太陽電池用基板

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6292238B1 (en) 1996-08-06 2001-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Reflection-type liquid crystal apparatus
JP2002277855A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Sharp Corp Ａｇ合金薄膜の形成方法および情報表示素子
WO2011027459A1 (ja) * 2009-09-04 2011-03-10 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法
JP5362016B2 (ja) * 2009-09-04 2013-12-11 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法
US8841541B2 (en) 2009-09-04 2014-09-23 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery and method of manufacturing the same
JP2011158888A (ja) * 2010-01-08 2011-08-18 Central Glass Co Ltd 反射体及び該反射体を用いた可視光反射部材

Also Published As

Publication number Publication date
US5401330A (en) 1995-03-28

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