JPS5929476A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS5929476A JPS5929476A JP58058054A JP5805483A JPS5929476A JP S5929476 A JPS5929476 A JP S5929476A JP 58058054 A JP58058054 A JP 58058054A JP 5805483 A JP5805483 A JP 5805483A JP S5929476 A JPS5929476 A JP S5929476A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- layer
- diffusion barrier
- semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関する。本発明しり、背（ｆこ、
活性な半導体材料が高反射性金属上にイＪオｆせしめら
れてなる光発准装置に関する。さらにＨ’（？しくｊホ
ベるト、本発明は、アモルファスシリコン、アモルファ
スｒルマニウム、アモルファスシリコン−ダルマニウム
、ソシてアモルファスシリコン−カー ｙｌ−ン合金の
簿膜形太陽電池に関する。
活性な半導体材料が高反射性金属上にイＪオｆせしめら
れてなる光発准装置に関する。さらにＨ’（？しくｊホ
ベるト、本発明は、アモルファスシリコン、アモルファ
スｒルマニウム、アモルファスシリコン−ダルマニウム
、ソシてアモルファスシリコン−カー ｙｌ−ン合金の
簿膜形太陽電池に関する。
先発７１℃装置１゛ｔによる光の吸収がその装ｆｔ？ｃ
の活性層の形成に用いられている半導体材料の光学的性
質によって左右されることは周知の通りである。活性層
における光学的吸収は、その電気的特性ともども、半導
体材料の最小膜厚全束縛するものである。例えば、結晶
シリコン太陽電池の場合、シリコンが低い赤外域吸収能
をもつ間接ギヤラグ半導体であるので、太陽輻射線を効
率よく吸収させるために５０〜１００μｍの材料が必要
である。この太陽電池を有効ならしめるため、非常に純
粋であシかつ欠陥のない旧料金使用して電池の全域から
光発生キャリヤーを集めることが必要である。
の活性層の形成に用いられている半導体材料の光学的性
質によって左右されることは周知の通りである。活性層
における光学的吸収は、その電気的特性ともども、半導
体材料の最小膜厚全束縛するものである。例えば、結晶
シリコン太陽電池の場合、シリコンが低い赤外域吸収能
をもつ間接ギヤラグ半導体であるので、太陽輻射線を効
率よく吸収させるために５０〜１００μｍの材料が必要
である。この太陽電池を有効ならしめるため、非常に純
粋であシかつ欠陥のない旧料金使用して電池の全域から
光発生キャリヤーを集めることが必要である。
この理由としては、活性材料の純度とその結晶の完全性
とが拡散距離、すなわち、キャリヤーがその古結合に先
がけて走行することのできる平均的な長さ、全決定する
ということをあげることができる。′べ電池の厚さはそ
れに入射する太陽光の吸収を可能ならしめるものでなけ
れ（ｌ」：ならないので、拡散距離は生成せる重子−正
孔対を；１ｆ１曲によって発生させられた電流に寄力さ
せることが可能なオーダーの電池厚さのものでなけれげ
ならない。このことは、また、高純度でありかつ結晶学
的に完全な非常に高価な活性材お１が必要であることを
意味する。
とが拡散距離、すなわち、キャリヤーがその古結合に先
がけて走行することのできる平均的な長さ、全決定する
ということをあげることができる。′べ電池の厚さはそ
れに入射する太陽光の吸収を可能ならしめるものでなけ
れ（ｌ」：ならないので、拡散距離は生成せる重子−正
孔対を；１ｆ１曲によって発生させられた電流に寄力さ
せることが可能なオーダーの電池厚さのものでなけれげ
ならない。このことは、また、高純度でありかつ結晶学
的に完全な非常に高価な活性材お１が必要であることを
意味する。
他方において、アモルファス行第１から作られた太陽Ｔ
”ｌＴ、曲の場合におけるように拡ｔ”ｉｋ ｌ？ｌｉ
ｐｆ＃が短い場合、生成せる電子−正札対が接合（ジ
ャンクション）に達し得るようにするため、活性４４利
の１？みもまた短くなければならない。したがって、先
発゛屯利料内の吸収ケ高めることが望外しい。なぜなら
、（１）活性材料の厚みを下げることができるからであ
り、そして（２）半導体の純度やその他の構造的欠陥に
係る要求を緩和することができるからである。
”ｌＴ、曲の場合におけるように拡ｔ”ｉｋ ｌ？ｌｉ
ｐｆ＃が短い場合、生成せる電子−正札対が接合（ジ
ャンクション）に達し得るようにするため、活性４４利
の１？みもまた短くなければならない。したがって、先
発゛屯利料内の吸収ケ高めることが望外しい。なぜなら
、（１）活性材料の厚みを下げることができるからであ
り、そして（２）半導体の純度やその他の構造的欠陥に
係る要求を緩和することができるからである。
過去１０年間において、間接ギヤ７ノ０半？、９７体型
結晶シリコンにおける有効吸収を高めるために内部全反
射による光捕獲を使用する多・数のｆ、ｌ、′：案がな
されている。米国特許第３４８７２２３号のＡ、 Ｅ。
結晶シリコンにおける有効吸収を高めるために内部全反
射による光捕獲を使用する多・数のｆ、ｌ、′：案がな
されている。米国特許第３４８７２２３号のＡ、 Ｅ。
Ｓｔ、 Ｊｏｂｎの提案やＺ、 Ａｎｇｅｗ ｒ Ｐｈ
ｙｓ、 ２５ ＋１５６（１９６８）におけるＯ、 Ｋ
ｒｕｍｐｌｏｌｚ及びＳ、 ＭｏｓｌｏｗＩＩｌｃｌの
提案では、近赤外領域において高いは子効率を保持する
とその間にシリコンフォトダイオードの応答速度が増加
するという予想が主題となっていた。
ｙｓ、 ２５ ＋１５６（１９６８）におけるＯ、 Ｋ
ｒｕｍｐｌｏｌｚ及びＳ、 ＭｏｓｌｏｗＩＩｌｃｌの
提案では、近赤外領域において高いは子効率を保持する
とその間にシリコンフォトダイオードの応答速度が増加
するという予想が主題となっていた。
その後、Ｉ）、 Ｒｅｄｆ １ｅｌｄ Ｅよって（Ａｐ
ｐ、Ｐｈｙｓ。
ｐ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、 ２５ 、６４７ （１９７４）及び米国特
許第３９７３９９４）、光の捕獲はさらに太陽電池につ
いても取委な利益をもたらすであろうということが提案
された。半導体材料の必要な厚みを下げることによって
高効率を保持することができた。
許第３９７３９９４）、光の捕獲はさらに太陽電池につ
いても取委な利益をもたらすであろうということが提案
された。半導体材料の必要な厚みを下げることによって
高効率を保持することができた。
さらに加えて、シリコンの品質についての束Ｐｉ緩和す
ることができた。それというのも、少数キャリヤーの拡
散距離ｆｃ吸収向上の程度に比例して下げることができ
たからである。
ることができた。それというのも、少数キャリヤーの拡
散距離ｆｃ吸収向上の程度に比例して下げることができ
たからである。
上記したような光捕獲の利点ｆｃ樽＜一方法として、例
えば銀、アルミニウム及び銅のような高反射性の裏面を
電池上に含まぜる方法がある。しがしながら、正四面体
形配位アモルファス半導体とこのような反射利料とを直
接的に結合せしめるのは、もしもそれらの結合方法を高
温度で実施−ノーるのであるならば、困ＭＩＧである。
えば銀、アルミニウム及び銅のような高反射性の裏面を
電池上に含まぜる方法がある。しがしながら、正四面体
形配位アモルファス半導体とこのような反射利料とを直
接的に結合せしめるのは、もしもそれらの結合方法を高
温度で実施−ノーるのであるならば、困ＭＩＧである。
この場合にＱ」１、反ｑ［件の表面をもつ月別が活性材
料中に拡１１シする可能性がある。もしも活性材料が薄
いと、ンヨートが発生することが可能である。
料中に拡１１シする可能性がある。もしも活性材料が薄
いと、ンヨートが発生することが可能である。
さらに、使用条件下にある太陽電池（は約１００℃まで
加熱されることがある。そのために、活性材料と直接接
触している反射性表面が活性月別中に拡散することもま
た可能であシ、ぞして電池のショートが起こり得る。
加熱されることがある。そのために、活性材料と直接接
触している反射性表面が活性月別中に拡散することもま
た可能であシ、ぞして電池のショートが起こり得る。
さらに加えて、もしもアモルファスのｓｉ又ＱよＧｅを
銀、アルミニウム又は銅の最上層」二に２００〜４００
℃の温度で刺着せしめたとすると、アモルファスのフィ
ルムがその界面において結晶化を生じるということが判
明した。このような結晶化が太陽電池で発生したとする
と、その１１を池ｄ、性能低下を生じるであろう。
銀、アルミニウム又は銅の最上層」二に２００〜４００
℃の温度で刺着せしめたとすると、アモルファスのフィ
ルムがその界面において結晶化を生じるということが判
明した。このような結晶化が太陽電池で発生したとする
と、その１１を池ｄ、性能低下を生じるであろう。
本発明は、半導体と反射性裏ＩＭとの中間に透明な導電
性層を導入することによって上記したような従来技術の
欠点を克服したものである。この透明な導電性層は、（
ａ）反射材料が半導体中に拡散するのを慎重するであろ
うしく拡散バリヤー）、また（ｂ）アモルファス半導体
の結晶化を抑制するであろう。同時に、この導？１Ｌ性
層は反射性表面の有利な効果ｆ：導いて半導体における
光学的吸収を高めるであろう。
性層を導入することによって上記したような従来技術の
欠点を克服したものである。この透明な導電性層は、（
ａ）反射材料が半導体中に拡散するのを慎重するであろ
うしく拡散バリヤー）、また（ｂ）アモルファス半導体
の結晶化を抑制するであろう。同時に、この導？１Ｌ性
層は反射性表面の有利な効果ｆ：導いて半導体における
光学的吸収を高めるであろう。
本発明は、上記の記載や特許請求の範囲の記載から理解
されるように、光発電半導体装置、そしてその製造方法
に係る。この半導体装置は、反射層、半、導体材料の活
性層、そして反射層と活性層との間の透明な導電性拡散
バリヤーを含んでなる。
されるように、光発電半導体装置、そしてその製造方法
に係る。この半導体装置は、反射層、半、導体材料の活
性層、そして反射層と活性層との間の透明な導電性拡散
バリヤーを含んでなる。
好ましい１態様において、活性層はアモルファスシリコ
ンであシ、そして拡散バリヤーはインノウム錫酸化物（
ＩＴＯ）、錫酸化物（５ｎ０２ ）又ｄ：カドミウム錫
酸Ｊａ（ＣｄＳｎＯ４）である。
ンであシ、そして拡散バリヤーはインノウム錫酸化物（
ＩＴＯ）、錫酸化物（５ｎ０２ ）又ｄ：カドミウム錫
酸Ｊａ（ＣｄＳｎＯ４）である。
次に、添介Ｊの図面を参照しながら、薄膜形太陽１１１
、池を例にとって本発明全説明する。
、池を例にとって本発明全説明する。
第１図には本発明の好ましい１例が示されている。この
太陽電池第１ｑ造休は、例えばガラス又＆、Ｊ、ステン
レス鋼のような支持体基板２、例乏−ｉｔ：Ａｇ。
太陽電池第１ｑ造休は、例えばガラス又＆、Ｊ、ステン
レス鋼のような支持体基板２、例乏−ｉｔ：Ａｇ。
Ａｔ ＋ Ｃｕのような反射イＡ料の層４、例ｔ ｉ′
Ｊ二Ｉ’ｌ’０ 。
Ｊ二Ｉ’ｌ’０ 。
５ｎＯ２ｒ ＣｄＳｎＯ４のような透明ｉ、”Ｉ’ｉｌ
１体の層６（拡散バリヤーとして働く）、そして例えを
、！：アモルファスシリコン、ケ９ルマニウム、Ｓｉ
−Ｇｏ 及ヒ５ｌ−Ｃ合金のような材料からできた半導
体１７合８を有する。拡散バリヤーｔよ、気相付着法又
はスダレ−法によって刺着させることができる。気相（
’Ｊス’ｆ法は、スパッタリング、電子ビーム蒸着、そ
して化学的気相成長法（ＣＶＤ法）全包含する。これら
の付着方法はすべて２００〜５ｏｏ℃で’＞”！ ＸＩ
する。
１体の層６（拡散バリヤーとして働く）、そして例えを
、！：アモルファスシリコン、ケ９ルマニウム、Ｓｉ
−Ｇｏ 及ヒ５ｌ−Ｃ合金のような材料からできた半導
体１７合８を有する。拡散バリヤーｔよ、気相付着法又
はスダレ−法によって刺着させることができる。気相（
’Ｊス’ｆ法は、スパッタリング、電子ビーム蒸着、そ
して化学的気相成長法（ＣＶＤ法）全包含する。これら
の付着方法はすべて２００〜５ｏｏ℃で’＞”！ ＸＩ
する。
Ｊν、故バリヤーは、ピンホールを形成しないのに十分
外厚さく５００Ｘのオーダー）であるべきであｐ、また
、１０〜６０−＋ｃｍ−ｆ金下廻ることがない・１寥電
率を有するべきである。半導体１妾合８（ｆ」１、この
技術分野において公知ないろいろな形！７１１ 、例え
ばショットキバリヤー、ＰＩＮ 、 ＰＮ又は異種膜【
合の形態をとることができる。最後に、層１（）は例え
ばＩＴＯのような反射防ＩＪ：、膜である。この４１１
１費休を上面から太陽光に暴露する。太陽電池の半導体
材料８１ｚｃシランのグロー放電分解によるかもしくは
Ａｒ及びｌ【含有雰囲気中におけるＳｔ ＋ Ｇｅ ｒ
ｓｔ −Ｇｅ 、 ５ｌ−Ｃターｒヮトからの反応性
スフ４′ツタリングによっＣ２００〜４００℃の温度で
付着させる。
外厚さく５００Ｘのオーダー）であるべきであｐ、また
、１０〜６０−＋ｃｍ−ｆ金下廻ることがない・１寥電
率を有するべきである。半導体１妾合８（ｆ」１、この
技術分野において公知ないろいろな形！７１１ 、例え
ばショットキバリヤー、ＰＩＮ 、 ＰＮ又は異種膜【
合の形態をとることができる。最後に、層１（）は例え
ばＩＴＯのような反射防ＩＪ：、膜である。この４１１
１費休を上面から太陽光に暴露する。太陽電池の半導体
材料８１ｚｃシランのグロー放電分解によるかもしくは
Ａｒ及びｌ【含有雰囲気中におけるＳｔ ＋ Ｇｅ ｒ
ｓｔ −Ｇｅ 、 ５ｌ−Ｃターｒヮトからの反応性
スフ４′ツタリングによっＣ２００〜４００℃の温度で
付着させる。
Ｐ及びＮビーフ６層をこの技術分野において公知な方法
によって形成する。
によって形成する。
第２図には本発明の別の聾様が示されている。
この太陽′覗池格造体は、例えばガラス又は水晶のよう
な透明な基板１２、反射防市導電性層１４、（−して例
工ばアモルファスシリコン、ケ０ルマニウム、５ｌ−Ｇ
ｏ及び５ｌ−Ｃ合金のような材料から作ら！した半２．
ダ体接合１６からなる。半導体接合１６は、例えばショ
ットキバリヤー、ＰＩＮ、ＰＮ又は異種接合のようない
ろいろな形態を有することができる。層１８は例えばＩ
ＴＯ、５ｎ０２ 、 ＣｄＳｎＯ４のような透明な導電
体であり、拡散バリヤーとして働くことができる。層２
０は、例えばＡｇ 、 Ａｔ。
な透明な基板１２、反射防市導電性層１４、（−して例
工ばアモルファスシリコン、ケ０ルマニウム、５ｌ−Ｇ
ｏ及び５ｌ−Ｃ合金のような材料から作ら！した半２．
ダ体接合１６からなる。半導体接合１６は、例えばショ
ットキバリヤー、ＰＩＮ、ＰＮ又は異種接合のようない
ろいろな形態を有することができる。層１８は例えばＩ
ＴＯ、５ｎ０２ 、 ＣｄＳｎＯ４のような透明な導電
体であり、拡散バリヤーとして働くことができる。層２
０は、例えばＡｇ 、 Ａｔ。
Ｃｕのような反射材料である。この構潰体金底１ｈ１か
ら太陽光に暴露する。半導体接合１６は下記例１に記載
の方法によって形成する。
ら太陽光に暴露する。半導体接合１６は下記例１に記載
の方法によって形成する。
例１ニ
ジｇｙトキパリャー太陽？１ｊ；池
第１図に示すような本発明のｌ ｉ／、ｊ’、嵌にｉｉ
（う太１勅１匡池を製作した。この場合ス・卆ツクリン
グにより水晶基板上に付着せしめた１２００Ｘの銀から
反射層４′Ｊｚｃ形成した。インノウ入／場酸化物から
乙る厚さ５ｏｏＩの拡散バリヤー６をス・Ｐワタリング
に１９反吋層４上に伺Ｘｆさせた。半・１休ｊγ自８に
１：ショットキバリヤーの形伸全もち、ｚｏｏ久のＮ型
、シランのグロー放電分解により伺〕ｌ’ｉ １ツーし
められた５０００Ｘの固有水素化アモルファスシリコン
、そして蒸着によシ付着ぜしめられたＩ Ｏｏ ｉのＰ
ｄ層からなった。
（う太１勅１匡池を製作した。この場合ス・卆ツクリン
グにより水晶基板上に付着せしめた１２００Ｘの銀から
反射層４′Ｊｚｃ形成した。インノウ入／場酸化物から
乙る厚さ５ｏｏＩの拡散バリヤー６をス・Ｐワタリング
に１９反吋層４上に伺Ｘｆさせた。半・１休ｊγ自８に
１：ショットキバリヤーの形伸全もち、ｚｏｏ久のＮ型
、シランのグロー放電分解により伺〕ｌ’ｉ １ツーし
められた５０００Ｘの固有水素化アモルファスシリコン
、そして蒸着によシ付着ぜしめられたＩ Ｏｏ ｉのＰ
ｄ層からなった。
このような￥１１池は、それにＡＭＩフメトン（光子）
束を照射したところ、６ ｍＡＡ＋＋ｔ２の短絡＋ＪＴ
、 ｆ（。
束を照射したところ、６ ｍＡＡ＋＋ｔ２の短絡＋ＪＴ
、 ｆ（。
Ｉｓｃ 、 ０．３８ Ｖの開放電圧ＶＯＣ、そし７て
（１，５９の曲線因子ＦＦ全示した。
（１，５９の曲線因子ＦＦ全示した。
例２：
ＰＩＮ大１号゛淑池
第１図に示すような本発明の１態様に従う太陽電池を製
作した。この場合Ｎ Ｍ ２．４ ｒ ６及び１０は前
記例１に記載のものに同じであυ、そしてアモルファス
シリコンの太陽電池材料８はＮＩＰ構Ｊ１ソ体の形！＆
１であった。Ｎ層は厚さ２００Ｘ、ＩＩＪｆＪ’Ｌ！５
０００Ｌ そり、ＣＰＦＩｍ、Ｊ’ｌ−さｌ ｏｏ’）
。
作した。この場合Ｎ Ｍ ２．４ ｒ ６及び１０は前
記例１に記載のものに同じであυ、そしてアモルファス
シリコンの太陽電池材料８はＮＩＰ構Ｊ１ソ体の形！＆
１であった。Ｎ層は厚さ２００Ｘ、ＩＩＪｆＪ’Ｌ！５
０００Ｌ そり、ＣＰＦＩｍ、Ｊ’ｌ−さｌ ｏｏ’）
。
であった。これら３層のすべて〒シランのグロー放Ｆｌ
ｕ Ｏ解によって付着させた。
ｕ Ｏ解によって付着させた。
このような電池は、それにＡＭＩフォトン束を照射した
ところ、Ｉ ｓ ｃ ＝ ９．２ ｍヤ缶＋ Ｖｏｃ
−０，７５Ｖ、そしてＦＦ＝０．２５であった。
ところ、Ｉ ｓ ｃ ＝ ９．２ ｍヤ缶＋ Ｖｏｃ
−０，７５Ｖ、そしてＦＦ＝０．２５であった。
例３：
ｉＩＩ記例１及び例２に記載したものと同様の）’ｉｌ
造の、イυし、拡散バリヤ一層６及び１８を含廿ない太
陽電池を製作した。これらの太陽／１里池中１ｑ輩体は
シｑｌ・することが判った。このことは、拡散バリヤー
が必要であることを立証している。
造の、イυし、拡散バリヤ一層６及び１８を含廿ない太
陽電池を製作した。これらの太陽／１里池中１ｑ輩体は
シｑｌ・することが判った。このことは、拡散バリヤー
が必要であることを立証している。
第１図は本発明による光発電半導体装置の好ましい１例
を示した構成図、そして 第２１シ１は本発明による光発電半導体装置、のもう１
つの好寸しい例を示した＋Ｉ′／７成図でを）る。 図中、２は支時体ノＩ（板、４は反射層、６は１１）、
ｆ？にバリヤー、８は半導体接合、そしてＩ Ｏ＆、ｌ
： Ｊス’！、＋ １（）ｊ重膜である。 特許出願人 エクソン リサーチ アンド エンジニアリンクカンノ＃＝− 特許出願代理人 弁）７層士 ７￥ 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 印埋十 山 口 昭 之
を示した構成図、そして 第２１シ１は本発明による光発電半導体装置、のもう１
つの好寸しい例を示した＋Ｉ′／７成図でを）る。 図中、２は支時体ノＩ（板、４は反射層、６は１１）、
ｆ？にバリヤー、８は半導体接合、そしてＩ Ｏ＆、ｌ
： Ｊス’！、＋ １（）ｊ重膜である。 特許出願人 エクソン リサーチ アンド エンジニアリンクカンノ＃＝− 特許出願代理人 弁）７層士 ７￥ 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 印埋十 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（ａ）反射層； （ｂ） 半導体拐料の活性層；及び （ｃ）前記反射層と前記活性層との中間に介在せしめら
れた透明な導電性拡散バリヤー；を含んでなる光発電半
導体装置。 ２、前記反射層が銀、アルミニウム及び銅からなる群か
ら選らばれる、特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
置。 ３、前記活性層がアモルファス材料である、！１′￥ｄ
′Ｆ請求の範囲Ｗ、１項に記載の半導体装置。 ４、前記活性層がアモルファスシリコンである、特許請
求の範囲第１項に記載の半導体装置。 ５、前記拡散バリヤーがインノウム錫酸化物である、特
許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 ６、前記拡散バリヤーが錫酸化物である、特許請求の範
囲第１項に記載の半導体装置。 ７、 前記拡散バリヤーがカドミウム錫酸塩である、特
許請求の範囲第１項に記載の半導体装１１り。 ８、前記拡散バリヤーが任Ａ；ｎの透明な導電性酸化物
であって、その酸化物の導電率は１０ ΩＣｒｒＬ””
金下廻ることがない、特許請求のｌ１ｉｉｘ囲第１項に
記載の半導体装置。 ９（ａ）反射層全形成すること； （１））透明な導電性拡散バリヤーを前記反射層上に付
着せしめること；及び （ｃ）半導体月料の層を前記拡７１．バリヤー上に２０
０〜４００℃の温度で付着せしめること；を含んでなる
光発ｆｉｌ半導体装置の製造方法。 ｌＯ０前記した折ｄ；女バリヤーの層のＵ着を気相付着
法によって実施する、特許ｆｒｌ求の、・１・ｎ １ｌ
ｌｉ １Ｊｌｊ ９−’頁にバ己４市のｇ４４ 】貴方
と去。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40507482A | 1982-08-04 | 1982-08-04 | |
| US405074 | 1982-08-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929476A true JPS5929476A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=23602174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58058054A Pending JPS5929476A (ja) | 1982-08-04 | 1983-04-04 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929476A (ja) |
| AU (1) | AU1311283A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677510A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| JP4459297B1 (ja) * | 2009-12-25 | 2010-04-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたｃｖｄ処理方法及び半導体の製造方法 |
| JP2010534929A (ja) * | 2007-07-27 | 2010-11-11 | サン−ゴバン グラス フランス | 太陽電池の前面基板と太陽電池の前面基板の使用方法 |
-
1983
- 1983-03-31 AU AU13112/83A patent/AU1311283A/en not_active Abandoned
- 1983-04-04 JP JP58058054A patent/JPS5929476A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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