JP4459297B1 - 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4459297B1 JP4459297B1 JP2009294887A JP2009294887A JP4459297B1 JP 4459297 B1 JP4459297 B1 JP 4459297B1 JP 2009294887 A JP2009294887 A JP 2009294887A JP 2009294887 A JP2009294887 A JP 2009294887A JP 4459297 B1 JP4459297 B1 JP 4459297B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heater
- control device
- valve
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】
弁装置の固定部に固定部用ヒータを設けると共に固定部用温度センサを設け、弁装置の可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する半導体製造装置。
【選択図】 図1
Description
2 弁箱
9 弁体
21 弁体ヒータ
31 弁箱ヒータ
Claims (8)
- 弁箱等の固定部と弁体等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に固定部用ヒータを設けると共に固定部用温度センサを設け、前記弁装置の前記可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する半導体製造装置。
- 前記反応室からの排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記固定部と前記可動部との接触部分の加熱温度を維持するように前記固定部用ヒータに通電し、前記可動部用ヒータに通電する請求項1の半導体製造装置。
- 半導体製造装置に於ける反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動部とを有する弁装置であって、前記固定部に固定部用ヒータを設けると共に固定部用温度センサを設け、前記可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する弁装置。
- 前記反応室からの排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記固定部と前記可動部との接触部分の加熱温度を維持するように前記固定部用ヒータに通電し、前記可動部用ヒータに通電する請求項3の弁装置。
- 反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動部とを有し、前記固定部に固定部用ヒータを設けると共に固定部用温度センサを設け、前記可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する弁装置を用いて処理するCVD処理方法であって、前記反応室でのCVD処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記固定部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電するCVD処理方法。
- 前記排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記固定部と前記可動部との接触部分の加熱温度を維持するように前記固定部用ヒータに通電し、前記可動部用ヒータに通電する請求項5のCVD処理方法。
- 反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動部とを有し、前記固定部に固定部用ヒータを設けると共に固定部用温度センサを設け、前記可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する弁装置を用いて処理する半導体の製造方法であって、前記反応室での処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記排気ガスにより前記固定部と前記可動部との接触部分に固形膜が生成されない様前記固定部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する半導体の製造方法。
- 前記排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記固定部と前記可動部との接触部分の加熱温度を維持するように前記固定部用ヒータに通電し、前記可動部用ヒータに通電する請求項7の半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294887A JP4459297B1 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294887A JP4459297B1 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009146860A Division JP4450860B2 (ja) | 2009-06-19 | 2009-06-19 | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4459297B1 true JP4459297B1 (ja) | 2010-04-28 |
JP2010159492A JP2010159492A (ja) | 2010-07-22 |
Family
ID=42260288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009294887A Expired - Lifetime JP4459297B1 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4459297B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150260310A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Yoel Bahalul | Check valve disc position indicator |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
JPS5929476A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-16 | エクソン・リサ−チ・アンド・エンジニアリング・カンパニ− | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS6043774U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | 日電アネルバ株式会社 | 可変コンダクタンス装置 |
JPS6421883U (ja) * | 1987-07-31 | 1989-02-03 | ||
JPH0320188A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Hitachi Ltd | ゲートバルブ |
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009294887A patent/JP4459297B1/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
JPS5929476A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-16 | エクソン・リサ−チ・アンド・エンジニアリング・カンパニ− | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS6043774U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | 日電アネルバ株式会社 | 可変コンダクタンス装置 |
JPS6421883U (ja) * | 1987-07-31 | 1989-02-03 | ||
JPH0320188A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Hitachi Ltd | ゲートバルブ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010159492A (ja) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2007114051A1 (ja) | 磁性流体シール装置 | |
JP4459297B1 (ja) | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 | |
JP4523071B2 (ja) | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 | |
JP2009236039A (ja) | 蒸気弁装置およびこれを備える蒸気タービンプラント | |
JP4233586B2 (ja) | 工作機械の温度制御システム | |
JP2012209517A (ja) | 熱処理制御システムおよび熱処理制御方法 | |
JP4450860B2 (ja) | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 | |
JP4234711B2 (ja) | Cvd処理方法 | |
JP4094034B2 (ja) | 半導体製造装置及び該半導体製造装置を用いて処理するcvd処理方法並びに弁装置 | |
JP2009074512A (ja) | ターボ分子ポンプ | |
US8839746B2 (en) | Oxygen measuring apparatuses | |
JP3865760B2 (ja) | 半導体製造装置及び弁装置 | |
JP2009049430A (ja) | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 | |
JP2010189767A (ja) | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 | |
JP3521086B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3529773B2 (ja) | 半導体製造装置及び弁装置 | |
JP2004006880A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2004048043A (ja) | 半導体製造装置 | |
CN108389770B (zh) | 臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法 | |
JP7208948B2 (ja) | 温度を算出するための方法 | |
JPWO2019013206A1 (ja) | エンコーダ及び駆動装置 | |
WO2005028937A1 (ja) | 流体制御器の加熱方法 | |
JP6831502B2 (ja) | 熱風ヒーター | |
JP2011220649A (ja) | 加熱装置 | |
JP3122494U (ja) | 温度制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219 Year of fee payment: 2 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219 Year of fee payment: 2 |