JP3529773B2 - 半導体製造装置及び弁装置 - Google Patents
半導体製造装置及び弁装置Info
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- JP3529773B2 JP3529773B2 JP2002232665A JP2002232665A JP3529773B2 JP 3529773 B2 JP3529773 B2 JP 3529773B2 JP 2002232665 A JP2002232665 A JP 2002232665A JP 2002232665 A JP2002232665 A JP 2002232665A JP 3529773 B2 JP3529773 B2 JP 3529773B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置の圧
力調整弁、例えば半導体製造装置の反応室内の反応ガス
を所要の圧力に維持する為に用いられる圧力調整弁に関
するものである。
力調整弁、例えば半導体製造装置の反応室内の反応ガス
を所要の圧力に維持する為に用いられる圧力調整弁に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つであるＣＶＤ装置
は圧力調整弁を具備しており、該圧力調整弁は、反応室
と排気ポンプとの間に設けられ、ガス圧力検知装置から
の信号を基に弁の開度を調整し、前記反応室のガス圧力
を所要の値に調整する。
は圧力調整弁を具備しており、該圧力調整弁は、反応室
と排気ポンプとの間に設けられ、ガス圧力検知装置から
の信号を基に弁の開度を調整し、前記反応室のガス圧力
を所要の値に調整する。
【０００３】前記ＣＶＤ装置に於ける反応ガスは、チャ
ンバを出た後、冷却表面上に凝固する排気ガス分によ
り、流路壁面に固形膜を生成する性質がある。この為、
狭小な間隙に生成した固形膜により弁体等の可動部と弁
箱等の固定部が一体化し、圧力調整弁の作動抵抗が著し
く増大し、アクチュエータであるモータが過負荷となっ
て焼損することがある。
ンバを出た後、冷却表面上に凝固する排気ガス分によ
り、流路壁面に固形膜を生成する性質がある。この為、
狭小な間隙に生成した固形膜により弁体等の可動部と弁
箱等の固定部が一体化し、圧力調整弁の作動抵抗が著し
く増大し、アクチュエータであるモータが過負荷となっ
て焼損することがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、斯かる圧力調
整弁は前記焼損を防止する為、定期的な分解清掃をする
必要がある。ところが従来の圧力調整弁は前記弁体と該
弁体の弁軸とが一体構成であり、或は弁体に弁軸を貫通
させた構造であり、定期的な清掃を行うには軸受を外
し、弁体を収納する弁箱を完全に分解するか、或は弁軸
を引抜くかする等、清掃しにくい構造となっており、こ
の為清掃には熟練者を要し且長時間を要する等、半導体
製造装置の稼働率を低減させる原因となっていた。
整弁は前記焼損を防止する為、定期的な分解清掃をする
必要がある。ところが従来の圧力調整弁は前記弁体と該
弁体の弁軸とが一体構成であり、或は弁体に弁軸を貫通
させた構造であり、定期的な清掃を行うには軸受を外
し、弁体を収納する弁箱を完全に分解するか、或は弁軸
を引抜くかする等、清掃しにくい構造となっており、こ
の為清掃には熟練者を要し且長時間を要する等、半導体
製造装置の稼働率を低減させる原因となっていた。
【０００５】本発明は斯かる実情を鑑み、流路壁面に固
形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大
幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させようと
するものである。
形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大
幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、弁箱等の固定
部と弁体等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポ
ンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記固定
部に該固定部用のヒータを固着すると共に温度センサを
設け、該温度センサの検知温度を基に前記ヒータを温度
制御する様にした半導体製造装置に係り、又前記可動部
にヒータを設けた半導体製造装置に係り、又前記可動部
は弁軸を有し、該弁軸に前記ヒータのリード線を挿通し
た半導体製造装置に係り、又前記可動部に温度センサが
設けられた半導体製造装置に係り、又弁箱等の固定部と
弁体等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポンプ
との間に設けた半導体製造装置であって、前記固定部と
前記可動部との接触部分に固形膜が生成されない様前記
固定部用のヒータを前記弁箱に固着すると共に前記固定
部に温度センサを設け、該温度センサの検知温度を基に
前記ヒータを温度制御する様にした半導体製造装置に係
り、更に又前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５０℃
位の範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可能で
ある様にした半導体製造装置に係るものである。又、本
発明は、半導体製造装置に於ける反応室と排気ポンプと
の間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動部から
成る弁装置であって、前記固定部に該固定部用のヒータ
を固着すると共に温度センサを設け、該温度センサの検
知温度を基に前記ヒータを温度制御する様にした弁装置
に係り、又前記可動部にヒータを設けた弁装置に係り、
更に又前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５０℃位の
範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可能である
様にした弁装置に係るものである。
部と弁体等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポ
ンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記固定
部に該固定部用のヒータを固着すると共に温度センサを
設け、該温度センサの検知温度を基に前記ヒータを温度
制御する様にした半導体製造装置に係り、又前記可動部
にヒータを設けた半導体製造装置に係り、又前記可動部
は弁軸を有し、該弁軸に前記ヒータのリード線を挿通し
た半導体製造装置に係り、又前記可動部に温度センサが
設けられた半導体製造装置に係り、又弁箱等の固定部と
弁体等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポンプ
との間に設けた半導体製造装置であって、前記固定部と
前記可動部との接触部分に固形膜が生成されない様前記
固定部用のヒータを前記弁箱に固着すると共に前記固定
部に温度センサを設け、該温度センサの検知温度を基に
前記ヒータを温度制御する様にした半導体製造装置に係
り、更に又前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５０℃
位の範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可能で
ある様にした半導体製造装置に係るものである。又、本
発明は、半導体製造装置に於ける反応室と排気ポンプと
の間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動部から
成る弁装置であって、前記固定部に該固定部用のヒータ
を固着すると共に温度センサを設け、該温度センサの検
知温度を基に前記ヒータを温度制御する様にした弁装置
に係り、又前記可動部にヒータを設けた弁装置に係り、
更に又前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５０℃位の
範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可能である
様にした弁装置に係るものである。
【０００７】
【作用】流路に隣接する部分をヒータによって排気ガス
分中の凝固温度以上に加熱維持する。従って流通する反
応ガス中に含まれる凝固分が弁体、弁箱に触れても凝固
することがなく、反応ガスによる固形膜を生成すること
がない。
分中の凝固温度以上に加熱維持する。従って流通する反
応ガス中に含まれる凝固分が弁体、弁箱に触れても凝固
することがなく、反応ガスによる固形膜を生成すること
がない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【０００９】本実施の形態では、弁箱、弁座等の圧力調
整弁の構成部品、特にガス流路に臨接する部品を加熱
し、ガスの露点以上に保持し、流路壁面に固形膜が形成
されるのを防止する。
整弁の構成部品、特にガス流路に臨接する部品を加熱
し、ガスの露点以上に保持し、流路壁面に固形膜が形成
されるのを防止する。
【００１０】以下、図１、図２に於いて具体的に説明す
る。
る。
【００１１】円筒中空部１を穿設した弁箱２に、前記円
筒中空部１の軸心と直交する軸心を有するベアリングハ
ウジング３，３を嵌着し、両ベアリングハウジング３，
３にベアリング４，４を介して弁軸５，６を回転自在に
挿通する。
筒中空部１の軸心と直交する軸心を有するベアリングハ
ウジング３，３を嵌着し、両ベアリングハウジング３，
３にベアリング４，４を介して弁軸５，６を回転自在に
挿通する。
【００１２】該弁軸５，６と前記弁箱２との間にはＯリ
ング７，７を挾設して、前記弁軸５，６と弁箱２との間
を気密にシールする。該両弁軸５，６は同一軸心上にあ
って、両弁軸５，６の内側端部には弁体９を固着する。
該弁軸５，６の内一方の弁軸５に断熱カラー１０を介し
ウォームホイール１１を嵌着し、他方の弁軸６と弁体９
との間にはＯリング１２を設ける。
ング７，７を挾設して、前記弁軸５，６と弁箱２との間
を気密にシールする。該両弁軸５，６は同一軸心上にあ
って、両弁軸５，６の内側端部には弁体９を固着する。
該弁軸５，６の内一方の弁軸５に断熱カラー１０を介し
ウォームホイール１１を嵌着し、他方の弁軸６と弁体９
との間にはＯリング１２を設ける。
【００１３】前記弁箱２に断熱板１３を介してモータ支
持金具１４を設け、該モータ支持金具１４に減速器１５
を介して弁開閉モータ１６を取付け、該弁開閉モータ１
６の出力軸１７にはウォーム１８を嵌着し、該ウォーム
１８には前記ウォームホイール１１を噛合させる。
持金具１４を設け、該モータ支持金具１４に減速器１５
を介して弁開閉モータ１６を取付け、該弁開閉モータ１
６の出力軸１７にはウォーム１８を嵌着し、該ウォーム
１８には前記ウォームホイール１１を噛合させる。
【００１４】前記弁体９の形状は周面を曲面仕上した円
盤状であり、該弁体９の２平面にはそれぞれ大径凹部１
９と該大径凹部１９の中心部に更に形成した小径凹部２
０が形成され、該小径凹部２０にはドーナッツ状に形成
した弁体ヒータ２１を収納させる。
盤状であり、該弁体９の２平面にはそれぞれ大径凹部１
９と該大径凹部１９の中心部に更に形成した小径凹部２
０が形成され、該小径凹部２０にはドーナッツ状に形成
した弁体ヒータ２１を収納させる。
【００１５】前記小径凹部２０と同心にＯリング８を埋
設し、前記大径凹部１９に蓋板２２を嵌着し、前記小径
凹部２０を気密に閉塞する。又、前記弁体９には両小径
凹部２０，２０を連通させる案内孔２４と該案内孔２４
にＴ字状に連通する横孔２５を穿設する。該横孔２５
は、前記他方の弁軸６と同一軸心上に設けられている。
設し、前記大径凹部１９に蓋板２２を嵌着し、前記小径
凹部２０を気密に閉塞する。又、前記弁体９には両小径
凹部２０，２０を連通させる案内孔２４と該案内孔２４
にＴ字状に連通する横孔２５を穿設する。該横孔２５
は、前記他方の弁軸６と同一軸心上に設けられている。
【００１６】該他方の弁軸６は中空となっており、該弁
軸６を軸心に沿って貫通する通孔２６は前記横孔２５と
連通する。
軸６を軸心に沿って貫通する通孔２６は前記横孔２５と
連通する。
【００１７】前記通孔２６には絶縁被覆付のリード線２
７を挿通し、該リード線２７の一端を前記弁体ヒータ２
１に接続し、該リード線２７の他端は図示しない温度制
御装置に接続する。
７を挿通し、該リード線２７の一端を前記弁体ヒータ２
１に接続し、該リード線２７の他端は図示しない温度制
御装置に接続する。
【００１８】前記一方の弁軸５には閉止穴２８を穿設
し、該閉止穴２８に温度センサ２９を挿入し、該温度セ
ンサ２９のリード線３０は前記図示しない温度制御装置
に接続する。
し、該閉止穴２８に温度センサ２９を挿入し、該温度セ
ンサ２９のリード線３０は前記図示しない温度制御装置
に接続する。
【００１９】前記弁箱２の前記弁軸５，６が貫通してい
ない２平面に平板状の弁箱ヒータ３１を固着し、又前記
弁箱２の温度を検出する温度センサ３２を金具３３によ
り該弁箱２に密着させて取付ける。前記平板状の弁箱ヒ
ータ３１及び温度センサ３２はそれぞれ図示しない前記
温度制御装置に接続する。
ない２平面に平板状の弁箱ヒータ３１を固着し、又前記
弁箱２の温度を検出する温度センサ３２を金具３３によ
り該弁箱２に密着させて取付ける。前記平板状の弁箱ヒ
ータ３１及び温度センサ３２はそれぞれ図示しない前記
温度制御装置に接続する。
【００２０】尚、本弁装置の関連機器への取付けは、断
熱部材を介して行い、本弁装置からの熱の漏洩を防止す
る。
熱部材を介して行い、本弁装置からの熱の漏洩を防止す
る。
【００２１】以下、作用について説明する。
【００２２】弁の開度の調整は、前記弁開閉モータ１６
を駆動し、前記ウォーム１８、ウォームホイール１１、
弁軸５を介して前記弁体９を回転させる。該弁体９の回
転角度は、前記弁開閉モータ１６の回転数の検出、前記
弁軸５の回転角度の検出により検知され、弁装置の開度
が決定される。
を駆動し、前記ウォーム１８、ウォームホイール１１、
弁軸５を介して前記弁体９を回転させる。該弁体９の回
転角度は、前記弁開閉モータ１６の回転数の検出、前記
弁軸５の回転角度の検出により検知され、弁装置の開度
が決定される。
【００２３】前記弁体ヒータ２１、弁箱ヒータ３１に通
電し、弁体９、弁箱２を加熱保温する。この加熱保温温
度は、３５℃〜１５０℃位の範囲から選択され、目標設
定温度とされる。
電し、弁体９、弁箱２を加熱保温する。この加熱保温温
度は、３５℃〜１５０℃位の範囲から選択され、目標設
定温度とされる。
【００２４】前記温度センサ２９，３２からの温度検知
信号は、図示しない温度制御装置に入力され、該検知温
度を基に前記弁体ヒータ２１、弁箱ヒータ３１の通電が
制御される。而して前記弁箱２、弁体９等反応ガスが接
する部分を８０℃〜１００℃の温度に維持制御する。
又、斯かる制御が可能である様、前記弁体ヒータ２１、
弁箱ヒータ３１の電気容量を決定し、且温度制御装置に
支障を生じ、制御不能となった場合にもＯリング等を焼
損しない様印加電圧の最大値を選択する。
信号は、図示しない温度制御装置に入力され、該検知温
度を基に前記弁体ヒータ２１、弁箱ヒータ３１の通電が
制御される。而して前記弁箱２、弁体９等反応ガスが接
する部分を８０℃〜１００℃の温度に維持制御する。
又、斯かる制御が可能である様、前記弁体ヒータ２１、
弁箱ヒータ３１の電気容量を決定し、且温度制御装置に
支障を生じ、制御不能となった場合にもＯリング等を焼
損しない様印加電圧の最大値を選択する。
【００２５】ＣＶＤ処理と共に反応ガスが弁装置を流通
するが、前記した様に弁体９、弁箱２はそれぞれ弁体ヒ
ータ２１、弁箱ヒータ３１によって加熱保温されてい
る。従って、反応ガス中に存在する凝固分は、円筒中空
部１の壁面、弁体９の表面に接しても凝固することがな
い。而して、反応ガスを流通しても前記円筒中空部１の
壁面、弁体９の表面に固形膜を生成することがない。
するが、前記した様に弁体９、弁箱２はそれぞれ弁体ヒ
ータ２１、弁箱ヒータ３１によって加熱保温されてい
る。従って、反応ガス中に存在する凝固分は、円筒中空
部１の壁面、弁体９の表面に接しても凝固することがな
い。而して、反応ガスを流通しても前記円筒中空部１の
壁面、弁体９の表面に固形膜を生成することがない。
【００２６】尚、弁体ヒータ２１、弁箱ヒータ３１につ
いては種々考えられるが、弁体ヒータ２１としては雲母
の薄いドーナッツ状のベース３４に所要の発熱体である
リボン線３６を所要巻きし、雲母の円板３５で挾持した
ものが挙げられ、又弁箱ヒータ３１としては雲母の矩形
薄板３７に発熱体３８を巻付け、雲母の薄板３９で挟
み、更に金属製のカバー４０で覆い前記弁箱２の側面に
固着したものが挙げられる。
いては種々考えられるが、弁体ヒータ２１としては雲母
の薄いドーナッツ状のベース３４に所要の発熱体である
リボン線３６を所要巻きし、雲母の円板３５で挾持した
ものが挙げられ、又弁箱ヒータ３１としては雲母の矩形
薄板３７に発熱体３８を巻付け、雲母の薄板３９で挟
み、更に金属製のカバー４０で覆い前記弁箱２の側面に
固着したものが挙げられる。
【００２７】又弁箱ヒータは弁箱の内部に埋没する様に
してもよい。
してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、流通す
るガスに晒れる部分を加熱し、流通するガス中に含まれ
る凝固分の凝固温度以上に維持するので、排気ガスによ
る固形膜が生成することがなく、従って固形膜除去の為
の分解掃除が不要となる。
るガスに晒れる部分を加熱し、流通するガス中に含まれ
る凝固分の凝固温度以上に維持するので、排気ガスによ
る固形膜が生成することがなく、従って固形膜除去の為
の分解掃除が不要となる。
【００２９】而して、保弁作業の軽減を図り得ると共に
分解掃除による装置の停止がなくなることで半導体製造
装置の稼働率が向上する等、種々の優れた効果を発揮す
る。
分解掃除による装置の停止がなくなることで半導体製造
装置の稼働率が向上する等、種々の優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す一部破断斜視図であ
る。
る。
【図２】同前実施の形態の側断面図である。
１ 円筒中空部
２ 弁箱
９ 弁体
２１ 弁体ヒータ
３１ 弁箱ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−100732（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−60264（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−198137（ＪＰ，Ａ)
実開 昭64−43280（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭57−42272（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
C23C 16/44
F16K 49/00
Claims (9)
- 【請求項１】 弁箱等の固定部と弁体等の可動部とから
成る弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体
製造装置であって、前記固定部に該固定部用のヒータを
固着すると共に温度センサを設け、該温度センサの検知
温度を基に前記ヒータを温度制御する様にしたことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記可動部にヒータを設けた請求項１の
半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記可動部は弁軸を有し、該弁軸に前記
ヒータのリード線を挿通した請求項２の半導体製造装
置。 - 【請求項４】 前記可動部に温度センサが設けられた請
求項２の半導体製造装置。 - 【請求項５】 弁箱等の固定部と弁体等の可動部とから
成る弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体
製造装置であって、前記固定部と前記可動部との接触部
分に固形膜が生成されない様前記固定部用のヒータを前
記弁箱に固着すると共に前記固定部に温度センサを設
け、該温度センサの検知温度を基に前記ヒータを温度制
御する様にしたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 半導体製造装置に於ける反応室と排気ポ
ンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体等の可動
部から成る弁装置であって、前記固定部に該固定部用の
ヒータを固着すると共に温度センサを設け、該温度セン
サの検知温度を基に前記ヒータを温度制御する様にした
ことを特徴とする弁装置。 - 【請求項７】 前記可動部にヒータを設けた請求項６の
弁装置。 - 【請求項８】 前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５
０℃位の範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可
能である様にした請求項１〜請求項５のうちいずれか１
つの半導体製造装置。 - 【請求項９】 前記固定部用のヒータは、３５℃〜１５
０℃位の範囲から選択される加熱保温温度に温度維持可
能である様にした請求項６又は請求項７の弁装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002232665A JP3529773B2 (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体製造装置及び弁装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002232665A JP3529773B2 (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体製造装置及び弁装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24034891A Division JP3521086B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003145949A Division JP2004006880A (ja) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | 半導体製造装置 |
| JP2003313816A Division JP2004048043A (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003155570A JP2003155570A (ja) | 2003-05-30 |
| JP3529773B2 true JP3529773B2 (ja) | 2004-05-24 |
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ID=19196316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002232665A Expired - Lifetime JP3529773B2 (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 半導体製造装置及び弁装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529773B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102031517B1 (ko) * | 2019-04-11 | 2019-10-11 | 송범식 | 온도제어가 가능한 볼 밸브 유닛 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102170204B1 (ko) * | 2019-07-19 | 2020-10-28 | 송범식 | 온도제어가 가능한 볼 밸브 유닛 |
-
2002
- 2002-08-09 JP JP2002232665A patent/JP3529773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102031517B1 (ko) * | 2019-04-11 | 2019-10-11 | 송범식 | 온도제어가 가능한 볼 밸브 유닛 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003155570A (ja) | 2003-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040121 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |