JP4523071B2 - 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
又、本発明は、半導体製造装置に於ける反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前記弁箱と前記弁軸との間にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータの印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリングを焼損しない値に設定している弁装置に係り、又前記可動部に温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記可動部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電される弁装置に係り、又前記固定部に固定部用ヒータを設ける弁装置に係り、又前記固定部に固定部用ヒータを設けるとともに温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記固定部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電される弁装置に係るものである。
又、本発明は、反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前記弁箱と前記弁軸との間にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータの印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリングを焼損しない値に設定している弁装置を用いて処理するCVD処理方法であって、前記反応室でのCVD処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記温度制御装置の制御により前記可動部用ヒータが前記可動部を加熱するCVD処理方法に
係るものである。
又、本発明は、反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前記弁箱と前記弁軸との間にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータの印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリングを焼損しない値に設定している弁装置を用いて処理する半導体製造方法であって、前記反応室での処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記排気ガスにより前記固定部と前記可動部との接触部分に固形膜が生成されない様、前記温度制御装置の制御により前記可動部用ヒータが前記可動部を加熱する半導体製造方法に係るものである。
2 弁箱
9 弁体
21 弁体ヒータ
31 弁箱ヒータ
Claims (10)
- 弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有し、前記可動部に可動部用ヒータを固着
した弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁箱と前
記弁軸との間にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータの印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリ
ングを焼損しない値に設定していることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記可動部に温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記可動部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電されることを特徴とする請求項1の半導体製造装置。
- 前記固定部に固定部用ヒータを設けることを特徴とする請求項1の半導体製造装置。
- 前記固定部に固定部用ヒータを設けるとともに温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記固定部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電されることを特徴とする請求項1の半導体製造装置。
- 半導体製造装置に於ける反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及
び弁軸等の可動部とを有し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前
記弁箱と前記弁軸との間にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続
し、前記可動部用ヒータの印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合
に前記Oリングを焼損しない値に設定していることを特徴とする弁装置。 - 前記可動部に温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記可動部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電されることを特徴とする請求項5の弁装置。
- 前記固定部に固定部用ヒータを設けることを特徴とする請求項5の弁装置。
- 前記固定部に固定部用ヒータを設けるとともに温度センサを設け、該温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力すると共に、前記固定部用ヒータは、前記温度制御装置からの制御により通電されることを特徴とする請求項5の弁装置。
- 反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有
し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前記弁箱と前記弁軸との間
にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータ
の印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリングを焼損し
ない値に設定している弁装置を用いて処理するCVD処理方法であって、前記反応室での
CVD処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記温度制御装置の
制御により前記可動部用ヒータが前記可動部を加熱することを特徴とするCVD処理方法
。 - 反応室と排気ポンプとの間に用いられ、弁箱等の固定部と弁体及び弁軸等の可動部とを有
し、前記可動部に可動部用ヒータを固着した弁装置であって、前記弁箱と前記弁軸との間
にOリングを挾設し、前記可動部用ヒータを温度制御装置に接続し、前記可動部用ヒータ
の印加電圧の最大値を前記温度制御装置が制御不能となった場合に前記Oリングを焼損し
ない値に設定している弁装置を用いて処理する半導体製造方法であって、前記反応室での
処理と共に排気される排気ガスが前記弁装置を流通する際に、前記排気ガスにより前記固定部と前記可動部との接触部分に固形膜が生成されない様、前記温度制御装置の制御により前記可動部用ヒータが前記可動部を加熱することを特徴とする半導体製造方法。
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JP2009295109A JP4523071B2 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
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JP2009295109A JP4523071B2 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体製造装置及び弁装置並びに半導体製造装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
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JP2009146860A Division JP4450860B2 (ja) | 2009-06-19 | 2009-06-19 | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
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JP2010093639A Division JP2010189767A (ja) | 2010-04-15 | 2010-04-15 | 半導体製造装置及び弁装置並びに弁装置を用いたcvd処理方法及び半導体の製造方法 |
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JP2010116627A JP2010116627A (ja) | 2010-05-27 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
JPS6043774U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | 日電アネルバ株式会社 | 可変コンダクタンス装置 |
JPS6421883U (ja) * | 1987-07-31 | 1989-02-03 |
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009295109A patent/JP4523071B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
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