JP6195673B2 - 液体で物体を処理するための方法および装置 - Google Patents

Description

本発明は、液体で物体を処理するための方法、および更にそれを使用して本発明に従う方法を実施することができる装置に関する。

液体を使用して物体を処理する際に、処理される物体の表面上に適用される液体の温度、濃度および／または量を、それぞれ一般的に行われている条件に応じて変更しなければならないという課題が生ずる。その際、物体の構造および／または組成の相異に従ってこれらを変更するために、物体の表面の処理期間中、液体の温度、濃度および／または量を変更することが必要である可能性がある。

この課題は、例えば半導体ウェファーのエッチング、およびエッチングされた半導体ウェファーの洗浄において生ずる。

エッチング溶媒（エッチング液）を使用する半導体ウェファーのエッチングは一般に、マウント（ｍｏｕｎｔ）上に配列され、そしてマウントにより固定して回転される半導体ウェファー上にエッチング溶媒が適用されるように実施される。

半導体ウェファーのエッチングのために近年使用される集成装置は、工程期間中に温度を急速に変えまたは急速に調整するためのエッチング液の温度制御に関しては余りに緩徐であり過ぎる。

先行技術で使用される緩徐な（エッチング）装置によると、単にエッチング液の温度を安定に維持することができるだけである。先行技術においては、温度の均一性に対する有効な影響は可能ではない。それにより、均一な温度分布が半導体ウェファー上に形成されず、それがエッチングの結果の均一性を損なう。

更に、近年の当該技術において、エッチング工程（活性化工程）の開始時に、処理される物体（半導体ウェファー）の表面上に適用されるエッチング溶媒が、適切な処理工程のために必要な温度より冷たいという課題が生ずる。すべての溶媒運搬部品（ｍｅｄｉｕｍ−ｃａｒｒｙｉｎｇ ｐａｒｔｓ）は、しばらくの時間後にのみ、熱平衡状態になる。

本発明は、物体（例えば、ウェファー）の処理中に、処理される物体の構造の相異、とりわけ半導体ウェファーの表面における均一性の相異を補正するために、液体の温度および／または濃度および／または量を、所望通りに変更することができる方法、およびその方法を実施するのに適する装置、を提供するとの課題に基づく。

この課題は、請求項１の特徴をもつ方法により本発明に従って解決される。

装置に関する限り、本発明が基づく課題は、該装置に導かれる独立請求項の特徴をもつ装置により解決される。

本発明の好適な、また有利な態様は、下位の請求項の主題である。

物体上に適用される処理媒質(本明細書では、媒質を溶媒という場合もある。）の温度
および／または濃度および／または量を適合させることが可能であるので、本発明に従う方法により、物体の処理の結果の均一性、とりわけ半導体ウェファーの表面上の均一性が改善させることが、該態様において達成される。従って、品質の向上が達成されるために、廃棄物（ｗａｓｔｅ）の削減がもたらされる。

更に有利な方法において、本発明は、より小型の構造物（ｓｍａｌｌｅｒ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎｓ）の処理を可能にする。

更に、本発明に従う方法において、必要な温度への液体の一定の加熱なしで済ますので、その結果エネルギーを節約することができる。

本発明の一つの態様において、物体を処理するために使用される溶媒（液体）の誘導加熱（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ ｈｅａｔｉｎｇ）により、小型の加熱素子を使用する可能性が開かれ、そのため温度制御される素材（ｍａｓｓｅｓ）が縮小される。誘導加熱によると、対流によってのみ熱を伝達することができるので物質の表面上のみの加熱が達成される。これが、該方法を実施中に、必要な溶媒の温度の変化に対して急速な反応をもたらす。

処理に使用される溶媒（液体）はすべての場合に、冷却されなければならないので、例えば、ペルティエ素子（Ｐｅｌｔｉｅｒ ｅｌｅｍｅｎｔ）を使用して作動する冷却器を使用することができる。これらのペルティエ素子は加熱法および更に冷却法の双方に使用することができ、従って本発明に従う方法および装置の動力学が改善される。

更に、いくつかの態様では、本発明は、流量制御装置（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｆｌｏｗ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）により制御される適用集成装置、とりわけそのノズルに対し、溶媒（液体）の量を時間の単位内に送達させる、すなわち溶媒の流量の変更を可能にする。これは、少量の流量を使用してより長期間にわたり溶媒を加熱し、そして高い流量を使用してより短期間にわたり溶媒を加熱する可能性をもたらす。これらの原理を、処理される物体に対する適用集成装置、とりわけそのノズルの局所的位置（ｌｏｃａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）と結び付けることにより、溶媒（液体）による物体の処理、とりわけ半導体ウェファーのエッチングおよび／または洗浄における操作の有利なモードがもたらされる。

詳細には、いくつかの態様において、溶媒が加熱または冷却されることができる場合に、本発明は物体の表面上に適用される溶媒（液体）の温度操作を可能にする。

とりわけ半導体エッチングシステムにおいて、処理される表面上に適用される溶媒（液体）の流量を制御することにより、該方法の条件を環境に適合させるために、更なる可能な操作がもたらされる。

本発明内において好適には、処理のために使用される溶媒（液体）の加熱は、溶媒（処理のための液体）により流動される、誘導により加熱される、好適には化学的に不活性な表面の対流熱の移動によりもたらされる。その移動が、熱伝導または熱放射による代わりに、主として対流により起こるために、ここではとりわけ、連続流れ方式の加熱器（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｆｌｏｗ ｈｅａｔｅｒｓ）の形態の、加熱のための集成装置の使用が好適である。従って、処理のために使用される溶媒（液体）の急速な加熱を許す特に有効な熱の移動がもたらされる。

本発明に従う方法において、加熱、冷却および流量の制御は、適用集成装置、とりわけそのノズルに処理溶媒を送達するためのダクトと連結された集成装置を使用して実施される。

本発明の更なる詳細および特徴は、図面の助けを伴う好適な例の実施態様の以下の説明から明らかになると思われる。

図１は本発明の方法を実施するための装置を図で示す。 図２は適用集成装置の領域内の温度を検出するために使用することができる温度センサーの断面図である。 図３は分解組み立て図の温度センサーである。 図４は温度センサーの他の態様の断面図である。 図５は液体を加熱するための集成装置の断面図解図である。 図６は図５の集成装置の詳細である。 図７は図５の集成装置の更なる詳細である。 図８は斜め部分解体図の図５の集成装置である。 図９は冷却のための集成装置の断面図である。 図１０は流量（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｆｌｏｗ ａｍｏｕｎｔ）を制御するための集成装置である。 図１１は流量を操作するための集成装置である。 図１２は発明に従う装置の修正実施態様である。 図１３は本発明に従う装置の配列の組み合わせ物である。

本発明の方法を実施するのに適する、図１に示される本発明に従う装置１は、その上に半導体ウェファー８が配置されるチャック（ｃｈｕｃｋ）１９を含んでなる。チャック１９はあらゆる所望される方法で具体化することができ、そしてチャック１９を固定して回転させる（矢印２０）駆動装置（ａｃｔｕａｔｏｒ）（図示されていない）と連結させることができる。

チャック１９には処理溶媒、例えば処理液の適用のための集成装置が連結され、その集成装置は、集成装置１３を介してアクチュエータ１２と堅く連結されたノズル１１を含んでなる。アクチュエータ１２は、適用集成装置のノズル１１に、処理される物体、例の実施態様においては半導体ウェファー８の表面に対して集成装置１３上を移動させる。方向Ｘおよび方向Ｙへの移動の可能性は、矢印５および６により図１に記号で示されている。

半導体ウェファーのエッチングにおける処理液、エッチング溶媒は、ダクト１７を介してノズル１１に送達される。ダクト１７には、流量の制御のための集成装置４、冷却集成装置３および液体を加熱するための集成装置２が連結されている。

ノズル１１の現在位置および従って液体適用の場所７はアクチュエータ１２と連結されたインクリメンタル型エンコーダ（ｉｎｃｒｅｍｅｎｔａｌ ｅｎｃｏｄｅｒ）１４により検出される。インクリメンタル型エンコーダ１４は、ウェファー８の表面に対する適用
ノズル１１の現在位置に関するデータを制御回路１０に送る。

それにより検出される液体の温度に関するデータを制御回路１０に送る温度センサー９は、ノズル１１の直前で処理液を送達するためのダクト１７と接続されている。温度センサー９から制御回路１０に発信される温度パラメーター１６およびインクリメンタル型エンコーダ１４から発信される位置のパラメーター１５は、制御回路１０から、冷却のための集成装置３および加熱のための集成装置２に対する流量制御のための制御演算手段として、ダクト１７と接続された集成装置４に与えられる。

この方法で、すべての溶媒運搬部品の熱による最適化の利点を含む、高度に動力学的な位置関連温度制御（ｐｏｓｉｔｉｏｎ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ）および品質制御が可能である。

ノズル１１から送達される液体の温度操作および／または流量操作のための図１に示される装置（ｄｅｖｉｃｅ）１は、処理される物体、例中では半導体のウェファー８に対する適用集成装置のノズル１１の位置に応じて作動する。従って、例えば、ウェファーの表面の洗浄中、そして湿式化学的エッチングおよび温度依存性エッチングにおける表面の規則性に対する改善が達成される。

本発明内で、加熱のための集成装置２として、誘導に基づいて作動しそして対流により集成装置２を流通する液体を加熱する集成装置が使用される場合は特に好都合である。

物体上に適用される処理液の温度を検出するための、本発明に従う方法を実施するための本発明に従う装置に特に適切な温度センサー９が、図２および３の助けにより、以下に説明される。

図２および３に示される温度センサー９は、とりわけ、化学的に著しく反応性の気体、化学的に著しく反応性の液体、または化学的に著しく反応性の流動性物質であることができる媒質の温度の早急な検出を許す。温度センサー９は、その本体３０中に流入する媒質の流れ（矢印３１）が流路内に提供される物体４５により、２本の分流に分岐されるように構成されている。一方の分流は実質的に直線の通路３３を流通し、第２の分流は、２つの区画３４および３５を含んでなる傾斜した通路を通る。通路の区分３４および３５を通って流れる分流は、円盤型の物体３６上に、例えば４５°の急角度で当たり、次に、温度センサー９の本体３０から区分３５を通って再度流出する（矢印３２）。

分流への分岐により、温度センサー９中への流入領域における圧力の低下がもたらされる。

円盤型の物体３６は、温度センサー９の本体３０の封止面４１上に、シール４０により、ねじ３８および３９を使用して温度センサー９の上方部３７により押し付けられ、そのため密封密閉システムが形成される。

温度センサー９の、媒質と接触する部品（ｍｅｄｉｕｍ−ｔｏｕｃｈｉｎｇ ｐａｒｔｓ）は好適には、化学的に抵抗性の物質でできており、そこで、例えば、円盤型物体３６は好適には、（多結晶）ダイアモンド、ガラス状炭素、サファイアまたは、ＣＶＤコーティング（化学蒸着）を使用して適用可能な場合は炭化ケイ素よりなり、シール４０は好適には、ペルフルオロエラストマー（ＦＦＬＭ）よりなり、そして温度センサー９の本体３０は好適には、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）よりなる。

温度センサー９における温度の検出は例えば、白金の薄層測定抵抗機である温度検出器
４２により実施される。温度検出器４２は好適には、良好な熱移動が存在するように、円盤型の物体３６と、熱伝導接着剤４３（２成分エポキシ樹脂）により接着される。測温体４２により検出されるデータ１６を発信するライン４６は、測温体４２から、図１に示されるラインを介して制御回路１０に誘導する。

温度センサー９の他の実施態様は図４に示され、以下に説明される。

温度センサー９のこの実施態様において、流動通路１１中に提供される障害物５１を通って乱流が押し出され、それは図６に示される温度センサー９の実施態様において、円盤３６と媒質間に急速な温度交換をもたらす。図２および２ａに示される実施態様におけるように、円盤３６は、温度センサー９の本体３０における支持面４１上へのシール４０のインターカレーションにより、温度センサーの上方部３７により圧迫される。図６に示される温度センサー９の実施態様は、図２および２ａの実施態様と同様に、矢印５３により示されるように、温度センサー９および測温体４２を流通する溶媒間に急速な温度交換を許す。

温度センサー９はまた、幾重にも付加的（ｒｅｍａｎｅｎｔ）であるように構成されることができる。このために、複数の測温体４２が、温度センサー９の円盤３６上に糊付けされ、その温度信号は、これらの温度差が特定の相異を超えない場合に、老化現象により起こるあらゆる温度の偏りを確認するための監視プログラム（ソフトウェア演算手段）により比較される。最小の温度差の超過は、信号により、監視システムにより示される。温度差の変化は視覚または聴覚により示されることができる。幾つかの測温体４２が円盤３６上に配列される場合は、測温体４２が検出するデータの伝達のために、多極ケーブル４６を使用することができる。

ダクト１７を通りノズル１１に流動する液体の加熱のために、誘導に基づいて作動する集成装置２が、図５〜８について以下に説明される：
液体または気体の流動媒質を加熱するための図５〜８に示される集成装置２は、接合部６１、６２を経て流入し（矢印６３）そして流出（矢印６４）する媒質により、その内側およびその外側を流動される中空の円筒形加熱素子（ｈｏｌｌｏｗ−ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ ｈｅａｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）６０を有する。例えば、ガラス状カーボンよりなる加熱素子６０はとりわけ、その外側の交番磁場により加熱される（「スキン効果」）。磁場の周波数は例えば、１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの範囲で変動することができる。磁場はコイル６５により形成される。コイル６５は加熱素子６０および流動媒質からチューブ６６により分離されている。従って、エネルギーの移動は接触を伴わない方法で起こり、それは、電気的接触を必要とし、従って、処理される媒質に対してシールされなければならない従来の加熱素子に比較して、著しい利点を表わす。内部６７は反応室６９から内部チューブ６８により、そして本体７０、シール７１、締め付けリング７２およびプレス部品７３を伴うシールシステムを経て密閉分離される。軸の中心における最終的磁気エネルギーはごく最小であり、そのため、センサーが強力な電磁界により損傷を受け、そして加熱素子のより良い監視のために良好なアクセスを提供する可能性があるために、圧迫部品７３は、測定センサー７４（ＰＴ １００、ＰＴ １０００）および安全性センサー７５（例えば、ＴＣＯ熱切断（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｕｔ Ｏｆｆ））の導入に役立つ。これは安全性関連操作に好都合である。

ケーブル７７がそこから排出するセンサー７４および７５は好適には中央に配列され、そして熱伝導物質７６中に埋封されている。幅広い外側のチューブ２０は本体７０上に、スクリュー連結７８により押し付けられ、反応室６９から外側の領域に対する密閉シール領域を形成する。

集成装置２はその中心面に対して鏡像対称性であり、従って、流入口６１と同様に流出口６２に同じことが適用される。流出口６２および流入口６１にはまた、スクリュー嵌合（ｓｃｒｅｗ ｆｉｔｔｉｎｇ）を提供されることができる。加熱素子６０を、内部チューブ６８からそして外部チューブ６６から均一な、同心距離（ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｃ ｄｉｓｔａｎｃｅ）に維持するために、スペーサーリング７９（図１０および１１）が挿入される。このように、加熱素子６０から、集成装置２を通過する媒質に急速な熱移動が起こるので、具体的な利点は短い距離である。

加熱素子６０が完全に流通されるように、流入する媒質は、外側の流動領域８０中そして内側の流動領域８１中に分割される。

集成装置２は、すべての構成部品が低い熱慣性をもつ材料よりなるようにされている。

図８において、好適には柔軟な銅管よりなるコイル６５が、斜め部分解体図で（ｐａｒｔｉａｌｌｙ ｉｎ ｓｅｃｔｉｏｎ）示される集成装置２が示される。図８には、それによりコイル６５が冷却される、冷却液のための流入口８２および冷却液のための流出口８３も示される。

更に、集成装置２の説明される構造は、内部領域に、フラッシュする流入口８４を介して流入し、そしてフラッシュする流出口８５を通って再度流出する、窒素による拡散により起こる腐食ガス（例えば、ふっ化水素）を吹き飛ばす、あるいは吹き出す可能性を提供する。

冷却のための集成装置３は図９の助けにより以下に説明される。

液体溶媒の冷却のための図９に示される集成装置３は、相互に重ねて配置され、そして相互に平行な２枚のプレート９０を有する。プレート９０間の空間は、縁シール９１により封印され、そこでシール９１はプレート９０を相互から一定の距離に保持する。相互からのプレート２の距離は好都合には、乱流を達成することにより助けられる良好な熱移動が、冷却される媒質上で可能であるように選択される。プレート９０はサファイア、ダイアモンド、ガラス状炭素から、または、その上にメッキされる炭化ケイ素層（ＳｉＣ）を適用可能な場合は炭化ケイ素、から製造されることができる。

プレート２および３は、ねじ９４により一緒に保持される集成装置３の上方部品９２と下方部品９３の間に保持される。パイプ部分９５は上部プレート９２の開口部中にねじ込まれ、上部プレート９０の孔９６と位置合わせされて、リングシール（例えば、Ｏ−リング）によりプレート９０に対してシールされる。パイプ部分９５は冷却される媒質に対する流入口として役立つ（矢印９７）。パイプ部分９５も同様に、下部プレート２中にねじ込まれ、そのパイプ部分が下部プレート中の開口部９６と連絡し、リングシール（Ｏ−リング）によりプレート９０に対してシールされる。媒質は、プレート９０の間の空間を流通後に、パイプ部分９５を通って再度、集成装置３から流出することができる（矢印９８）。ペルティエ素子１００は、媒質から取り去られる熱がペルティエ素子を介して上側および下側に配列された冷却体１０１に放出されるように、両側にプレートと接続されている。冷却素子１０１は、それらが冷却媒質により流動され得るように、流入口１０２および流出口１０３それぞれを有する。

図９には更に、ペルティエ素子が熱伝導性接着剤１０４により、冷却体１０１に対し良好な熱伝導性連結をもたらすことが示されている。

図９に示される装置は基本的に、更に、ペルティエ素子１００の極性の反転後に、集成
装置３中を流動する媒質を加熱するために使用されることができる。

流量を制御するための集成装置４は図１０の助けを使用して以下に説明される：
媒質の流量を制御するための集成装置４は、片側に、本体１１２と一体に連結されている弁座１１１への距離が調整装置１１３、１１４により変更されることができる針状のテーパー突起物をもつ膜１１０を含んでなる。調整装置は好適には、ステッピングモーター１１３、膜１１０のための駆動装置を表わすスピンドル１１４を含んでなる。スピンドル１１４は回転せず、モーター１１３中に取り入れられた回転スリーブにより、直線状にのみ移動される。媒質は流入口１１５中に導入され、流出口１１６を介して再度流出する。本体１１７と１１８は単に、ステッピングモーター１１３の位置決めそして、図示されていないスクリュー連結が提供される膜１１０をシールするために役立つ。センサー１１９は、そのデータが制御装置に送達される、弁座１１１からの膜１１０の距離あるいはその遊びを検出する。

図１１に略図で示された流量操作の一つの実施態様４は、流量センサー１２１（例えば、超音波の流量センサー）により流量を測定する。それにより検出される値は、信号ライン１１２を介して制御装置１２３に送達され、それが更なる制御ライン１２４を介して流量制御装置１２９のアクチュエータ１１３、１１４（ステッピングモーター）を作動し、それが順次、制御ライン１２５を介して位置制御装置を通り制御装置まで、その現在位置を伝える。流入口１２７を介しそして流出口１２８を通る媒質の流量は、外側から、主要制御ライン１２６を介して前以て設定することができる。

ウェファー８に対するノズル１１の位置に関連して、媒質の温度の急速な制御を許すために、媒質のそれぞれの必要な温度を維持することができるように、前以て知られた時系列の、局所の温度プロファイルを作成することが必要である。このために好都合には、局所の温度差を補正し、そうする時に、あらゆる妨害因子、放熱板、等、を回避するための、システムおよび処理される媒質の現在の設定が考慮に入れられる冷却集成装置が使用される。

本発明に従う装置１３０の、図１２に示される修正実施態様は、図１に従う装置１の延長物である。装置１３０はまた、温度を制御するための集成装置１３４および、ウェファー８上にノズル１１を通して適用される処理溶媒（処理液）の流量を制御するための集成装置４を含んでなる。

更に、図１２に従う装置１３０は、それにより、処理溶媒（エッチング液）の濃度がノズル１１、および、従って処理溶媒がウェファー８上に適用される場所７、の位置に応じて変更され得る集成装置を含んでなる。

このために提供される装置は、処理溶媒の濃度を検出するセンサー１３３を含んでなる。例えば、濃度センサー１３３は、それによりそれぞれ使用される処理液の濃度を測定することができる従来のｐＨ測定装置または分光計である。

詳細には、装置１３０は、以下のように、ノズル１１の関数（ａ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）としての濃度の設定において働く：
処理溶媒の成分は、ダクト１３７を介して送達され、そして媒質源１３６における規定の濃度値および温度値が、制御ライン１３８を介して制御装置／調整装置（ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ）１３１に伝えられる。ソフトウェアの演算手段が、ライン１３８を介して送信される温度値、ライン１４０を介して送信される濃度値および、温度センサー９により検出される温度の値を制御信号に変換する。これらの制御信号は、温度を制御するための構成部品１３４および流量を制御するための装置４に、制御ライン１３９を介して伝えられ
る。媒質の流れは、とりわけ、静止ミキサーとして構成されそして相互に混合される混合装置１３２に送達され、そこで静止ミキサーの使用により、所望の温度および／または前以て決められた量を含む濃度に到達するために、急速な相互混合を達成することができる。

流量制御装置４、温度の制御装置１３４および媒質源１３６に隣接する、図１２に描かれた点印１３５は、２個以上のこれらの構成部品も提供されることができることを示す。

図１３には、加熱のための集成装置２および冷却のための集成装置３の異なる組み合わせの可能性が示されている。図１３に示される改良物の組み合わせの更なる可能性は恐らく、温度を制御するための集成装置１３４を伴わない改良物も１４１に示されているが、媒質の加熱および冷却による温度調整のための集成装置１３４である。１４１に示されるこの改良物が実行される時は、媒質の流れ１３７の媒質源１３６中の温度が、十分な程度まで様々に高い時に、加熱および冷却のための別の集成装置を伴わずに、温度の調整が、流量制御装置を介して、濃度の調整に対するものと同様な方法で実施されることができる。

Claims (30)

1. 下記工程を含むことを特徴とする、媒質を使用して物体（８）を処理する方法。
   処理される物体（８）の表面上を処理される物体（８）に対して移動される適用装置（１１）を用いて、処理される物体（８）の表面上へ媒質を適用する工程と、
   媒質と間接的に接触する状態にある温度センサー（９）の測温体（４２）を用いて媒質の温度を検出する工程と、
   処理される物体（８）の表面に対する適用装置（１１）の位置に基づいて、処理される物体上に適用される媒質の特性を制御する工程と、
   処理される物体（８）上に適用される媒質の特性中の温度を制御する工程であって、温度が、適用装置（１１）に対して宛がわれた温度センサー（９）を用いて検出される工程と、
   交番磁場を用いて流動する媒質を加熱する工程であって、磁場領域において、測定センサー（７４）を用いて媒質の温度が検出される、工程と、
   安全性関連操作を行う工程であって、該操作のために測定センサー（７４）とＴＣＯ熱切断デザインの安全センサー（７５）が内部チューブ（６８）内に提供されている、工程。
2. 媒質が液体であり、または
   適用装置（１１）が適用装置のノズルであり、または
   測定センサーが測定センサーＰＴ １００もしくはＰＴ １０００デザインの測定センサーである、請求項１に記載の方法。
3. 処理される物体（８）上へ適用される媒質の量が時間の単位において制御されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 処理される物体（８）上に適用される媒質の濃度が制御されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. 処理される物体（８）が半導体ウェファーであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 半導体ウェファーがエッチングされることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 半導体ウェファーが洗浄されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
8. 処理される物体（８）が処理期間中、回転（２０）されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 媒質が適用装置のノズルから物体（８）上に適用されることを特徴とする、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 媒質が液体であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. 適用装置（１１）が、処理される物体（８）に対して少なくとも１基のアクチュエータ（１２）により動かされ、そして適用装置（１１）の位置がインクリメンタル型センサーにより検出されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 適用装置（１１）が適用装置のノズルであることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
13. 処理される物体（８）上への適用の直前に、適用装置（１１）からの媒質の流出の直前に媒質の温度が検出されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 媒質が加熱または冷却されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 媒質が液体であることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
16. 相互に異なる温度をもつ、処理される物体（８）上に適用される媒質の成分が、温度を制御するために混合されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
17. 媒質が液体であることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
18. 相互に異なる濃度をもつ、処理される物体上に適用される媒質の成分が、濃度を制御するために混合されることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
19. 媒質が液体であることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
20. 適用装置の位置がインクリメンタル型エンコーダ（１４）により検出され、該適用装置の位置、および媒質の温度が温度センサー（９）により検出され、該媒質の温度が制御回路（１０）に送られ、かつ制御回路（１０）が，媒質の温度、時間の単位内に適用装置に送達される媒質の量および／または媒質の濃度、を制御することを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
21. 処理される物体（８）のための保持具（１９）を備え、処理される物体（８）上に媒質を適用するための適用装置（１１）であって、媒質のための導管（１３）が至る該装置を備え、かつ、処理される物体（８）に対して適用装置（１１）を移動するためのアクチュエータ（１２）を備える、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法を実施するための装置であって、
    媒質の少なくとも一つの特性を検出するための少なくとも１基のセンサーと、
    適用装置の位置を検出するためのアクチュエータに対して宛がわれた少なくとも一つのインクリメンタル型エンコーダ（１４）と、
    少なくとも１基のセンサーおよびインクリメンタル型エンコーダ（１４）と機能的に接続された制御回路（１０）と、
    制御回路（１０）と機能的に接続されている、導管（１３）を通る時間の単位内に流動する媒質の量を制御するための、媒質のための導管（１３）に対して宛がわれた装置（４）と、
    適用装置（１１）からの媒質の流出部位で適用装置（１１）に対して宛がわれ、かつ、媒質の特性中の温度を検出するセンサー（９）と、
    媒質から離れて面する円盤型の物体（３６）の側面上の熱伝導性接点に配置された測温体（４２）を備える温度センサー（９）と、
    交番磁場をもたらすための電磁コイル（６５）と、
    電磁コイル（６５）の領域に提供され、かつ、電磁コイル（６５）を加熱素子（６０）および流動する媒質から分離する外部チューブ（６６）とを含むこと、
    ここで、ＴＣＯ熱切断デザインの安全センサー（７５）が電磁コイル（６５）の領域の内部チューブ（６８）内に配置されていることを特徴する、装置。
22. 処理される物体のための保持具が、半導体ウェファー（チャック）のためのキャリア（１９）のタイプに依存するキャリアであり、保持具（１９）を回転するための駆動体（２０）がチャックに対して宛がわれていることを特徴とする、請求項２１に記載の装置。
23. 適用装置（１１）がノズルを含んでなり、そのノズルから、処理される物体（８）の表面上に、媒質が適用されることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の装置。
24. 媒質を加熱しそして冷却するための装置（２、３）が媒質のための導管に対して宛がわれており、該装置が制御回路（１０）と機能的に接続されていることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の装置。
25. 媒質が液体であり、該液体の濃度を検出するためにセンサー（１３３）が提供されていることを特徴とする、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の装置。
26. 相互に異なる温度および／または濃度をもつ媒質の分流を混合するための混合装置（１３２）が提供されていることを特徴とする、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の装置。
27. 媒質が液体であり、該液体を加熱するための装置（２）が、誘導加熱に基づいて流動する媒質の対流により加熱する装置であることを特徴とする、請求項２１〜２６のいずれか１項に記載の装置。
28. 媒質を冷却するための装置（３）が少なくとも一つのペルティエ（Ｐｅｌｔｉｅｒ）素子（１００）を含んでなることを特徴とする、請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の装置。
29. 請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の装置であって、
    媒質の温度が検出される媒質のための流路（３３、３４、３５）が提供されているハウジング（３０）、
    温度センサーの領域内で、流路（３３）が、温度センサー（４２）を超えて流動後に再合流する２つの分流路（３４、３５）に分岐されること、および温度センサー（４２）が、円盤型の物体（３６）上に熱伝導性接点において配置されていること、
    を特徴とする、装置。
30. 温度センサーの流路中の流動媒質中に乱流を形成する障害物（５１）が提供され、その障害物（５１）が、媒質の流動方向に向かって、温度センサー（４２）が配置されたディスク（３６）の後方に提供されていることを特徴とする、請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の装置。

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