JP4657949B2 - エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 - Google Patents
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Description
2:ウェハ(試料)
3:プラズマ
4:プロセスガス供給系
5:マスフローコントローラ(MFC)
6:排気系
7:プラズマ発生用高周波電源
8:バイアス用高周波電源
9:カップリングコンデンサ
10:静電吸着電源
11:電圧計
12:冷却ガス
13:マスフローコントローラ(MFC)
14:冷却ガス圧力計
15:絶縁膜
16:処理室
17:流量計
18:圧力制御バルブ
20:磁場コイル
Claims (6)
- 試料を吸着する静電吸着機構と、静電吸着された前記試料の裏面に冷却ガスを充填しその圧力を制御する機構と、処理中の前記試料の裏面圧力の制御状態より試料の相対的な静電吸着力を測定する手段を有するエッチング処理装置における自己バイアス電圧測定方法であって、
処理中の前記試料の高周波バイアス電力を印加した場合の前記試料の裏面圧力の制御状態より前記試料の相対的な静電吸着力とこの静電吸着力に対応する静電吸着電圧を取得し、処理中の前記試料の高周波バイアス電力を印加しない場合の前記試料の裏面圧力の制御状態より前記試料の相対的な静電吸着力とこの静電吸着力に対応する静電吸着電圧を取得し、取得した両者の静電吸着力が等しい点でのそれぞれの静電吸着電圧の差を演算することによって高周波バイアス電力印加時の自己バイアス電圧を推定する
ことを特徴とする自己バイアス電圧測定方法。 - 請求項1記載の自己バイアス電圧測定方法において、
前記静電吸着構造での前記試料の静電吸着力を、前記試料の裏面に供給される冷却ガスの流量によって取得する
ことを特徴とする自己バイアス電圧測定方法。 - 請求項1記載の自己バイアス電圧測定方法において、
前記静電吸着構造での前記試料の静電吸着力を、前記試料の裏面に供給される冷却ガスの圧力によって取得することを特徴とする自己バイアス電圧測定方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の自己バイアス電圧測定方法によって推定した複数の前記試料の自己バイアス電圧を取得し、その推移によってエッチング処理装置の状態を監視する
ことを特徴とするエッチング処理装置の監視方法。 - 試料を吸着する静電吸着機構および静電吸着された前記試料の裏面に冷却ガスを充填しその圧力を制御する機構を有するエッチング処理装置であって、
処理中の前記試料の裏面圧力の制御状態より前記試料の相対的な静電吸着力およびこの静電吸着力に対応する静電吸着電圧を取得する手段と、
前記試料に対して高周波バイアス電力を印加して取得した静電吸着力と高周波バイアス電力を印加しないで取得した静電吸着力が等しい点でのそれぞれの静電吸着電圧の差を演算することによって高周波バイアス電力印加時の自己バイアス電圧を推定する手段とを有する
ことを特徴とするエッチング処理装置。 - 試料を吸着する静電吸着機構および静電吸着された前記試料の裏面に冷却ガスを充填しその圧力を制御する機構を有するエッチング処理装置であって、
処理中の前記試料の裏面圧力の制御状態より前記試料の相対的な静電吸着力およびこの静電吸着力に対応する静電吸着電圧を取得する手段と、
前記試料に対して高周波バイアス電力を印加して取得した静電吸着力と高周波バイアス電力を印加しないで取得した静電吸着力が等しい点でのそれぞれの静電吸着電圧の差を演算することによって高周波バイアス電力印加時の自己バイアス電圧を推定する手段とを有し、
複数の前記試料においてそれぞれ推定した自己バイアス電圧の推移によってエッチング処理装置状態の監視を行う手段とを有する
ことを特徴とするエッチング処理装置。
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