JPH10154697A - プラズマ処理装置及びその管理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びその管理方法Info
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- JPH10154697A JPH10154697A JP8313509A JP31350996A JPH10154697A JP H10154697 A JPH10154697 A JP H10154697A JP 8313509 A JP8313509 A JP 8313509A JP 31350996 A JP31350996 A JP 31350996A JP H10154697 A JPH10154697 A JP H10154697A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ処理装置及びその管理方法に関し、
プラズマ処理による被処理物の処理数量が増加するに従
ってエッチングレート及び下地及びマスク材の選択比が
変動する現象を極力低減し、かつ適切なベルジャ洗浄時
期を感知することができるようにすることを目的とす
る。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、処理室１２と、該
処理室内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生用
の電源１８と、バイアス用の電源２４と、被処理物に印
加しているバイアス電圧を検出する検出手段３８と、検
出されたバイアス電圧と設定電圧とを比較して、比較し
た結果に応じてプラズマ発生用の電源の出力電力を変化
させる電源制御手段４０とを備えた構成とする。
プラズマ処理による被処理物の処理数量が増加するに従
ってエッチングレート及び下地及びマスク材の選択比が
変動する現象を極力低減し、かつ適切なベルジャ洗浄時
期を感知することができるようにすることを目的とす
る。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、処理室１２と、該
処理室内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生用
の電源１８と、バイアス用の電源２４と、被処理物に印
加しているバイアス電圧を検出する検出手段３８と、検
出されたバイアス電圧と設定電圧とを比較して、比較し
た結果に応じてプラズマ発生用の電源の出力電力を変化
させる電源制御手段４０とを備えた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置及
びその管理方法に関する。より詳しくは、本発明はプラ
ズマにより成膜やエッチングの処理を行うのに適したプ
ラズマ処理装置及びその管理方法に関する。
びその管理方法に関する。より詳しくは、本発明はプラ
ズマにより成膜やエッチングの処理を行うのに適したプ
ラズマ処理装置及びその管理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスにおいて、ウエハ上に膜
を形成する際や、ウエハ上の膜をエッチング（スパッタ
エッチングを含む）する際に、プラズマを用いて処理を
行うことが多い。成膜やエッチングを連続処理する場合
には、処理すべきウエハの数が増加しても常に最初と同
じプラズマを作り、同様の条件で処理できるようにする
ことにより、再現性のよい成膜やエッチングを達成する
ことができる。
を形成する際や、ウエハ上の膜をエッチング（スパッタ
エッチングを含む）する際に、プラズマを用いて処理を
行うことが多い。成膜やエッチングを連続処理する場合
には、処理すべきウエハの数が増加しても常に最初と同
じプラズマを作り、同様の条件で処理できるようにする
ことにより、再現性のよい成膜やエッチングを達成する
ことができる。
【０００３】成膜やエッチングに使用されるプラズマ発
生装置としては、主として平行平板型、ＥＣＲ型、ヘリ
コン型、ＩＣＰ（誘導結合）型などがあり、近年高密度
プラズマの必要性からＥＣＲ型、ヘリコン型、ＩＣＰ
（誘導結合）型が多く使用されるようになってきてい
る。例えばエッチングで一般的に使用されるＩＣＰ型の
プラズマ処理装置は、処理室を備え、処理室はエッチン
グガスで満たされる。処理室の一部は石英等の透明な不
導体の円筒板で形成され、この部分はベルジャと呼ばれ
る。ベルジャの回りにはコイル状に巻かれたアンテナが
配置され、このアンテナは処理室内でプラズマを発生さ
せるためのプラズマ発生用の高周波電源に接続される。
プラズマ発生用の高周波電源から投入される電力を以下
ソースパワーと言う。
生装置としては、主として平行平板型、ＥＣＲ型、ヘリ
コン型、ＩＣＰ（誘導結合）型などがあり、近年高密度
プラズマの必要性からＥＣＲ型、ヘリコン型、ＩＣＰ
（誘導結合）型が多く使用されるようになってきてい
る。例えばエッチングで一般的に使用されるＩＣＰ型の
プラズマ処理装置は、処理室を備え、処理室はエッチン
グガスで満たされる。処理室の一部は石英等の透明な不
導体の円筒板で形成され、この部分はベルジャと呼ばれ
る。ベルジャの回りにはコイル状に巻かれたアンテナが
配置され、このアンテナは処理室内でプラズマを発生さ
せるためのプラズマ発生用の高周波電源に接続される。
プラズマ発生用の高周波電源から投入される電力を以下
ソースパワーと言う。
【０００４】アンテナを介してソースパワーが投入され
ると、誘導作用により処理室内にプラズマが発生する。
処理室内には、ウエハを保持するステージがあり、ステ
ージはブロッキングコンデンサを介してウエハバイアス
電源に交流的に接続されている。バイアス電源の電力を
以下バイアスパワーと言う。ウエハへのバイアスはエッ
チングにおいて高エッチングレートを得るため、あるい
は異方性のエッチングを行うために必要なものである。
こうしてウエハにバイアスをかけることにより、プラズ
マで発生したイオンをウエハに垂直に引き込むことがで
き、異方性エッチングを実施し、またバイアスパワーの
大きさにより、エッチングレート、板地及びマスク材の
選択比を決定する。
ると、誘導作用により処理室内にプラズマが発生する。
処理室内には、ウエハを保持するステージがあり、ステ
ージはブロッキングコンデンサを介してウエハバイアス
電源に交流的に接続されている。バイアス電源の電力を
以下バイアスパワーと言う。ウエハへのバイアスはエッ
チングにおいて高エッチングレートを得るため、あるい
は異方性のエッチングを行うために必要なものである。
こうしてウエハにバイアスをかけることにより、プラズ
マで発生したイオンをウエハに垂直に引き込むことがで
き、異方性エッチングを実施し、またバイアスパワーの
大きさにより、エッチングレート、板地及びマスク材の
選択比を決定する。
【０００５】プラズマを用いたウエハ処理は、上記した
装置等を用い、エッチングガス流量、処理室内圧力、ス
テージ位置、バイアスパワー、及びソースパワーを処理
されるウエハ毎に同じになるようにして、常に同様のエ
ッチングレート、下地及びマスク材の選択比を得るよう
にしている。
装置等を用い、エッチングガス流量、処理室内圧力、ス
テージ位置、バイアスパワー、及びソースパワーを処理
されるウエハ毎に同じになるようにして、常に同様のエ
ッチングレート、下地及びマスク材の選択比を得るよう
にしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マ処理装置においてエッチングを行う場合、ウエハ処理
枚数が増加するに従って、エッチングレート及び下地及
びマスク材の選択比が変動する場合がある。この原因の
一つは、ベルジャの汚れが発生することによる。従っ
て、適当な時期にベルジャの洗浄を行えば、初期のエッ
チングレート及び下地及びマスク材の選択比を回復する
ことができる。
マ処理装置においてエッチングを行う場合、ウエハ処理
枚数が増加するに従って、エッチングレート及び下地及
びマスク材の選択比が変動する場合がある。この原因の
一つは、ベルジャの汚れが発生することによる。従っ
て、適当な時期にベルジャの洗浄を行えば、初期のエッ
チングレート及び下地及びマスク材の選択比を回復する
ことができる。
【０００７】ベルジャの汚れの原因は、被エッチング材
料、エッチング（スパッタ）されたマスク材、エッチン
グされた下地材料の再付着や、プラズマで生成したラジ
カルのデポジション等があげられる。ベルジャが汚れる
と、特にＩＣＰ装置のようにベルジャ外部から電力を投
入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置の場合、
電力の投入をベルジャの汚れが妨げ、処理室内で同じプ
ラズマを持続して発生させるのが困難になる。特に汚れ
が導電性の物質によるものだと、汚れによる電力消費が
大きくなり、エッチングレート及び下地及びマスク材の
選択比の変動は大きくなる。
料、エッチング（スパッタ）されたマスク材、エッチン
グされた下地材料の再付着や、プラズマで生成したラジ
カルのデポジション等があげられる。ベルジャが汚れる
と、特にＩＣＰ装置のようにベルジャ外部から電力を投
入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置の場合、
電力の投入をベルジャの汚れが妨げ、処理室内で同じプ
ラズマを持続して発生させるのが困難になる。特に汚れ
が導電性の物質によるものだと、汚れによる電力消費が
大きくなり、エッチングレート及び下地及びマスク材の
選択比の変動は大きくなる。
【０００８】ベルジャの洗浄周期は、処理時間あるいは
処理ウエハ枚数で管理されるのが一般的である。この管
理方法だと、マージンを広くとって早めの洗浄を行わな
ければならず、ベルジャが汚れていなくて洗浄する必要
がない場合でも洗浄を行うことになる。特開昭５８─２
００５２９号公報は、一対の対向する電極を有するプラ
ズマＣＶＤ装置を開示している。このプラズマＣＶＤ装
置はプラズマの状態を検出するプローブを有し、プロー
ブはプラズマの電位を検出するように一対の対向する電
極の間に挿入されている。この公報によると、プローブ
によって検出されたプラズマの電圧に基づいてソースパ
ワーを制御することができる。しかしながら、プラズマ
の電圧をプローブによって検出しようとしても、プラズ
マの発生領域は常時一定ではないので、プローブがプラ
ズマと確実に接触するようにすることは難しい。また、
プラズマの電圧の変動は比較的に小さく、プラズマの電
圧の変化はプラズマの状態の変化をよくあらわすための
ファクターとなるとは言えない。また、プラズマの中に
プローブを配置すると、プローブによってプラズマが乱
され、あるいはプローブにデポジットが付着するので好
ましくない。
処理ウエハ枚数で管理されるのが一般的である。この管
理方法だと、マージンを広くとって早めの洗浄を行わな
ければならず、ベルジャが汚れていなくて洗浄する必要
がない場合でも洗浄を行うことになる。特開昭５８─２
００５２９号公報は、一対の対向する電極を有するプラ
ズマＣＶＤ装置を開示している。このプラズマＣＶＤ装
置はプラズマの状態を検出するプローブを有し、プロー
ブはプラズマの電位を検出するように一対の対向する電
極の間に挿入されている。この公報によると、プローブ
によって検出されたプラズマの電圧に基づいてソースパ
ワーを制御することができる。しかしながら、プラズマ
の電圧をプローブによって検出しようとしても、プラズ
マの発生領域は常時一定ではないので、プローブがプラ
ズマと確実に接触するようにすることは難しい。また、
プラズマの電圧の変動は比較的に小さく、プラズマの電
圧の変化はプラズマの状態の変化をよくあらわすための
ファクターとなるとは言えない。また、プラズマの中に
プローブを配置すると、プローブによってプラズマが乱
され、あるいはプローブにデポジットが付着するので好
ましくない。
【０００９】本発明の目的は、プラズマ処理による被処
理物の処理数量が増加するに従って処理状態が変動する
現象を極力低減し、かつ適切なベルジャ洗浄時期を感知
することができるようにしたプラズマ処理装置及びその
管理方法を提供することである。
理物の処理数量が増加するに従って処理状態が変動する
現象を極力低減し、かつ適切なベルジャ洗浄時期を感知
することができるようにしたプラズマ処理装置及びその
管理方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるプラズマ処
理装置は、処理室と、該処理室内でプラズマを発生させ
るためのプラズマ発生用の電源と、バイアス用の電源
と、バイアス電圧を検出する検出手段と、検出されたバ
イアス電圧と設定電圧とを比較して、比較した結果に応
じてプラズマ発生用の電源の出力電力を変化させる電源
制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
理装置は、処理室と、該処理室内でプラズマを発生させ
るためのプラズマ発生用の電源と、バイアス用の電源
と、バイアス電圧を検出する検出手段と、検出されたバ
イアス電圧と設定電圧とを比較して、比較した結果に応
じてプラズマ発生用の電源の出力電力を変化させる電源
制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【００１１】プラズマ処理による被処理物の処理数量が
増加するに従って、ベルジャが汚れていくと、プラズマ
発生用の電源から投入されるソースパワーが同じであっ
ても、処理室内のプラズマに与えられる電界は小さくな
り、プラズマの密度は低下する。この結果、同じバイア
スパワーであっても、バイアス電圧が変動する。バイア
ス電圧が変動すると、エッチングレート及び下地及びマ
スク材の選択比が変動する。
増加するに従って、ベルジャが汚れていくと、プラズマ
発生用の電源から投入されるソースパワーが同じであっ
ても、処理室内のプラズマに与えられる電界は小さくな
り、プラズマの密度は低下する。この結果、同じバイア
スパワーであっても、バイアス電圧が変動する。バイア
ス電圧が変動すると、エッチングレート及び下地及びマ
スク材の選択比が変動する。
【００１２】そこで、上記構成においては、バイアス電
圧を検出し、検出されたバイアス電圧と設定電圧とを比
較して、比較した結果に応じてプラズマ発生用の電源の
出力電力を変化させるようにしている。すなわち、ソー
スパワーを調節することにより、バイアス電圧の変動を
小さくし、エッチング処理の場合には、エッチングレー
ト及び下地及びマスク材の選択比が変動する現象を極力
低減する。
圧を検出し、検出されたバイアス電圧と設定電圧とを比
較して、比較した結果に応じてプラズマ発生用の電源の
出力電力を変化させるようにしている。すなわち、ソー
スパワーを調節することにより、バイアス電圧の変動を
小さくし、エッチング処理の場合には、エッチングレー
ト及び下地及びマスク材の選択比が変動する現象を極力
低減する。
【００１３】請求項２に記載のプラズマ処理装置は、被
処理物が半導体ウエハであり、該プラズマ処理装置がエ
ッチング装置として使用されることを特徴とする。請求
項３に記載のプラズマ処理装置は、被エッチング材料、
マスク材料、及び下地材料の少なくとも一つが、Ｐｔ，
Ｉｒ，Ｒｕ，ＲｕＯ， Ｃｕの中から選ばれたもので
ある。これらの材料は蒸気圧が低く、ベルジャが汚れに
くいものである。
処理物が半導体ウエハであり、該プラズマ処理装置がエ
ッチング装置として使用されることを特徴とする。請求
項３に記載のプラズマ処理装置は、被エッチング材料、
マスク材料、及び下地材料の少なくとも一つが、Ｐｔ，
Ｉｒ，Ｒｕ，ＲｕＯ， Ｃｕの中から選ばれたもので
ある。これらの材料は蒸気圧が低く、ベルジャが汚れに
くいものである。
【００１４】請求項４に記載のプラズマ処理装置は、バ
イアス電圧を検出する検出手段が該処理室内で被処理物
を保持する保持部材に設けられた電極からなり、該電極
と被処理物とを電気的に接続することによりバイアス電
圧を検出することを特徴とする。請求項５に記載のプラ
ズマ処理装置は、該保持部材は被処理物を載置するステ
ージであり、被処理物を該ステージに載置することで前
記電極と被処理物の裏面との電気的接続が可能となるこ
とを特徴とする。
イアス電圧を検出する検出手段が該処理室内で被処理物
を保持する保持部材に設けられた電極からなり、該電極
と被処理物とを電気的に接続することによりバイアス電
圧を検出することを特徴とする。請求項５に記載のプラ
ズマ処理装置は、該保持部材は被処理物を載置するステ
ージであり、被処理物を該ステージに載置することで前
記電極と被処理物の裏面との電気的接続が可能となるこ
とを特徴とする。
【００１５】請求項６に記載のプラズマ処理装置は、該
処理室内で被処理物を保持する保持部材にプローブの通
路が設けられ、バイアス電圧を検出する検出手段が該プ
ローブの通路に挿入されたプローブからなり、該プロー
ブと被処理物とを電気的に接続することによりバイアス
電圧を検出することを特徴とする。請求項７に記載のプ
ラズマ処理装置は、該保持部材は被処理物を載置するス
テージであり、被処理物を該ステージに載置することで
前記プローブと被処理物の裏面との電気的接続が可能と
なることを特徴とする。
処理室内で被処理物を保持する保持部材にプローブの通
路が設けられ、バイアス電圧を検出する検出手段が該プ
ローブの通路に挿入されたプローブからなり、該プロー
ブと被処理物とを電気的に接続することによりバイアス
電圧を検出することを特徴とする。請求項７に記載のプ
ラズマ処理装置は、該保持部材は被処理物を載置するス
テージであり、被処理物を該ステージに載置することで
前記プローブと被処理物の裏面との電気的接続が可能と
なることを特徴とする。
【００１６】請求項８に記載のプラズマ処理装置は、該
ステージは静電チャックを含むことを特徴とする。そし
て、本発明によるプラズマ処理装置の管理方法は、請求
項１に記載のプラズマ処理装置において、プラズマ発生
用の電源の出力電力の変化をモニターし、該プラズマ発
生用の電源の出力電力と設定値とを比較し、比較した結
果に基づいてプラズマ処理装置の洗浄時期を管理するこ
とを特徴とするものである。この管理方法によれば、使
用状態をモニターしながら適切なベルジャ洗浄時期を感
知して装置の洗浄時期を管理することができる。
ステージは静電チャックを含むことを特徴とする。そし
て、本発明によるプラズマ処理装置の管理方法は、請求
項１に記載のプラズマ処理装置において、プラズマ発生
用の電源の出力電力の変化をモニターし、該プラズマ発
生用の電源の出力電力と設定値とを比較し、比較した結
果に基づいてプラズマ処理装置の洗浄時期を管理するこ
とを特徴とするものである。この管理方法によれば、使
用状態をモニターしながら適切なベルジャ洗浄時期を感
知して装置の洗浄時期を管理することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例によるプラ
ズマ処理装置を示し、この例のプラズマ処理装置はエッ
チングに使用されるＩＣＰ型のプラズマ処理装置であ
る。プラズマ処理装置１０は処理室１２を備える。処理
室１２はエッチングガスで満たされる。処理室１２の一
部は石英や窒化アルミ等の透明な不導体の円筒板で形成
され、この部分はベルジャ１４と呼ばれる。
ズマ処理装置を示し、この例のプラズマ処理装置はエッ
チングに使用されるＩＣＰ型のプラズマ処理装置であ
る。プラズマ処理装置１０は処理室１２を備える。処理
室１２はエッチングガスで満たされる。処理室１２の一
部は石英や窒化アルミ等の透明な不導体の円筒板で形成
され、この部分はベルジャ１４と呼ばれる。
【００１８】ベルジャ１４の回りにはコイル状に巻かれ
たアンテナ１６が配置される。このアンテナ１６は処理
室１２内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生用
の高周波電源１８に接続される。インピーダンスを整合
させるためのマッチング回路２０がアンテナ１６とプラ
ズマ発生用の高周波電源１８との間に配置される。プラ
ズマ発生用の高周波電源１８は、例えば１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力（ソースパワー）を供給する。
たアンテナ１６が配置される。このアンテナ１６は処理
室１２内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生用
の高周波電源１８に接続される。インピーダンスを整合
させるためのマッチング回路２０がアンテナ１６とプラ
ズマ発生用の高周波電源１８との間に配置される。プラ
ズマ発生用の高周波電源１８は、例えば１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力（ソースパワー）を供給する。
【００１９】図２及び図３に示されるように、アンテナ
１６を介してソースパワーが投入されると、誘導作用に
より処理室１２内にプラズマ２２が発生する。これがＩ
ＣＰ（誘導結合プラズマ）型のプラズマ処理装置１０の
原理である。すなわち、アンテナ１６に高周波電流が流
れると高周波磁場が生成され、誘導電界が発生する。こ
の誘導電界により電子が駆動され、プラズマ２２が生成
維持される。この誘導電界により電子が駆動される機構
は、アンテナ１６がトランスの一次コイルに、プラズマ
が２次コイルに相当する。
１６を介してソースパワーが投入されると、誘導作用に
より処理室１２内にプラズマ２２が発生する。これがＩ
ＣＰ（誘導結合プラズマ）型のプラズマ処理装置１０の
原理である。すなわち、アンテナ１６に高周波電流が流
れると高周波磁場が生成され、誘導電界が発生する。こ
の誘導電界により電子が駆動され、プラズマ２２が生成
維持される。この誘導電界により電子が駆動される機構
は、アンテナ１６がトランスの一次コイルに、プラズマ
が２次コイルに相当する。
【００２０】図１において、プラズマ処理装置１０はバ
イアス用の高周波電源２４を含む。高周波電源２４は、
例えば１００ＫＨｚから１３．５６ＭＨｚの高周波電力
（バイアスパワー）を供給する。処理室１２内には、被
処理物であるウエハ２６を保持するためのステージ２８
が配置されている。実施例においては、ステージ２８は
静電チャック３０を含む。静電チャック３０は誘電体と
チャック電極３０ａとからなる。バイアス用の高周波電
源２４はインピーダンスを整合させるためのマッチング
回路３２を介してチャック電極３０ａに接続され、ウエ
ハ２６にバイアス電圧を与える。また、静電チャック３
０用の電源３４がローパスフィルタ３６を介してチャッ
ク電極３０ａに接続される。
イアス用の高周波電源２４を含む。高周波電源２４は、
例えば１００ＫＨｚから１３．５６ＭＨｚの高周波電力
（バイアスパワー）を供給する。処理室１２内には、被
処理物であるウエハ２６を保持するためのステージ２８
が配置されている。実施例においては、ステージ２８は
静電チャック３０を含む。静電チャック３０は誘電体と
チャック電極３０ａとからなる。バイアス用の高周波電
源２４はインピーダンスを整合させるためのマッチング
回路３２を介してチャック電極３０ａに接続され、ウエ
ハ２６にバイアス電圧を与える。また、静電チャック３
０用の電源３４がローパスフィルタ３６を介してチャッ
ク電極３０ａに接続される。
【００２１】さらに、プラズマ処理装置１０は、被処理
物であるウエハ２６に印加しているバイアス電圧を検出
する検出手段３８と、検出されたバイアス電圧と設定電
圧とを比較して、比較した結果に応じてプラズマ発生用
の電源１８の出力電力を変化させる電源制御手段４０と
を含む。図２及び図４に示されるように、プラズマ２２
はベルジャ１４内で群れて形成されており、プラズマ２
２と静電チャック３０によって保持されたウエハ２６と
の間には間隙４４が形成され、この間隙４４はシースと
呼ばれる。プラズマ２２と静電チャック３０とシース４
４によってシースコンデンサ４４（図４）が形成され
る。また、静電チャック３０とウエハ２６とによってブ
ロッキングコンデンサ４６（図４）が形成される。な
お、静電チャック３０を使用しない場合には、バイアス
回路にブロッキングコンデンサを挿入する。
物であるウエハ２６に印加しているバイアス電圧を検出
する検出手段３８と、検出されたバイアス電圧と設定電
圧とを比較して、比較した結果に応じてプラズマ発生用
の電源１８の出力電力を変化させる電源制御手段４０と
を含む。図２及び図４に示されるように、プラズマ２２
はベルジャ１４内で群れて形成されており、プラズマ２
２と静電チャック３０によって保持されたウエハ２６と
の間には間隙４４が形成され、この間隙４４はシースと
呼ばれる。プラズマ２２と静電チャック３０とシース４
４によってシースコンデンサ４４（図４）が形成され
る。また、静電チャック３０とウエハ２６とによってブ
ロッキングコンデンサ４６（図４）が形成される。な
お、静電チャック３０を使用しない場合には、バイアス
回路にブロッキングコンデンサを挿入する。
【００２２】図４はバイアス用の高周波電源２４からプ
ラズマ２２へいたるバイアス回路を示す図である。バイ
アス回路には、プラズマ２２のインピーダンスＲと、シ
ースコンデンサ４４と、ブロッキングコンデンサ４６と
が配置されることになる。ウエハ２６は、シースコンデ
ンサ４４と、ブロッキングコンデンサ４６との間にあ
る。バイアス用の高周波電源２４の電圧Ｖｐｐは、プラ
ズマ２２のインピーダンスＲにかかる電圧ＶR 、シース
コンデンサ４４にかかる電圧Ｖｃｓ、ブロッキングコン
デンサ４６にかかる電圧Ｖｃｂの和になる。
ラズマ２２へいたるバイアス回路を示す図である。バイ
アス回路には、プラズマ２２のインピーダンスＲと、シ
ースコンデンサ４４と、ブロッキングコンデンサ４６と
が配置されることになる。ウエハ２６は、シースコンデ
ンサ４４と、ブロッキングコンデンサ４６との間にあ
る。バイアス用の高周波電源２４の電圧Ｖｐｐは、プラ
ズマ２２のインピーダンスＲにかかる電圧ＶR 、シース
コンデンサ４４にかかる電圧Ｖｃｓ、ブロッキングコン
デンサ４６にかかる電圧Ｖｃｂの和になる。
【００２３】プラズマ２２のインピーダンスＲは比較的
に小さいので、Ｖｐｐ＝Ｖｃｓ＋Ｖｃｂとみなすことが
できる。ウエハ２６に印加しているバイアス電圧は、シ
ースコンデンサ４６の容量とブロッキングコンデンサ３
４の容量との比によって決定される。図５はプラズマ発
生用の高周波電源１８のソースパワーを示し、図６はバ
イアス用の高周波電源２４の電圧を示す図である。図６
において、バイアス用の高周波電源２４のバイアス電圧
Ｖｐｐに対して、ウエハ２６にかかるセルフバイアス電
圧はＶｓで示されている。このセルフバイアス電圧Ｖｓ
は上記したようにして変化する。
に小さいので、Ｖｐｐ＝Ｖｃｓ＋Ｖｃｂとみなすことが
できる。ウエハ２６に印加しているバイアス電圧は、シ
ースコンデンサ４６の容量とブロッキングコンデンサ３
４の容量との比によって決定される。図５はプラズマ発
生用の高周波電源１８のソースパワーを示し、図６はバ
イアス用の高周波電源２４の電圧を示す図である。図６
において、バイアス用の高周波電源２４のバイアス電圧
Ｖｐｐに対して、ウエハ２６にかかるセルフバイアス電
圧はＶｓで示されている。このセルフバイアス電圧Ｖｓ
は上記したようにして変化する。
【００２４】ここで、ベルジャ１６が汚れた場合につい
て説明する。上記したようにしてプラズマ２２が生成
し、エッチングが行なわれるにつれて、ベルジャ１６が
汚れると、アンテナ１６から同じ高周波磁界が発生して
も、プラズマ２２がアンテナ１６から感じる磁界は弱く
なり、同じソースパワーであっても、プラズマ２２に与
えられる電界は小さくなる。このため、プラズマ２２の
密度が小さくなる。つまり、図３の相互インダクタンス
が小さくなるのと同じになる。
て説明する。上記したようにしてプラズマ２２が生成
し、エッチングが行なわれるにつれて、ベルジャ１６が
汚れると、アンテナ１６から同じ高周波磁界が発生して
も、プラズマ２２がアンテナ１６から感じる磁界は弱く
なり、同じソースパワーであっても、プラズマ２２に与
えられる電界は小さくなる。このため、プラズマ２２の
密度が小さくなる。つまり、図３の相互インダクタンス
が小さくなるのと同じになる。
【００２５】ベルジャ１６の汚れが導電性の前によるも
のであると、シールド効果も加わって、さらにプラズマ
２２に発生する電流は小さくなる。この結果、プラズマ
２２の密度が小さくなる。プラズマ２２の密度が小さく
なると、同じパイアスパワーであるならば、ウエハ２６
には大きなバイアス電圧が印加されることになる。図４
を参照して説明したように、プラズマ２２のインピーダ
ンスは小さいので、バイアス用の高周波電源２４のバイ
アス電圧Ｖｐｐはほとんどシースコンデンサ４６の容量
とブロッキングコンデンサ３４の容量に印加され、これ
らのコンデンサで分圧される。プラズマ２２の密度が小
さくなると、シース４２が広がってシースコンデンサ４
６の容量が小さくなる。そこで、シースコンデンサ４６
の容量とブロッキングコンデンサ３４の容量に印加され
る電圧比が変わり、ブロッキングコンデンサ３４の容量
に印加される電圧Ｖｃｂが大きくなる。
のであると、シールド効果も加わって、さらにプラズマ
２２に発生する電流は小さくなる。この結果、プラズマ
２２の密度が小さくなる。プラズマ２２の密度が小さく
なると、同じパイアスパワーであるならば、ウエハ２６
には大きなバイアス電圧が印加されることになる。図４
を参照して説明したように、プラズマ２２のインピーダ
ンスは小さいので、バイアス用の高周波電源２４のバイ
アス電圧Ｖｐｐはほとんどシースコンデンサ４６の容量
とブロッキングコンデンサ３４の容量に印加され、これ
らのコンデンサで分圧される。プラズマ２２の密度が小
さくなると、シース４２が広がってシースコンデンサ４
６の容量が小さくなる。そこで、シースコンデンサ４６
の容量とブロッキングコンデンサ３４の容量に印加され
る電圧比が変わり、ブロッキングコンデンサ３４の容量
に印加される電圧Ｖｃｂが大きくなる。
【００２６】そのため、ウエハ２６の処理数量が増加す
るに従ってエッチングレート及び下地及びマスク材の選
択比が低下するが、ウエハ２６に印加しているバイアス
電圧（好ましくはＶｃｂ）を検出し、検出されたバイア
ス電圧と設定電圧とを比較して、比較した結果に応じて
プラズマ発生用の電源１８の出力電力を変化させること
により、エッチングレート及び下地及びマスク材の選択
比の低下を緩和することができる。
るに従ってエッチングレート及び下地及びマスク材の選
択比が低下するが、ウエハ２６に印加しているバイアス
電圧（好ましくはＶｃｂ）を検出し、検出されたバイア
ス電圧と設定電圧とを比較して、比較した結果に応じて
プラズマ発生用の電源１８の出力電力を変化させること
により、エッチングレート及び下地及びマスク材の選択
比の低下を緩和することができる。
【００２７】実施例においては、処理室１２内にＡｒガ
ス５０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｌ2 ガス７５ｃｃ／ｍｉｎを流
し、処理室１２内を、圧力５ｍＴｏｒｒとし、初期ソー
スパワー３００Ｗ、パイアスパワーＶｐｐ５２０Ｗ一定
の条件で、レジストマスクをしてＰｔのエッチングを行
った。ソースパワーの制御は、バイアス用の高周波電源
２４の電圧Ｖｐｐを測定し、Ｖｐｐの値を最初１６００
Ｖに設定し、ベルジャ１４の汚れによりＶｐｐが１５０
０Ｖに低下したところでソースパワーを５Ｗずつし増加
し、それでＶｐｐの値が１６００Ｖになるようにした。
このようにして、バイアス電圧がほぼ１６００Ｖになる
ようにしつつ、この制御を下記の表のように繰り返し
た。
ス５０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｌ2 ガス７５ｃｃ／ｍｉｎを流
し、処理室１２内を、圧力５ｍＴｏｒｒとし、初期ソー
スパワー３００Ｗ、パイアスパワーＶｐｐ５２０Ｗ一定
の条件で、レジストマスクをしてＰｔのエッチングを行
った。ソースパワーの制御は、バイアス用の高周波電源
２４の電圧Ｖｐｐを測定し、Ｖｐｐの値を最初１６００
Ｖに設定し、ベルジャ１４の汚れによりＶｐｐが１５０
０Ｖに低下したところでソースパワーを５Ｗずつし増加
し、それでＶｐｐの値が１６００Ｖになるようにした。
このようにして、バイアス電圧がほぼ１６００Ｖになる
ようにしつつ、この制御を下記の表のように繰り返し
た。
【００２８】 処理枚数 ソースパワー（Ｗ） バイアスパワー（Ｗ） ５枚目 ３０５ ５２０ １０枚目 ３１０ ５２０ １５枚目 ３１５ ５２０ ２０枚目 ３１５ ５２０ ２５枚目 ３２０ ５２０ ３０枚目 ３３０ ５２０ ３５枚目 ３５０ ５２０ ４０枚目 ３８０ ５２０ 図７はこのときのウエハ２６の処理枚数に対するＰｔの
エッチングレート、及びＰｔとレジストのエッチングレ
ートの比（選択比）を示す。Ｐｔのエッチングレートは
丸点でプロットされており、選択比は四角点でプロット
されている。ウエハ２６の処理枚数が増加するにつれ
て、Ｐｔのエッチングレート及び選択比は変化している
が、その変化の割合はソースパワーを一定にした従来の
場合と比較してかなり小さくなった。
エッチングレート、及びＰｔとレジストのエッチングレ
ートの比（選択比）を示す。Ｐｔのエッチングレートは
丸点でプロットされており、選択比は四角点でプロット
されている。ウエハ２６の処理枚数が増加するにつれ
て、Ｐｔのエッチングレート及び選択比は変化している
が、その変化の割合はソースパワーを一定にした従来の
場合と比較してかなり小さくなった。
【００２９】本発明によりソースパワーを次第に増加す
ることにより、常に同じプラズマ２２を発生させること
ができ、バイアスパワーをほぼ一定にすることで、安定
したＰｔのエッチングを行うことができた。このような
制御をしないで従来のようにソースパワーを一定にした
条件では、１５枚処理程度の時点でベルジャ洗浄が必要
になっていた。
ることにより、常に同じプラズマ２２を発生させること
ができ、バイアスパワーをほぼ一定にすることで、安定
したＰｔのエッチングを行うことができた。このような
制御をしないで従来のようにソースパワーを一定にした
条件では、１５枚処理程度の時点でベルジャ洗浄が必要
になっていた。
【００３０】そして、本発明では、上記制御を行いなが
ら、プラズマ発生用の高周波電源１８の出力電力（ソー
スパワー）をモニターし、ソースパワーと設定値とを比
較し、比較した結果に基づいて装置の洗浄時期を管理す
るようにしている。実施例においては、ソースパワーは
３００Ｗから次第に増加していき、ソースパワーが３８
０Ｗになったときに装置を洗浄するように規定してい
る。このようにすることにより、適切な洗浄時期を感知
することができ、洗浄を過早な時期に行う必要がなくな
り、装置のスループットを向上することができる。
ら、プラズマ発生用の高周波電源１８の出力電力（ソー
スパワー）をモニターし、ソースパワーと設定値とを比
較し、比較した結果に基づいて装置の洗浄時期を管理す
るようにしている。実施例においては、ソースパワーは
３００Ｗから次第に増加していき、ソースパワーが３８
０Ｗになったときに装置を洗浄するように規定してい
る。このようにすることにより、適切な洗浄時期を感知
することができ、洗浄を過早な時期に行う必要がなくな
り、装置のスループットを向上することができる。
【００３１】図８はバイアス電圧検出の例を示す図であ
る。プラズマ処理装置１０の基本的な構成は図１の実施
例の構成とほぼ同じである。この例では、ステージ２８
上のウエハ２６のバイアス電圧を直接に測定する第１の
電圧検出手段３８ａと、マッチング回路３２の出口に配
置された第２の電圧検出手段３８ｂとが設けられてい
る。
る。プラズマ処理装置１０の基本的な構成は図１の実施
例の構成とほぼ同じである。この例では、ステージ２８
上のウエハ２６のバイアス電圧を直接に測定する第１の
電圧検出手段３８ａと、マッチング回路３２の出口に配
置された第２の電圧検出手段３８ｂとが設けられてい
る。
【００３２】図９は、第１の電圧検出手段３８ａの具体
例を示す図である。第１の電圧検出手段３８ａは、ウエ
ハ２６の保持手段であるステージ２８の静電チャック３
０に設けられた電極５０からなり、この電極５０とウエ
ハ２６とを電気的に接続することによりバイアス電圧を
検出するようになっている。そして、電極５０は静電チ
ャック３０の表面に設けられ、ウエハ２６をステージ２
８に載置することで電極５０とウエハ２６の裏面との電
気的接続が可能となっている。５２は電極５０から電源
制御手段４０へ延びるリード線、５４はチャック電極３
０ａからバイアス用の高周波電源２４へ延びるリード線
である。第２の電圧検出手段３８ｂはリード線５４の適
切な部位に接続される。
例を示す図である。第１の電圧検出手段３８ａは、ウエ
ハ２６の保持手段であるステージ２８の静電チャック３
０に設けられた電極５０からなり、この電極５０とウエ
ハ２６とを電気的に接続することによりバイアス電圧を
検出するようになっている。そして、電極５０は静電チ
ャック３０の表面に設けられ、ウエハ２６をステージ２
８に載置することで電極５０とウエハ２６の裏面との電
気的接続が可能となっている。５２は電極５０から電源
制御手段４０へ延びるリード線、５４はチャック電極３
０ａからバイアス用の高周波電源２４へ延びるリード線
である。第２の電圧検出手段３８ｂはリード線５４の適
切な部位に接続される。
【００３３】図１０は、第１の電圧検出手段３８ａの他
の具体例を示す図である。ウエハ２６の保持手段である
ステージ２８の静電チャック３０にプローブの通路５６
が設けられ、第１の電圧検出手段３８ａはプローブの通
路５６に挿入されたプローブ５８からなる。プローブ５
８とウエハ２６とを電気的に接続することによりバイア
ス電圧を検出するようになっている。この場合にも、ウ
エハ２６をステージ２８に載置することでプローブ５８
とウエハ２６の裏面との電気的接続が可能となってい
る。
の具体例を示す図である。ウエハ２６の保持手段である
ステージ２８の静電チャック３０にプローブの通路５６
が設けられ、第１の電圧検出手段３８ａはプローブの通
路５６に挿入されたプローブ５８からなる。プローブ５
８とウエハ２６とを電気的に接続することによりバイア
ス電圧を検出するようになっている。この場合にも、ウ
エハ２６をステージ２８に載置することでプローブ５８
とウエハ２６の裏面との電気的接続が可能となってい
る。
【００３４】図８及び図９の構成において、ソースパワ
ーは変化させず、一定とした条件で、第１及び第２の電
圧検出手段３８ａ、３８ｂによってバイアス電圧の変化
を測定した。Ａｒガス５０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｌ2 ガス７
５ｃｃ／ｍｉｎ、圧力５ｍＴｏｒｒ、ソースパワー３０
００Ｗ一定、バイアスパワーＶｐｐ２０００Ｗ一定の条
件で、レジストマスクをしてＰｔのエッチングを行っ
た。この試験において下記の結果が得られた。
ーは変化させず、一定とした条件で、第１及び第２の電
圧検出手段３８ａ、３８ｂによってバイアス電圧の変化
を測定した。Ａｒガス５０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｌ2 ガス７
５ｃｃ／ｍｉｎ、圧力５ｍＴｏｒｒ、ソースパワー３０
００Ｗ一定、バイアスパワーＶｐｐ２０００Ｗ一定の条
件で、レジストマスクをしてＰｔのエッチングを行っ
た。この試験において下記の結果が得られた。
【００３５】 処理枚数 第１の電圧検出手段３８ａ 第２の電圧検出手段３８ｂ ５枚目 １２００Ｖ ４０２０Ｖ １０枚目 １３３０ ４１００ １５枚目 １５００ ４１３０ ２０枚目 １６５０ ４１６０ ２５枚目 １８００ ４１９０ ３０枚目 １９８０ ４２１０ ３５枚目 ２１００ ４２１５ ４０枚目 ２１５０ ４３００ 上記のようにソースパワーが高い条件では、プラズマ２
２の密度は非常に大きくなっている。ウエハ２６の処理
枚数が増加するにつれて、測定されたバイアス電圧は変
化している。そして、上記結果から、第１の電圧検出手
段３８ａで測定したバイアス電圧の変化はかなり大きい
が、第２の電圧検出手段３８ｂで測定したバイアス電圧
の変化は比較的に小さい。従って、本発明の適用におい
ては、第１の電圧検出手段３８ａによりウエハ２６に近
い部位のバイアス電位、電圧を測定して、その測定値に
基いてソースパワーをフィードバック制御するのがよい
ことが分かる。
２の密度は非常に大きくなっている。ウエハ２６の処理
枚数が増加するにつれて、測定されたバイアス電圧は変
化している。そして、上記結果から、第１の電圧検出手
段３８ａで測定したバイアス電圧の変化はかなり大きい
が、第２の電圧検出手段３８ｂで測定したバイアス電圧
の変化は比較的に小さい。従って、本発明の適用におい
ては、第１の電圧検出手段３８ａによりウエハ２６に近
い部位のバイアス電位、電圧を測定して、その測定値に
基いてソースパワーをフィードバック制御するのがよい
ことが分かる。
【００３６】図８及び図１０の構成についても図８及び
図９の構成と同様の条件で試験を行い、下記の結果が得
られた。この場合にも、第１の電圧検出手段３８ａを使
用した方が好ましい。 処理枚数 第１の電圧検出手段３８ａ 第２の電圧検出手段３８ｂ ５枚目 １２１０Ｖ ４１００Ｖ １０枚目 １３１５ ４１８０ １５枚目 １５０５ ４１５０ ２０枚目 １６３０ ４１３０ ２５枚目 １８１５ ４１９０ ３０枚目 １９７０ ４２２０ ３５枚目 ２１２０ ４２３０ ４０枚目 ２２００ ４４００
図９の構成と同様の条件で試験を行い、下記の結果が得
られた。この場合にも、第１の電圧検出手段３８ａを使
用した方が好ましい。 処理枚数 第１の電圧検出手段３８ａ 第２の電圧検出手段３８ｂ ５枚目 １２１０Ｖ ４１００Ｖ １０枚目 １３１５ ４１８０ １５枚目 １５０５ ４１５０ ２０枚目 １６３０ ４１３０ ２５枚目 １８１５ ４１９０ ３０枚目 １９７０ ４２２０ ３５枚目 ２１２０ ４２３０ ４０枚目 ２２００ ４４００
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ処理による被処理物の処理数量が増加するに従
って処理状態が変動する現象を極力低減し、特にエッチ
ング処理の場合にはエッチングレート及び下地及びマス
ク材の選択比が変動する現象を極力低減し、かつ適切な
ベルジャ洗浄時期を感知することができる。
プラズマ処理による被処理物の処理数量が増加するに従
って処理状態が変動する現象を極力低減し、特にエッチ
ング処理の場合にはエッチングレート及び下地及びマス
ク材の選択比が変動する現象を極力低減し、かつ適切な
ベルジャ洗浄時期を感知することができる。
【図１】本発明の実施例によるプラズマ処理装置を示す
図である。
図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置のベルジャの部分を示
す図である。
す図である。
【図３】プラズマ発生の原理を説明するための等価回路
図である。
図である。
【図４】バイアス回路を示す図である。
【図５】ソースパワーを示す図である。
【図６】バイアス電圧を示す図である。
【図７】図１の実施例において行った試験のエッチング
レート及び選択比を示す図である。
レート及び選択比を示す図である。
【図８】バイアス電圧検出手段の配置の例を示す図であ
る。
る。
【図９】図８の第１の電圧検出手段の具体例を示す図で
ある。
ある。
【図１０】図８の第１の電圧検出手段の他の具体例を示
す図である。
す図である。
１２…処理室 １４…ベルジャ １６…アンテナ １８…プラズマ発生用の高周波電源 ２２…プラズマ ２４…バイアス用の高周波電源 ２８…ステージ ３０…静電チャック ３８…電圧検出手段 ４０…電源制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｌ
Claims (9)
- 【請求項１】 処理室と、該処理室内でプラズマを発生
させるためのプラズマ発生用の電源と、バイアス用の電
源と、バイアス電圧を検出する検出手段と、検出された
バイアス電圧と設定電圧とを比較して、比較した結果に
応じてプラズマ発生用の電源の出力電力を変化させる電
源制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 被処理物がウエハであり、該プラズマ処
理装置がエッチング装置として使用されることを特徴と
する請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 被エッチング材料、マスク材料、及び下
地材料の少なくとも一つが、Ｐｔ， Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｕ
Ｏ， Ｃｕの中から選ばれたものであることを特徴とす
る請求項２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 バイアス電圧を検出する検出手段が該処
理室内で被処理物を保持する保持部材に設けられた電極
からなり、該電極と被処理物とを電気的に接続すること
によりバイアス電圧を検出することを特徴とする請求項
１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 該保持部材は被処理物を載置するステー
ジであり、被処理物を該ステージに載置することで前記
電極と被処理物の裏面との電気的接続が可能としたこと
を特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 該処理室内で被処理物を保持する保持部
材にプローブの通路が設けられ、バイアス電圧を検出す
る検出手段が該プローブの通路に挿入されたプローブか
らなり、該プローブと被処理物とを電気的に接続するこ
とによりバイアス電圧を検出することを特徴とする請求
項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 該保持部材は被処理物を載置するステー
ジであり、被処理物を該ステージに載置することで前記
プローブと被処理物の裏面との電気的接続が可能となる
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 該ステージは静電チャックを含むことを
特徴とする請求項５又は７に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、プラズマ発生用の電源の出力電力の変化をモニタ
ーし、該プラズマ発生用の電源の出力電力と設定値とを
比較し、比較した結果に基づいてプラズマ処理装置の洗
浄時期を管理することを特徴とするプラズマ処理装置の
管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313509A JPH10154697A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | プラズマ処理装置及びその管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313509A JPH10154697A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | プラズマ処理装置及びその管理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154697A true JPH10154697A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18042175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313509A Pending JPH10154697A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | プラズマ処理装置及びその管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154697A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050058082A (ko) * | 2003-12-11 | 2005-06-16 | 동부전자 주식회사 | 식각 장비의 폴리머 측정 시스템 및 그 방법 |
| JP2007115867A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法 |
| JP2007150012A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
| JP2007234869A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
| JP2012044045A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法 |
| CN109731856A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-10 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led支架等离子清洗工序的检测系统 |
| WO2024019004A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御プログラム、情報処理プログラム、制御方法、情報処理方法、プラズマ処理装置、及び情報処理装置 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8313509A patent/JPH10154697A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050058082A (ko) * | 2003-12-11 | 2005-06-16 | 동부전자 주식회사 | 식각 장비의 폴리머 측정 시스템 및 그 방법 |
| JP2007115867A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法 |
| JP2007150012A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
| JP2007234869A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
| JP4657949B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2011-03-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
| JP2012044045A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法 |
| CN109731856A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-10 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led支架等离子清洗工序的检测系统 |
| WO2024019004A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御プログラム、情報処理プログラム、制御方法、情報処理方法、プラズマ処理装置、及び情報処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040304 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040422 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040602 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040625 |