JP2011151055A - 温度測定方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板載置台内部の流路を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】主線101に、当該主線と熱電対を構成する枝線102を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構100を、基板載置台内部に配設された温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において前記温度測定機構により直接測定する。
【選択図】図1
【解決手段】主線101に、当該主線と熱電対を構成する枝線102を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構100を、基板載置台内部に配設された温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において前記温度測定機構により直接測定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、温度測定方法及び基板処理装置に関する。
例えば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板を基板処理装置の処理室内の載置台上に載置し、載置台の内部を流れる温度調整媒体によって基板の温度を調整しながら、基板に所定の処理(例えば、エッチングや成膜。)を施すことが行われている。
このような基板処理装置では、処理中の基板の温度は、微細な処理を実現するための重要な要素の一つであり、例えば、エッチング処理は処理中の温度によって大きく影響を受ける。このため、従来から基板の温度を測定してその温度を調整する各種の技術が提案されている。例えば、熱電対によって直接半導体ウエハの温度を測定し、載置台に所定温度の温度調整媒体を循環させる温調機構にフィードバックして温調を行う技術が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
上述したとおり、従来から基板の温度を測定してその温度を調整する各種の技術が提案されている。しかしながら、従来の技術は、例えば熱電対による定点測定であり、複数箇所の温度を測定する場合であっても、他の構造物による制約もあるため温度測定できる位置が限られてしまい、多点の温度を連続して正確に測定することが困難であるという問題があった。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、載置台中を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供しようとするものである。
本発明に係る温度測定方法は、基板処理装置の処理室内に設けられ、かつ、内部に温度調整媒体が循環される載置台に、基板を載置して所定の処理を施す基板処理装置の前記温度調整媒体の温度を測定する温度測定方法であって、主線に、当該主線と熱電対を構成する枝線を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構を、前記温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において直接前記温度測定機構により測定することを特徴とする。
本発明に係る基板処理装置は、処理室と、前記処理室内に設けられ、かつ、内部に温度調整媒体が循環される載置台とを具備し、前記載置台に基板を載置して所定の処理を施す基板処理装置であって、主線に、当該主線と熱電対を構成する枝線を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構を、前記温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において直接前記温度測定機構により測定するよう構成されたことを特徴とする。
本発明によれば、載置台中を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供することができる。
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に用いる温度測定機構の構成を模式的に示すものである。この温度測定機構100は、主線101に、主線101と熱電対を構成する枝線102を、間隔を設けて複数溶接して構成されており、全体が曲折できるように構成されている。この主線101としては、例えばクロメル線等を用いることができ、枝線102としては、例えばアルメル線等を用いることができる。
上記の主線101及び枝線102の表面は、例えば、樹脂膜等によって絶縁されている。また、隣接する枝線102同士の間隔は、必要とされる温度計測部位間の距離によって設定する。枝線102の線の数は、例えば5〜10程度とすることが好ましく、温度測定機構100の全体の長さは50〜100cm程度とすることが好ましい。図1に示す例では、主線101に枝線102が5本溶接されており、T−1〜T−5の5点の温度を連続的に検出できるようになっている。
本実施形態では、上記構成の温度測定機構100を、後述する基板処理装置の載置台内に設けられた温度調整媒体の流路内に挿入し、この流路内を循環する温度調整媒体の温度を複数箇所において直接測定する。これによって、載置台の流路内を循環する温度調整媒体の温度を複数箇所において連続的に測定することができる。
次に、図2を参照して基板処理装置としてのプラズマエッチング装置200の構成について説明する。プラズマエッチング装置200は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー(処理容器)2を有しており、この処理チャンバー2は接地されている。
処理チャンバー2内の底部にはセラミックスなどの絶縁板3を介して、半導体ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4aが設けられている。さらに、このサセプタ支持台4aの上には、下部電極を兼ねたサセプタ4bが設けられている。このサセプタ4bには、ハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。これらのサセプタ支持台4a及びサセプタ4bによって載置台4が構成されている。
サセプタ支持台4aの内部には、温度調整媒体流路7a,7bが設けられている。図3にも示すように、温度調整媒体流路7aは、サセプタ支持台4aの内周側に設けられ、スパイラル状に多重に形成されている。また、温度調整媒体流路7bは、サセプタ支持台4aの外周部に略一周に亘って設けられている。
温度調整媒体流路7aには、温度調整媒体が導入管8aを介して導入されて循環し排出管9aから排出される。また、温度調整媒体流路7bには、温度調整媒体が導入管8bを介して導入されて循環し排出管9bから排出される。そして、温度調整媒体の冷熱がサセプタ4bを介して半導体ウエハWに対して伝熱され、これにより半導体ウエハWが所望の温度に制御される。本実施形態では、これらの温度調整媒体流路7a,7b内に沿って温度測定機構100を挿入、配置して温度調整媒体の温度を直接、かつ連続的に多点で測定する。
この温度調整媒体流路7a,7b内への温度測定機構100への挿入、配置は、例えば、温度調整媒体流路7a,7bに、温度調整媒体の流れ方向上流側から斜めに挿入するY型配管を設け、ここから温度測定機構100を挿入する方法等を用いることができる。これによって、温度調整媒体の流れに与える影響を最小限にしつつ温度調整媒体流路7a,7b内へ温度測定機構100を挿入することができる。そして、このY型配管の導入部に熱電対用コネクタ等を設け、外部から密封された構造とする。
温度調整媒体流路7a,7b内には、処理チャンバー2から離間された場所(例えば、配管長が10m程度となる場所)に配設されたチラー5a,5bから、所定温度に温度制御された温度調整媒体(例えば、ブライン等)が循環される。したがって、チラー5a,5bから流出した温度調整媒体の温度は、長い流路内を流れていくうちに変化し、載置台4内の温度調整媒体流路7a,7b内の各部において、どのような温度となっているかを検知することは従来困難であった。また、温度調整媒体は、高流量で、圧力をかけた状態で複雑な経路となっている温度調整媒体流路7a,7b内を流れている。このため、キャビテーション等を起こし、温度調整媒体流路7a,7b内に温度調整媒体が存在しない空洞部が形成されて、熱の伝達が妨げられている箇所が存在する可能性もある。しかしながら、従来は、このような箇所を見つけることも困難であった。
これに対して、本実施形態では、温度測定機構100によって、温度調整媒体流路7a,7b内の温度調整媒体の温度を、直接連続的に測定することができる。そして、この温度測定結果に基づいて、チラー5a,5bにおける温度調整媒体の設定温度、流量等を制御することにより、載置台4上に載置された半導体ウエハWの温度を精度よく所定温度に制御することができる。
この場合、載置台4上に載置された半導体ウエハWの温度を、例えば放射温度計等で検出し、予め温度調整媒体流路7a,7b内の温度調整媒体の温度と、半導体ウエハWの温度との相関関係を求めておけば、温度調整媒体の温度を検出することによって、半導体ウエハWの温度を知ることができる。そして、温度測定機構100により測定した温度調整媒体の温度と、載置台4上に載置された半導体ウエハWの温度との相関関係を示すデータを後述する制御部60の記憶部63に記憶し、この記憶部63に記憶された相関関係を示すデータと、温度測定機構100による温度検出結果とに基づき、後述する制御部60のプロセスコントローラ61によって、チラー5a,5bの温度調整媒体の温度や流量等を制御することにより、半導体ウエハWの温度を所定温度に調整することができる。
サセプタ4bは、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハWと略同じ径の円形状とされた静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12を配置して構成されている。そして、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハWを静電吸着する。
絶縁板3、サセプタ支持台4a、サセプタ4b、静電チャック11には、半導体ウエハWの裏面に、伝熱媒体(例えばHeガス等)を供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ4bの冷熱が半導体ウエハWに伝達され半導体ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。
サセプタ4bの上端周縁部には、静電チャック11上に載置された半導体ウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
サセプタ4bの上方には、このサセプタ4bと平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、処理チャンバー2の上部に支持されている。上部電極21は、電極板24と、この電極板24を支持する導電性材料からなる電極支持体25とによって構成されている。電極板24は、例えば、SiやSiC等の導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔23を有する。この電極板24は、サセプタ4bとの対向面を形成する。
上部電極21における電極支持体25の中央にはガス導入口26が設けられ、このガス導入口26には、ガス供給管27が接続されている。さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続されている。処理ガス供給源30から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガスが供給される。
処理チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー2の側壁にはゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開いた状態で、半導体ウエハWを隣接するロードロックチャンバとの間で搬送する。
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、27〜150MHzの範囲の周波数を有している。このように高い周波数の高周波電力を印加することにより処理チャンバー2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
下部電極としてのサセプタ4bには、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は、第1の高周波電源40より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数の高周波電力を印加することにより、被処理基板である半導体ウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は、例えば1〜20MHzの範囲が好ましい。
上記構成のプラズマエッチング装置200は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置200の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインターフェース部62と、記憶部63とが設けられている。
ユーザインターフェース部62は、工程管理者がプラズマエッチング装置200を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部63には、プラズマエッチング装置200で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記憶されたレシピ及び前述した温度測定機構100により測定した温度調整媒体の温度と、載置台4上に載置された半導体ウエハWの温度との相関関係を示すテーブル等のデータが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置200での所望の処理が行われる。この場合、前述したとおり、上記のテーブル等のデータと、温度測定機構100からの温度検出信号に基づいて、チラー5a,5bにおける温度調整媒体の温度、流量等も制御され、載置台4上の半導体ウエハWの温度が所定温度に調整される。なお、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体(例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等)などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
上記構成の基板処理装置200によって、半導体ウエハWのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハWは、ゲートバルブ32が開放された後、図示しないロードロックチャンバから処理チャンバー2内へと搬入され、静電チャック11上に載置される。そして、直流電源13から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハWが静電チャック11上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ32が閉じられ、排気装置35によって、処理チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。
その後、バルブ28が開放されて、処理ガス供給源30から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ29によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26を通って上部電極21の中空部へと導入され、さらに電極板24の吐出孔23を通って、図2の矢印に示すように、半導体ウエハWに対して均一に吐出される。
そして、処理チャンバー2内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第1の高周波電源40から所定の周波数の高周波電力が上部電極21に印加される。これにより、上部電極21と下部電極としてのサセプタ4bとの間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
他方、第2の高周波電源50から、上記の第1の高周波電源40より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ4bに印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ4b側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー2内から搬出される。
以上、本発明を一実施形態について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上記の実施形態では、本発明を、プラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、他の基板処理装置、例えば、CVD装置等の成膜装置についても、同様にして適用することができる。また、上記実施形態では、温度調整媒体によって冷却する場合について説明したが、温度調整媒体によって加熱する場合についても同様にして適用することができる。
さらに、上記実施形態では、載置台中の流路の温度調整媒体の温度を測定する場合について説明したが、例えば、チラーと基板処理装置を繋ぐ配管内の温度調整媒体の温度を測定する場合や、チラー内部の所定領域の温度調整媒体の温度を測定する場合についても同様にして適用することができる。さらにまた、上記実施形態では、直線状で曲折可能とした温度測定機構を用いた場合について説明したが、予めループ状等の所定形状に形成した温度測定機構等も用いることができる。
100……温度測定機構、101……主線、102……枝線。
Claims (5)
- 基板処理装置の処理室内に設けられ、かつ、内部に温度調整媒体が循環される載置台に、基板を載置して所定の処理を施す基板処理装置の前記温度調整媒体の温度を測定する温度測定方法であって、
主線に、当該主線と熱電対を構成する枝線を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構を、前記温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において直接前記温度測定機構により測定する
ことを特徴とする温度測定方法。 - 請求項1記載の温度測定方法であって、
前記主線がクロメル線からなり、前記枝線がアルメル線からなることを特徴とする温度測定方法。 - 処理室と、
前記処理室内に設けられ、かつ、内部に温度調整媒体が循環される載置台とを具備し、
前記載置台に基板を載置して所定の処理を施す基板処理装置であって、
主線に、当該主線と熱電対を構成する枝線を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構を、前記温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において直接前記温度測定機構により測定するよう構成された
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置であって、
前記主線がクロメル線からなり、前記枝線がアルメル線からなることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3又は4記載の基板処理装置であって、
前記温度測定機構により測定した前記温度調整媒体の温度と、前記温度測定機構とは異なる他の温度測定手段により測定した前記載置台上に載置した基板の温度との相関関係を示すデータ記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記相関関係を示すデータに基づいて前記温度調整媒体の温度を制御して前記基板の温度を所定温度に維持する制御手段と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
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