JP5859792B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
始めに、図1を参照し、本実施形態に係るプラズマエッチング方法の実施に好適なプラズマエッチング装置について説明する。
次に、図2を参照しながらシャワーヘッド140について説明する。図示のとおり、シャワーヘッド140は、エッチングガス等のガスをウエハWに供給する多数のガス噴出孔h(ha〜hd)を有する円形状の電極板141(上部電極120)と、電極板141の上面側を着脱自在に支持する電極支持体142を備えている。電極支持体142は、電極板141の外径と等しい外径を有する円盤形状を有し、電極支持体142の内側に円形状のバッファ室143が形成されている。
また、図2(b)に示すように、領域143a〜143dの夫々は、ガス供給装置150と接続され、これによりガス供給装置150から各領域143a〜143dに対してエッチングガスが供給される。各領域143a〜143dに供給されたエッチングガスは、対応するガス噴出孔hから、サセプタ105に支持されるウエハWに向かって噴出される。
第1の集合バルブ300の下流側において、分岐管170a、170b、170c、及び170dに対応した配管が配管170に合流し、配管170は、シャワーヘッド104のセンタ領域140aに連通している(図2(b)参照)。また、第1の集合バルブ300の下流側において、分岐管171a、171b、171c、及び171dに対応した配管が配管171に合流し、配管171は、シャワーヘッド104の中間領域143bに連通している(図2(b)参照)。同様に、第1の集合バルブ300の下流側において、分岐管172a、172b、172c、及び172dに対応した配管が配管172に合流し、配管172は、シャワーヘッド104の周縁領域143cに連通している(図2(b)参照)。さらに、第1の集合バルブ300の下流側において、分岐管173a、173b、173c、及び173dに対応した配管が配管173に合流し、配管173は、シャワーヘッド104の最外縁領域143dに連通している(図2(b)参照)。
次に、プラズマエッチング装置100におけるエッチングガス供給制御について説明する。
シャワーヘッド140のガス噴出孔hから、シャワーヘッド140とサセプタ105との間の空間にエッチングガスが供給されると、エッチングガスは、排気管131を通して排気装置135により吸引され、サセプタ105の外周に向かって広がっていく。このとき、エッチングガス成分(例えば、ラジカル)の濃度分布は、エッチングガスが「拡散」と「流れ」のいずれに支配されて輸送されるかにより異なる。「拡散」と「流れ」のいずれかにどの程度依存しているかを定性的に示す、無次元数としてペクレ数(Pe)が知られている。ペクレ数は下記の式(1)で表される。
ここで、u:ガスの流速(m/s)
DAB:ガス種の相互拡散係数
L:代表長さ(m)
ペクレ数Peが1より小さい場合、主に「拡散」によりガスが輸送され、ペクレ数Peが1以上の場合、主に「流れ」によりガスが輸送される。
図4(a)から、ウエハの中心から径が86mmに位置でペクレ数Peが1となり、これを境に「拡散」が支配的である領域(0mmから86mmまでの領域)と「流れ」が支配的である領域(86mmから150mmまでの領域)とに区分されることがわかる。ただし、「拡散」が支配的である領域と「流れ」が支配的である領域とがペクレ数Pe=1を境に明りょうに区別される分けではなく、ペクレ数Peが例えば0.7から1.3までの範囲においては、過渡的な領域となっていると考えられる。
エッチングのために生成されるプラズマ中にはイオン(荷電粒子)とラジカル(中性粒子)とが含まれている。イオンは、例えばサセプタに印加されるバイアス電圧により加速され、上部電極120とサセプタ105との間の空間のギャップGが十分に大きい場合、サセプタに対して直交する方向に沿って、サセプタ上に載置されるエッチング対象膜に照射される。一方、ラジカルは、バイアス電圧によって加速されることはなく、濃度勾配により拡散しながらエッチング対象膜に吸着する。そして、エッチング対象膜の表面(ビアホールやトレンチがある場合は、これらの内表面も含む)から反応副生成物が離脱することにより、エッチングが進行する。これらを考慮すると、エッチング対象膜の深さ方向のエッチングレートERvは、以下の式(3)で表すことができる。
105 サセプタ(支持部)
106 温度分布調整部
120 上部電極
122 ベローズ
130 調節部
140 シャワーヘッド
143 バッファ室
145 環状隔壁部材
150 ガス供給装置
190 装置制御部
200 上部電極駆動部
Claims (3)
- エッチング処理対象である基板へ供給されるエッチングガスの供給量を調節する供給量調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記基板の半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記載置台と平行に対向して設けられる電極板及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、
前記温度調整部により前記基板の温度を第1の温度に前記基板面内で均一に制御する工程と、
前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給量調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程と
を含み、
前記供給量調整部は、前記載置台の上方に設けられ、前記載置台の径方向中心側の部分にエッチングガスを供給する第1の供給部と、前記中心側の部分よりも前記載置台の径方向外周側の部分にエッチングガスを供給する第2の供給部と
を有し、
前記調整する工程において、前記第2の供給部によりエッチングガスが供給される領域における、エッチングガスの流速をuとし、エッチングガスの拡散係数をDとし、前記載置台と前記電極板との間隔をLとしたときに、
前記供給量調整部は、エッチングガスが供給される前記領域におけるuL/Dにより演算されるペクレ数が1より小さいか否かに応じてエッチングガスの供給量を調整する、
プラズマエッチング方法。 - エッチング処理対象である基板へ供給されるエッチングガスの供給量を調節する供給量調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記基板の半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記載置台と平行に対向して設けられる電極板及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、
前記温度調整部により前記基板の温度を第1の温度に前記基板面内で均一に制御する工程と、
前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給量調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程と
を含み、
前記供給量調整部が、前記載置台の上方に設けられ、前記載置台の径方向中心側の部分にエッチングガスを供給する第1の供給部と、前記中心側の部分よりも前記載置台の径方向外周側の部分にエッチングガスを供給する第2の供給部と、
を有し、
前記調整する工程において、前記第2の供給部によりエッチングガスが供給される領域の活性種濃度分布において、前記供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的であるなら、前記供給量調整部により、前記第2の供給部により供給されるエッチングガスの供給量が調整され、
前記第2の供給部よりエッチングガスが供給される前記領域の活性種濃度分布において、前記供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的であるなら、前記供給量調整部は、前記第1の供給部により供給されるエッチングガスの供給量が調整される、
プラズマエッチング方法。 - 前記エッチングガスを変更する工程と、
前記エッチングガスの変更に合わせて前記温度調整部により前記基板の温度を第1の温度と異なる第2の温度に前記基板面内で均一に制御する工程と
を更に含む、請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法。
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