JP4990636B2 - 搬送トレーを用いた真空処理装置 - Google Patents

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本発明は、真空中で所定の処理を実施するCVD、スパッタリング装置やエッチング装置などの真空処理装置に搬送自在な搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置に関する。
CVD装置、スパッタリング装置やエッチング装置などの真空処理装置では、被処理基板の温度がCVDやエッチングなどの各処理の速度などに大きな影響を与えることから、被処理基板をその全面に亘って略均一な温度に制御することが必要になる。このため、真空処理装置の処理室内に、被処理基板の載置を可能とするホルダ(保持台)を設け、加熱手段を内蔵したホルダの基板載置面に、被処理基板裏面との間で所定の空間を置いて被処理基板を載置できる凹部を形成し、この空間にヘリウムガスなどの冷却ガスを循環させ、被処理基板の加熱と冷却による被処理基板の温度制御ができるように構成したものが知られている(特許文献1)。
他方で、上記真空処理装置では、生産性を高めるべく複数枚の被処理基板を処理室に同時搬送して処理したり、または、装置構成を変更することなく外形寸法の異なる被処理基板に対し同一の処理を行うために、複数枚の被処理基板を保持できる搬送トレーを用いることが一般に知られている。この場合、被処理基板の温度制御は搬送トレーを介して行われることになる。この搬送トレーを用いると、ホルダに対する搬送トレーの接触や搬送トレーに対する被処理基板の接触が不十分になり易く、両者の相互間に微小な隙間が生じる虞がある。この場合、この隙間を介した真空中の熱伝達量は大気中に比べて小さいため、ホルダと搬送トレーや搬送トレーと被処理基板の間で熱伝達率が悪く、その結果、被処理基板の温度制御の精度や効率が悪くなり易い。
このことから、真空処理装置に用いられる搬送トレーに、被処理基板の被処理面とは反対側の面を臨む空間に閉空間を形成する閉空間用凹部を形成すると共に、被処理基板の処理に影響が無い範囲内で、この閉空間内の圧力を被処理基板の被処理面を臨む空間の真空圧力より高くするよう閉空間内に、被処理基板の冷却ガスを兼用するヘリウムガスなどの昇圧用ガスを導入するガス導入路を設けることが知られている(特許文献2参照)。
特開平5−13350号公報(例えば、従来技術の欄参照) 特開2002−43404号公報(例えば、図1参照)
しかしながら、上記のものでは、ホルダの基板載置面に段付きの凹部を形成し、この凹部に被処理基板を落とし込んでセットし、押し付け具によって、凹部の上方から被処理基板をその全周に亘って押圧力を加えているだけなので、導入した冷却ガスが被処理基板の外周部から漏れ出す。つまり、冷却を兼ねる昇圧用ガスの漏れ対策がなされていなかった。このため、昇圧用ガスを導入すると、被処理基板の外周部から漏れ出すことで、昇圧用ガスは、中心から外周へ向けて徐々に低下するように分布し、その外周部に向かうに従い冷却効率が低下する。その結果、搬送トレーを介した被処理基板の冷却が一様にならなず、被処理基板の温度制御の精度を改善できないという問題がある。
そこで、本発明の目的は、上記点に鑑み、搬送トレーで保持した被処理基板をその全面に亘って精度よく略均一に温度制御できるようにした真空処理装置用の搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1記載の真空処理装置は、複数枚の被処理基板がセットされた搬送トレーを、当該搬送トレーをその上面で保持するホルダを備えた処理室に搬送し、真空中で被処理基板に対し所定の処理を実施する真空処理装置であって、前記搬送トレーは、その基板載置面に被処理基板の外形に対応した凹形成され、この凹部の底面の外周に沿って配置した環状の第1シール手段と、凹部に落とし込むことで設置される被処理基板の外周面を第1シール手段に対して押圧する押圧手段と、各凹部に夫々通じる少なくとも本のガス通路とが設けられ、第1シール手段で支持されることで被処理基板の裏側に画成された空間に一方のガス通路を介して冷却ガス供給し、他のガス通路を介して冷却ガスを排出できるようにしたものであり、前記ホルダに、当該ホルダで搬送トレーを保持したときに、搬送トレーに形成した一方のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス供給路と、他のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス排出路とを設けると共に、一方のガス通路とガス供給路との周囲及び他のガス通路とガス排出路との周囲を囲う第2シール手段を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、搬送トレーに形成した凹部に被処理基板を落とし込んで搬送トレーに被処理基板を設置する。この場合、被処理基板は、凹部内でシール手段によって支持されることで、被処理基板の裏側には所定容積の空間が画成される。次いで、被処理基板の処理面側から押圧手段を取付ける。この場合、被処理基板の外周部がその全周に亘ってシール手段に対して押圧されることで、上記空間は密閉される。これにより、搬送トレーに形成したガス通路を介して、ヘリウムガスなどの冷却ガスを導入しても、上記空間に供給された冷却ガスが被処理基板の外周部から漏れ出すことが防止される。また、搬送トレーは、各凹部に夫々通じる少なくとも2本のガス通路が設けられ、ホルダに、ホルダで搬送トレーを保持したときに、搬送トレーに形成した一方のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス供給路と、他のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス排出路とを設けることにより、上記空間内で冷却ガスが循環する。更に、一方のガス通路とガス供給路との周囲及び他のガス通路とガス排出路との周囲を囲う第2シール手段によって、一方のガス通路とガス供給路との周囲及び他のガス通路とガス排出路との周囲から冷却ガスが漏れ出すことが防止される。その結果、局所的に冷却効率が低下することなく、被処理基板裏面(処理面の背面)を一様に冷却でき、被処理基板の温度制御の精度や効率を高めることができる。
この場合、前記ホルダに、搬送トレーの加熱を可能とする加熱手段を設けることが好ましい。
尚、前記ホルダは、静電気によって搬送トレーを吸着する静電チャック用の電極を有するものであれば、静電チャックによってホルダに搬送トレーがその全面に亘って一様な力で吸着されるため、ホルダと搬送トレーとの間で熱伝達率が悪くなることはない。
以上説明したように、本発明の搬送トレーを用いた真空処理装置は、搬送トレーを介して被処理基板に所定の処理を行う場合に、被処理基板をその全面に亘って精度よく略均一に温度制御できるという効果を奏する。
図1及び図2を参照して説明すれば、1は、CVD装置、スパッタリング装置やエッチング装置などの真空処理装置に用いられる本発明の搬送トレーである。搬送トレー1は、例えば真空処理装置の処理室に設けられ、この搬送トレー1が載置されるホルダ(図示せず)の上面形状に略一致させて形成され、所定の板厚を有する円板から構成される。搬送トレー1は、真空処理装置の処理室内で実施される処理に応じて、熱伝導が良く、その処理に影響を与えない材料から適宜選択され、例えば、酸化シリコン、ステンレスやアルミニウム等の材料から形成される。
搬送トレー1の上面(被処理基板の処理面S1側)である基板載置面には、生産性を高めるべく複数枚の被処理基板Sを処理室内に同時搬送して処理できるように、平面視で円形の上面には、例えば同形状の6個の凹部11が同一円周上に位置させて形成されている。凹部11の開口面の形状は、被処理基板Sの形状に略一致させて形成され、凹部11に、被処理基板Sの処理面S1が凹部11と背向するように被処理基板Sを落とし込むことで、搬送トレー1に被処理基板Sが設置できるようになっている。
ところで、搬送トレー1によって被処理基板Sを真空処理装置の処理室に搬送し、処理室内でCVDやエッチングなどの各処理を行う場合、被処理基板Sの温度が各処理の速度などに大きな影響を与えることから、被処理基板Sをその全面に亘って略均一な温度に制御することが必要になる。この場合、被処理基板Sを冷却できるように、被処理基板S裏面との間で所定の空間を置いて被処理基板Sを設置できるようにし、この空間に、ヘリウムガスなどの冷却ガスを供給し、被処理基板Sを冷却できるようにすることが考えられるが、導入した冷却ガスが被処理基板Sの外周部から処理室内に漏れ出したのでは、被処理基板Sの温度制御の精度が悪くなる場合がある。
そこで、本実施の形態では、各凹部11の底面11aの外周に沿って環状のシール手段2を設けると共に、被処理基板Sの外周面をシール手段に対して押圧する押圧手段3を着雑自在に設けることとした。シール手段2は、テフロン(登録商標)などの樹脂や金属等、好ましくは耐熱性を有する材料から構成され、凹部11に被処理基板Sを落とし込むと、シール手段2によって被処理基板Sがその外周で支持され、被処理基板S裏面に空間11bが画成されるように設けられている。
押圧手段3は、被処理基板Sが臨む中央開口31が形成された所定厚さの円板であり、搬送トレー1と同様に、真空処理装置の処理室内で実施される処理に応じてその材質が適宜選択される。この場合、押圧手段3には複数個の貫通孔(図示せず)が形成され、この貫通孔を介して、搬送トレー1の凹部11の外周に形成したねじ孔にボルトBを螺着することで押圧手段3は取付けられる。尚、凹部11の深さは、押圧手段3によって被処理基板Sの外周に押圧力を加えたとき、被処理基板Sの外周部がシール手段2とその全周に亘って当接するように設定される。これにより、凹部11に被処理基板を設置した状態で押圧手段3を取付けると、空間11bが密閉される。この場合、押圧手段3がその全周に亘って被処理基板Sの外周部と面接触していることで、搬送トレー1を加熱して被処理基板Sを加熱すると、被処理基板Sが略均等に加熱できる。
また、搬送トレー1には、その裏面側から空間11bに連通する2本のガス通路12a、12bが開設されている。これにより、このガス通路12a、12bを介してヘリウムガスなどの冷却ガスを導入しても、空間11bに供給された冷却ガスが被処理基板Sの外周部から漏れ出すことが防止され、その結果、局所的に冷却効率が低下することなく、被処理基板Sを一様に冷却でき、被処理基板Sが略均等に加熱できることと相俟って、被処理基板Sの温度制御精度を高めることができる。この場合、一方のガス通路12aに冷却ガスを供給し、他方のガス通路12bから冷却ガスを排気するようにして、空間11b内で冷却ガスが循環するようにしてもよい。
次に、図3乃至図5を参照して、本発明の搬送トレー1が用いられる真空処理装置10を説明する。真空処理装置10は、例えば、公知の構造を有する放電分離型のドライエッチング装置であり、ドライエッチング装置10は、ターボ分子ポンプ、ロータリポンプなどの真空排気手段101を設けた真空チャンバ100を有し、所定の真空圧に保持可能な処理室100aを形成する。処理室100aにはまた、プラズマ処理装置4が連結されている。
プラズマ処理装置4は、公知の構造を有し、誘電体から構成される筒状の放電管41と、放電管41と、この放電管41に直交する方向で連結されたマイクロ波導波管42とから構成され、マイクロ波導波管42の一端に接続されたマイクロ波電源42aを介して所定の周波数のマイクロ波が導入できるようになっている。
そして、ガス源43から、処理室13内で行われるドライエッチング処理に応じて適宜選択されるCF、NF、Ar、Oなどのプロセスガスを、選択的にまたは混合した状態で放電管41に供給し、放電管41の上流側から下流側に向かって一定の流量で流れるプロセスガスに、マイクロ波電源42aを作動させて放電管41に所定の周波数のマイクロ波を照射すると、放電管41とマイクロ波導波管42との交差した領域でプロセスガスが励起されてプラズマ化し、導電体製のガス導入管44によって処理室100aに導き、後述するホルダに載置した搬送トレー1上の被処理基板Sがエッチングされる。
処理室100a内に設けたホルダ110は、略円筒形状であり、絶縁体111を介して処理室100aの床面に設置されている。ホルダ110の上面110aは、搬送トレー1の外形に略一致させて形成され、搬送トレー載置面を形成する。この場合、例えば、搬送トレー載置面110aにその上方に向かって突出するピンを複数設けておき、搬送トレー1の裏面にこのピンが係合する孔を設け、公知の多間接式ロボットによって搬送トレー1を処理室110aに搬送し、ホルダ110に載置する際、搬送トレー1が位置決めして載置できることが好ましい。
搬送トレー載置面110aには、静電気によって搬送トレー1を吸着する公知の構造の静電チャック用の電極112が設けられている。また、ホルダ110には、例えば抵抗加熱式のヒータ(図示せず)が内蔵され、エッチング処理の際に、搬送トレー1を加熱することで、搬送トレー1に設置した被処理基板Sが加熱できるようになっている。この場合、静電チャックによって搬送トレー載置面110aに搬送トレー1がその全面に亘って一様な力で吸着されるため、ホルダ110と搬送トレー1との間で局所的に熱伝達率が悪くなることが防止できる。
また、搬送トレー載置面110aには、この搬送トレー載置面110aに搬送トレー1を位置決めして載置したとき、搬送トレー1の各ガス通路の下端と上下方向で一致するように2本の環状溝113a,113bが形成され、各環状溝113a,113bは、ホルダ110の下面から上面まで延びる2本の貫通孔114a、114bにそれぞれ連通し、各環状溝113a、113b及び貫通孔114a、114bがガス供給路を形成する。各環状溝113a、113bの周囲を囲うようにOリングや環状のメタルシールなどのシール手段115が設けられ、このシール手段115によって、静電気によって搬送トレー1を吸着すると、各環状溝112から周囲に冷却ガスが漏れ出さないようになっている。
そして、各貫通孔114a、114bの下端部に、一端がヘリウムガスなどの冷却ガスのガス源116に連結されたガス管116aを接続することで、ガス管116に介設したマスフローコントローラ(図示せず)によって一定の流量で冷却ガスを、貫通孔114a、114b及び環状溝113a、113bを経たガス通路12a12bを介して、被処理基板Sを設置することでそれぞれ形成された空間11bに冷却ガスを供給できる。この場合、図3に示すように、一方の貫通孔113aに冷却ガスを供給し、他方のガス通路113bを、ロータリポンプなどの他の真空排気手段117に接続し、真空排気手段117よって冷却ガスを排気するようにして、空間11b内で冷却ガスが循環するようにしてもよい。これにより、ホルダ110に当接させた熱電対(図示せず)で温度測定しながら、加熱手段の作動と冷却ガスの循環とを制御することで、被処理基板Sを高い精度で温度制御できる。
尚、本実施の形態では、放電分離型のドライエッチング装置10を例として説明したが、真空処理装置は、これに限定されるものではく、被処理基板Sの温度制御が必要な真空処置装置であれば、本発明を適用できる。また、搬送トレー1として、複数枚の被処理基板を処理室に搬送して同時処理できるものについて説明したが、これに限定されるものではなく、装置構成を変更することなく外形寸法の異なる被処理基板に対し同一の処理をするように構成した搬送トレーにも本発明を適用できる。
本発明の搬送トレーを説明する平面図。 図1に示す搬送トレーのII−II線に沿った断面図。 本発明の搬送トレーを用いる放電分離型のドライエッチング装置を説明する図。 ホルダの搬送トレー載置面の構成を説明する平面図。 ホルダでの搬送トレーの保持を説明する断面図。
符号の説明
1 搬送トレー
11 凹部
11b 空間
12a、12b ガス通路
2 シール手段
3 押圧手段

Claims (3)

  1. 複数枚の被処理基板がセットされた搬送トレーを、当該搬送トレーをその上面で保持するホルダを備えた処理室に搬送し、真空中で被処理基板に対し所定の処理を実施する真空処理装置であって、
    前記搬送トレーは、その基板載置面に被処理基板の外形に対応した凹形成され、この凹部の底面の外周に沿って配置した環状の第1シール手段と、凹部に落とし込むことで設置される被処理基板の外周面を第1シール手段に対して押圧する押圧手段と、各凹部に夫々通じる少なくとも本のガス通路とが設けられ、第1シール手段で支持されることで被処理基板の裏側に画成された空間に一方のガス通路を介して冷却ガス供給し、他のガス通路を介して冷却ガスを排出できるようにしたものであり、
    前記ホルダに、当該ホルダで搬送トレーを保持したときに、搬送トレーに形成した一方のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス供給路と、他のガス通路に夫々連通する上下方向にのびるガス排出路とを設けると共に、一方のガス通路とガス供給路との周囲及び他のガス通路とガス排出路との周囲を囲う第2シール手段を更に備えることを特徴とする真空処理装置。
  2. 前記ホルダに、搬送トレーの加熱を可能とする加熱手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
  3. 前記ホルダは、静電気によって搬送トレーを吸着する静電チャック用の電極を有することを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5002505B2 (ja) * 2008-03-26 2012-08-15 株式会社アルバック 搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置
JP2010098012A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Ulvac Japan Ltd エッチング装置及びエッチング方法
JP5264403B2 (ja) * 2008-10-14 2013-08-14 株式会社アルバック プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法
JP2010177267A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Ulvac Japan Ltd 搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置
WO2011155987A1 (en) 2010-06-08 2011-12-15 Axcelis Technologies Inc. Heated annulus chuck
JP5873251B2 (ja) * 2011-04-28 2016-03-01 キヤノンアネルバ株式会社 基板トレイ及び該トレイを用いた基板処理装置
JP5866595B2 (ja) * 2011-06-14 2016-02-17 サムコ株式会社 プラズマ処理装置用トレイ及びプラズマ処理装置
CN102856426A (zh) * 2011-07-01 2013-01-02 刘莹 一种在移动电子产品壳体上制备补偿电路的方法
JP6007039B2 (ja) * 2012-09-18 2016-10-12 株式会社アルバック 搬送トレー及び基板保持方法
JP5595549B2 (ja) * 2013-03-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
KR101415181B1 (ko) 2013-08-19 2014-07-04 주식회사 신성에프에이 웨이퍼 접합 시스템용 웨이퍼 척
KR102080763B1 (ko) * 2014-01-24 2020-04-14 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이
JP6284996B1 (ja) * 2016-11-04 2018-02-28 Towa株式会社 検査方法、樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止品の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112448A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Hitachi Ltd 真空加工装置およびこれに用いられるホルダ
JP4414072B2 (ja) * 2000-07-27 2010-02-10 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置用トレー及び真空処理装置
JP4878109B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法

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