TW202201529A - 配管系統及處理裝置 - Google Patents

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山岸幸司
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明抑制因隔熱材彼此之接觸引起之冷凝之發生。 本發明之配管系統具有：複數個配管，其等分別由隔熱材被覆，內部供流通冷卻介質；及傳熱構件，其配置於相鄰之配管之2個隔熱材之間；且傳熱構件具有：接觸部，其與2個隔熱材接觸；及受熱部，其形成有與配管之外部大氣接觸之受熱面，將於受熱面接收到之來自外部大氣之熱傳遞至接觸部。

Description

配管系統及處理裝置
本發明係關於一種配管系統及處理裝置。
於使用電漿對半導體晶圓等被處理體進行特定之處理之處理裝置中，要將被處理體控制為特定之溫度。被處理體由於會被電漿加熱，因此為了於使用電漿之製程中，令被處理體之溫度維持在特定之溫度，重要的是將被處理體冷卻。例如，藉由使溫度低於室溫之冷卻介質於載置有被處理體之載置台之內部流通，而經由載置台使被處理體冷卻。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-207840號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種可抑制因隔熱材彼此之接觸引起之冷凝之發生的技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之配管系統具有：複數個配管，其等分別由隔熱材被覆，內部供流通冷卻介質；及傳熱構件，其配置於相鄰之上述配管之2個上述隔熱材之間；且上述傳熱構件具有：接觸部，其與2個上述隔熱材接觸；及受熱部，其形成有與上述配管之外部大氣接觸之受熱面，將於上述受熱面接收到之來自上述外部大氣之熱傳遞至上述接觸部。 [發明之效果]
根據本發明，發揮可抑制因隔熱材彼此之接觸引起之冷凝之發生的效果。
以下，參照圖式對本案所揭示之配管系統及處理裝置之實施方式進行詳細說明。再者，各圖式中，對相同或相當之部分附上相同符號。又，所揭示之處理裝置不受本實施方式限定。
且說，於藉由冷卻介質對載置台上之被處理體之溫度進行控制之情形時，使用複數個配管，該等複數個配管供冷卻介質於控制冷卻介質之溫度之溫度控制裝置(例如，冷卻器)與載置台之間流動。並且，為了防止冷凝之發生，複數個配管分別由隔熱材被覆。處理裝置中，於使用分別由隔熱材被覆之複數個配管之情形時，相鄰之配管之隔熱材彼此接觸時，隔熱材彼此之接觸部分不會被傳遞來自外部大氣之熱，而是由冷卻介質將熱帶走。其結果，隔熱材彼此之接觸部分附近有時會發生冷凝。處理裝置中，當隔熱材彼此之接觸部分附近發生冷凝時，有因冷凝產生之水分導致配管周圍之電子零件等發生故障之虞。
因此，期待抑制因隔熱材彼此之接觸引起之冷凝之發生。
(第1實施方式) [處理裝置1之構成] 圖1係表示本發明之第1實施方式之處理裝置1之一例的概略剖視圖。於本實施方式中，處理裝置1例如係具備平行板電極之電漿蝕刻裝置。處理裝置1具備裝置本體10及控制裝置11。裝置本體10例如包含鋁等材料，具備例如具有大致圓筒狀之形狀之處理容器12。處理容器12於內壁面被實施陽極氧化處理。又，處理容器12安全接地。
於處理容器12之底部上，例如設置有包含石英等絕緣材料之大致圓筒狀之支持部14。於處理容器12內，支持部14自處理容器12之底部向鉛直方向(例如，朝向上部電極30之方向)延伸。
於處理容器12內設置有載置台PD。載置台PD由支持部14支持。載置台PD於上表面保持作為被處理體之晶圓W。載置台PD具有靜電吸盤ESC及下部電極LE。下部電極LE例如包含鋁等金屬材料，且具有大致圓盤狀之形狀。靜電吸盤ESC配置於下部電極LE上。
靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極EL配置於一對絕緣層之間或一對絕緣片之間之構造。於電極EL，經由開關SW電性連接有直流電源17。靜電吸盤ESC藉由因自直流電源17供給之直流電壓而產生之庫倫力等靜電力，將晶圓W吸附於靜電吸盤ESC之上表面。藉此，靜電吸盤ESC可保持晶圓W。
經由配管19向靜電吸盤ESC供給例如氦氣等傳熱氣體。經由配管19供給之傳熱氣體被供給至靜電吸盤ESC與晶圓W之間。藉由調整供給至靜電吸盤ESC與晶圓W之間之傳熱氣體之壓力，可調整靜電吸盤ESC與晶圓W之間之熱導率。
又，於靜電吸盤ESC之內部設置有作為加熱元件之加熱器HT。於加熱器HT連接有加熱器電源HP。藉由自加熱器電源HP向加熱器HT供給電力，可經由靜電吸盤ESC對靜電吸盤ESC上之晶圓W進行加熱。藉由下部電極LE及加熱器HT對載置於靜電吸盤ESC上之晶圓W之溫度進行調整。再者，加熱器HT亦可配置於靜電吸盤ESC與下部電極LE之間。
於靜電吸盤ESC之周圍，以包圍晶圓W之邊緣及靜電吸盤ESC之方式配置有邊緣環ER。邊緣環ER有時亦被稱為聚焦環。藉由邊緣環ER可提高針對晶圓W之處理之面內均勻性。邊緣環ER包含根據作為蝕刻對象之膜之材料適當進行選擇之材料，例如石英等。
於下部電極LE之內部形成有供冷卻介質流動之流路15。作為冷卻介質，例如使用鹽水等。於流路15，經由配管16a及配管16b連接有冷卻器20。冷卻器20將被控制為特定之溫度之冷卻介質經由配管16a及配管16b循環供給至下部電極LE之內部之流路15。即，溫度經冷卻器20控制之冷卻介質經由配管16a被供給至下部電極LE之內部之流路15。於流路15流動之冷卻介質經由配管16b返回至冷卻器20。藉此，載置於下部電極LE上之晶圓W之溫度被控制為特定之溫度。下部電極LE係於流經內部之冷卻介質與被處理體之間進行熱交換之熱交換構件之一例。冷卻器20係供給裝置之一例。
配管16a、16b各自由隔熱材被覆。因配管16a、16b各自由隔熱材被覆，故於配管16a、16b之外部大氣與隔熱材之表面之間會進行熱交換，隔熱材之表面被維持在高於露點溫度之溫度。藉此，抑制於隔熱材之表面發生冷凝。
於下部電極LE之下表面電性連接有用於向下部電極LE供給高頻電力之饋電管69。饋電管69含有金屬。又，圖1中雖省略了相關圖示，但於下部電極LE與處理容器12之底部之間之空間內，配置有用於交接靜電吸盤ESC上之晶圓W之升降銷或其驅動機構等。
於饋電管69，經由匹配器68連接有第1高頻電源64。第1高頻電源64係產生用於向晶圓W饋入離子之高頻電力、即高頻偏壓電力之電源，例如產生頻率為400 kHz～40.68 MHz、一例中頻率為13.56 MHz之高頻偏壓電力。匹配器68係用於使第1高頻電源64之輸出阻抗與負載(下部電極LE)側之輸入阻抗匹配之電路。由第1高頻電源64產生之高頻偏壓電力經由匹配器68及饋電管69被供給至下部電極LE。
於載置台PD之上方且與載置台PD對向之位置設置有上部電極30。下部電極LE與上部電極30配置為相互大致平行。於上部電極30與下部電極LE之間之空間內生成電漿，藉由所生成之電漿，對被保持於靜電吸盤ESC之上表面之晶圓W進行蝕刻等電漿處理。上部電極30與下部電極LE之間之空間係處理空間PS。
上部電極30經由例如包含石英等之絕緣性屏蔽構件32支持於處理容器12之上部。上部電極30具有電極板34及電極支持體36。電極板34之下表面面向處理空間PS。於電極板34形成有複數個出氣口34a。電極板34例如由含有矽之材料構成。
電極支持體36例如由鋁等導電性材料構成，且自上方支持電極板34使之裝卸自如。電極支持體36可具有未圖示之水冷構造。於電極支持體36之內部形成有擴散室36a。與電極板34之出氣口34a連通之複數個氣體流通口36b自擴散室36a向下方(朝向載置台PD)延伸。於電極支持體36設置有向擴散室36a導入處理氣體之氣體導入口36c，於氣體導入口36c連接有配管38。
於配管38，經由閥群42及流量控制器群44連接有氣體源群40。氣體源群40具有複數個氣體源。閥群42包含複數個閥，流量控制器群44包含質量流量控制器等複數個流量控制器。氣體源群40之各氣體源經由閥群42中之對應之閥及流量控制器群44中之對應之流量控制器與配管38連接。
藉此，裝置本體10可將來自氣體源群40中被選擇之一個或複數個氣體源之處理氣體，以經個別調整之流量供給至電極支持體36內之擴散室36a。供給至擴散室36a中之處理氣體於擴散室36a內擴散，並經由各氣體流通口36b及出氣口34a呈簇射狀供給至處理空間PS內。
於電極支持體36，經由匹配器66連接有第2高頻電源62。第2高頻電源62係產生電漿生成用之高頻電力之電源，例如產生頻率為27～100 MHz、一例中頻率為60 MHz之高頻電力。匹配器66係用於使第2高頻電源62之輸出阻抗與負載(上部電極30)側之輸入阻抗匹配之電路。由第2高頻電源62所產生之高頻電力經由匹配器66被供給至上部電極30。再者，第2高頻電源62亦可經由匹配器66與下部電極LE連接。
於處理容器12之內壁面及支持部14之外側面裝卸自如地設置有積存物遮罩46，該積存物遮罩46表面經Y2 O3 或石英等塗佈且含有鋁等。藉由積存物遮罩46，可防止蝕刻副產物(堆積物)附著於處理容器12及支持部14。
於支持部14之外側壁與處理容器12之內側壁之間且處理容器12之底部側(設置有支持部14之側)設置有排氣板48，該排氣板48表面經Y2 O3 或石英等塗佈且含有鋁等。於排氣板48之下方設置有排氣口12e。於排氣口12e，經由排氣管52連接有排氣裝置50。
排氣裝置50具有渦輪分子泵等真空泵，可使處理容器12內之空間之壓力減小至所需之真空度。於處理容器12之側壁設置有用於搬入或搬出晶圓W之開口12g，開口12g能夠藉由閘閥54開啟及關閉。
控制裝置11具有處理器、記憶體、及輸入輸出介面。記憶體中儲存有由處理器執行之程式、及包含各處理之條件等之製程參數。處理器執行自記憶體讀取之程式，基於記憶體內所記憶之製程參數，經由輸入輸出介面控制裝置本體10之各部，藉此對晶圓W執行蝕刻等特定之處理。
且說，於使用內部供流通冷卻介質之複數個配管之處理裝置1中，相鄰之配管之隔熱材有時會接觸。當相鄰之配管之隔熱材彼此接觸時，隔熱材彼此之接觸部分不會被傳遞來自外部大氣之熱，而是由冷卻介質將熱帶走。其結果，隔熱材彼此之接觸部分附近有時會發生冷凝。例如，處理裝置1中，配管16a、16b相鄰，當配管16a、16b之隔熱材彼此接觸時，有可能會於配管16a、16b之隔熱材彼此之接觸部分附近發生冷凝。
此處，參照圖2及圖3，對相鄰之配管之隔熱材彼此之接觸部分附近發生冷凝之機制進行說明。圖2係模式性地表示於相鄰之配管16a、16b隔開配置之情形時，配管16a、16b附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。圖2中分別示出了相鄰之配管16a、16b之剖面。如圖2所示，配管16a由隔熱材161被覆，配管16b由隔熱材162被覆。於配管16a之內部流通有自冷卻器20向下部電極LE之內部之流路15供給之冷卻介質，於配管16b之內部流通有自下部電極LE之內部之流路15向冷卻器20返回之冷卻介質。於配管16a、16b相互隔開之狀態下，配管16a、16b之隔熱材161、162之全周與配管16a、16b之外部大氣接觸。因此，配管16a、16b之隔熱材161、162之全周接收來自外部大氣之熱而維持在外部大氣之溫度Tair附近之溫度。藉此，配管16a、16b之隔熱材161、162之表面之溫度變得高於露點溫度，配管16a、16b之隔熱材161、162之表面不會發生冷凝。
相對於此，對相鄰之配管16a、16b近接配置之情形進行說明。圖3係模式性地表示於相鄰之配管16a、16b近接配置之情形時，配管16a、16b附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。處理裝置1中，當配管16a、16b相互近接時，被覆於配管16a之隔熱材161與被覆於配管16b之隔熱材162有時會接觸。圖3中將隔熱材161、162彼此之接觸部分表示為接觸部分A。接觸部分A未被傳遞來自外部大氣之熱，而是由冷卻介質將熱帶走，故接觸部分A附近之溫度下降。並且，處理裝置1中，接觸部分A附近之溫度下降至露點溫度以下時，接觸部分A會發生冷凝。
因此，處理裝置1中，於相鄰之配管16a、16b之2個隔熱材161、162之間配置傳熱構件。
圖4係表示第1實施方式之配管16a、16b及傳熱構件170之一例的剖視圖。處理裝置1中，於被覆於配管16a之隔熱材161與被覆於配管16b之隔熱材162之間配置有傳熱構件170。傳熱構件170由熱導率較隔熱材161、162高之材料形成，具有接觸部171及受熱部172。作為熱導率較隔熱材161、162高之材料，例如可例舉鋁(Al)等金屬。接觸部171與受熱部172形成為一體，圖4中為了方便說明，用虛線表示接觸部171與受熱部172之邊界線。
接觸部171與2個隔熱材161、162接觸。即，接觸部171以被2個隔熱材161、162夾著之狀態與2個隔熱材161、162接觸。
受熱部172係形成有與配管16a、16b之外部大氣接觸之受熱面172a之部分。受熱部172將於受熱面172a接收到之來自外部大氣之熱傳遞至接觸部171。
此處，使用圖5來說明因於相鄰之配管16a、16b之2個隔熱材161、162之間配置有傳熱構件170而引起之配管16a、16b附近之各位置處之溫度分佈之變化。圖5係模式性地表示當於相鄰之配管16a、16b之2個隔熱材161、162之間配置有傳熱構件170時，配管16a、16b附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。圖5中分別示出相鄰之配管16a、16b之剖面。如圖5所示，配管16a由隔熱材161被覆，配管16b由隔熱材162被覆。於配管16a之內部流通有自冷卻器20向下部電極LE之內部之流路15供給之冷卻介質，於配管16b之內部流通有自下部電極LE之內部之流路15向冷卻器20返回之冷卻介質。於2個隔熱材161、162之間配置有傳熱構件170。傳熱構件170具有接觸部171及受熱部172。如圖5所示，形成於受熱部172之受熱面172a與配管16a、16b之外部大氣接觸，接收來自外部大氣之熱。於受熱面172a接收到之熱被傳遞至接觸部171。圖5中用虛線之箭頭表示熱自配管16a、16b之外部大氣傳遞至接觸部171之路徑。於受熱面172a接收到之熱傳遞至接觸部171後，接觸部171之溫度維持在外部大氣之溫度Tair附近。藉此，可使接觸部171與2個隔熱材161、162之接觸部分之溫度維持在高於露點溫度之溫度。即，接觸部171及受熱部172(即，傳熱構件170)可抑制接觸部171與2個隔熱材161、162之接觸部分之溫度下降。其結果，可抑制因隔熱材161、162彼此之接觸引起之冷凝之發生。
回到圖4之說明。受熱部172配置為將2個隔熱材161、162這兩者之外周局部被覆。例如，於2個隔熱材161、162各自之剖面形狀為圓筒形狀之情形時，受熱部172配置為被覆2個隔熱材161、162這兩者之外周之中，自接觸部171之兩端部側起與圓周之大致一半對應之範圍。
再者，受熱部172只要是將2個隔熱材161、162這兩者之外周局部被覆之配置態樣，則亦能以如圖6及圖7所示之配置態樣配置。例如，如圖6所示，受熱部172亦可配置為將夾於2個隔熱材161、162這兩者之外周之間的空間全部填充。又，如圖7所示，受熱部172還可配置為被覆2個隔熱材161、162這兩者之外周之中，自接觸部171之一端部側起與圓周之大致1/4對應之範圍。圖6及圖7係表示2個隔熱材161、162這兩者之外周經受熱部172局部被覆之一例的圖。
又，受熱部172還可配置為將2個隔熱材161、162中之一者之外周局部被覆。圖8係表示2個隔熱材161、162中之一者之外周經受熱部172局部被覆之一例的圖。圖8所示之受熱部172配置為被覆隔熱材162之外周之中，自接觸部171之兩端部側起與圓周之大致一半對應之範圍。
又，受熱部172亦可為不與2個隔熱材161、162這兩者之外周接觸之構成。即，如圖9所示，受熱部172亦可配置為自接觸部171之端部朝向配管16a、16b之外部大氣呈板狀延伸。圖9係表示呈板狀延伸之受熱部172之一例的圖。
又，為了促進自配管16a、16b之外部大氣接收熱，受熱部172還可為包含用於使受熱面172a之表面積增加之部分之構成。即，如圖10所示，受熱部172亦可於受熱面172a形成有散熱片172b。圖10係表示於受熱部172之受熱面172a形成有散熱片172b之一例的圖。又，如圖11所示，受熱部172還可對受熱面172a實施表面粗糙加工或點加工。圖11中示出對上側之受熱部172之受熱面172a實施了表面粗糙加工，對下側之受熱部172之受熱面172a實施了點加工之狀態。圖11係表示對受熱部172之受熱面172a實施了表面粗糙加工或點加工之一例的圖。
如上所示，第1實施方式之處理裝置1具有配置於相鄰之配管16a、16b之2個隔熱材161、162之間之傳熱構件170。傳熱構件170具有：接觸部171，其與2個隔熱材161、162接觸；及受熱部172，其形成有與配管16a、16b之外部大氣接觸之受熱面172a，將於受熱面172a接收到之熱傳遞至接觸部171。藉此，處理裝置1可抑制因隔熱材161、162彼此之接觸引起之冷凝之發生。
(第2實施方式) 其次，對第2實施方式進行說明。第2實施方式係關於第1實施方式之受熱部172之配置態樣之變化。
圖12係表示第2實施方式之配管16a、16b及傳熱構件170之一例之剖視圖。處理裝置1中，於被覆於配管16a之隔熱材161與被覆於配管16b之隔熱材162之間配置有傳熱構件170。傳熱構件170配置於包圍2個隔熱材161、162這兩者之全周之範圍。
傳熱構件170具有形成為一體之接觸部171及受熱部172。接觸部171與2個隔熱材161、162接觸。受熱部172配置為與接觸部171一起呈環狀被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周。並且，接觸部171中，與2個隔熱材161、162中之一者接觸之部分和與2個隔熱材161、162中之另一者接觸之部分分離地形成。即，接觸部171及受熱部172形成分別被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周之2個罩部。
與第1實施方式之傳熱構件170同樣，接觸部171及受熱部172(即，傳熱構件170)可抑制接觸部171與2個隔熱材161、162之接觸部分之溫度下降。進而，藉由接觸部171及受熱部172形成分別被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周之2個罩部，即便於隔熱材161、162於圓周方向上扭轉之情形時，亦可藉由各罩部避免2個隔熱材161、162彼此接觸。
再者，接觸部171及受熱部172亦可配置為與2個隔熱材161、162之外周面之間空出間隙。即，接觸部171及受熱部172亦可配置為與2個隔熱材161、162之外周面之間隔著因間隙而形成之空氣層。圖13係表示接觸部171及受熱部172配置為於接觸部171及受熱部172、與2個隔熱材161、162之外周面之間隔著空氣層之一例的圖。圖13所示之接觸部171及受熱部172配置為與2個隔熱材161、162之外周面之間隔著因間隙而形成之空氣層180。藉由配置為接觸部171及受熱部172與2個隔熱材161、162之外周面之間隔著空氣層180，可提高配管16a、16b之隔熱性能。
如上所示，於第2實施方式之處理裝置1中，受熱部172配置為與接觸部171一起呈環狀被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周。藉此，處理裝置1中，即便於2個隔熱材161、162發生扭轉之情形時，亦可抑制因隔熱材161、162彼此之接觸引起之冷凝之發生。
又，於第2實施方式之處理裝置1中，受熱部172亦可配置為沿著配管16a、16b之長度方向與接觸部171一起呈筒狀被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周。藉此，處理裝置1中，即便於沿著配管16a、16b之長度方向之任意位置上2個隔熱材161、162發生扭轉，亦可抑制因隔熱材161、162彼此之接觸引起之冷凝之發生。
再者，應認為本次所揭示之實施方式於所有方面均為例示，並非限制性者。上述實施方式可不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨，以各種形態進行省略、置換、變更。
例如，於上述第2實施方式中，例舉以受熱部172與接觸部171一起呈環狀被覆2個隔熱材161、162這兩者之全周之方式配置受熱部172之情形為例進行了說明，但所揭示之技術不限於此。例如，受熱部172亦可配置為與接觸部171一起呈環狀被覆2個隔熱材161、162中之一者之全周。於該情形時，接觸部171與2個隔熱材161、162中之一者接觸，因此不分離。
又，上述各實施方式中，以2個隔熱材161、162各自之剖面形狀為圓筒形狀之情形為例進行了說明，但所揭示之技術不限於此。例如，2個隔熱材161、162各自之剖面形狀亦可為圓筒以外之筒形狀。作為圓筒以外之筒形狀，例如可例舉四角筒形狀或三角筒形狀。於2個隔熱材161、162各自之剖面形狀為圓筒以外之筒形狀之情形時，受熱部172亦可配置為適當被覆與2個隔熱材161、162各自之剖面形狀對應之範圍。
又，於上述各實施方式中，使用電容耦合型電漿(CCP)作為電漿源之一例，但所揭示之技術不限於此。作為電漿源，例如亦可使用感應耦合電漿(ICP)、微波激發表面波電漿(SWP)、電子回旋共振電漿(ECP)、或大喇叭波激發電漿(HWP)等。
又，上述各實施方式中，作為處理裝置1，以電漿蝕刻裝置為例進行了說明，但所揭示之技術不限於此。只要是使用分別由隔熱材被覆且內部供流通冷卻介質之複數個配管之處理裝置，則除了可將所揭示之技術應用於蝕刻裝置以外，還可應用於成膜裝置、改質裝置或洗淨裝置等。
1:處理裝置 10:裝置本體 11:控制裝置 12:處理容器 12e:排氣口 12g:開口 14:支持部 15:流路 16a:配管 16b:配管 17:直流電源 19:配管 20:冷卻器 30:上部電極 32:屏蔽構件 34:電極板 34a:出氣口 36:電極支持體 36a:擴散室 36b:氣體流通口 36c:氣體導入口 38:配管 40:氣體源群 42:閥群 44:流量控制器群 46:積存物遮罩 48:排氣板 50:排氣裝置 52:排氣管 54:閘閥 62:第2高頻電源 66:匹配器 68:匹配器 69:饋電管 161:隔熱材 162:隔熱材 170:傳熱構件 171:接觸部 172:受熱部 172a:受熱面 172b:散熱片 180:空氣層 EL:電極 ESC:靜電吸盤 ER:邊緣環 HP:加熱器電源 HT:加熱器 LE:下部電極 PD:載置台 PS:處理空間 SW:開關 W:晶圓
圖1係表示本發明之第1實施方式之處理裝置之一例的概略剖視圖。 圖2係模式性地表示於相鄰之配管隔開配置之情形時，配管附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。 圖3係模式性地表示於相鄰之配管近接配置之情形時，配管附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。 圖4係表示第1實施方式之配管及傳熱構件之一例的剖視圖。 圖5係模式性地表示當相鄰之配管之2個隔熱材之間配置有傳熱構件時，配管附近之各位置處之溫度分佈之一例的圖。 圖6係表示2個隔熱材之兩者之外周經受熱部局部被覆之一例的圖。 圖7係表示2個隔熱材之兩者之外周經受熱部局部被覆之一例的圖。 圖8係表示2個隔熱材中之一者之外周經受熱部局部被覆之一例的圖。 圖9係表示呈板狀延伸之受熱部之一例的圖。 圖10係表示於受熱部之受熱面上形成有散熱片之一例的圖。 圖11係表示對受熱部之受熱面實施表面粗糙加工或點加工之一例的圖。 圖12係表示第2實施方式之配管及傳熱構件之一例的剖視圖。 圖13係表示將接觸部及受熱部配置為於接觸部及受熱部、與2個隔熱材之外周面之間隔著空氣層之一例的圖。
16a:配管
16b:配管
161:隔熱材
162:隔熱材
170:傳熱構件
171:接觸部
172:受熱部
172a:受熱面

Claims (12)

  1. 一種配管系統，其具有： 複數個配管，其等分別由隔熱材被覆，內部供流通冷卻介質；及 傳熱構件，其配置於相鄰之上述配管之2個上述隔熱材之間；且 上述傳熱構件具有： 接觸部，其與2個上述隔熱材接觸；及 受熱部，其形成有與上述配管之外部大氣接觸之受熱面，將於上述受熱面接收到之來自上述外部大氣之熱傳遞至上述接觸部。
  2. 如請求項1之配管系統，其中上述傳熱構件由較上述隔熱材熱導率高之材料形成。
  3. 如請求項1或2之配管系統，其中上述接觸部與上述受熱部形成為一體。
  4. 如請求項1至3中任一項之配管系統，其中上述受熱部配置為將2個上述隔熱材中之一者或兩者之外周局部被覆。
  5. 如請求項1至3中任一項之配管系統，其中上述受熱部配置為與上述接觸部一起呈環狀被覆2個上述隔熱材中之一者或兩者之全周。
  6. 如請求項5之配管系統，其中上述受熱部配置為沿著上述配管之長度方向與上述接觸部一起呈筒狀被覆2個上述隔熱材中之一者或兩者之全周。
  7. 如請求項6之配管系統，其中上述受熱部及上述接觸部配置為與上述隔熱材之外周面之間空出間隙。
  8. 如請求項5至7中任一項之配管系統，其中上述接觸部中，與2個上述隔熱材中之一者接觸之部分和與2個上述隔熱材中之另一者接觸之部分分離地形成。
  9. 如請求項1至3中任一項之配管系統，其中上述受熱部配置為自上述接觸部之端部朝向上述配管之外部大氣呈板狀延伸。
  10. 如請求項1至9中任一項之配管系統，其中上述受熱部於上述受熱面具有散熱片。
  11. 如請求項1至9中任一項之配管系統，其中上述受熱部於上述受熱面被實施表面粗糙加工或點加工。
  12. 一種處理裝置，其具有： 處理容器，其供對被處理體進行處理； 熱交換構件，其設置於上述處理容器內，於在內部流通之冷卻介質與上述被處理體之間進行熱交換； 供給裝置，其向上述熱交換構件供給上述冷卻介質； 複數個配管，其等連接於上述熱交換構件與上述供給裝置，分別由隔熱材被覆，內部供流通上述冷卻介質；及 傳熱構件，其配置於相鄰之上述配管之2個上述隔熱材之間；且 上述傳熱構件具有： 接觸部，其與2個上述隔熱材接觸；及 受熱部，其形成有與上述配管之外部大氣接觸之受熱面，將於上述受熱面接收到之來自上述外部大氣之熱傳遞至上述接觸部。
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