JP7204564B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

半導体装置の製造工程においては、処理ガスのプラズマを用いて基板に対してエッチング等の処理が施される工程がある。このような工程に用いられるプラズマ処理装置では、チャンバ内の載置台に基板が載置され、この載置台の上方の空間において処理ガスをプラズマ化して、基板に対してプラズマ処理が行われる。載置台上の基板の周囲には、基板のエッジ付近におけるプラズマの均一性を向上させるために、フォーカスリングと呼ばれる部材が配置される。また、フォーカスリングの周囲には、カバーリングが配置される。

特開２０１２－１３８４９７号公報

本開示は、カバーリングの外周側に付着する反応副生成物（以下、デポともいう。）を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。

本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、載置台と、導電性部材と、第１の絶縁部材とを有する。載置台は、基板を載置する載置部と、載置部より低い位置に設けられた段差部を有する導電性の載置台である。導電性部材は、段差部に配設され、載置台の外縁よりも外側まで延伸する。第１の絶縁部材は、導電性部材の上面に配置される。

本開示によれば、カバーリングの外周側に付着する反応副生成物を低減することができる。

図１は、本開示の一実施形態における処理システムの一例を示す図である。 図２は、本実施形態における載置台の構造の一例を示す部分拡大図である。 図３は、比較例１における載置台の構造の一例を示す部分拡大図である。 図４は、比較例１における電界強度のシミュレーション結果の一例を示す図である。 図５は、本実施形態における電界強度のシミュレーション結果の一例を示す図である。 図６は、比較例１におけるカバーリングの外観の一例を示す図である。 図７は、本実施形態におけるカバーリングの外観の一例を示す図である。 図８は、比較例１におけるカバーリングの消耗量の一例を示す図である。 図９は、本実施形態におけるカバーリングの消耗量の一例を示す図である。 図１０は、変形例における載置台の構造の一例を示す部分拡大図である。

以下に、開示するプラズマ処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

従来、載置台周囲に絶縁部材を配したプラズマ処理装置が知られている。この様なプラズマ処理装置では、絶縁部材であるカバーリングの外周側にデポが堆積し、堆積したデポがパーティクルとなってウェハに付着することがある。これは、カバーリングの内周側では、電位差があるためカバーリング側にイオンが引き付けられて、カバーリングおよびデポがエッチングされると推測される。一方、カバーリングの外周側では、電位差がないためカバーリングおよびデポがエッチングされないと推測される。そこで、カバーリングの外周側に付着するデポを低減することが期待されている。

［処理システム１の構成］
図１は、本開示の一実施形態における処理システム１の一例を示す図である。処理システム１は、プラズマ処理装置１０および制御装置１１を備える。本実施形態におけるプラズマ処理装置１０は、平行平板の電極を備えるプラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒形状を有する処理チャンバ１２を備える。処理チャンバ１２は、例えばアルミニウム等で構成されており、その内壁面には陽極酸化処理が施されている。処理チャンバ１２は保安接地されている。

処理チャンバ１２の底部上には、例えば石英等の絶縁材料で構成された略円筒状の支持部材１５が設けられている。支持部材１５は、処理チャンバ１２内において、処理チャンバ１２の底部から鉛直方向に延在している。処理チャンバ１２内には、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、支持部材１５によって支持されている。

載置台ＰＤは、カバーリングＣＲ、フォーカスリングＦＲ、静電チャックＥＳＣ、下部電極ＬＥ、シリコンリングＳＲ、および、第２の絶縁部材１４を有する。下部電極ＬＥは、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、またはステンレス等の金属により略円盤状に形成されている。下部電極ＬＥの周囲には、下部電極ＬＥを囲むように第２の絶縁部材１４が設けられている。

下部電極ＬＥ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。下部電極ＬＥおよび静電チャックＥＳＣは、載置部の一例である。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を、一対の絶縁層の間または一対の絶縁シートの間に配置した構造を有する。静電チャックＥＳＣの電極には、スイッチ２３を介して直流電源２２が電気的に接続されている。静電チャックＥＳＣは、スイッチ２３を介して直流電源２２から印加された直流電圧により生じるクーロン力等の静電力により、静電チャックＥＳＣの上面において、略円形の板状の基板Ｗを吸着する。基板Ｗは、被処理体の一例である。これにより、静電チャックＥＳＣは、静電チャックＥＳＣの上面において基板Ｗを保持することができる。

下部電極ＬＥの周縁部上には、基板Ｗのエッジおよび静電チャックＥＳＣを囲むようにフォーカスリングＦＲが設けられている。フォーカスリングＦＲは、静電チャックＥＳＣおよびカバーリングＣＲの境界部分を覆うように配置される。フォーカスリングＦＲにより、エッチング等の基板Ｗに対する処理の均一性が向上する。フォーカスリングＦＲは、処理対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えばシリコンやシリコンカーバイド（ＳｉＣ）等の導電体から構成され得る。なお、フォーカスリングＦＲは、エッジリングともいう。また、下部電極ＬＥの周縁部は、静電チャックＥＳＣより低い位置に設けられた段差部を有する。下部電極ＬＥの段差部には、シリコンリングＳＲが配設される。シリコンリングＳＲは、シリコン等の導電体から構成され得る。さらに、下部電極ＬＥの段差部には、第２の絶縁部材１４のフランジが配設される。シリコンリングＳＲは、第２の絶縁部材１４の一部を覆うように配設される。

シリコンリングＳＲおよび第２の絶縁部材１４上であって、フォーカスリングＦＲの外周側には、フォーカスリングＦＲを囲むようにカバーリングＣＲが設けられている。カバーリングＣＲは、例えば石英やアルミナ等の絶縁体により構成される。カバーリングＣＲは、第１の絶縁部材の一例である。カバーリングＣＲは、シリコンリングＳＲおよび第２の絶縁部材１４の上面をプラズマから保護する。また、カバーリングＣＲの内周側の上部は、フォーカスリングＦＲの外周部分によって覆われている。さらに、カバーリングＣＲは、シリコンリングＳＲおよび第２の絶縁部材１４の上部側面を覆うように配設される。

第２の絶縁部材１４は、内周側にフランジを有し、当該フランジが下部電極ＬＥの段差部に接することによって支持されている。第２の絶縁部材１４は、例えば石英等の絶縁材料で構成される。

下部電極ＬＥの内部には、冷媒を循環させるための流路２４が設けられている。流路２４には、処理チャンバ１２の外部に設けられたチラーユニット８０から配管２６ａを介して冷媒が供給される。配管２６ａを介して流路２４に供給された冷媒は、流路２４内を流れ、配管２６ｂを介してチラーユニット８０に戻される。

また、静電チャックＥＳＣの内部には、加熱素子であるヒータＨＴが設けられている。ヒータＨＴには、ヒータ電源ＨＰが接続されている。ヒータ電源ＨＰからヒータＨＴに電力が供給されることにより、静電チャックＥＳＣが加熱される。下部電極ＬＥの流路２４内を循環する冷媒による冷却と、静電チャックＥＳＣ内部のヒータＨＴによる加熱とにより、静電チャックＥＳＣ上の基板Ｗの温度が所定温度に制御される。なお、ヒータＨＴは、下部電極ＬＥ内に設けられてもよい。

プラズマ処理装置１０には、例えばＨｅガス等の伝熱ガスが供給される配管２７が設けられている。配管２７を介して供給された伝熱ガスは、静電チャックＥＳＣの上面と基板Ｗの裏面との間に供給される。制御装置１１は、静電チャックＥＳＣの上面と基板Ｗの裏面との間に供給される伝熱ガスの圧力を制御することにより、静電チャックＥＳＣと基板Ｗとの間の熱伝導率を制御することができる。

プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備える。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、載置台ＰＤと対向する位置に配置されている。下部電極ＬＥと上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。上部電極３０と下部電極ＬＥとの間は、基板Ｗにプラズマ処理を行うためのプラズマが生成される処理空間Ｓである。

上部電極３０は、例えば石英等の第３の絶縁部材３２を介して、処理チャンバ１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４および電極支持体３６を含む。電極板３４は、例えばシリコンを含む材料により構成され、電極板３４の下面は処理空間Ｓに面している。電極板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。

電極支持体３６は、例えばアルミニウム等の導電性材料で構成され、電極板３４を着脱自在に支持する。電極支持体３６は、水冷構造を有していてもよい。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス流通孔３６ｂが下方に延びている。電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、ガス導入口３６ｃには、配管３８の第１端が接続されている。

配管３８の第２端には、バルブ群４２および流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４２、および流量制御器群４４は、供給部の一例である。ガスソース群４０は、複数のガスソースを有している。複数のガスソースには、Ｈ２ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＮＦ３ガス、ＨＢｒガス、およびＣｘＦｙガス（ｘおよびｙは自然数）等が含まれ得る。また、複数のガスソースには、ＨｅガスやＡｒガス等の希ガスが含まれ得る。

バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラ等の複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースのそれぞれは、バルブ群４２の中の対応するバルブおよび流量制御器群４４の中の対応する流量制御器を介して、配管３８に接続されている。従って、プラズマ処理装置１０は、ガスソース群４０の中のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、処理チャンバ１２内に供給することが可能である。

処理チャンバ１２内には、処理チャンバ１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、第２の絶縁部材１４および支持部材１５の外周にも設けられている。デポシールド４６は、例えばアルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。

処理チャンバ１２の底部側、かつ、支持部材１５と処理チャンバ１２の内側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。処理チャンバ１２内の排気プレート４８の下方には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理チャンバ１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。処理チャンバ１２の側壁には基板Ｗを搬入または搬出するための開口１２ｇが設けられており、開口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２および第２の高周波電源６４を備える。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電源６２は、２７～１００ＭＨｚの範囲内の周波数、一例においては４０ＭＨｚの周波数の高周波電力を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷（下部電極ＬＥ）側の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されていてもよい。第１の高周波電源６２および下部電極ＬＥは、プラズマ生成部の一例である。

第２の高周波電源６４は、基板Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波電力、即ち、高周波バイアス電力を発生する電源である。第２の高周波電源６４は、２００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数、一例においては４００ｋＨｚの周波数の高周波バイアス電力を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷（下部電極ＬＥ）側の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。

プラズマ処理装置１０は、電源７０を備える。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は、処理空間Ｓ内に存在する正イオンを電極板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。一例においては、電源７０は、負の直流電圧を発生する直流電源である。このような電圧が電源７０から上部電極３０に印加されることにより、処理空間Ｓに存在する正イオンが電極板３４に衝突する。これにより、電極板３４から二次電子、シリコン原子、またはその両方が放出される。

制御装置１１は、プロセッサ、メモリ、および入出力インターフェイスを有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件等を含むレシピが格納されている。プロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピに基づいて、入出力インターフェイスを介してプラズマ処理装置１０の各部を制御する。具体的には、制御装置１１は、スイッチ２３、排気装置５０、第１の高周波電源６２、整合器６６、第２の高周波電源６４、整合器６８、電源７０、チラーユニット８０、およびヒータ電源ＨＰ等を制御する。

具体的には、制御装置１１は、例えば下記の処理条件で基板Ｗのエッチングが行われるように、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。
処理チャンバ１２内の圧力：３．３３３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）
処理ガス：Ｈ２、ＣＨ２Ｆ２、ＮＦ３、ＨＢｒ、ＣｘＦｙ等を含むガス
基板Ｗの温度：６０℃
第１の高周波電力（４０ＭＨｚ）：４．５ｋＷ
第２の高周波電力（４００ｋＨｚ）：７ｋＷ

［載置台ＰＤの詳細］
図２は、本実施形態における載置台ＰＤの構造の一例を示す部分拡大図である。下部電極ＬＥの周縁部に設けられた段差部１０１には、耐プラズマ性の保護膜、例えば、Ｙ２Ｏ３等の誘電体の保護膜が形成される。段差部１０１上に接するシリコンリングＳＲは、当該保護膜を介して、下部電極ＬＥと高周波的に導通している。シリコンリングＳＲは、外周側部分が下部電極ＬＥの外縁よりも外側まで延伸し、第２の絶縁部材１４の一部を覆っている。

第２の絶縁部材１４は、支持部材１５および下部電極ＬＥを囲むように設けられ、上面はシリコンリングＳＲと接する。また、第２の絶縁部材１４は、下部がデポシールド４６と接する。さらに、第２の絶縁部材１４の上部内周側に設けられたフランジは、段差部１０１と接する。

カバーリングＣＲは、シリコンリングＳＲの上面に配置され、外周側の側面が下部に延伸されることでシリコンリングＳＲおよび第２の絶縁部材１４の側面上部を覆っている。また、カバーリングＣＲは、内周側の上部がフォーカスリングＦＲの外周部分によって覆われている部分について、厚み方向から見た場合に、フォーカスリングＦＲとシリコンリングＳＲとが重なっている部分がある。この場合、シリコンリングＳＲの厚さや、重なり具合を変更することで、フォーカスリングＦＲの内周側と外周側のインピーダンスをコントロールすることができる。つまり、フォーカスリングＦＲの内周側と外周側のインピーダンスを二次的に変更することができる。これにより、エッチング時のフォーカスリングＦＲの変形を改善することができる。

また、カバーリングＣＲの外周側であってシリコンリングＳＲの上部に位置するカバーリングＣＲの厚さは、高周波バイアス電力の周波数とカバーリングＣＲの誘電率とをファクタとして定めることができる。例えば、カバーリングＣＲが石英であり高周波バイアス電力が３ＭＨｚの場合は、２５ｍｍ以下とすることが望ましい。また、カバーリングＣＲが石英であり、高周波バイアス電力が４００ｋＨｚの場合は、１０ｍｍ以下とすることが望ましい。カバーリングＣＲが石英より誘電率が高いアルミナであれば、さらに薄くすることができる。

本実施形態では、シリコンリングＳＲが下部電極ＬＥの外縁よりも外側まで延伸されることで、カバーリングＣＲの外周側においても電位差が発生し、カバーリングＣＲの外周側もエッチングされる。これにより、カバーリングＣＲの外側に付着するデポを低減することができる。

［比較例１］
ここで、比較例１における載置台ＰＤ’について説明する。図３は、比較例１における載置台ＰＤ’の構造の一例を示す部分拡大図である。図３に例示された載置台ＰＤ’では、カバーリングＣＲおよび第２の絶縁部材１４に代えて、カバーリングＣＲ’および第２の絶縁部材１４ａが用いられている点、ならびに、シリコンリングＳＲが無い点が、図２に例示された本実施形態の載置台ＰＤとは異なる。なお、フォーカスリングＦＲ、静電チャックＥＳＣ、下部電極ＬＥ、支持部材１５およびデポシールド４６は、載置台ＰＤと同様である。

比較例１における第２の絶縁部材１４ａでは、下部電極ＬＥの段差部１０１全体に第２の絶縁部材１４ａのフランジが配置されるような形状となっている。このため、下部電極ＬＥの外縁よりも外側には、導電性部材が存在せず、カバーリングＣＲ’の外周側では電位差がなく、デポが堆積する場合がある。

ここで、図４および図５を用いて載置台ＰＤ’および載置台ＰＤにおける電界強度について説明する。図４は、比較例１における電界強度のシミュレーション結果の一例を示す図である。図４に示すように、比較例１における載置台ＰＤ’では、カバーリングＣＲ’の外周側において、電位０［Ｖ］を示す線がカバーリングＣＲ’の表面と略同一となっている。すなわち、カバーリングＣＲ’の外周側では、電位差がないためカバーリングＣＲ’側にイオンが引き付けられない。

図５は、本実施形態における電界強度のシミュレーション結果の一例を示す図である。一方、図５に示すように、本実施形態における載置台ＰＤでは、シリコンリングＳＲによって電界が載置台ＰＤの外側方向に広がるため、カバーリングＣＲの外周側のエッジ付近を電位０［Ｖ］を示す線が通っている。すなわち、カバーリングＣＲの外周側においても、電位差が発生しているため、カバーリングＣＲ側にイオンが引き付けられる。

［実験結果］
比較例１の載置台ＰＤ’と、本実施形態における載置台ＰＤとを用いて、カバーリングにおけるプラズマ処理後のデポおよび消耗量について実験を行った。図６は、比較例１におけるカバーリングの外観の一例を示す図である。図７は、本実施形態におけるカバーリングの外観の一例を示す図である。図６に示すように、比較例１におけるカバーリングＣＲ’では、外周側の領域１１０に多くのデポが付着している。このとき、基板Ｗ上のパーティクル数は、プラズマ処理時間が２５０時間で１３３個であった。一方、本実施形態におけるカバーリングＣＲでは、外周側の領域１１１には、ほとんどデポが付着していない。このとき、基板Ｗ上のパーティクル数は、プラズマ処理時間が３００時間で２２個であった。

図８は、比較例１におけるカバーリングの消耗量の一例を示す図である。図９は、本実施形態におけるカバーリングの消耗量の一例を示す図である。図８に示すように、比較例１におけるカバーリングＣＲ’では、外周側が消耗していないことがわかる。一方、本実施形態におけるカバーリングＣＲでは、外周側まで消耗していることがわかる。つまり、本実施形態では、カバーリングＣＲの外周側においてもイオンが引き付けられて、カバーリングおよびデポがエッチングされている。

［変形例］
プラズマ処理においては、カバーリングＣＲの外周側にデポが付着しない処理条件の場合がある。この場合、電界強度の分布を図４に示す載置台ＰＤ’の場合と同様にすることで、カバーリングＣＲの消耗を防ぐことができる。図１０は、変形例における載置台ＰＤ”の構造の一例を示す部分拡大図である。図１０に示す変形例の載置台ＰＤ”では、シリコンリングＳＲｂの上部に空間１２３を設け、シリコンリングＳＲｂを上下に移動可能としている点が、図２に示す本実施形態の載置台ＰＤと異なる。なお、フォーカスリングＦＲ、静電チャックＥＳＣ、デポシールド４６およびカバーリングＣＲは、載置台ＰＤと同様である。

変形例におけるシリコンリングＳＲｂには、下部電極ＬＥおよび支持部材１５内に設けた穴１２０を貫通する駆動ピン１２１が接触している。駆動ピン１２１は、処理チャンバ１２の底部に設けた駆動機構１２２によって上下に移動可能である。駆動ピン１２１は、例えば石英やアルミナ等の絶縁体で構成されている。また、駆動ピン１２１および駆動機構１２２は、シリコンリングＳＲｂを均等に持ち上げられるように、例えばシリコンリングＳＲｂの円周上の複数箇所、例えば４箇所に設けられる。

変形例の載置台ＰＤ”では、第２の絶縁部材１４ｂの上端が下部電極ＬＥの段差部１２４と同じ高さとなっており、シリコンリングＳＲｂが上下に移動可能な空間１２３を設けている。なお、第２の絶縁部材１４ｂの下端は、本実施形態の第２の絶縁部材１４と同様に、デポシールド４６と接している。

駆動ピン１２１が下がった状態では、シリコンリングＳＲｂが下部電極ＬＥの段差部１２４と接触しており、シリコンリングＳＲｂと下部電極ＬＥとが高周波的に導通している状態となる。この場合、図２に示す本実施形態の載置台ＰＤと同様に、カバーリングＣＲの外周側へのデポの付着を抑えられる。

次に、駆動機構１２２を動作させ、駆動ピン１２１を上昇させた状態では、例えば、シリコンリングＳＲｂの上面がカバーリングＣＲと接触する位置まで移動し、シリコンリングＳＲｂが段差部１２４から浮いた状態となる。つまり、シリコンリングＳＲｂと段差部１２４との間に、例えば、１～２ｍｍの空間が空くことになる。すると、シリコンリングＳＲｂと下部電極ＬＥとは、高周波的に導通していない状態となる。この場合、図３に示す比較例１の載置台ＰＤ’と同様に、カバーリングＣＲの外周側は電位差がない状態となり、カバーリングＣＲの消耗を防ぐことができる。

以上、本実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、載置台ＰＤと、導電性部材（シリコンリングＳＲ）と、第１の絶縁部材（カバーリングＣＲ）とを有する。載置台ＰＤは、基板を載置する載置部と、載置部より低い位置に設けられた段差部１０１を有する導電性の載置台である。導電性部材は、段差部１０１に配設され、載置台ＰＤの外縁よりも外側まで延伸する。第１の絶縁部材は、導電性部材の上面に配置される。これにより、第１の絶縁部材（カバーリングＣＲ）の外側に付着する反応副生成物（デポ）を低減することができる。

また、本実施形態によれば、第１の絶縁部材は、導電性部材を覆うように配置される。その結果、第１の絶縁部材の外周側もエッチングを行うことができる。

また、本実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、さらに、載置台ＰＤの側面を覆う第２の絶縁部材１４を有する。その結果、導電性部材がプラズマに曝されることを防ぐことができる。

また、本実施形態によれば、段差部１０１には、誘電体の保護膜が形成される。その結果、載置台ＰＤの下部電極ＬＥと導電性部材とを高周波的に導通させることができる。

また、本実施形態によれば、第１の絶縁部材の上に、導電性のフォーカスリングＦＲが載置される。その結果、フォーカスリングＦＲの内周側と外周側のインピーダンスをコントロールすることができる。

また、変形例によれば、載置台ＰＤ”には、導電性部材（シリコンリングＳＲｂ）と、第１の絶縁部材（カバーリングＣＲ）との間には、導電性部材が上下に移動可能な空間が設けられる。プラズマ処理装置１０は、さらに、導電性部材を上下に駆動させる駆動機構１２２を有する。その結果、第１の絶縁部材の外周側に対するエッチング量を制御することができる。

今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。

また、上記した実施形態では、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いて基板Ｗに対してエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置１０を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて基板Ｗに対して処理を行う装置であれば、プラズマ源は容量結合プラズマに限られず、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。

また、上記した実施形態の処理システム１では、０℃以下の温度に保たれた状態の基板Ｗに対してプラズマ処理が行われるが、開示の技術はこれに限られない。０℃以上の温度に保たれた状態の基板Ｗに対してプラズマ処理を行う処理システム１に対しても、開示の技術を適用することができる。

ＣＲ カバーリング
ＥＳＣ 静電チャック
ＦＲ フォーカスリング
ＨＰ ヒータ電源
ＨＴ ヒータ
ＬＥ 下部電極
ＰＤ 載置台
Ｓ 処理空間
ＳＲ，ＳＲｂ シリコンリング
Ｗ 基板
１ 処理システム
１０ プラズマ処理装置
１１ 制御装置
１２ 処理チャンバ
１２ｅ 排気口
１２ｇ 開口
１４，１４ａ，１４ｂ 第２の絶縁部材
１５ 支持部材
２２ 直流電源
２３ スイッチ
２４ 流路
２６ａ，２６ｂ 配管
２７ 配管
３０ 上部電極
３２ 第３の絶縁部材
３４ 電極板
３４ａ ガス吐出孔
３６ 電極支持体
３６ａ ガス拡散室
３６ｂ ガス流通孔
３６ｃ ガス導入口
３８ 配管
４０ ガスソース群
４２ バルブ群
４４ 流量制御器群
４６ デポシールド
４８ 排気プレート
５０ 排気装置
５２ 排気管
５４ ゲートバルブ
６２ 第１の高周波電源
６４ 第２の高周波電源
６６ 整合器
６８ 整合器
７０ 電源
８０ チラーユニット
１０１，１２４ 段差部
１１０，１１１ 領域
１２０ 穴
１２１ 駆動ピン
１２２ 駆動機構
１２３ 空間

Claims (8)

1. 基板を載置する載置部と前記載置部より低い位置に設けられた段差部を有する導電性の載置台と、
   前記段差部に配設され、前記載置台の外縁よりも外側まで延伸する導電性部材と、
   前記導電性部材の上面に配置される第１の絶縁部材と、
   前記導電性部材を上下に駆動させる駆動機構と、
   を有し、
   前記導電性部材と、前記第１の絶縁部材との間には、前記導電性部材が上下に移動可能な空間が設けられる、
   プラズマ処理装置。
2. 前記第１の絶縁部材は、前記導電性部材を覆うように配置される、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. さらに、前記載置台の側面を覆う第２の絶縁部材を有する、
   請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第２の絶縁部材の上端は、前記段差部と同じ高さである、
   請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記段差部には、誘電体の保護膜が形成される、
   請求項１～４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第１の絶縁部材の上に、導電性のフォーカスリングが載置される、
   請求項１～５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. さらに、前記導電性部材と接触し、前記駆動機構によって上下に駆動されることで、前記導電性部材を上下に移動可能な複数の駆動ピンを有する、
   請求項１～６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
8. 前記複数の駆動ピンを上昇させた状態で、前記導電性部材と前記段差部との間に、１ｍｍ以上２ｍｍ以下の空間を形成可能である、
   請求項７に記載のプラズマ処理装置。

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