JP2010098012A - エッチング装置及びエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sを固定するためのクランプリング33と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材34とを有してなり、基板トレイが、第1の表面凹部32aと第2の表面凹部32cとの2段の表面凹部、及び裏面凹部32dと裏面凹部を囲んで基板電極31に接触する周囲接触面部32eとを有し、冷却ガス流路32fが形成されたものであり、リング部材が1.5W/mK以下の熱伝導率を有する材料から構成されていること。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。
【選択図】図3
Description
上記したリング部材を構成する材料の熱伝導率は、一般に、以下の表1に示す通りである。
32 基板トレイ 32a 第1の表面凹部
32b 外周縁部 32c 第2の表面凹部
32d 裏面凹部 32e 周囲接触面部
32f 冷却ガス流路 33 クランプリング
34 リング部材 35 マスフローメータ
36 冷却ガス供給源 37 ガイドリング
41 基板電極 41a 冷却ガスの通路
42 基板トレイ 42a 第1の表面凹部
42b 外周縁部 42c 第2の表面凹部
42d 裏面凹部 42e 周囲接触面部
42f 冷却ガス流路 43 クランプリング
44 リング部材 44a 突出部分
45 マスフローメータ 46 冷却ガス供給源
47 ガイドリング 51 基板トレイ
51a 第1の表面凹部 51b 外周縁部
51c 第2の表面凹部 51d 裏面凹部
51e 周囲接触面部 51f 冷却ガス流路
51g 突起 51h 冷却ガス流路
52 基板電極 52a リング状の凹部
S 基板 A、B、C、D、E 位置
Claims (15)
- 高密度プラズマ雰囲気で、基板電極上に載置される基板を加工するエッチング装置において、基板電極上に装着される基板トレイ内に載置される基板を基板トレイ上に固定するために基板の周縁部を押圧するように構成されたクランプリングと、このクランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材とを有してなり、該基板トレイが、表面に加工すべき基板を受ける第1の表面凹部が形成され、かつこの第1の表面凹部内に第2の表面凹部が形成されて、表面が2段の凹部を有するように構成され、また、該第1及び第2の表面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部とこの裏面凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とが形成され、そして該裏面凹部から該第2の表面凹部へと貫通する複数の冷却ガス流路が形成されたものであり、該リング部材が1.5W/mK以下の熱伝導率を有する材料から構成されたものであることを特徴とするエッチング装置。
- 前記第2の表面凹部の深さが、50〜100μmであることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
- 前記基板の周縁部を載置する部分である第1の表面凹部の底面の幅が、最大3mmであることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング装置。
- 前記リング部材が、合成樹脂、石英、サファイア、イットリア、及びシリコーンゴムから選ばれた材料で構成されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記合成樹脂が、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂から選ばれた樹脂であることを特徴とする請求項4記載のエッチング装置。
- 前記合成樹脂が、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びフェノール樹脂から選ばれた樹脂であることを特徴とする請求項4記載のエッチング装置。
- 前記リング部材が、クランプリングの基板との接触面の少なくとも一部に突出するように埋め込まれるか又は接合されてなる部材であって、この部材を介して、クランプリングにより基板の周縁部を押圧するように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 真空チャンバ内にガスを導入してマイクロ波や高周波を用いて高密度プラズマを形成し、基板電極上に載置された基板を加工するエッチング方法において、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部を、1.5W/mK以下の熱伝導率を有する材料から構成されたリング部材を介して、クランプリングで押圧して基板を基板トレイ上に固定し、冷却ガス流路に冷却ガスを流しながら基板を加工することからなり、該基板トレイとして、表面に加工すべき基板を受ける第1の表面凹部が形成され、かつこの第1の表面凹部内に第2の表面凹部が形成されて、表面が2段の凹部を有するように構成され、また、該第1及び第2の表面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部とこの裏面凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とが形成され、そして該裏面凹部から該第2の表面凹部へと貫通する複数の冷却ガス流路が形成された基板トレイを用いて基板を加工することを特徴とするエッチング方法。
- 前記第2の表面凹部の深さが、50〜100μmである基板トレイを用いることを特徴とする請求項8記載のエッチング方法。
- 前記基板の周縁部を載置する部分である第1の表面凹部の底面の幅が、最大3mmである基板トレイを用いることを特徴とする請求項8又は9記載のエッチング方法。
- 前記リング部材として、合成樹脂、石英、サファイア、イットリア、及びシリコーンゴムから選ばれた材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記合成樹脂が、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂から選ばれた樹脂であることを特徴とする請求項11記載のエッチング方法。
- 前記合成樹脂が、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、及びフェノール樹脂から選ばれた樹脂であることを特徴とする請求項11記載のエッチング方法。
- 前記リング部材として、クランプリングの基板との接触面の少なくとも一部に突出するように埋め込まれるか又は接合されてなる部材を用い、この部材を介して、クランプリングにより基板の周縁部を押圧して固定することを特徴とする請求項8〜13のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記基板を、基板に実質的な機械的応力を与えず、しかも基板の加工中に発生する応力を逃がすことのできる程度のクランプ力で固定することを特徴とする請求項8〜14のいずれか1項に記載のエッチング方法。
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