CN104979251A - 整体式pss刻蚀托盘治具 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种整体式PSS刻蚀托盘治具,包括整体式托盘与由金属材料制成的压环,所述的整体式托盘上排列设置有多个片槽,每个所述的片槽内设置用于放置晶圆片的搭阶,所述的片槽内位于搭阶的下方设置有冷却腔,所述的冷却腔设置多个冷却孔,所述的冷却孔通有冷却气体,每个所述的片槽内的晶圆片上方设置压环,所述的压环呈环形并覆盖于晶圆片的周向边缘。由于采用了以上技术方案,本发明将石英件的优点与金属件的优点结合了起来,对边缘效应有较好的改善效果,不需要使用如定位盘等额外工具,且不需要使用真空脂等密封材料,操作简便,可以提高工效,节省人工成本。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域。
背景技术
PSS刻蚀的对象是蓝宝石衬底,属于微米级加工工艺,工艺要求之一是片内均匀性高(<3%),特别是要求边缘区域的图形要对称且不能有粘连。随着行业标准的不断提升, 边缘区域的质量越来越受重视,随之而来的是对边缘问题的处理能力构成了各PSS厂家,乃至于ICP设备厂商的核心竞争力,而在该工艺中托盘治具是影响边缘问题的关键因素。
目前, 市场上用于PSS刻蚀的托盘治具有大约以下2种结构。
结构一:金属托盘配合石英盖板。这种治具的优点是制造工艺简单,制造成本低廉。缺点是,由于刻蚀的晶圆需要靠石英的边缘进行压片,而石英材质不具备延展性,较脆弱。所以,经常会发生石英盘压边处崩损的事故。特别地,为了刻蚀副产物挥发的方便,石英盖板的上表面距晶圆被刻蚀的上表面的高度要低。换句话讲,为了保证刻蚀的均匀性,石英盖板必须做薄,这就进一步降低了石英盖板的强度,使得盖板更易损坏。此外,由于与晶圆直接接触的材料为石英,而石英是绝缘体,这将导致等离子场在靠近晶圆边缘的地方由于绝缘体的影响,而发生电场的偏转,从而使得边缘区域的刻蚀速率与整体有较大差距,并且由于电场的偏转,刻蚀出来的图形的形貌也不会对称。而不对称的PSS结构在外延生长过程中会产生不期望的异常结构。
结构二:金属托盘配合金属盖板。这种治具的优点是制造工艺简单,制造成本较低廉,边缘效应不明显。缺点是,金属盖板在刻蚀过程中直接接触高能等离子体,盖板的材质本身也会参与到物理化学反应中去。生成物的成分更加复杂,对设备的保养周期造成影响。同样地,为了保证副产物可以顺利被抽走,金属盖板必须要薄,但金属自身的延展性会使得金属盖板在使用过程中发生形变,从而导致冷却问题的发生。
由于治具的结构与材料的成分比例都会对ICP刻蚀设备的反射功率构成影响,或者说,一定的治具结构和材料成分是与设备的其他硬件结构相对应、相匹配的。这就意味着一旦治具结构和成分确定后,设备的其他硬件机构也就基本定型了。如果要进行治具类型的更换, 就必然会涉及到设备硬件结构的变更,改造的成本与工作量都会显著上升。
发明内容
本发明的目的在于解决一种ICP刻蚀中使用的治具设计方案,既可以减弱ICP刻蚀中普遍存在的边缘效应(保证边缘图形对称且不粘连),又可以延长治具的使用寿命, 同时还能够简化治具的使用与操作。
为了达到上述目的,本发明提供的一种整体式PSS刻蚀托盘治具,包括整体式托盘与由金属材料制成的压环,所述的整体式托盘上排列设置有多个片槽,每个所述的片槽内设置用于放置晶圆片的搭阶,所述的片槽内位于搭阶的下方设置有冷却腔,所述的冷却腔设置多个冷却孔,所述的冷却孔通有冷却气体,每个所述的片槽内的晶圆片上方设置压环,所述的压环呈环形并覆盖于晶圆片的周向边缘。
作为进一步的改进,所述的整体式托盘由石英、金属或者陶瓷材料制成。
作为进一步的改进,所述的压环具有小爪或内环,所述的小爪或内环压紧在晶圆片的边缘并支撑于搭阶上。
作为进一步的改进,所述的晶圆片具有定位边,所述的片槽、压环配合设置有定位边。
作为进一步的改进,所述的压环的厚度与片槽的深度相适应。
作为进一步的改进,所述的冷却气体包括氦气。
作为进一步的改进,所述的片槽底部设置多个冷却孔。
作为进一步的改进,还包括密封圈,所述的片槽的内径设置有用于放置密封圈的定位槽。
由于采用了以上技术方案,本发明将石英件的优点与金属件的优点结合了起来,对边缘效应有较好的改善效果,不需要使用如定位盘等额外工具, 且不需要使用真空脂等密封材料, 操作简便, 可以提高工效, 节省人工成本。
附图说明
图1描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的主视图;
图2描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的局部剖视图;
图3描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图;
图4描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的局部剖视图;
图5描述了另一个实施例中整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例一
参见附图1至附图4所示,图1描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的主视图,图2描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的局部剖视图,图3描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图,图4描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的局部剖视图。
本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具,包括整体式托盘1与由金属材料制成的压环2,整体式托盘1的材质不进行限制(既可以是石英,又可以是金属,还可以是陶瓷),但整体式托盘1必须是一个整体结构。
为了保证能放入晶圆片,需要在整体式托盘1材料中进行槽体制造。根据待处理晶圆的尺寸,以及待做金属环的厚度在整体式托盘1的主体上抠出多个片槽3,槽体的深度按实际使用效果计,为保证刻蚀效果的均匀性,使表面气流更均匀,副产物排除及时,片槽3应为浅槽,另外片槽3的具体数量按处理晶圆的数量进行设计
如附图2所示,每个片槽3内设置用于放置晶圆片的搭阶4,将待处理的晶圆片放入到片槽3内,片槽3内位于搭阶4的下方设置有冷却腔5(用于氦气的流通),冷却腔5设置多个冷却孔6,冷却孔6位于片槽3的底部,冷却孔6通有冷却气体。
如附图3所示与附图4所示,按开槽大小设计压环2的尺寸,同时压环2具有上设置有小爪或内环7,小爪或内环7压紧在晶圆片的边缘并支撑于搭阶4上,压环2呈环形并覆盖于晶圆片的周向边缘。压环2的顶部21可以设计为与整体式托盘1的表面平齐,压环2的厚度22与片槽3的深度相适应。
将待处理的晶圆片放入到片槽3中, 然后将金属压环2压入到(石英)主体中即可,将准备好的治具放到ICP刻蚀设备中进行刻蚀作业。本发明将石英件的优点与金属件的优点结合了起来,对边缘效应有较好的改善效果,不需要使用如定位盘等额外工具,且不需要使用真空脂等密封材料,操作简便,可以提高工效,节省人工成本。
实施例二
参见附图5所示,图5描述了另一个实施例中整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图。本实施例中的压环整体与实施例一种的压环结构相类似,区别在于实际中的晶圆片往往并不是绝对的圆形, 而是存在一个定位边, 所以, 对应的片槽3、压环2都需要设计定位边8。
另外,根据设计精度及实际使用中的效果, 可以选择在片槽3的内径设计用于放置密封圈的位置,从而增强侧面局部的密封性能。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:包括整体式托盘(1)与由金属材料制成的压环(2),所述的整体式托盘(1)上排列设置有多个片槽(3),每个所述的片槽(3)内设置用于放置晶圆片的搭阶(4),所述的片槽(3)内位于搭阶(4)的下方设置有冷却腔(5),所述的冷却腔(5)设置多个冷却孔(6),所述的冷却孔(6)通有冷却气体,每个所述的片槽(3)内的晶圆片上方设置压环(2),所述的压环(2)呈环形并覆盖于晶圆片的周向边缘。
2.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的整体式托盘(1)由石英、金属或者陶瓷材料制成。
3.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的压环(2)具有小爪或内环(7),所述的小爪或内环(7)压紧在晶圆片的边缘并支撑于搭阶(4)上。
4.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的晶圆片具有定位边,所述的片槽(3)、压环(2)也配合设置有定位边。
5.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的压环(2)的厚度与片槽(3)的深度相适应。
6.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的冷却气体包括氦气。
7.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:所述的片槽(3)底部设置多个冷却孔(6)。
8.根据权利要求1所述的整体式PSS刻蚀托盘治具,其特征在于:还包括密封圈,所述的片槽(3)的内径设置有用于放置密封圈的定位槽。
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