CN202067787U - 托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 - Google Patents
托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202067787U CN202067787U CN2011201407286U CN201120140728U CN202067787U CN 202067787 U CN202067787 U CN 202067787U CN 2011201407286 U CN2011201407286 U CN 2011201407286U CN 201120140728 U CN201120140728 U CN 201120140728U CN 202067787 U CN202067787 U CN 202067787U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tray body
- substrate
- cover plate
- pallet component
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型提出一种托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备。托盘组件包括：托盘本体，托盘本体的上表面上设有用于容纳基片的容纳槽且托盘本体内还设有从容纳槽的底面延伸到托盘本体的下表面的供气孔；设在容纳槽内以支撑基片且围绕供气孔的上端的密封圈；和安装在托盘本体的上表面上的盖板，盖板上设有与托盘本体上的容纳槽对应的通孔，通孔的下沿设有从盖板的下表面延伸出用于压住基片的突起，其中支撑在密封圈上且由突起压住的基片的上表面不高于托盘本体的上表面。根据本实用新型的托盘组件可以减少氦气的泄露，提高冷却效果，由此提高工艺的稳定性。另外，根据本实用新型的托盘组件减少了装片时间，提高了产能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备。
背景技术
在基片处理领域，例如在图形化蓝宝石衬底等刻蚀制作中，为了提高产能，一般是多片同时刻蚀。其方法是把多片蓝宝石放于一个托盘上，然后将托盘放于等离子体刻蚀设备的基座上进行刻蚀。在刻蚀过程中，对基座进行温度控制，并且在盘中通过气体以帮助散热。
如图6所示，传统上，托盘本体10’与盖板30’通过螺钉33’固定。盖板30’上设置有孔洞31’，可以使基片40’，例如为蓝宝石片的表面露出，与等离子体接触以发生刻蚀作用。在蓝宝石片与托盘本体10’之间设置有密封圈20’。在托盘本体10’上还形成有供气孔12，密封圈20’可以防止供气孔12’进入的气体外漏。
但是，在上述传统的方案中，放置蓝宝石片的容纳槽11’都比较浅，这样可以使蓝宝石片上表面露出一部分，以使得盖板30’可以压住蓝宝石片。并且要求容纳槽11’比蓝宝石片要大一些，以保证蓝宝石片能够接触到密封圈20’，且利于放置蓝宝石片。然而，由于托盘本体10’上的容纳槽11’比蓝宝石片大，且蓝宝石片边缘存在倒角，因此蓝宝石片在容纳槽11’内容易偏向一边，会造成蓝宝石片与密封圈存在缝隙。这样气体容易从缝隙中漏出，造成冷却效果变差。并且这种泄露与人操作有一定关系，从而会造成片间均匀性及不同批次间的一致性变差，容易使工艺产生较大波动而不稳定。为了避免此现象的发生，需要操作工人在放片时，要特别仔细，对托盘上的每一片都要仔细检查。这样势必会增加装片时间，而影响设备产能。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种具有气体泄露率低、工艺稳定性好、产能高的托盘组件。
本实用新型的另一目的在于提出一种具有上述托盘组件的基片处理设备。
根据本实用新型第一方面的托盘组件包括：托盘本体，所述托盘本体的上表面上设有用于容纳基片的容纳槽，且所述托盘本体内还设有从所述容纳槽的底面延伸到所述托盘本体的下表面的供气孔；密封圈，所述密封圈设在所述容纳槽内以支撑所述基片且所述密封圈围绕所述供气孔的上端；和盖板，所述盖板安装在所述托盘本体的上表面上，所述盖板上设有与所述托盘本体上的所述容纳槽对应的通孔，所述通孔的下沿设有从所述盖板的下表面延伸出用于压住所述基片的突起，其中支撑在所述密封圈上且由所述突起压住的所述基片的上表面不高于所述托盘本体的上表面。
根据本实用新型的托盘组件，不易发生气体泄露，在装片过程中减少人为因素所导致的气体的泄露，提高刻蚀过程的冷却效果，提高了工艺的稳定性。另外，这样的托盘组件减少了装片时间，提高了设备的产能。
另外，根据本实用新型的上述托盘组件还可以具有如下附加的技术特征：
所述突起与所述盖板成一体。
所述突起为环形突起。
所述突起具有矩形、三角形或弧形的截面。
所述盖板的下表面与所述托盘本体的上表面之间的距离为0.1-1.5毫米。
所述通孔的上表面面积大于所述通孔的下表面面积。
所述基片的上表面与所述托盘本体的上表面之间的距离为0-2毫米。
所述盖板通过螺钉安装到所述托盘本体上。
所述容纳槽为多个。
根据本实用新型第二方面的基片处理设备，包括托盘组件，所述托盘组件可以为根据本实用新型第一方面所述的托盘组件。
根据本实用新型的基片处理设备，不易发生气体泄露，在装片过程中减少人为因素所导致的气体泄露，提高刻蚀过程的冷却效果，提高了工艺的稳定性。并且减少了装片时间，提高了设备的产能。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本实用新型实施例的托盘组件的立体示意图；
图2是根据本实用新型实施例的托盘组件的剖视示意图；
图3是根据本实用新型实施例的托盘组件的剖视示意图，其中基片在容纳槽内发生了偏移；
图4是根据本实用新型实施例的盖板的结构示意图；
图5是根据本实用新型实施例的盖板的俯视图；和
图6为传统托盘组件的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面参考附图描述根据本实用新型实施例的托盘组件。
参见图1-5，根据本实用新型一个实施例的托盘组件包括托盘本体10、密封圈20、和盖板30。
具体地，托盘本体10的上表面上设有用于容纳基片40(例如蓝宝石片)的容纳槽11，且托盘本体10内还设有从容纳槽11的底面延伸到托盘本体10的下表面的供气孔12，用于向容纳槽11内供给气体，例如氦气。
密封圈20设在容纳槽11内以支撑基片40且密封圈20围绕供气孔12的上端，换言之，供气孔12的上端开口在密封圈20的内侧，密封圈20与托盘本体10和基片40共同组成密闭空间，从供气孔12供给到该密闭空间内，以对基片40进行冷却。
参见图2-5所示，盖板30安装在托盘本体10的上表面上，盖板30上设有与托盘本体10上的容纳槽11对应的通孔31，通孔31的下沿设有从盖板30的下表面延伸出用于压住基片40的突起32。这里，需要理解的是，容纳槽11与通孔31对应，应理解为当盖板30安装到托盘本体10上时，容纳槽11的位置与通孔31的位置上下对应，并且它们的尺寸适配，以便可以将基片40放置在容纳槽11内，并且基片40的上表面通过通孔31暴露出。
支撑在密封圈20上且由突起32压住的基片40的上表面不高于托盘本体10的上表面，换言之，不考虑密封圈20变形，容纳槽11的深度不小于密封圈20的厚度与基片40的厚度之和。
根据本实用新型实施例的托盘组件，由于容纳槽11的深度增加，支撑在密封圈20上的基片40的上表面不会向上突出托盘本体10的上表面，因此基片40、密封圈20和容纳槽11底面限定的所述封闭空间密闭性能好，从供气孔12供给到所述密闭空间内的气体例(如氦气)不容易泄露，提高了冷却效果。而且，如图3所示，即使基片40在容纳槽11内发生了偏移，仍然可以实现良好的密封，因此在装片过程中减少人为因素所导致的气体泄露，提高刻蚀过程的冷却效果，进一步提高了工艺的稳定性。另外，可以减少装片时间，提高产能。
参见图4所示，根据本实用新型的一些实施例，突起32与盖板30可以一体形成，由此提高了制造的方便性，降低了成本。
根据本实用新型的一个实施例，突起32可以为环形突起。更进一步地，突起32可以具有矩形、三角形或弧形的截面。突起32的高度可以根据基片40上表面与托盘本体10上表面的距离而定，例如当突起32压到基片40上时，突起32的高度可以使盖板30的下表面与托盘本体10的上表面之间的距离为0.1-1.5毫米。
可以理解的是，通孔31、突起32以及容纳槽11的形状没有特别限制，只要与基片40的形状适配就可以，例如对于基片40为蓝宝石片情况，基片40的形状通常如图5所示，由圆弧形边和直边构成的形状。
在本实用新型的一个实施例中，如图2-5所示，通孔31的上表面面积大于通孔31的下表面面积，换言之，通孔31具有上大下小的梯形截面，方便等离子体与基片的接触，便于刻蚀。
参见图2-3所示，根据本实用新型的一个实施例，基片40的上表面与托盘本体10的上表面之间的距离可以为大约0-2毫米。
参见图2-3所示，根据本实用新型的实施例，盖板30可以通过螺钉33安装到托盘本体10上。
如图1所示，在托盘本体10上设有多个容纳槽11，相应地，盖板30上的通孔31也为多个，由此可以在托盘本体10上同时放置多个基片30，提高了加工效率。
根据本实用新型实施例的基片处理设备可以包括参考上面实施例描述的托盘组件，所述基片处理设备例如可以为化学气相沉积(CVD)设备，更具体而言，可以为PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备。根据本实用新型实施例的基片处理设备的其他构成，例如腔室、载板等都是已知的，这里不再详细描述。
根据本实用新型实施例的托盘组件和基片处理设备，支撑在密封圈上且由盖板上的突起压住的基片的上表面不高于托盘本体的上表面，因此，即使基片在容纳槽内偏移，也不容易发生气体泄漏，提高了对基片的冷却效果，并且装片方便，提高了生产效率。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种托盘组件，其特征在于，包括：
托盘本体，所述托盘本体的上表面上设有用于容纳基片的容纳槽，且所述托盘本体内还设有从所述容纳槽的底面延伸到所述托盘本体的下表面的供气孔；
密封圈，所述密封圈设在所述容纳槽内以支撑所述基片且所述密封圈围绕所述供气孔的上端；和
盖板，所述盖板安装在所述托盘本体的上表面上，所述盖板上设有与所述托盘本体上的所述容纳槽对应的通孔，所述通孔的下沿设有从所述盖板的下表面延伸出用于压住所述基片的突起，其中支撑在所述密封圈上且由所述突起压住的所述基片的上表面不高于所述托盘本体的上表面。
2.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述突起与所述盖板成一体。
3.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述突起为环形突起。
4.根据权利要求1-3任一项所述的托盘组件，其特征在于，所述突起具有矩形、三角形或弧形的截面。
5.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述盖板的下表面与所述托盘本体的上表面之间的距离为0.1-1.5毫米。
6.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述通孔的上表面面积大于所述通孔的下表面面积。
7.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述基片的上表面与所述托盘本体的上表面之间的距离为0-2毫米。
8.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述盖板通过螺钉安装到所述托盘本体上。
9.根据权利要求1所述的托盘组件，其特征在于，所述容纳槽为多个。
10.一种基片处理设备，其特征在于，包括根据权利要求1-9中任一项所述的托盘组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011201407286U CN202067787U (zh) | 2011-05-05 | 2011-05-05 | 托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011201407286U CN202067787U (zh) | 2011-05-05 | 2011-05-05 | 托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202067787U true CN202067787U (zh) | 2011-12-07 |
Family
ID=45061642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011201407286U Expired - Lifetime CN202067787U (zh) | 2011-05-05 | 2011-05-05 | 托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202067787U (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103590020A (zh) * | 2012-08-13 | 2014-02-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件及具有其的mocvd设备 |
| CN104282610A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及等离子体加工设备 |
| CN104342758A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
| CN104752129A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件和刻蚀设备 |
| CN104979251A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-10-14 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 整体式pss刻蚀托盘治具 |
| CN106684029A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及半导体加工设备 |
| CN106856187A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件 |
| CN104124185B (zh) * | 2013-04-26 | 2017-09-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片盖板和晶片加工设备 |
| CN108004525A (zh) * | 2016-11-01 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 托盘、反应腔室、半导体加工设备 |
| WO2019095722A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 太阳能电池硅片承载装置以及传输系统 |
| CN111863702A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室 |
| CN113113306A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-13 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺 |
-
2011
- 2011-05-05 CN CN2011201407286U patent/CN202067787U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103590020A (zh) * | 2012-08-13 | 2014-02-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件及具有其的mocvd设备 |
| CN103590020B (zh) * | 2012-08-13 | 2015-12-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件及具有其的mocvd设备 |
| CN104124185B (zh) * | 2013-04-26 | 2017-09-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片盖板和晶片加工设备 |
| CN104282610A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及等离子体加工设备 |
| CN104282610B (zh) * | 2013-07-02 | 2017-12-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及等离子体加工设备 |
| CN104342758A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
| CN104342758B (zh) * | 2013-07-24 | 2017-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
| CN104752129A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件和刻蚀设备 |
| CN104752129B (zh) * | 2013-12-30 | 2018-01-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 托盘组件和刻蚀设备 |
| CN104979251A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-10-14 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 整体式pss刻蚀托盘治具 |
| CN106684029A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及半导体加工设备 |
| CN106856187A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件 |
| CN106856187B (zh) * | 2015-12-08 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 托盘组件 |
| CN108004525A (zh) * | 2016-11-01 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 托盘、反应腔室、半导体加工设备 |
| CN108004525B (zh) * | 2016-11-01 | 2020-04-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 托盘、反应腔室、半导体加工设备 |
| WO2019095722A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 太阳能电池硅片承载装置以及传输系统 |
| CN111863702A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室 |
| CN113113306A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-13 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺 |
| CN113113306B (zh) * | 2021-04-08 | 2024-05-28 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202067787U (zh) | 托盘组件和具有该托盘组件的基片处理设备 | |
| CN101622703B (zh) | 基板支持框架及基板处理设备和以此设备装卸基板的方法 | |
| CN101919041A (zh) | 衬底固持器，衬底支撑设备，衬底处理设备以及使用所述衬底处理设备的衬底处理方法 | |
| CN102373440A (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| KR101600265B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
| CN104282610B (zh) | 承载装置及等离子体加工设备 | |
| CN105624634B (zh) | 反应腔室及半导体加工设备 | |
| CN117089824A (zh) | 一种薄膜沉积设备、方法及存储介质 | |
| CN103531513B (zh) | 衬底支撑设备以及衬底处理设备 | |
| KR101106153B1 (ko) | 박막 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치 | |
| KR101062185B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| CN105789106B (zh) | 夹持装置及半导体加工设备 | |
| CN101261933A (zh) | 真空容器、耐压容器和它们的密封方法 | |
| KR100978851B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| CN101924057A (zh) | 载板及连续等离子体镀膜装置 | |
| CN207489814U (zh) | 一种刻蚀设备的上电极安装结构以及刻蚀设备 | |
| KR20150138921A (ko) | 글라스 단면 에칭용 카세트 | |
| CN219267594U (zh) | 托盘装置及具有该托盘装置的刻蚀机 | |
| JP2013243184A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| CN205258601U (zh) | 一种用于下镀膜的硅片载板 | |
| KR20200041001A (ko) | 가스공급유닛 | |
| CN217552286U (zh) | 一种背光模组的装配平台 | |
| CN105225908A (zh) | 托盘组件和刻蚀设备 | |
| CN220585244U (zh) | 一种衬底 | |
| CN220116666U (zh) | 一种半导体工艺设备及其进气调节装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 100015 No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100015 No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 100176 No. 8, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100015 No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District Patentee before: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20111207 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |