CN104342758A - 压环及等离子体加工设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种压环及等离子体加工设备，压环用于固定被加工工件的承载装置，压环包括环体和至少三个压爪，至少三个压爪与环体固定连接，且沿着环体的周向间隔设置，且每个压爪的下表面叠置在承载装置上表面的边缘区域，并且在环体与承载装置之间形成有排气口，用以排出流入环体的环孔内的工艺气体。本发明提供的压环，可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。
Description
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种压环及等离子体加工设备。
背景技术
图形化蓝宝石衬底（Patterned Sapphire Substrate，以下简称PSS）是目前较为主流的提高蓝光LED出光效率的方法之一，该方法通常采用干法刻蚀技术对存在掩膜图形的蓝宝石衬底进行刻蚀，以在蓝宝石衬底上制作图形。感应耦合等离子体（Inductively coupledplasma，以下简称ICP）刻蚀设备是一种应用比较广泛的制作PSS衬底的设备，其通常借助压环将用于承载衬底的承载装置固定在反应腔室内进行工艺。
图1为现有的压环的结构俯视图，请参阅图1，压环包括环体11，环体11的环孔110的直径D1小于承载装置10的外径D2，环体11的下表面的靠近环孔110周边的环形区域与承载装置10的上表面的边缘区域相互叠置，用以固定承载装置10。在装载被加工工件的过程中，将承载有被加工工件的承载装置10传入反应腔室内的卡盘上，并使环体11下降直至压住承载装置10，从而实现对承载装置10的固定。
上述固定装置在实际应用中不可避免地存在以下问题，即：由于环体11的下表面的靠近环孔110周边的环形区域叠置在承载装置10的边缘区域，导致到达承载装置10的上表面的工艺气体因受到该上表面上压环的阻挡而发生较大程度的偏转，如图2所示，这使得工艺气体分布在承载装置10上表面的边缘区域的浓度较小，从而造成位于该边缘区域的被加工工件的刻蚀速率较慢，进而降低了工艺均匀性。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种压环及等离子体加工设备，其可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。
本发明提供一种压环，用于固定被加工工件的承载装置，所述压环包括环体和至少三个压爪，所述至少三个压爪与所述环体固定连接，且沿着所述环体的周向间隔设置，且每个所述压爪的下表面叠置在所述承载装置上表面的边缘区域，并且在所述环体与所述承载装置之间形成有排气口，用以排出流入所述环体的环孔内的工艺气体。
其中，所述环孔的直径大于所述承载装置的外径，且每个所述压爪固定在所述环孔的孔壁上；所述环孔的内周缘与所述承载装置的外周缘之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有水平间距。
优选地，所述水平间距在所述环孔的径向上的宽度为10～15mm。
其中，所述环孔的直径大于所述承载装置的外径，且每个所述压爪的上表面与所述压环的下表面相互叠置，且二者固定连接；所述环孔的内周缘与所述承载装置的外周缘之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有水平间距，以及所述环体的下表面和所述承载装置的上表面之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距。
优选地，所述水平间距在所述环孔的径向上的宽度为10～15mm，所述竖直间距在所述环孔的轴向上的宽度为5～10mm。
其中，所述环孔的直径小于或等于所述承载装置的外径，且每个所述压爪的上表面与所述压环的下表面相互叠置，且二者固定连接；所述环体的下表面与所述承载装置的上表面之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距。
优选地，所述竖直间距在所述环孔的轴向上的宽度为5～10mm。
优选地，所述至少三个压爪沿所述环体的周向均匀分布。
优选地，相邻的两个压爪之间的水平夹角为20°～72°。
其中，每个所述压爪投影在所述承载装置上表面上的径向长度为3～5mm。
其中，每个所述压爪沿所述环孔的周向的宽度为5～10mm。
优选地，所述压爪和所述环体均采用绝缘材料制成，且二者采用一体成型的整体式结构。
其中，所述绝缘材料包括陶瓷或者石英。
其中，所述承载装置包括托盘和盖板，其中
在所述托盘的上表面上设置有多个用于承载被加工工件的承载位；在所述盖板上设置有通孔，所述通孔的数量和位置与所述承载位的数量和位置一一对应，且所述通孔的直径小于所述被加工工件的直径，并且对应于每个通孔，所述盖板下表面的靠近通孔周边的环形区域与置于所述承载位上的被加工工件上表面的边缘区域相互叠置；每个所述压爪的下表面叠置在所述盖板上表面的边缘区域。
本发明还提供一种等离子加工设备，包括反应腔室及设置在其内的卡盘、承载装置和压环，其中，所述承载装置用于承载被加工工件，所述卡盘用于承载所述承载装置；所述压环用于将所述承载装置固定在所述卡盘的上表面上，所述压环采用上述的压环。
本发明具有下述有益效果：
本发明提供的压环，其沿环体的周向间隔设置有至少三个压爪，且每个压爪的下表面叠置在承载装置上表面的边缘区域，用以固定被加工工件的承载装置，并且在环体与承载装置之间形成有排气口，用以排出流入环体的环孔内的工艺气体，可以使得工艺气体经由该排气口平稳地流动，这使得工艺气体在承载装置的上表面上分布均匀，从而可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。
本发明提供的等离子体加工设备，其采用本发明提供的压环，可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，从而可以提高工艺的均匀性，进而可以提高工艺质量和良品率。
附图说明
图1为现有的压环的结构俯视图；
图2为图1中工艺气体流向示意图；
图3为本发明第一实施例提供的压环的俯视图；
图4为本发明第一实施例提供的压环和承载装置的结构示意图；
图5为图4中工艺气体流向示意图；
图6为图4中盖板的俯视图；
图7为本发明第一实施例提供的另一种压环和承载装置的结构示意图；
图8为图7中工艺气体流向示意图；
图9为本发明第二实施例提供的压环和承载装置的结构示意图；
图10为图9中工艺气体流向示意图；
图11为本发明第二实施例提供的另一种压环和承载装置的结构示意图；以及
图12为图11中工艺气体流向示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的压环及等离子体加工设备进行详细描述。
图3为本发明第一实施例提供的压环的俯视图。图4为本发明第一实施例提供的压环和承载装置的结构示意图。图5为图4中工艺气体流向示意图。请一并参阅图3、图4和图5，本实施例提供的压环用于固定被加工工件的承载装置，其中，压环包括环体20包括至少三个压爪22，至少三个压爪22与环体20固定连接，且沿着环体20的周向间隔设置，且每个压爪22的下表面叠置在承载装置上表面的边缘区域，并且在环体20与承载装置之间形成有排气口，用以排出流入环体20的环孔21内的工艺气体，可以使得工艺气体经由该排气口平稳地流动，这使得工艺气体在承载装置的上表面上分布均匀，从而可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。
在本实施例中，环孔21的直径D1大于承载装置的外径D2，每个压爪22固定在环孔21的孔壁上，环孔21的内周缘与承载装置的外周缘之间形成作为排气口的间隙，且该间隙具有水平间距L，可以使得流入环孔21内的工艺气体经由该排气口平稳地流动，这使得工艺气体在承载装置的上表面上分布均匀，从而可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，进而可以提高工艺的均匀性。优选地，水平间距L在环孔21的径向上的宽度为10～15mm，可以进一步保证工艺气体经由具有该水平间距L的间隙作为排气口平稳地流动，从而可以进一步提高工艺气体分布的均匀性，进而可以进一步提高工艺的均匀性。
在本实施例中，承载装置包括托盘30和盖板31，其中在托盘30的上表面上设置有多个用于承载被加工工件S的承载位；在盖板31上设置有通孔32，如图6所示，为图4中盖板的俯视图，通孔32的数量和位置与承载位的数量和位置一一对应，且通孔32的直径小于被加工工件S的直径，并且对应于每个通孔32，盖板31下表面的靠近通孔32周边的环形区域与置于承载位上的被加工工件S上表面的边缘区域相互叠置，在这种情况下，承载装置的上表面即为盖板31的上表面，则每个压爪22的下表面叠置在盖板31上表面的边缘区域。
优选地，至少三个压爪22沿环体20的周向均匀分布，这使得盖板31上表面的边缘区域受力均匀，从而可以将承载装置稳定地固定，进可以提高工艺的稳定性。
容易理解，环孔21的内周缘与承载装置的外周缘之间形成作为排气口的间隙被至少三个压爪22分割成与压爪22的数量相对应的独立的间隙，因此，在实际应用中，要根据实际情况设定压爪22的尺寸、数量以及相邻的两个压爪22之间的水平夹角，不仅要保证工艺气体经由该间隙作为的排气口沿承载装置的上表面平稳流动，而且要保证承载装置被稳定地固定。优选地，相邻的两个压爪22之间的水平夹角为20°～72°。在本实施例中，压爪22的数量为五个，且每个压爪22为条形结构，每个压爪22投影在承载装置上表面上的径向长度M为3～5mm，每个压爪22沿环孔21的周向的宽度N为5～10mm；相邻的两个压爪22之间的水平夹角A为72°。
在本实施例中，压爪22和环体20采用绝缘材料制成，且二者采用一体成型的整体式结构，这样可以进一步提高压环的强度，从而可以进一步提高压环的使用寿命，其中，绝缘材料包括陶瓷或者石英。在实际应用中，压爪22和环体20也可以采用分体式结构，二者可以采用粘接、螺纹、插接的连接的方式固定。
需要说明的是，在本实施例中，压爪22为条形结构，但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，在保证压爪22的下表面和承载装置的上表面稳定接触的前提下，压爪22也可以采用其他的结构。
还需要说明的是，在本实施例中，每个压爪22固定在环孔21的孔壁上，但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，如图7所示，为本发明第一实施例提供的另一种压环和承载装置的结构示意图，图8为图7中工艺气体流向示意图。图7中每个压爪22的上表面与环体20的下表面相互叠置，且二者固定连接，在这种情况下，环孔21的内周缘与承载装置的外周缘之间形成作为排气口的间隙，且该间隙具有水平间距L，以及环体20的下表面和承载装置的上表面之间形成作为排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距H，因此可以通过共同设定水平间距L和垂直间距H来决定排气口的大小，从而可以提高排气口设定的灵活性。优选地，水平间距L在环孔21的径向上的宽度为10～15mm，竖直间距H在环孔21的轴向上的宽度为5～10mm，
图9为本发明第二实施例提供的压环和承载装置的结构示意图。图10为图9中工艺气体流向示意图。图11为本发明第二实施例提供的另一种压环和承载装置的结构示意图。图12为图11中工艺气体流向示意图。请一并参阅图9、图10、图11和图12，本实施例提供的压环与上述第一实施例提供的压环相比，同样包括环体20和压爪22，由于环体20和压爪22的结构和功能在上述第一实施例中已有详细的描述，在此不再赘述。
下面详细地对本实施例与第一实施例之间的不同点进行详细地描述：具体地，环孔21的直径D1小于或等于承载装置的外径D2，每个压爪22的上表面与环体20的下表面相互叠置，且二者固定连接，在这种情况下，环体20的下表面与承载装置的上表面之间形成作为排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距H，优选地，竖直间距H在环孔21的轴向上的宽度为5～10mm。
容易理解，当环孔21的直径D1小于或等于承载装置的外径D2时，压爪22的尺寸应该满足：压爪22位于环体20的下表面在承载装置的上表面上的投影内，这样可以避免压爪22的尺寸过大造成承载装置的上表面上承载被加工工件S的可用面积减少。
需要说明的是，在本实施例中，可以在现有技术中的压环22的下表面上增设压爪22，这使得与环体配套使用的部分器件并不需要改进，从而可以降低生产成本，进而提高经济效益。
作为另外一个技术方案，本实施例还提供一种等离子加工设备，等离子体加工设备包括反应腔室及设置在其内的卡盘、承载装置和压环，其中，承载装置用于承载被加工工件，卡盘用于承载上述承载装置；压环用于将承载装置固定在卡盘的上表面上，并且，压环采用本实施例提供的上述压环。
本实施例提供的等离子体加工设备，其通过采用本实施例提供的上述压环，可以提高承载装置上被加工工件的刻蚀速率的均匀性，从而可以提高工艺的均匀性，进而可以提高工艺质量和良品率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种压环，用于固定被加工工件的承载装置，其特征在于，所述压环包括环体和至少三个压爪，所述至少三个压爪与所述环体固定连接，且沿着所述环体的周向间隔设置，且每个所述压爪的下表面叠置在所述承载装置上表面的边缘区域，并且
在所述环体与所述承载装置之间形成有排气口，用以排出流入所述环体的环孔内的工艺气体。
2.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述环孔的直径大于所述承载装置的外径，且每个所述压爪固定在所述环孔的孔壁上；
所述环孔的内周缘与所述承载装置的外周缘之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有水平间距。
3.根据权利要求2所述的压环，其特征在于，所述水平间距在所述环孔的径向上的宽度为10～15mm。
4.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述环孔的直径大于所述承载装置的外径，且每个所述压爪的上表面与所述压环的下表面相互叠置，且二者固定连接；
所述环孔的内周缘与所述承载装置的外周缘之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有水平间距，以及
所述环体的下表面和所述承载装置的上表面之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距。
5.根据权利要求4所述的压环，其特征在于，所述水平间距在所述环孔的径向上的宽度为10～15mm，所述竖直间距在所述环孔的轴向上的宽度为5～10mm。
6.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述环孔的直径小于或等于所述承载装置的外径，且每个所述压爪的上表面与所述压环的下表面相互叠置，且二者固定连接；
所述环体的下表面与所述承载装置的上表面之间形成作为所述排气口的间隙，且该间隙具有竖直间距。
7.根据权利要求6所述的压环，其特征在于，所述竖直间距在所述环孔的轴向上的宽度为5～10mm。
8.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述至少三个压爪沿所述环体的周向均匀分布。
9.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，相邻的两个压爪之间的水平夹角为20°～72°。
10.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，每个所述压爪投影在所述承载装置上表面上的径向长度为3～5mm。
11.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，每个所述压爪沿所述环孔的周向的宽度为5～10mm。
12.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述压爪和所述环体均采用绝缘材料制成，且二者采用一体成型的整体式结构。
13.根据权利要求12所述的压环，其特征在于，所述绝缘材料包括陶瓷或者石英。
14.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述承载装置包括托盘和盖板，其中
在所述托盘的上表面上设置有多个用于承载被加工工件的承载位；
在所述盖板上设置有通孔，所述通孔的数量和位置与所述承载位的数量和位置一一对应，且所述通孔的直径小于所述被加工工件的直径，并且对应于每个通孔，所述盖板下表面的靠近通孔周边的环形区域与置于所述承载位上的被加工工件上表面的边缘区域相互叠置；
每个所述压爪的下表面叠置在所述盖板上表面的边缘区域。
15.一种等离子加工设备，包括反应腔室及设置在其内的卡盘、承载装置和压环，其中，所述承载装置用于承载被加工工件，所述卡盘用于承载所述承载装置；所述压环用于将所述承载装置固定在所述卡盘的上表面上，其特征在于，所述压环采用权利要求1-14任意一项所述的压环。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310313552.3A CN104342758B (zh) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | 压环及等离子体加工设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201310313552.3A CN104342758B (zh) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | 压环及等离子体加工设备 |
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|---|---|
| CN104342758A true CN104342758A (zh) | 2015-02-11 |
| CN104342758B CN104342758B (zh) | 2017-07-21 |
Family
ID=52499186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310313552.3A Active CN104342758B (zh) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | 压环及等离子体加工设备 |
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| CN (1) | CN104342758B (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 100176 No. 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No. Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |
|
| CP03 | Change of name, title or address |