JPH09309800A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置Info
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- JPH09309800A JPH09309800A JP12954196A JP12954196A JPH09309800A JP H09309800 A JPH09309800 A JP H09309800A JP 12954196 A JP12954196 A JP 12954196A JP 12954196 A JP12954196 A JP 12954196A JP H09309800 A JPH09309800 A JP H09309800A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工面に非接触でエッチングでき、しかも基
板を均一に冷却できるドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 減圧雰囲気中にて、接地される上部電極
９と、高周波電源１１に接続される下部電極１０との間
に基板３を位置させ、プラズマ状態となったプロセスガ
スによって基板をエッチングするドライエッチング方法
であって、基板をセットしたとき基板の下面によって上
部が覆われる空間Ｓを形成し、この空間の外縁部からこ
の空間内に冷却ガスを導入し、基板を均等に冷却する。
板を均一に冷却できるドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 減圧雰囲気中にて、接地される上部電極
９と、高周波電源１１に接続される下部電極１０との間
に基板３を位置させ、プラズマ状態となったプロセスガ
スによって基板をエッチングするドライエッチング方法
であって、基板をセットしたとき基板の下面によって上
部が覆われる空間Ｓを形成し、この空間の外縁部からこ
の空間内に冷却ガスを導入し、基板を均等に冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
方法及びドライエッチング装置に関するものである。
方法及びドライエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラスなどからなる基板の両面に
ドライエッチング装置を用いて微細加工を行なう試みが
なされている。従来のドライエッチング装置はシリコン
等の半導体を材質とする基板の加工を目的としているも
のが存在する。
ドライエッチング装置を用いて微細加工を行なう試みが
なされている。従来のドライエッチング装置はシリコン
等の半導体を材質とする基板の加工を目的としているも
のが存在する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板を両面
加工するには、基板の加工済の面を非接触で基板を保持
した状態でその反対側の未加工面をエッチングできるよ
うになっていることが望ましい。
加工するには、基板の加工済の面を非接触で基板を保持
した状態でその反対側の未加工面をエッチングできるよ
うになっていることが望ましい。
【０００４】また基板に温度ムラを生じると、エッチン
グの結果にバラツキを生じてしまう。ここで、エッチン
グを行うとガラス等の絶縁性の基板はシリコン等の半導
体に比べて温度上昇しやすいので、基板を均一に冷却で
きる手段が必要となる。
グの結果にバラツキを生じてしまう。ここで、エッチン
グを行うとガラス等の絶縁性の基板はシリコン等の半導
体に比べて温度上昇しやすいので、基板を均一に冷却で
きる手段が必要となる。
【０００５】そこで本発明は、加工済の面に接触するこ
となくその裏面の未加工面をエッチングでき、しかも基
板を均一に冷却できるドライエッチング方法及びドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。
となくその裏面の未加工面をエッチングでき、しかも基
板を均一に冷却できるドライエッチング方法及びドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、減圧雰囲気中にて、接地される上部電極と、
高周波電源に接続される下部電極との間に基板を位置さ
せ、プラズマ状態となったプロセスガスによって基板を
エッチングするドライエッチング方法であって、基板を
基板支持部上にセットしてこの基板支持部の上方にこの
基板の下面によって上部が覆われる空間を形成し、この
空間の外縁部からこの空間内に冷却ガスを導入し、基板
を均等に冷却しながらエッチングするものである。
グ方法は、減圧雰囲気中にて、接地される上部電極と、
高周波電源に接続される下部電極との間に基板を位置さ
せ、プラズマ状態となったプロセスガスによって基板を
エッチングするドライエッチング方法であって、基板を
基板支持部上にセットしてこの基板支持部の上方にこの
基板の下面によって上部が覆われる空間を形成し、この
空間の外縁部からこの空間内に冷却ガスを導入し、基板
を均等に冷却しながらエッチングするものである。
【０００７】また本発明のドライエッチング装置は、外
部から遮断された内部空間を形成する外筒と、外筒の上
部に配置され電気的に接地される上部電極と、高周波電
源に接続される下部電極を装着し外筒の下部に配置され
る内筒とを有し、上面に基板の下面の縁部を下受けする
基板載置面が形成された基板支持部を上部電極と下部電
極の間に備え、基板載置面の内側に基板が下受けされた
際、基板の下面によって上部が覆われる空間を形成すべ
く基板載置面よりも段下りした平坦面を形成し、平坦面
の外縁部から空間内に冷却ガスを導入する吹出口を設け
てなる。
部から遮断された内部空間を形成する外筒と、外筒の上
部に配置され電気的に接地される上部電極と、高周波電
源に接続される下部電極を装着し外筒の下部に配置され
る内筒とを有し、上面に基板の下面の縁部を下受けする
基板載置面が形成された基板支持部を上部電極と下部電
極の間に備え、基板載置面の内側に基板が下受けされた
際、基板の下面によって上部が覆われる空間を形成すべ
く基板載置面よりも段下りした平坦面を形成し、平坦面
の外縁部から空間内に冷却ガスを導入する吹出口を設け
てなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】請求項１記載のドライエッチング
方法は、減圧雰囲気中にて、接地される上部電極と、高
周波電源に接続される下部電極との間に基板を位置さ
せ、プラズマ状態となったプロセスガスによって基板を
エッチングするドライエッチング方法であって、基板を
基板支持部上にセットしてこの基板支持部の上方にこの
基板の下面によって上部が覆われる空間を形成し、この
空間の外縁部からこの空間内に冷却ガスを導入し、基板
を均等に冷却しながらエッチングするものである。した
がって、空間内に存在する冷却ガスによって基板を均一
に冷却することができる。また、基板の大部分は、固体
状の部材に接触するのではなく、冷却ガスに接触してお
り、非接触の状態でエッチングを行うことができる。
方法は、減圧雰囲気中にて、接地される上部電極と、高
周波電源に接続される下部電極との間に基板を位置さ
せ、プラズマ状態となったプロセスガスによって基板を
エッチングするドライエッチング方法であって、基板を
基板支持部上にセットしてこの基板支持部の上方にこの
基板の下面によって上部が覆われる空間を形成し、この
空間の外縁部からこの空間内に冷却ガスを導入し、基板
を均等に冷却しながらエッチングするものである。した
がって、空間内に存在する冷却ガスによって基板を均一
に冷却することができる。また、基板の大部分は、固体
状の部材に接触するのではなく、冷却ガスに接触してお
り、非接触の状態でエッチングを行うことができる。
【０００９】請求項２記載のドライエッチング装置は、
外部から遮断された内部空間を形成する外筒と、外筒の
上部に配置され電気的に接地される上部電極と、高周波
電源に接続される下部電極を装着し外筒の下部に配置さ
れる内筒とを有し、上面に基板の下面の縁部を下受けす
る基板載置面が形成された基板支持部を上部電極と下部
電極の間に備え、基板載置面の内側に基板が下受けされ
た際、基板の下面によって上部が覆われる空間を形成す
べく基板載置面よりも段下りした平坦面を形成し、平坦
面の外縁部から空間内に冷却ガスを導入する吹出口を設
けてなる。
外部から遮断された内部空間を形成する外筒と、外筒の
上部に配置され電気的に接地される上部電極と、高周波
電源に接続される下部電極を装着し外筒の下部に配置さ
れる内筒とを有し、上面に基板の下面の縁部を下受けす
る基板載置面が形成された基板支持部を上部電極と下部
電極の間に備え、基板載置面の内側に基板が下受けされ
た際、基板の下面によって上部が覆われる空間を形成す
べく基板載置面よりも段下りした平坦面を形成し、平坦
面の外縁部から空間内に冷却ガスを導入する吹出口を設
けてなる。
【００１０】次に図面を参照しながら、本発明の実施の
形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態におけ
るドライエッチング装置の平面図である。図１では、ド
ライエッチング装置のうち下方の部材を示している。ま
た、図２及び図３は図１ＡＢＣ断面図である。
形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態におけ
るドライエッチング装置の平面図である。図１では、ド
ライエッチング装置のうち下方の部材を示している。ま
た、図２及び図３は図１ＡＢＣ断面図である。
【００１１】図１及び図２において、１はドライエッチ
ング装置の内部空間を外部から遮断する外筒である。外
筒１の内部下側には電極１０及びこの電極１０の上方に
配置された基板支持部２を保持した内筒２０が配置され
ている。基板支持部２のうち、２ａは水平な上面であ
る。そして、上面２ａの中心部には、上面２ａよりも一
段低い位置に、円環状をなす基板載置面２ｂが形成され
ている。基板３がセットされると、基板３の下面の外縁
部は基板載置面２ｂ上に下受けされる。
ング装置の内部空間を外部から遮断する外筒である。外
筒１の内部下側には電極１０及びこの電極１０の上方に
配置された基板支持部２を保持した内筒２０が配置され
ている。基板支持部２のうち、２ａは水平な上面であ
る。そして、上面２ａの中心部には、上面２ａよりも一
段低い位置に、円環状をなす基板載置面２ｂが形成され
ている。基板３がセットされると、基板３の下面の外縁
部は基板載置面２ｂ上に下受けされる。
【００１２】２ｃは、基板載置面２ｂよりも内側に、し
かも一段下がった位置に形成される円状の平坦面であ
る。そして基板３の下面のうちの大部分は、平坦面２ｃ
よりも上方に位置し基板３は非接触で支持されるように
なっている。
かも一段下がった位置に形成される円状の平坦面であ
る。そして基板３の下面のうちの大部分は、平坦面２ｃ
よりも上方に位置し基板３は非接触で支持されるように
なっている。
【００１３】また、２ｄは基板載置面２ｂと平坦面２ｃ
との境目に円環状をなして形成され、しかも平坦面２ｃ
よりも一段下がった位置にある溝部である。そして、溝
部２ｄには、後述する流路に連通する吹出口２ｅが、複
数個、放射状に開口している。
との境目に円環状をなして形成され、しかも平坦面２ｃ
よりも一段下がった位置にある溝部である。そして、溝
部２ｄには、後述する流路に連通する吹出口２ｅが、複
数個、放射状に開口している。
【００１４】２１は、基板支持部２と下部電極１０の間
に配置された導電性を有する中間プレートであり、吹出
口２ｅに連通する流路１２を形成する溝や穴が加工され
ている。
に配置された導電性を有する中間プレートであり、吹出
口２ｅに連通する流路１２を形成する溝や穴が加工され
ている。
【００１５】４はその先端部上面が基板３の下面の外縁
部の下方にもぐり込み、ロッド４ａ（図２参照）が昇降
することにより、基板３を昇降させ得るように形成され
たリフタである。本形態では、リフタ４は、装置の中心
から放射状に３ヶ所設けてある。基板支持部２と内筒２
０の上面には、凹部２２を構成する溝が形成されてい
る。この凹部２２は、リフタ４が収容される大きさを有
しており、ロッド４ａが下降してリフタ４がこの凹部内
に収まると、リフタ４の上面は上面２ａ及び基板載置面
２ｂよりも下方に位置する。従って、基板３を載せたリ
フタ４が下降すると基板３の下面の外縁部は基板載置面
２ｂ上に着地し基板支持部上にセットされる（図６参
照）。図６において基板支持部２の上面には、空間Ｓと
凹部２２を連通させる連通孔ｄが切込形成されている。
したがって、冷却ガスを流路１２から導入すると、空間
Ｓ内に冷却ガスが充満し、その一部が矢印Ｎで示すよう
に連通溝ｄを通って排出される。
部の下方にもぐり込み、ロッド４ａ（図２参照）が昇降
することにより、基板３を昇降させ得るように形成され
たリフタである。本形態では、リフタ４は、装置の中心
から放射状に３ヶ所設けてある。基板支持部２と内筒２
０の上面には、凹部２２を構成する溝が形成されてい
る。この凹部２２は、リフタ４が収容される大きさを有
しており、ロッド４ａが下降してリフタ４がこの凹部内
に収まると、リフタ４の上面は上面２ａ及び基板載置面
２ｂよりも下方に位置する。従って、基板３を載せたリ
フタ４が下降すると基板３の下面の外縁部は基板載置面
２ｂ上に着地し基板支持部上にセットされる（図６参
照）。図６において基板支持部２の上面には、空間Ｓと
凹部２２を連通させる連通孔ｄが切込形成されている。
したがって、冷却ガスを流路１２から導入すると、空間
Ｓ内に冷却ガスが充満し、その一部が矢印Ｎで示すよう
に連通溝ｄを通って排出される。
【００１６】上面２ａのうち、リフタ４から外れた位置
には、図４に示すように凹部５が形成され、この凹部５
内に、ばね材等の導電体から構成された導電部材６がビ
ス６ａにより固定されている。そして、導電部材６の先
端部には、装置の中心側から一旦起立した後装置の外周
側へ折返された折曲片７が複数個形成されている。した
がって、この折曲片７は可撓性及び導電性を有するもの
であって、基板支持部２に電気的に接続されている。
には、図４に示すように凹部５が形成され、この凹部５
内に、ばね材等の導電体から構成された導電部材６がビ
ス６ａにより固定されている。そして、導電部材６の先
端部には、装置の中心側から一旦起立した後装置の外周
側へ折返された折曲片７が複数個形成されている。した
がって、この折曲片７は可撓性及び導電性を有するもの
であって、基板支持部２に電気的に接続されている。
【００１７】図２は、基板３のセットを行う直前の状態
を示している。図３において、８は外筒１の上部を閉鎖
する天板であり、天板８の中央部には、電気的に接地さ
れる水平な上部電極９が装着されている。また本形態で
は、上部電極９を介して、フロンガスなどのプロセスガ
スを外筒１の内部へ導入できるようにしてある。
を示している。図３において、８は外筒１の上部を閉鎖
する天板であり、天板８の中央部には、電気的に接地さ
れる水平な上部電極９が装着されている。また本形態で
は、上部電極９を介して、フロンガスなどのプロセスガ
スを外筒１の内部へ導入できるようにしてある。
【００１８】また内筒２には、高周波電源１１に接続さ
れる下部電極１０が装備されている。また下部電極１０
には、ヘリウムガスなどの冷却ガスを導入する流路１２
が設けられ、この流路１２の先端部は、溝部２ｄ内の吹
出口２ｅに継がっている。したがって、吹出口２ｅから
冷却ガスを供給できる。また下部電極１０には冷却水が
流れる空間１０ａが形成されており、図外の冷却手段に
よって冷却水が流れることにより、下部電極１０及びこ
れに密着する中間プレート２１、基板支持部２を強制冷
却する。
れる下部電極１０が装備されている。また下部電極１０
には、ヘリウムガスなどの冷却ガスを導入する流路１２
が設けられ、この流路１２の先端部は、溝部２ｄ内の吹
出口２ｅに継がっている。したがって、吹出口２ｅから
冷却ガスを供給できる。また下部電極１０には冷却水が
流れる空間１０ａが形成されており、図外の冷却手段に
よって冷却水が流れることにより、下部電極１０及びこ
れに密着する中間プレート２１、基板支持部２を強制冷
却する。
【００１９】天板８には、シリンダ１３が下向きに固定
されている。このシリンダ１３は、基板押え１４を昇降
させるものであり、基板押え１４は、装置の外周側に位
置し、絶縁体から構成される絶縁部１４ａと、絶縁部１
４ａに連結され、基板３の下面の外縁部に接離する導電
部１４ｂとからなっている。
されている。このシリンダ１３は、基板押え１４を昇降
させるものであり、基板押え１４は、装置の外周側に位
置し、絶縁体から構成される絶縁部１４ａと、絶縁部１
４ａに連結され、基板３の下面の外縁部に接離する導電
部１４ｂとからなっている。
【００２０】次に、図２〜図６を参照しながら、本形態
のドライエッチング方法について説明する。
のドライエッチング方法について説明する。
【００２１】まず図２に示すように、基板３を外筒１内
に供給し、基板３の下面の外縁部をリフタ４上に載置す
る。このとき、リフタ４は上昇位置にある。
に供給し、基板３の下面の外縁部をリフタ４上に載置す
る。このとき、リフタ４は上昇位置にある。
【００２２】そして、外筒１内を図示しない排気手段に
よって減圧して、プロセスガスを供給する。
よって減圧して、プロセスガスを供給する。
【００２３】次に、図３に示すように、リフタ４を下降
させ、基板３の下面の外縁部を基板載置面２ｂ上へ載置
し、シリンダ１３を駆動して基板押え１４を下降させ、
導電部１４ｂにより基板３の上面の外縁部を上から下へ
押さえる。
させ、基板３の下面の外縁部を基板載置面２ｂ上へ載置
し、シリンダ１３を駆動して基板押え１４を下降させ、
導電部１４ｂにより基板３の上面の外縁部を上から下へ
押さえる。
【００２４】そうすると、図４に拡大して示しているよ
うに、平坦面２ｃ及び溝部２ｄの上部は、基板３の下面
によって覆われて、基板３の下方に空間Ｓ（厚さは例え
ば５０μｍ程度）が形成される。即ち、基板３の下面の
大部分は、内筒２に接触しない状態となる。また、この
とき、導電部１４ｂが下降して折曲片７を押下げる。し
たがって、導電部１４ｂは基板支持部２、及び中間プレ
ート２１を介して下部電極１０と電気的に接続されるこ
とになる。さらに、絶縁部１４ａは内筒２０の上面と接
触せず、両者の間にわずかなギャップｔが形成されるよ
うになっている。
うに、平坦面２ｃ及び溝部２ｄの上部は、基板３の下面
によって覆われて、基板３の下方に空間Ｓ（厚さは例え
ば５０μｍ程度）が形成される。即ち、基板３の下面の
大部分は、内筒２に接触しない状態となる。また、この
とき、導電部１４ｂが下降して折曲片７を押下げる。し
たがって、導電部１４ｂは基板支持部２、及び中間プレ
ート２１を介して下部電極１０と電気的に接続されるこ
とになる。さらに、絶縁部１４ａは内筒２０の上面と接
触せず、両者の間にわずかなギャップｔが形成されるよ
うになっている。
【００２５】さて図３に示す状態において、高周波電源
１１を動作させると、外筒１内に供給されたプロセスガ
スによって、上部電極９と基板３との間においてプロセ
スガスがプラズマ状態となりエッチングが進行する。
１１を動作させると、外筒１内に供給されたプロセスガ
スによって、上部電極９と基板３との間においてプロセ
スガスがプラズマ状態となりエッチングが進行する。
【００２６】このとき、基板３の温度が上昇するが、流
路１２から空間Ｓ内に冷却ガスを供給することにより、
基板３を均一に冷却することができる。
路１２から空間Ｓ内に冷却ガスを供給することにより、
基板３を均一に冷却することができる。
【００２７】さて一般に、真空あるいは減圧雰囲気中で
は、熱の媒介となる気体がほとんど存在しないので、高
温の物体を冷却することが極めて困難である。しかしな
がら、本形態では、冷やすべき基板３に接する空間Ｓを
冷却ガスで充満された高圧力（１０Ｔｏｒｒ程度）とす
ることで基板を冷却できるのである。しかも、空間Ｓの
外周側から冷却ガスを導入し、空間Ｓの厚さを例えば５
０μｍというように、空間Ｓ内において冷却ガスが粘性
流となるようにして、空間Ｓ内の圧力分布が外周部でも
低下せず均一になるようにする。冷却ガス等の気体は圧
力が変化するとその熱伝達率も変化する。従って、空間
Ｓ内の圧力分布を均一にすることで、基板３の全体を均
一に冷却できるものである。その結果、基板３は均一に
エッチングされ、エッチングのムラを抑制できる。
は、熱の媒介となる気体がほとんど存在しないので、高
温の物体を冷却することが極めて困難である。しかしな
がら、本形態では、冷やすべき基板３に接する空間Ｓを
冷却ガスで充満された高圧力（１０Ｔｏｒｒ程度）とす
ることで基板を冷却できるのである。しかも、空間Ｓの
外周側から冷却ガスを導入し、空間Ｓの厚さを例えば５
０μｍというように、空間Ｓ内において冷却ガスが粘性
流となるようにして、空間Ｓ内の圧力分布が外周部でも
低下せず均一になるようにする。冷却ガス等の気体は圧
力が変化するとその熱伝達率も変化する。従って、空間
Ｓ内の圧力分布を均一にすることで、基板３の全体を均
一に冷却できるものである。その結果、基板３は均一に
エッチングされ、エッチングのムラを抑制できる。
【００２８】次に、エッチングが完了したら、図２に示
した状態に戻して基板３を搬出する。そして、図７に示
すように、基板３が搬出された後、基板押え１４を基板
支持部２に接触させ、基板押え１４と、基板支持部２、
即ち下部電極１０との温度差を低減させる。このように
することで、エッチング中に温度上昇する基板押え１４
の温度を下げて、次回基板押え１４が基板３に接触した
際、基板３の外縁部が異常に温度上昇しないようにする
ことができる。
した状態に戻して基板３を搬出する。そして、図７に示
すように、基板３が搬出された後、基板押え１４を基板
支持部２に接触させ、基板押え１４と、基板支持部２、
即ち下部電極１０との温度差を低減させる。このように
することで、エッチング中に温度上昇する基板押え１４
の温度を下げて、次回基板押え１４が基板３に接触した
際、基板３の外縁部が異常に温度上昇しないようにする
ことができる。
【００２９】本実施の形態では、電極１０に、中間プレ
ート２１、基板支持部２を別々に構成したが電極１０と
同じ材料で一体構造にしてもよい。また基板３は必ずし
も両面加工されるものに限定されない。
ート２１、基板支持部２を別々に構成したが電極１０と
同じ材料で一体構造にしてもよい。また基板３は必ずし
も両面加工されるものに限定されない。
【００３０】
【発明の効果】本発明のドライエッチング方法は、減圧
雰囲気中にて、接地される上部電極と、高周波電源に接
続される下部電極との間に基板を位置させ、プラズマ状
態となったプロセスガスによって基板をエッチングする
ドライエッチング方法であって、基板を基板支持部上に
セットしてこの基板支持部の上方にこの基板の下面によ
って上部が覆われる空間を形成し、この空間の外縁部か
らこの空間内に冷却ガスを導入し、基板を均等に冷却し
ながらエッチングするので、空間内に充満する冷却ガス
で基板の温度ムラをなくしエッチングを均一に行うこと
ができる。しかも、両面加工を行なう基板については、
加工面に非接触で基板を基板支持部にセットできるの
で、加工済みとなっている面を損傷するおそれがない。
雰囲気中にて、接地される上部電極と、高周波電源に接
続される下部電極との間に基板を位置させ、プラズマ状
態となったプロセスガスによって基板をエッチングする
ドライエッチング方法であって、基板を基板支持部上に
セットしてこの基板支持部の上方にこの基板の下面によ
って上部が覆われる空間を形成し、この空間の外縁部か
らこの空間内に冷却ガスを導入し、基板を均等に冷却し
ながらエッチングするので、空間内に充満する冷却ガス
で基板の温度ムラをなくしエッチングを均一に行うこと
ができる。しかも、両面加工を行なう基板については、
加工面に非接触で基板を基板支持部にセットできるの
で、加工済みとなっている面を損傷するおそれがない。
【図１】本発明の一実施の形態におけるドライエッチン
グ装置の平面図
グ装置の平面図
【図２】図１ＡＢＣ断面図
【図３】図１ＡＢＣ断面図
【図４】本発明の一実施の形態におけるドライエッチン
グ装置の一部拡大図
グ装置の一部拡大図
【図５】本発明の一実施の形態におけるドライエッチン
グ装置の一部拡大図
グ装置の一部拡大図
【図６】本発明の一実施の形態におけるドライエッチン
グ装置の一部拡大図
グ装置の一部拡大図
【図７】図１ＡＢＣ断面図
３ 基板 ９ 上部電極 １０ 下部電極 １１ 高周波電源 Ｓ 空間
Claims (4)
- 【請求項１】減圧雰囲気中にて、接地される上部電極
と、高周波電源に接続される下部電極との間に基板を位
置させ、プラズマ状態となったプロセスガスによって基
板をエッチングするドライエッチング方法であって、基
板を基板支持部上にセットしてこの基板支持部の上方に
この基板の下面によって上部が覆われる空間を形成し、
この空間の外縁部からこの空間内に冷却ガスを導入し、
基板を冷却しながらエッチングすることを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】前記空間中において、前記冷却ガスは粘性
流となっていることを特徴とする請求項１記載のドライ
エッチング方法。 - 【請求項３】外部から遮断された内部空間を形成する外
筒と、前記外筒の上部に配置され電気的に接地される上
部電極と、高周波電源に接続される下部電極を装着し前
記外筒の下部に配置される内筒とを有し、上面に基板の
下面の縁部を下受けする基板載置面が形成された基板支
持部を前記上部電極と前記下部電極の間に備え、前記基
板載置面の内側に基板が下受けされた際、基板の下面に
よって上部が覆われる空間を形成すべく前記基板載置面
よりも段下りした平坦面を形成し、前記平坦面の外縁部
から前記空間内に冷却ガスを導入する吹出口を設けたこ
とを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項４】前記平坦面の外周部に、円環状の溝部が形
成され、前記吹出口は前記溝部に開口するように形成さ
れていることを特徴とする請求項３記載のドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12954196A JP3287222B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12954196A JP3287222B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09309800A true JPH09309800A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3287222B2 JP3287222B2 (ja) | 2002-06-04 |
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ID=15012083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12954196A Expired - Fee Related JP3287222B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3287222B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373887A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ulvac Japan Ltd | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP2010098012A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP2010098011A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法 |
| CN104342758A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP12954196A patent/JP3287222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373887A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ulvac Japan Ltd | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP4666817B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2011-04-06 | 株式会社アルバック | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP2010098012A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP2010098011A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法 |
| CN104342758A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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