TW201906066A - 用於高溫處理腔室的靜電吸座 - Google Patents

用於高溫處理腔室的靜電吸座

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Abstract

本揭露案的實例包括在處理腔室之中用以減少高溫靜電吸座之基板支撐表面崩裂的方法及裝置。在一個實例中，一種高溫靜電吸座包括陶瓷主體。陶瓷主體具有工件固定表面及底部表面。複數個背側氣體通道形成於工件固定表面中。夾持網格佈置於陶瓷主體中，此夾持網格具有主要夾持部分，以第一距離與工件固定表面隔開；及電極固定部分，以第二距離與工件固定表面隔開，其中第二距離大於第一距離。電極與電極固定部分耦合，且可從底部表面進出。

Description

用於高溫處理腔室的靜電吸座
本揭露案的實例大致關於半導體處理系統。更具體而言，本揭露案的實例關於在半導體處理系統中使用的高溫靜電吸座。
可靠地生產奈米尺寸及更小特徵為半導體裝置的下一代非常大規模的整合（VLSI）及超大規模整合（ULSI）關鍵技術挑戰之一者。然而，隨著電路技術的限制推移，VLSI及ULSI互連技術的縮小尺寸對處理能力提出了額外的需求。在基板上閘極結構的可靠成形對VLSI及ULSI的成功以及對持續努力增加個別基板及晶粒的電路密度及品質為重要的。
為了降低製造成本，積體晶片（IC）製造商從處理的每一個矽基板需要更高的產量及更好的裝置產能及效能。在當前發展下探查用於下一代裝置的某些製作技術利用在超過攝氏300度的溫度下處理。基板支撐組件可在靜電吸座（ESC）上保持或夾持基板用於在此等高溫下處理。然而，在此等高溫下的處理期間用以支撐基板的傳統ESC於ESC的表面上經歷了不期望的損壞，而必須盡早更換ESC。
因此，需要改良的基板支撐組件，具有適合用於在高於攝氏300度的處理溫度下的ESC。
本揭露案的實例包括在處理腔室之中用以減少高溫靜電吸座（HT ESC）之基板支撐表面崩裂的方法及裝置。在一個實施例中，HT ESC具有陶瓷主體。陶瓷主體具有工件固定表面及底部表面。複數個背側氣體通道形成於工件固定表面中。夾持網格佈置於陶瓷主體中。夾持網格具有主要夾持部分，以第一距離與工件固定表面隔開；及電極固定部分，以第二距離與工件固定表面隔開，其中第二距離大於第一距離。電極耦合至電極固定部分，且可從底部表面進出。
在另一實施例中，一種處理腔室，具有主體及佈置於主體之中的基板支撐組件。基板支撐組件具有HT ESC。HT ESC具有陶瓷主體。陶瓷主體具有工件固定表面及底部表面。複數個背側氣體通道形成於工件固定表面中。夾持網格佈置於陶瓷主體中。夾持網格具有主要夾持部分，以第一距離與工件固定表面隔開；及電極固定部分，以第二距離與工件固定表面隔開，其中第二距離大於第一距離。電極耦合至電極固定部分，且可從底部表面進出。
仍在另一實施例中，提供一種形成HT ESC之方法。方法藉由將夾持網格夾層於陶瓷片之間開始，接著燒結在一起以形成HT ESC的陶瓷主體。在夾持網格中形成波凹。將電極附接至波凹，其中電極可從HT ESC的底部表面進出，且在ESC的工件支撐表面中形成背側氣體通道，其中背側氣體通道與電極錯位。
此處揭露具有高溫靜電吸座（HT ESC）用於在高溫下（例如大於攝氏300度）處理基板的改良的基板支撐組件。HT ESC具有陶瓷主體，此陶瓷主體具有工件固定表面及底部表面，以交錯線的形式之網格安裝在陶瓷主體中，且電極連接至網格。電極的一部分安裝在陶瓷主體中且接觸網格，以傳遞偏壓至網格，且電極的一部分由陶瓷主體的底部表面向外延伸，以允許電連接器附接至電極。當基板佈置於陶瓷主體的工件固定表面上時，網格供電以造成在陶瓷主體的工件固定表面上具有第一極性的電荷，及在基板面向工件固定表面的表面上具有相反於第一極性之第二極性的電荷，造成基板靜電黏著至工件固定表面。
在已知，即傳統ESC中，電極在傳統ESC的氣體冷卻通道下方立即接觸網格，導致陶瓷主體的薄的部分存在於通道的底座及電極之間（且因此介於電極上的網格及通道的底座之間）。在鄰近區域中，陶瓷主體較厚。於系統並未在使用中的室溫及提升的處理溫度之間，傳統ESC的熱循環期間，傳統ESC膨脹且收縮，且傳統ESC的最脆弱部分為介於電極（網格）及通道的底座之間的薄的部分。此外，施加至電極的部分而從陶瓷主體的底部表面延伸的側面力量傳送至網格-電極界面，剛好在陶瓷主體的薄的部分下方。此等物理現實導致電極及通道的底座之間陶瓷主體的薄的部分崩裂。
在以下論述的解決方案中，HT ESC的內部徑向通道經定位，使得電極及網格之間的熱連接並非立即在內部徑向通道下方。相較於傳統ESC，在內部徑向通道及電極之間的陶瓷之厚度因此加倍，減少壓力的集中，且因此阻止崩裂。儘管論述主要集中於藉由旋轉內部徑向通道來替代現存ESC，但應理解新的吸座可在鄰近通道之間置中電極連接，且將其儘可能地遠離隔開，同時具有內部通道與外部徑向通道對齊。
HT ESC具有工件固定表面，配置成最小化歸因於超過約攝氏300度的處理溫度之崩裂。HT ESC具有陶瓷主體。背側氣體通道或溝槽形成於陶瓷主體的工件固定表面中。背側氣體通道可同時徑向對齊且亦可為圓形的。夾持電壓所施加的高電壓夾持網格佈置於陶瓷主體的內部，且具有電極固定部分。電極耦合至電極固定部分。電極由陶瓷主體的底部表面延伸出去。背側氣體通道經定位以防止通道覆蓋具有電極的區域。此外，介於網格的電極固定部分及通道之間的距離增加，以增加電極固定部分及通道之間陶瓷主體部分的厚度。此舉在網格中產生局部的下陷，即「波凹的（dimpled）」網格，而不論網格的部分進一步於HT ESC的工件固定表面向內定位，允許HT ESC維持HT ESC的夾持行為。此外，安裝在陶瓷主體中的電極固定部分的直徑減小，以最小化陶瓷主體及電極固定部分的熱膨脹率不匹配的效應。
第1圖根據本揭露案的一個實例，描繪處理腔室100的側面概要視圖。處理腔室100可為電漿處理腔室，例如電感耦合電漿（ICP）處理腔室、解耦電漿氮化高劑量（DPN HD）處理腔室、或其他處理腔室。處理腔室100可為全自動半導體電漿處理腔室的類型，而利用作為多重腔室模組系統（未顯示）的部分。如第1圖中所顯示，處理腔室100包括主體115、蓋108及佈置於主體115之中的基板支撐組件107。基板進入通口112形成於主體115中，以促進基板120對處理腔室100的進入及移除。主體115、蓋108及基板支撐組件107實質上界定處理容積110。處理容積110可配置成容納具有一般直徑的基板120，大小達到12英吋（300mm）、18英吋（450mm）或其他直徑。
處理腔室100包括電漿功率源102及匹配網路101。電漿功率源102及匹配網路101與感應線圈104、106通訊。感應線圈104、106裝載在佈置於主體115上的包體111之中。電漿功率源102及匹配網路101以通常在約12MHz至約13.5MHz之範圍中的頻率下操作。電漿功率源102可以高達60MHz的頻率操作。在各種實例中，電漿功率源102可以從約0.1kW至約5kW的範圍之輸出功率操作。當藉由電漿功率源102供電時，感應線圈104、106在處理容積110中產生RF場，其可從處理容積110中的氣體形成電漿。電漿可接著用以在基板120上實行電漿處理。
蓋108可為具有中心開口而適以接收氣體耦合插件114的板。氣體耦合插件114包括圓柱形中空主體，具有形成於圓柱形中空主體的底部中的複數個軸向貫穿的孔洞。氣體連接器156佈置於蓋108上。處理氣體（未顯示）引入氣體連接器156至氣體耦合插件114的貫穿孔洞，而在處理容積110中提供均勻控制的氣流分佈。
在主體115之中的處理容積110與非處理容積117流體連通。非處理容積117與節流閥119流體連通。節流閥119與排放系統131連通，此排放系統131包括均與節流閥119流體連通的渦輪幫浦116及粗抽幫浦126。來自節流閥119的排放氣體依序通過渦輪幫浦116及粗抽幫浦126。在操作中，氣體提供至處理容積110且氣體及基板120的反應之副產品從處理容積110通過節流閥119及排放系統131而排放。基板支撐組件107包括HT ESC 200。流體導管124耦合至基板支撐組件107，以控制地維持其在所欲範圍的溫度。HT ESC 200可在超過約攝氏200度的溫度下操作。舉例而言，HT ESC 200的溫度設定點為攝氏450度。
基板支撐組件107具有舉升銷組件123。舉升銷組件123可操作而大致以豎直方向移動舉升銷（未標記）。佈置於HT ESC 200上的基板120藉由舉升銷的構件抬升且降低，以促進基板120放置及離開HT ESC 200的傳送。
HT ESC 200佈置於主體115的處理容積110之中，且配置成在處理期間支撐基板120。至少部分的HT ESC 200為導電的，且能夠偏移基板120以在處理期間保持（即，夾持）基板120。基板120藉由從RF偏壓功率源122提供RF功率通過匹配網路121及電極172至HT ESC 200中的夾持網格（在第3圖中顯示為310），而偏移至HT ESC 200。藉由RF偏壓功率源122提供的RF功率可在100kHz至13.56MHz的頻率範圍之中，例如在100 kHz至2 MHz的範圍之中。用於偏移基板120的電漿功率源102及RF偏壓功率源122藉由控制器190獨立地控制。
遮蔽環150佈置接近邊緣環152，環繞HT ESC 200的周圍區域。邊緣環152以一方式塑形，以界定邊緣環152及遮蔽環150之間的空腔161。空腔161界定受限的流動路徑而允許處理氣體以離開基板斜面的方向流動，且抽離處理腔室100通過空腔161至粗抽幫浦126，而非累積且在基板斜面或背側上形成殘留物薄膜層。
處理腔室100具有控制器190。控制器190控制電漿功率源102及匹配網路101的操作、處理氣體、粗抽幫浦126、RF偏壓功率及其他腔室的操作。控制器190包括中央處理單元（CPU）192、記憶體194及支援電路196，用以控制處理順序且調節在處理腔室100中實行的氣流及電漿處理。CPU 192為通用電腦處理器的任何形式，而可在工業設定中使用。諸如以下所述之蝕刻處理的軟體常序可儲存於記憶體194中，例如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟或硬碟驅動、或其他形式的數位儲存。支援電路196通常耦合至CPU 192，且可包括快取、時鐘電路、輸入/輸出系統、電源供應器及類似者。介於控制器190及處理腔室100之各種部件之間的雙向通訊透過統稱為訊號匯流排198的眾多訊號纜線而操縱，某些訊號匯流排198在第1圖中圖示。
在處理腔室100中處理基板120期間，HT ESC 200保持在超過攝氏300度的溫度下，例如攝氏450度。此處所揭露的HT ESC 200配置成在高溫基板處理期間夾持基板120，而不會崩裂或損壞HT ESC 200。
第2圖根據本揭露案的一個實例，描繪HT ESC 200的頂部概要視圖。HT ESC 200具有陶瓷主體201。陶瓷主體201為介電材料，即對電流為非常差的導體。陶瓷主體201具有工件支撐表面202、相對於工件支撐表面202的底部表面302（顯示於第3圖中）、從工件支撐表面202延伸至底部表面302的中線299、及外部周圍291。陶瓷主體201額外具有複數個背側氣體通道，例如形成於工件支撐表面202中的圓形通道226、210及徑向通道290。陶瓷主體201亦具有通過陶瓷主體201形成的舉升銷孔洞240。陶瓷主體201具有一或更多溫度控制裝置，例如佈置於其中的加熱器（在第3圖中顯示為308）。陶瓷主體201具有佈置於其中的一或更多夾持網格（在第3圖中顯示為夾持網格310）。夾持網格310夾層於陶瓷片之間，而接著燒結在一起以形成HT ESC 200的陶瓷主體201。
電極172（以虛線顯示）耦合至夾持網格310（第3圖）在HT ESC 200的工件支撐表面202下方。在使用中，電極172可從HT ESC 200的底部表面302進出。電極172耦合至功率源，例如RF偏壓功率源122，用於偏移（即，夾持）基板至工件支撐表面202。
HT ESC 200額外具有藉由徑向通道290形成的複數個墊281，即介於徑向通道290之間。HT ESC 200額外具有密封帶280從工件支撐表面202軸向地延伸。密封帶280延伸在墊281的平面上方。在HT ESC 200上支撐的基板置於密封帶280上，且當被夾持時額外地接觸墊281。
第一圓形通道226在工件支撐表面202中為環形的氣體通道，以中線299置中。第二圓形通道210在工件支撐表面202中為第二環形氣體通道，在第一圓形通道226外部且同心。第一圓形通道226及第二圓形通道210流體耦合至徑向通道290。陶瓷主體210具有界定於中線299及第一圓形通道226之間的內部區域222。陶瓷主體201亦具有界定於第一圓形通道226及第二圓形通道210之間的外部區域212。
各個徑向通道290具有佈置於陶瓷主體201的內部區域222中的內部部分229。徑向通道290亦具有外部部分239從第一圓形通道226徑向延伸至第二圓形通道210。徑向通道290的內部部分229從中線299徑向延伸至第一圓形通道226。在一個實施例中，如第2圖中所顯示，各個徑向通道290的內部部分229從相對應外部部分239錯位或偏置。舉例而言，徑向通道290的內部部分229從徑向通道290的外部部分239旋轉介於約10度及約30度的角度230，例如約20度。在另一實施例中，各個徑向通道290的外部部分239與相對應內部部分229徑向對齊。複數個氣體饋送孔洞（未顯示）延伸通過HT ESC 200的陶瓷主體201。氣體饋送孔洞配置成當基板夾持至HT ESC 200時，沿著基板的背側提供冷卻氣體至徑向通道290中。
HT ESC 200的電極172佈置於陶瓷主體201的內部區域222下方。延伸通過電極172至工件支撐表面202的假想線並未穿越徑向通道290或圓形通道226、210任一者。
第3圖描繪第2圖沿著線3-3取得之HT ESC 200的部分概要剖面視圖。
電極172於佈置於HT ESC 200的陶瓷主體201中的電極固定表面380處電氣耦合至夾持網格310。夾持網格310實質上平行於且靠近工件支撐表面202。夾持網格310具有固定部分312及主要夾持部分314。夾持網格310的實質部分在主要夾持部分314中。亦即，主要夾持部分314的表面區域顯著地大於固定部分312的表面區域。舉例而言，主要夾持部分314的表面區域形成大於90%的夾持網格310的表面區域。夾持網格310的固定部分312從工件支撐表面202碟狀的、鋸齒狀的、凹陷的或彎曲的離開。在一個實施例中，固定部分312為波凹（dimple）。舉例而言，網格可按壓在心軸或模具上以形成波凹。或者，波凹可以諸如3Ｄ列印的額外製造技術形成。
用於電極172的電極固定表面380佈置於夾持網格310的固定部分312中，例如完全佈置於其中。電極固定表面380實質上為平坦的，以促進耦合至電極172。電極固定表面380亦實質上平行於工件支撐表面202。
電極固定部分312具有第一區域316。電極固定表面380具有固定區域319。第一區域316為約3倍及約5倍大於固定區域319，例如大於固定區域319約4倍。電極172具有電極剖面寬度391。此處，電極剖面寬度391相較於傳統電極減小，以最小化在具有低熱膨脹的陶瓷主體中電極的熱膨脹效應。在一個實施例中，電極剖面寬度391為介於3mm及約7mm之間，例如約6mm。電極固定表面380的固定區域319至少為相同尺寸或大於電極172的電極剖面寬度391。
夾持網格310的主要夾持部分314從工件支撐表面202以第一距離332佈置。夾持網格310的電極固定表面380從工件支撐表面202以第二距離336佈置。第二距離336大於第一距離332。因此，佈置於電極172上方陶瓷主體201的材料341沿著第二距離336為較厚的。在電極固定表面380處的第二距離336具有比沿著主要夾持部分314第一距離332的材料厚度更厚約0.5 mm及約1.5 mm之間的材料厚度。在一個實施例中，第二距離336比第一距離332更長約1 mm。固定部分312的剩餘部分，例如連接電極固定表面380及主要夾持部分314的傾斜的部分311，亦比主要夾持部分314更遠離工件支撐表面202。因此，介於固定部分312的任何部分之間的距離均大於第一距離332。
電極172亦未與徑向通道290豎直對齊。亦即，電極172實際上垂直於工件支撐表面202且從複數個徑向通道290的位置偏置。舉例而言，垂直於工件支撐表面202從電極172延伸的假想線並未穿越複數個徑向通道290之任一者。徑向通道290形成於陶瓷主體201中約0.010英吋及約0.020英吋之間的深度334。藉由相對於徑向通道290的位置偏置電極172的位置，透過旋轉或其他技術而確保電極172並未在徑向通道290下方垂直地佈置，在電極172上方的材料厚度（即，第二距離336）可進一步加大，因為徑向通道290的深度334不會延伸至第二距離336中。電極172亦未與圓形通道260、210豎直地對齊。
第4圖描繪傳統ESC 400的頂部概要視圖。傳統ESC 400包括複數個背側氣體通道，例如徑向通道402及圓形通道404、406。至少部分的電極408安裝在傳統ESC 400中。電極408與至少一個背側通道對齊，例如第4圖中所顯示的徑向通道402。因為電極408與徑向通道402對齊，在徑向通道402的底座及電極408之間所呈現的傳統ESC 400的陶瓷主體的部分比鄰接電極408的陶瓷主體的部分更薄。介於徑向通道402的底座及電極408之間陶瓷主體的薄的部分，在當系統並未於使用中時的室溫及於提升的處理溫度之間，傳統ESC的熱循環期間易於崩裂。
有利地，本揭露案的實例提供在半導體處理系統中使用的改良的HT ESC。HT ESC具有陶瓷主體。陶瓷主體的工件固定表面具有通道用於背側氣體。在傳統ESC中，介於背側氣體通道及高電壓夾持網格之間的陶瓷主體的材料厚度較薄，且陶瓷主體的此等部分較脆弱。在以上所述的實施例中，背側氣體通道並未覆蓋電極以避免在高溫下陶瓷主體熱膨脹發生處陶瓷主體的崩裂。而且，電極中的波凹從工件固定表面降低，而在網格上方對HT ESC添加材料厚度，強化原先容易崩裂的HT ESC的此區域。此舉造成「波凹的」網格，局部的下陷，而允許HT ESC在此區域中具有額外的強化，同時維持HT ESC的夾持行為。本揭露案的HT ESC組件亦包括空隙以確保電連接器不會經歷任何機械干擾。而且，HT ESC包括電極，在安裝於陶瓷中的部分具有減少的直徑，以便減少兩個不同材料的熱膨脹率不匹配的效應。本揭露案的HT ESC在例如溫度設定點保持在450°C的高溫下，比傳統高溫靜電吸座更能抵抗崩裂。在實驗中，HT ESC循環超過90次而不具有失敗/崩裂的跡象。
儘管以上導向本揭露案的實例，可衍生本揭露案的其他及進一步實例而不會悖離本揭露案的基本範疇，且此範疇藉由以下的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧處理腔室
101‧‧‧匹配網路
102‧‧‧電漿功率源
104‧‧‧感應線圈
106‧‧‧感應線圈
107‧‧‧基板支撐組件
108‧‧‧蓋
110‧‧‧處理容積
111‧‧‧包體
112‧‧‧通口
114‧‧‧氣體耦合插件
115‧‧‧主體
116‧‧‧渦輪幫浦
117‧‧‧非處理容積
119‧‧‧節流閥
120‧‧‧基板
121‧‧‧匹配網路
122‧‧‧RF偏壓功率源
123‧‧‧舉升銷組件
124‧‧‧流體導管
126‧‧‧粗抽幫浦
131‧‧‧排放系統
150‧‧‧遮蔽環
152‧‧‧邊緣環
156‧‧‧氣體連接器
161‧‧‧空腔
172‧‧‧電極
192‧‧‧CPU
194‧‧‧記憶體
196‧‧‧支援電路
198‧‧‧訊號匯流排
200‧‧‧HT ESC
201‧‧‧陶瓷主體
202‧‧‧工件支撐表面
210‧‧‧圓形通道
212‧‧‧外部區域
222‧‧‧內部區域
226‧‧‧圓形通道
229‧‧‧內部部分
230‧‧‧角度
240‧‧‧舉升銷孔洞
280‧‧‧密封帶
281‧‧‧墊
290‧‧‧徑向通道
291‧‧‧外部周圍
299‧‧‧中線
302‧‧‧底部表面
308‧‧‧加熱器
310‧‧‧夾持網格
311‧‧‧傾斜的部分
312‧‧‧固定部分
314‧‧‧主要夾持部分
319‧‧‧固定區域
332‧‧‧第一距離
334‧‧‧深度
336‧‧‧第二距離
341‧‧‧材料
380‧‧‧電極固定表面
391‧‧‧電極剖面寬度
400‧‧‧ESC
402‧‧‧徑向通道
404‧‧‧圓形通道
406‧‧‧圓形通道
408‧‧‧電極
本揭露案以上所載的特徵，如以上簡要概述且可更詳細地理解，而本揭露案的更具體說明可參考實例而獲得，其中某些圖示於隨附圖式中。
第1圖根據本揭露案的一個實例，描繪處理腔室的側面概要視圖。
第2圖根據本揭露案的一個實例，描繪ESC的頂部概要視圖。
第3圖描繪第2圖沿著線3-3取得之ESC的部分剖面概要視圖。
第4圖描繪傳統ESC的頂部概要視圖。
然而，應理解隨附圖式僅圖示此揭露案的通常實例，且因此不應考慮為範疇的限制，因為本揭露案認可其他均等效果的實例。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。
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Claims (20)

  1. 一種高溫靜電吸座，包含： 一陶瓷主體，具有一工件固定表面及一底部表面；複數個背側氣體通道，形成於該工件固定表面中；及一夾持網格，佈置於該陶瓷主體中，該夾持網格包含：一主要夾持部分，以一第一距離與該工件固定表面隔開；及一電極固定部分，以一第二距離與該工件固定表面隔開，該第二距離大於該第一距離；及一電極，與該電極固定部分耦合，其中該電極可從該底部表面進出。
  2. 如請求項1所述之高溫靜電吸座，其中該電極與該複數個背側氣體通道錯位。
  3. 如請求項1所述之高溫靜電吸座，其中該第二距離大於該第一距離約0.5 mm及約1.5 mm之間。
  4. 如請求項3所述之高溫靜電吸座，其中該第二距離大於該第一距離約1.0mm。
  5. 如請求項3所述之高溫靜電吸座，其中該電極固定部分具有比該電極的一剖面區域更大的一網格區域。
  6. 如請求項1所述之高溫靜電吸座，其中該高溫靜電吸座可在超過攝氏約300度的溫度下操作。
  7. 如請求項1所述之高溫靜電吸座，其中該夾持網格的該電極固定部分為碟狀的、鋸齒狀的、凹陷的、彎曲的或波凹狀的。
  8. 如請求項1所述之高溫靜電吸座，其中該複數個背側氣體通道進一步包含： 一第一圓形通道，界定該工件固定表面的一內部區域；及一第二圓形通道，環繞該第一圓形通道。
  9. 如請求項8所述之高溫靜電吸座，其中該電極佈置於該工件固定表面的該內部區域下方，且延伸通過該電極至該工件固定表面的一假想線並未穿越該複數個背側氣體通道之任一者。
  10. 一種處理腔室，包含： 一主體；一基板支撐組件，佈置於該主體之中，該基板支撐組件具有一高溫靜電吸座，該高溫靜電吸座包含：一陶瓷主體，具有一工件固定表面；大的複數個通道，形成於該工件固定表面中；及一夾持網格，佈置於該陶瓷主體中靠近該工件固定表面，該夾持網格包含：一主要夾持部分，以一第一距離與該工件固定表面隔開；及一電極固定部分，以一第二距離與該工件固定表面隔開，該第二距離大於該第一距離；及一電極，耦合至該電極固定部分，其中該電極從該底部表面延伸出來。
  11. 如請求項10所述之處理腔室，其中該電極與該工件固定表面中的該複數個背側氣體通道錯位。
  12. 如請求項10所述之處理腔室，其中該第二距離大於該第一距離約0.5mm及約1.5mm之間。
  13. 如請求項12所述之處理腔室，其中該第二距離大於該第一距離約1.0mm。
  14. 如請求項10所述之處理腔室，其中該高溫靜電吸座可在超過攝氏約300度的溫度下操作。
  15. 如請求項10所述之處理腔室，其中該夾持網格的該電極固定部分為碟狀的、鋸齒狀的、凹陷的、彎曲的或波凹狀的。
  16. 如請求項10所述之處理腔室，其中該複數個背側氣體通道進一步包含： 一第一圓形通道，界定該工件固定表面的一內部區域；及一第二圓形通道，環繞該第一圓形通道。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該電極佈置於該工件固定表面的該內部區域下方，且延伸通過該電極至該工件固定表面的一假想線並未穿越該複數個背側氣體通道之任一者。
  18. 一種用於形成一高溫靜電吸座（HT ESC）之方法，該方法包含以下步驟： 將一夾持網格夾層於陶瓷片之間，接著燒結在一起以形成該HT ESC的一陶瓷主體；在該夾持網格中形成一波凹；將一電極附接至該波凹，該電極可從該HT ESC的一底部表面進出；及在該HT ESC的一工件支撐表面中形成背側氣體通道，該等背側氣體通道與該電極錯位。
  19. 如請求項18所述之方法，其中從接觸該電極之該波凹的一位置至該工件固定表面的一第一距離大於從該夾持網格的一主要夾持部分至該工件固定表面的一第二距離約0.5mm及約1.5mm之間。
  20. 如請求項18所述之方法，其中該HT ESC可在超過攝氏約450度的溫度下操作。
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