JPH09181153A - 半導体ウェーハ固定装置 - Google Patents

半導体ウェーハ固定装置

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JPH09181153A
JPH09181153A JP13499496A JP13499496A JPH09181153A JP H09181153 A JPH09181153 A JP H09181153A JP 13499496 A JP13499496 A JP 13499496A JP 13499496 A JP13499496 A JP 13499496A JP H09181153 A JPH09181153 A JP H09181153A
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clamp
ring
wafer
platen
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Saiei Ri
彩榮 李
Eikei Boku
榮奎 朴
Sekishun Ri
惜濬 李
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハ固定装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１０の置かれる平坦な上
面を有するプラテンと、前記プラテンと半導体ウェーハ
１０との間に位置し弾性力を有するＯリングと、前記Ｏ
リングに対向するように位置して半導体ウェーハ１０の
上面を押圧して固定させるクランプ５０’とを具備する
半導体ウェーハ固定装置において、前記クランプ５０’
は前記半導体ウェーハ１０の直径より大きい内径を有す
るリング型の板であり、前記半導体ウェーハ１０上のチ
ップパターン１１により前記チップパターン１１と半導
体ウェーハ１０の外周面との間隔が一定値以上となる位
置に対応するように多数の突起が内周面から中心に向か
って形成される。従って、半導体ウェーハ１０の表面の
チップパターン１１により半導体チップを損傷させない
ようにウェーハのエッジ部分のみを固定させることによ
って収率を向上させると同時に固定力を向上させ得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハローディン
グシステムによりローディングされたウェーハを固定さ
せる半導体ウェーハ固定装置に係り、特に半導体ウェー
ハのエッジ部分の収率を向上させるためにクランプの形
状を変形させた半導体ウェーハ固定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ固定装置はウェーハロー
ディングシステムにより一枚ずつローディングされたウ
ェーハを安定的に固定させるための手段として用いられ
る。以下、一般的な半導体ウェーハ固定装置を添付した
図面に基づき詳細に説明する。
【０００３】図１及び図２は半導体ウェーハ固定装置の
構成及びクランプによるウェーハの固定状態を示す断面
面である。図１を参照すれば半導体ウェーハ固定装置
は、半導体ウェーハ１０の載置される平坦な上面を有す
るプラテン２０と、前記プラテン２０の中央部に形成さ
れた通り穴２１に挿入されて上下運動し半導体ウェーハ
１０を吸着する固定チャック３０と、前記プラテン２０
と半導体ウェーハ１０との間に位置し弾性力を有するＯ
リング４０と、前記Ｏリング４０の上側に対向するよう
に位置して上下運動し、前記半導体ウェーハ１０を固定
させるクランプ５０とを具備している。
【０００４】前記プラテン２０には半導体ウェーハ１
０、プラテン２０及びＯリング４０により形成される空
間を真空にするために前記プラテン２０の上面と連結さ
れる吸込ダクタ２２が形成されており、半導体ウェーハ
１０の背面を冷却させるために前記真空状態の空間と連
結されるガス注入ダクタ３２及びガス排出ダクタ２４が
形成されている。
【０００５】ウェーハローディングシステム（図示せ
ず）により半導体ウェーハ１０が前記プラテン２０の上
部にローディングされると、前記プラテン２０の中央部
に形成された通り穴２１に挿入されている固定チャック
３０が上昇して吸着する（図１参照）。その後、前記固
定チャック３０を下降させることにより半導体ウェーハ
１０の背面を前記Ｏリング４０に接触させる。前記半導
体ウェーハ１０が前記Ｏリング４０に接触されると前記
固定チャック３０は半導体ウェーハ１０から分離されて
さらに下降し、よって前記通り穴２１を閉鎖させる。そ
の後、前記クランプ５０が下降して半導体ウェーハ１０
のエッジを押圧して前記半導体ウェーハ１０を一定圧力
で前記Ｏリング４０に密着させる。
【０００６】前記のような状態でその他の半導体素子の
製造工程が行われる。半導体製造工程を行う時には熱が
生じるので前記半導体ウェーハ１０の背面を冷却させな
ければならない。従って、まず前記ガス注入ダクタ２３
及びガス排出ダクタ２４を閉鎖した後前記吸込ダクタ２
２を通じて空気を吸い込んで前記半導体ウェーハ１０、
プラテン２０及びＯリング４０により形成される空間を
真空状態にする。
【０００７】前記空間が真空となったら前記吸込ダクタ
２２を閉鎖し、前記ガス注入ダクタ２３に冷却用ガスを
注入することによって前記半導体ウェーハ１０の背面を
冷却させる。前記ガスとしては主にＮ2 を用いる。とこ
ろで、前記半導体ウェーハ１０のエッジ部分で前記クラ
ンプ５０により遮られるチップパターンでは正常的な素
子製造工程が行われない。その結果、製造不良が生じ
る。
【０００８】前記のような半導体ウェーハ固定装置に用
いられるクランプとして従来にはリング型クランプ及び
ポイント型クランプなどの二種類が用いられてきた。前
記リング型クランプ５０ａは図３に示されたように、半
導体ウェーハ１０の直径より小さい内径を有すると共に
前記半導体ウェーハ１０の直径より大きい外径を有する
ように形成される。
【０００９】ここで、前記クランプ５０に接触される半
導体ウェーハ１０のエッジのチップパターン１１では前
記したようにイオン注入などの工程が正常的に施されな
いのでチップの不良が生じる。一方、前記ポイント型ク
ランプ５０ｂは図４に示されたように半導体ウェーハ１
０の直径より大きい内径及び外径を有し、所定の長さを
有する突起５１が９０度の間隔にウェーハの周辺に形成
されてなる。前記突起５１が前記Ｏリング４０に対向し
て半導体ウェーハ１０を押圧して固定させる。しかしな
がら、前記突起５１は半導体ウェーハ１０を上面の四箇
所から押圧するので前記半導体ウェーハ１０に加えられ
る力が各位置毎に異なって固定力が弱くなる。前記のよ
うな原因により半導体ウェーハ１０、プラテン２０及び
Ｏリング４０により形成される空間が密閉されない。こ
れにより完全なる真空がなされなく、よって製造工程時
冷却気体が漏れる。さらに、前記半導体ウェーハ４０を
押圧する力が局部的に集まって半導体ウェーハ１０のエ
ッジでクラックが発生する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は半導体ウェーハにおいてチップパターンの形成さ
れないエッジ部分のみを固定させる多数の不揃いな突起
を有するクランプを具備することによって、半導体ウェ
ーハの収率を向上させると共に固定力を上げ得る半導体
ウェーハ固定装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は、半導体ウェーハが載置される平坦な上面
を有するプラテンと、前記プラテンと半導体ウェーハと
の間に位置し弾性力を有するＯリングと、前記Ｏリング
に対向するように位置して半導体ウェーハの上面を押圧
して固定させるクランプとを具備する半導体ウェーハ固
定装置において、前記クランプは前記半導体ウェーハの
直径より大きい内径を有するリング型の板であり、前記
半導体ウェーハ上のチップパターンにより前記チップパ
ターンと半導体ウェーハの外周面との間隔が一定値以上
となる位置に対応するように多数の突起が内周面から中
心に向かって形成されることを特徴とする半導体ウェー
ハ固定装置を提供する。
【００１２】本発明の好ましい実施例によれば、前記ク
ランプに形成される多数の突起はチップパターンの形態
により相異なる長さを有し、端部に近づく程先細りにな
るように形成されても良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳細に説明する。図５は本発明による半導体ウェー
ハ固定装置の構成及びウェーハの固定状態を示す平面図
である。半導体ウェーハ１０には長方形の多数のチップ
パターン１１が連続に形成される。この際、半導体ウェ
ーハはチップパターンの形成されないエッジ部分を有
し、一般的に四つの角部には相対的に広いエッジが形成
される。
【００１４】図５を参照すれば、本発明による半導体ウ
ェーハ固定装置に用いられるクランプ５０′は半導体ウ
ェーハ１０の直径より大きい内径を有するリング型の板
より形成され、前記半導体ウェーハ１０のチップパター
ン１１により前記チップパターン１１の形成されないエ
ッジ部分の幅が所定値以上となる位置に対応するように
多数の突起５１′が内周面から中心に向かって突出形成
される。
【００１５】前記多数の突起５１′は相異なった長さを
有するように形成され、端部に近づくほど先細りにな
る。前記本発明によるクランプ５０′は製造時先ず製造
工程に用いられる半導体ウェーハのチップパターンの形
態を把握し、それにより突起の位置を決定する。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体ウ
ェーハ固定装置に用いられるクランプはチップパターン
の形成されないエッジ部分を多数の位置から固定させる
ので工程の正確性を上げ製品の不良を減らすと共にウェ
ーハの固定力を強化させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体ウェーハ固定装置の構成及びクランプに
よる半導体ウェーハの固定状態を示す断面図である。
【図２】半導体ウェーハ固定装置の構成及びクランプに
よる半導体ウェーハの固定状態を示す断面図である。
【図３】従来の技術によるリング型クランプの形状とウ
ェーハを固定する状態を示す平面図である。
【図４】従来の技術によるポイント型クランプの形状と
ウェーハを固定する状態を示す平面図である。
【図５】本発明による半導体ウェーハ固定装置の構成及
びウェーハの固定状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウェーハ １１ チップパターン ５０’ クランプ ５１’ 突起

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェーハが置かれる平坦な上面を
    有するプラテンと、前記プラテンと半導体ウェーハとの
    間に位置し弾性力を有するＯリングと、前記Ｏリングに
    対向するように位置して半導体ウェーハの上面を押圧し
    て固定させるクランプとを具備する半導体ウェーハ固定
    装置において、 前記クランプは前記ウェーハの直径より大きい内径を有
    するリング型の板であり、前記半導体ウェーハ上のチッ
    プパターンにより前記チップパターンと半導体ウェーハ
    の外周面との間隔が一定値以上となる位置に対応するよ
    うに多数の突起が内周面から中心に向かって形成される
    ことを特徴とする半導体ウェーハ固定装置。
  2. 【請求項２】 前記クランプの多数の突起は相異なる長
    さを有するように形成されることを特徴とする請求項１
    に記載の半導体ウェーハ固定装置。
  3. 【請求項３】 前記クランプの多数の突起は端部に近づ
    く程先細りになるように形成されることを特徴とする請
    求項１に記載の半導体ウェーハ固定装置。
JP13499496A 1995-12-14 1996-05-29 半導体ウェーハ固定装置 Pending JPH09181153A (ja)

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