JPS59134848A - ウエハ−チヤツク - Google Patents
ウエハ−チヤツクInfo
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- JPS59134848A JPS59134848A JP904783A JP904783A JPS59134848A JP S59134848 A JPS59134848 A JP S59134848A JP 904783 A JP904783 A JP 904783A JP 904783 A JP904783 A JP 904783A JP S59134848 A JPS59134848 A JP S59134848A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- pin
- wafer chuck
- chuck body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンタクト露光機に使用するウニハルチャッ
クの構造に関するものである。
クの構造に関するものである。
従来のコンタクト露光装置を第１及び第２図を用いて説
明する。第１図に示すように、まず、ウェハー２をウェ
ハーチャック本体３上に載置シフ、ガス吸排口４からウ
ェハーチャック３を吸引してウェハー２をウェハーチャ
ック本体３のウェハー吸着面に吸着し、マスクｌとウェ
ハー２との位置合わせを行う。位置合わせが終わったら
、第２図に示すようにウェハーチャック本体３上昇させ
、マスク１の下面にウェハー２を密着させる。さらに、
露光状態にする前に、ガス吸排口４の吸引を止め、逆に
ガスをガス吸排口４を通してウェハーチャック本体３内
に送シ込み、ウェハー２の裏面から吹き上げてウェハー
２をマスク１に強く密着させる。この時ウェハー２の裏
面には、全面に渡ってほぼ同じ圧力が加わる。ウェハー
２が歪んでいる場合には、ウェハーが下部に向がって凸
となっている部分は、ウェハーとマスク間の密着性が低
くなっているので、このような部分に対し選択的に圧力
をかける必要があるが、従来の方法では困難であるとい
う欠点があった。ウェハーチャック本体３からのウェハ
ー吹き上げを行わずにウェハーチャック本体３で直接ウ
ェハー２をマスク１に強く密着させる方法もあるが、こ
の場合第３図に示すように、ウェハー２とウェハーチャ
ック本体３との間にゴミ５をはさみ込んでしまうと、ゴ
ミによシウエハーチャック本体３の上昇は制限され、ウ
ェハー２とマスク１との密着性が悪くなるという欠点が
あった。
明する。第１図に示すように、まず、ウェハー２をウェ
ハーチャック本体３上に載置シフ、ガス吸排口４からウ
ェハーチャック３を吸引してウェハー２をウェハーチャ
ック本体３のウェハー吸着面に吸着し、マスクｌとウェ
ハー２との位置合わせを行う。位置合わせが終わったら
、第２図に示すようにウェハーチャック本体３上昇させ
、マスク１の下面にウェハー２を密着させる。さらに、
露光状態にする前に、ガス吸排口４の吸引を止め、逆に
ガスをガス吸排口４を通してウェハーチャック本体３内
に送シ込み、ウェハー２の裏面から吹き上げてウェハー
２をマスク１に強く密着させる。この時ウェハー２の裏
面には、全面に渡ってほぼ同じ圧力が加わる。ウェハー
２が歪んでいる場合には、ウェハーが下部に向がって凸
となっている部分は、ウェハーとマスク間の密着性が低
くなっているので、このような部分に対し選択的に圧力
をかける必要があるが、従来の方法では困難であるとい
う欠点があった。ウェハーチャック本体３からのウェハ
ー吹き上げを行わずにウェハーチャック本体３で直接ウ
ェハー２をマスク１に強く密着させる方法もあるが、こ
の場合第３図に示すように、ウェハー２とウェハーチャ
ック本体３との間にゴミ５をはさみ込んでしまうと、ゴ
ミによシウエハーチャック本体３の上昇は制限され、ウ
ェハー２とマスク１との密着性が悪くなるという欠点が
あった。
本発明は前記問題点を解消するもので、コンタクト露光
時にウェハーチャック本体のウェハー吸着面から、同一
平面上に配置した複数本のピンの上端を突出させ、該ピ
ンでウニ・・−を押し上げることによりウニ・・−をマ
スクに密着させ、ウエノ・−全面に渡ってマスクとの良
好な密着性を得るようにしたことを特徴とす−るもので
ある。
時にウェハーチャック本体のウェハー吸着面から、同一
平面上に配置した複数本のピンの上端を突出させ、該ピ
ンでウニ・・−を押し上げることによりウニ・・−をマ
スクに密着させ、ウエノ・−全面に渡ってマスクとの良
好な密着性を得るようにしたことを特徴とす−るもので
ある。
以下、本発明の実施例を図によって説明する。
第４図に示すように、ウェハーチャック本体３のウェハ
ー吸着面３ａにウエノ・−吸着口６，６・・・を開口し
、各吸着口６をウエノ・−吸着用吸引口７に接続する。
ー吸着面３ａにウエノ・−吸着口６，６・・・を開口し
、各吸着口６をウエノ・−吸着用吸引口７に接続する。
また、ウエノ・−吸着口６よりずれた位置にウェハー吸
着面３ａを上下に貫通する貫通孔８，８・・・を設け、
リテーナ９の同一平面上に植立した複数本のピン１０
、１０・・・を貫通孔８内に上下に可動可能に差し込み
、リテーナ９とウエノ・−チャック本体３とで形成され
る密閉空間１１にガス吸引口１２を設ける。
着面３ａを上下に貫通する貫通孔８，８・・・を設け、
リテーナ９の同一平面上に植立した複数本のピン１０
、１０・・・を貫通孔８内に上下に可動可能に差し込み
、リテーナ９とウエノ・−チャック本体３とで形成され
る密閉空間１１にガス吸引口１２を設ける。
実施例において、まず、ウエノ・−チャック本体３の吸
着面３ａ上に運ばれたウエノ・−２は、吸着口６の吸引
力によってウエノ・−吸着面３ａに固定される。次にマ
スク１とウエノ・−２との位置合わせが行われた後、ウ
ェハーチャック本体３を上昇させ、ウェハー２とマスク
１とをある程度密着する。その後第５図に示すようにガ
ス吸引口１２よシ空間１１内を吸引し、リテーナ９を上
昇させてピン１０を吸着面３ａより上方に突き出すと共
に吸着口８からの吸引を止める。ピン１０の上端面は同
一平面上に配置されているから、ウェハーが下方に向け
て凸となっている箇所にのみピン上部が当たる。ウェハ
ーが上方に凸の場合にはピン上部は当たらなくなるが、
上方に凸になっている箇所は下面側よりウェハーとマス
クとの密着性は高くなっているから、特に押し上げてや
らなくとも問題とならない。しだがって、ウェハー下方
からの押し上げ力はウェハーが下面側に凸となっている
箇所にのみ集中し、ウェハーの歪みを修正するように働
き、ウェハーとマスクとの密着性は全面に渡って良好と
なる。
着面３ａ上に運ばれたウエノ・−２は、吸着口６の吸引
力によってウエノ・−吸着面３ａに固定される。次にマ
スク１とウエノ・−２との位置合わせが行われた後、ウ
ェハーチャック本体３を上昇させ、ウェハー２とマスク
１とをある程度密着する。その後第５図に示すようにガ
ス吸引口１２よシ空間１１内を吸引し、リテーナ９を上
昇させてピン１０を吸着面３ａより上方に突き出すと共
に吸着口８からの吸引を止める。ピン１０の上端面は同
一平面上に配置されているから、ウェハーが下方に向け
て凸となっている箇所にのみピン上部が当たる。ウェハ
ーが上方に凸の場合にはピン上部は当たらなくなるが、
上方に凸になっている箇所は下面側よりウェハーとマス
クとの密着性は高くなっているから、特に押し上げてや
らなくとも問題とならない。しだがって、ウェハー下方
からの押し上げ力はウェハーが下面側に凸となっている
箇所にのみ集中し、ウェハーの歪みを修正するように働
き、ウェハーとマスクとの密着性は全面に渡って良好と
なる。
したがって、露光時ウェハー全面に渡って良好なコンタ
クト露光が得られる。
クト露光が得られる。
第６図は、ウェハー２とウェハーチャック本体３との間
にゴミ５がある場合に、ウェハー２をピン１０で押し上
げた状態を示す図である。本発明はウェハーチャック本
体３の吸着面３ａの全面を使って押し上げるのに代えて
ピン１０で押し上げるものであるから、ウェハー裏面に
当たる面積がウェハーチャツク本体３全体に比較して非
常に小さく、ウェハー裏面とピン上部とでゴミをはさみ
込み密着不良を引き起こす率が非常に少なくなる。
にゴミ５がある場合に、ウェハー２をピン１０で押し上
げた状態を示す図である。本発明はウェハーチャック本
体３の吸着面３ａの全面を使って押し上げるのに代えて
ピン１０で押し上げるものであるから、ウェハー裏面に
当たる面積がウェハーチャツク本体３全体に比較して非
常に小さく、ウェハー裏面とピン上部とでゴミをはさみ
込み密着不良を引き起こす率が非常に少なくなる。
第７図は本発明の他の実施例を示すウェハーチャックの
断面図である。前実施例では真空圧によりピン１０を突
出させるようにしたが、本実施例ではリテーナ９の下部
にピン１０を押し上げるだめの空気袋１３を設置し、該
空気袋１３にガスを供給するだめの供給口１４を接続し
たものであり、空気袋１３内にガスを供給し、空気袋１
３をふくらませてピン１０を上昇させるようにしたもの
である。
断面図である。前実施例では真空圧によりピン１０を突
出させるようにしたが、本実施例ではリテーナ９の下部
にピン１０を押し上げるだめの空気袋１３を設置し、該
空気袋１３にガスを供給するだめの供給口１４を接続し
たものであり、空気袋１３内にガスを供給し、空気袋１
３をふくらませてピン１０を上昇させるようにしたもの
である。
本発明は以上説明したようにウェハ−チャック本体のウ
ニ・・−吸着面よシピンを突き出してウェハーをマスク
に押し付けるようにしたので、ウニ・・−のそりによる
密着不良及び、ウェハー裏面とウェハーチャック本体と
の間のゴミによる密着不良を改善することができる効果
を有するものである。
ニ・・−吸着面よシピンを突き出してウェハーをマスク
に押し付けるようにしたので、ウニ・・−のそりによる
密着不良及び、ウェハー裏面とウェハーチャック本体と
の間のゴミによる密着不良を改善することができる効果
を有するものである。
第１図は従来のウェハーチャックでマスクとウェハーと
の位置合わせを行っている状態を示す断面図、第２図は
従来のウェハーチャックでマスクとウェハーとを密着さ
せた状態を示す断面図、第３図は従来のウェハーチャッ
クにおいてウェハーとウェハーチャックとの間にゴミが
はさまった状態を示す断面図、第４図は本発明の第１の
実施例によるウェハーチャックで、マスクとウェハーと
の位置合わせを行っている状態を示す断面図、第５図は
本発明の第１の実施例によるウェハーチャックで、マス
クとウェハーとをコンタクトさせた状態を示す断面図、
第６図は本発明の第１の実施例によるウェハーチャック
において、ウェハーチャックとウェハーとの間にゴミが
あった状態でウェハーをマスクにコンタクトさせた状態
を示す断面図、第７図は本発明の第２の実施例によるウ
ェハーチャックの断面図である。 １・・・マスク、２・・・ウェハー、３・・・ウェハー
チャック本体、６ ウェハー吸着口、１０ 、１０・・
・２°゛−Ｍｙ特許出願人 日本電気株式会社 第１図
の位置合わせを行っている状態を示す断面図、第２図は
従来のウェハーチャックでマスクとウェハーとを密着さ
せた状態を示す断面図、第３図は従来のウェハーチャッ
クにおいてウェハーとウェハーチャックとの間にゴミが
はさまった状態を示す断面図、第４図は本発明の第１の
実施例によるウェハーチャックで、マスクとウェハーと
の位置合わせを行っている状態を示す断面図、第５図は
本発明の第１の実施例によるウェハーチャックで、マス
クとウェハーとをコンタクトさせた状態を示す断面図、
第６図は本発明の第１の実施例によるウェハーチャック
において、ウェハーチャックとウェハーとの間にゴミが
あった状態でウェハーをマスクにコンタクトさせた状態
を示す断面図、第７図は本発明の第２の実施例によるウ
ェハーチャックの断面図である。 １・・・マスク、２・・・ウェハー、３・・・ウェハー
チャック本体、６ ウェハー吸着口、１０ 、１０・・
・２°゛−Ｍｙ特許出願人 日本電気株式会社 第１図
Claims (1)
- （１）ウェハーチャック本、体に、ウェハー吸着面に対
し垂直に可動する複数本のビンを備えだことを特徴とす
るウェハーチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP904783A JPS59134848A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | ウエハ−チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP904783A JPS59134848A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | ウエハ−チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134848A true JPS59134848A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11709722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP904783A Pending JPS59134848A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | ウエハ−チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| US5553320A (en) * | 1994-03-16 | 1996-09-03 | Hitachi, Ltd. | Automatic cash transaction machine |
| CN100390953C (zh) * | 2001-12-03 | 2008-05-28 | 日东电工株式会社 | 半导体晶片传输方法及采用该方法的半导体晶片传输装置 |
-
1983
- 1983-01-22 JP JP904783A patent/JPS59134848A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| US5553320A (en) * | 1994-03-16 | 1996-09-03 | Hitachi, Ltd. | Automatic cash transaction machine |
| CN100390953C (zh) * | 2001-12-03 | 2008-05-28 | 日东电工株式会社 | 半导体晶片传输方法及采用该方法的半导体晶片传输装置 |
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