CN100390953C

CN100390953C - 半导体晶片传输方法及采用该方法的半导体晶片传输装置

Info

Publication number: CN100390953C
Application number: CNB021557950A
Authority: CN
Inventors: 山本雅之; 松下孝夫
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-12-03
Filing date: 2002-12-03
Publication date: 2008-05-28
Anticipated expiration: 2022-12-03
Also published as: TWI251893B; DE60235343D1; TW200300999A; ATE458267T1; EP1320121B1; KR20030045602A; SG111979A1; US20030133762A1; JP4201564B2; JP2003234392A; EP1320121A2; EP1320121A3; US7078262B2; KR100901040B1; CN1422791A

Abstract

一种通过背面研磨过程而形成薄片的晶片放置在包括在对齐工位上的支承台。当由于晶片的翘曲而形成不正确的抽吸时，一压力板压迫晶片的表面以纠正翘曲并通过抽吸而被保持。通过抽吸被保持的晶片，连同对齐工位一起传输到下一步骤中的安装框准备单元。晶片在通过抽吸而被保持的同时，被接触晶片表面的夹具台接纳。

Description

半导体晶片传输方法及采用该方法的半导体晶片传输装置

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片传输方法和采用该方法的一种半导体晶片传输装置，具体来说，涉及一种有效传输形成薄片的半导体晶片的技术。

背景技术

在传统方法中，传输待处理的半导体晶片通过下列不同的处理步骤。

具有形成在其正面的图案的半导体晶片(下文中适宜称之为“晶片”)须研磨其背表面(背面研磨)。此时，晶片的正面需粘贴保护带。

背面研磨工艺之后，每个晶片以背面抽吸支承的方式传输到各个工位。

在半导体晶片安装装置的情形中，例如，通过一机械臂从装填式盒中取出的一晶片放置并被对齐工位所抽吸支承。对此晶片执行一对齐操作。对齐之后，从对齐工位移开的晶片传输到一晶片安装步骤，放置在一环形框的中心，并使其正面通过真空被抽吸。在此状态下，切割带粘贴到背面以将环形框和晶片联结在一起。

然而，近年来，半导体晶片一直趋向于减薄厚度以满足高密度安装的要求。半导体晶片的减薄提出下列的诸多不便。

通过背面研磨而减薄的晶片具有因加工应力引起的刚度减弱。只要从外界对其表面作用很小的应力，该晶片就变得翘曲。

当翘曲的晶片放置在对齐工位时，将发生不正确的抽吸，其中只有一部分晶片被抽吸。这种处于不良抽吸的晶片在传输到下一个处理步骤中会发生移位。在这种状态中，晶片不能正确地放置在一支承台上或类似的台面上，以执行下一个步骤。

发明内容

本发明考虑到上述技术的状况，它的首要目的是提供一种半导体晶片传输方法以及采用该方法的一种半导体晶片传输装置，用来有效地传输形成薄片的半导体晶片。

根据本发明，通过一种用来传输半导体晶片的半导体晶片传输方法来实现上述目的，该方法包括一支承步骤，用来支承其翘曲已经纠正而处于平面状态的半导体晶片以及对齐所述翘曲已经纠正的半导体晶片，以及一传输步骤，用来传输平面状态支承的半导体晶片。

采用根据本发明的半导体晶片传输方法，半导体晶片保持在其翘曲已经纠正的平面状态。因此，半导体晶片可在平面状态下可靠地传输。

较佳地，支承步骤是一压迫在半导体晶片的表面上、且通过抽吸而保持处于平面状态的半导体晶片的步骤。

通过压迫半导体晶片的表面，纠正了半导体晶片的翘曲。因此，半导体晶片可通过抽吸而可靠地被保持并被传输。

较佳地，在支承步骤中，可通过一对齐器来对齐半导体晶片，通过一压力装置施加的压力来纠正翘曲。

在翘曲已经纠正的平面状态下，对齐半导体晶片。例如，通过一对齐器来对齐半导体晶片，通过一压力装置施加的压力来纠正翘曲。因此，对齐器可对齐通过抽吸而处于可靠的保持、且半导体晶片的翘曲已经纠正的状态下的半导体晶片。由于对齐器没有不良的抽吸或翘曲引起的不平整度，所以避免了由位置传感器作出的不正确的检测，从而消除了定位精度的下降。

在支承步骤中，最好的做法是，在对齐器通过抽吸而保持半导体晶片时，压力装置释放该半导体晶片。

由于在对齐器通过抽吸而保持半导体晶片时，压力装置释放该半导体晶片，所以，对齐器可通过抽吸而保持并对齐处于平面状态的半导体晶片。

较佳地，半导体晶片在支承步骤中保持处于翘曲已经纠正的平面状态的同时，其表面由紫外线辐照。

由于半导体晶片保持处于翘曲已经纠正的平面状态，所以其表面可均匀地接受紫外线的辐照。因此，在一紫外线固化型的保护带粘贴到半导体晶片的表面的情形中，保护带的粘结剂基本上可均匀地固化。

根据本发明的晶片传输方法最好还包括一接纳步骤，用来使单个的保持装置接触以平面状态传输的半导体晶片，并接纳由该保持装置通过抽吸而保持的半导体晶片。

保持处于平面状态的半导体晶片由通过抽吸而保持半导体晶片的单个保持装置接纳。即，保持装置可接纳翘曲已经纠正过的处于平面状态的半导体晶片。

较佳地，保持处于平面状态的半导体晶片通过一移动的对齐器而被传输。

由于半导体晶片是连同通过抽吸而保持对齐半导体晶片的对齐器一起传输的，所以，在传输过程中，保持对半导体晶片变形的纠正的同时，避免了半导体晶片的移位。

半导体晶片传输方法还进一步包括利用一压力装置的压力步骤，机械臂保持半导体晶片，抽吸、接纳和传输处于翘曲已经纠正的状态的半导体晶片。较佳地，由机械臂传输的半导体晶片被压力装置接纳，或者压力装置从保持多层储存半导体晶片的装填式盒中的半导体晶片的机械臂中接纳半导体晶片。

因此，由机械臂保持的半导体晶片通过抽吸而被保持，且通过压迫，在翘曲已经纠正的状态下被压力装置支承，即，在一平面状态下。例如，由机械臂传输的半导体晶片可由压力装置接纳，或压力装置从保持多层储存半导体晶片的装填式盒中的半导体晶片的机械臂中接纳半导体晶片。

这就是说，压力装置压迫和保持通过抽吸而处于平面状态的半导体晶片，由此，消除了由半导体晶片的翘曲而引起的不良抽吸。

对齐器和其类似装置可直接从压力装置中接纳处于翘曲已经纠正的平面状态的半导体晶片。

当压力装置将通过抽吸而保持的半导体晶片放置在对齐器上时，从对齐器的上方放置半导体晶片。放置好之后，压力装置可向上缩回。如果需要的话，这就要考虑确定对齐器的半导体晶片抽吸台的尺寸和形状，以及抽吸孔或槽的布置。

从传统上来讲，机械臂为了将通过抽吸而保持在其背面的半导体晶片放置到对齐器的抽吸台上，必须形成一切口，以使机械臂贴合到抽吸台，并对付半导体晶片放置之后的动作。由于半导体晶片此时被保持在上表面，并且通过抽吸而处于平面状态，以便放置到抽吸台上，在传统的实践中，这样的切口不必形成在抽吸台上。

此外，由于半导体晶片是在平面状态下接纳的，所以，与只有部分的半导体晶片的平面被接纳的情形相比，半导体晶片损坏的机会就会减少。

较佳地，半导体晶片传输方法还包括一传输半导体晶片的步骤，该晶片夹在用来保持半导体晶片的机械臂与用来压迫半导体晶片的压力装置之间。

机械臂和压力装置传输夹在其中间的半导体晶片。这种方法有效地纠正半导体晶片的翘曲，并避免了由于不良抽吸而引起的半导体晶片的跌落或类似事件。

较佳地，传输方法还包括一传输半导体晶片的步骤，使用压力装置，通过压迫半导体晶片而纠正翘曲，在抽吸保持下传输半导体晶片。

使用压力装置，通过压迫半导体晶片而纠正翘曲，在抽吸保持下传输半导体晶片。例如，仅用压力装置，在不同的处理装置之间，传输半导体晶片。因此，可以在不使用装填式盒或类似物以及不必使用机械臂的情况下，传输半导体晶片。

较佳地，通过抽吸而压迫至少半导体晶片的周缘部分和中心部分，从而保持半导体晶片。

通过抽吸而压迫至少半导体晶片的周缘部分和中心部分，从而保持半导体晶片，半导体晶片不论其向上或向下翘曲，可保持在一平面状态。

较佳地，半导体晶片具有一预先粘贴在其表面的保护带。

由于保护带预先粘贴在半导体晶片的表面上，所以其表面易于加工处理。

在本发明的另一方面，提供了一种用来传输半导体晶片的半导体晶片传输装置，该装置包括：

一支承台，用来支承和通过抽吸保持半导体晶片；

一压力装置，用来压迫支承在支承台上的半导体晶片的表面；

一传输装置，用来传输被支承台压迫和抽吸保持的半导体晶片；以及

一接纳装置，用来接触由传输装置传输的半导体晶片，并在通过抽吸而保持半导体晶片的同时，接纳半导体晶片，或者一检测装置，用来检测放置在支承台上的半导体晶片的翘曲。

有了根据本发明的半导体晶片传输装置，半导体晶片可通过抽吸而保持，通过压力装置压迫支承在支承台上的半导体晶片的表面来纠正其翘曲。支承台通过抽吸而保持，并传输半导体晶片。因此，半导体晶片在其传输过程中总是在翘曲已经纠正的平面状态下进行加工处理。因此在传输过程中不会发生移位，从而实现稳定的传输。

接纳装置接触处于翘曲已经纠正的平面状态下传输过来的半导体晶片。接纳装置接纳半导体晶片，同时通过抽吸保持半导体晶片。因此，半导体晶片在其传输过程中总是在翘曲已经纠正的平面状态下进行加工处理。因此在传输过程中不会发生移位，从而实现稳定的传输。

此外，可以检测由于放置在支承台上的半导体晶片的翘曲而引起的不良抽吸。因此，一旦存在不良抽吸，可操作压力装置来施加压力，以将翘曲纠正为平面状态。较佳地，传输装置是一用来对齐半导体晶片的对齐器。

已经对齐半导体晶片的对齐器，仅连同半导体晶片一起移动。这在传输过程中有效地避免了半导体晶片的移位。

较佳地，压力装置是一用来通过抽吸而保持半导体晶片的抽吸装置。

具有抽吸孔的压力装置可通过抽吸而保持和传输其翘曲被压迫和纠正而处于平面状态的半导体晶片。这有效地避免了由于不良抽吸引起的半导体晶片的跌落和类似事件。半导体晶片在保持平面状态的同时，传输到对齐器和类似的装置。

较佳地，根据本发明的晶片传输装置还包括一机械臂，用来从多层储存半导体晶片的装填式盒中提取，或提取并传输半导体晶片，以及一控制器，当半导体晶片从压力装置传输到对齐器时，操作该控制器，用来通过压力装置控制释放半导体晶片，并控制通过抽吸而保持半导体晶片的对齐器的时间。

提供了机械臂后，半导体晶片可从装填式盒中取出并直接传输，而在盒中的半导体晶片可由机械手保持，而且处于这种状态的半导体晶片可由压力装置接纳。

此外，当半导体晶片从压力装置传输到对齐器时，由压力装置对半导体晶片的释放以及通过抽吸而保持半导体晶片的对齐器的时间都受到控制。即，在对齐器通过抽吸完全保持住半导体晶片之时，由压力装置取消抽吸保持，对齐器可接纳保持平面状态的半导体晶片，以避免不良抽吸。

本说明书还公开了下列诸解决办法：

(1)一半导体晶片安装装置，用来借助于粘结带在环形框内保持半导体晶片，该装置包括：

一多层储存半导体晶片的装填式盒；

一机械臂，用来从盒中取出各半导体晶片并传输该半导体晶片；

一支承台，用来接纳由机械臂传输的半导体晶片，并通过抽吸保持半导体晶片；

一压力装置，用来压迫放置在支承台上的半导体晶片的表面；

一传输装置，用来传输被支承台压迫和通过抽吸而保持的半导体晶片；

一接纳装置，用来接触传输的半导体晶片；并在抽吸半导体晶片的同时，接纳该半导体晶片；

一带粘贴装置，用来粘贴粘结带和保持在环形框内的半导体晶片，该晶片通过抽吸被接纳装置所保持；

一切割器机构，用来切割粘贴的粘结带；以及

一带收集装置，用来收集切割之后不要的粘结带。

例如，当一翘曲的半导体晶片和一环形框借助于粘结带而集合在一起时，在翘曲的影响下，不可能将粘结带均匀地粘贴到半导体晶片上。在上述的发明(1)中，从盒中取出的半导体晶片，在翘曲被支承台纠正之后，保持翘曲已经纠正的状态，直到通过粘结带被保持在环形框内。因此，通过均匀粘贴的粘结带，半导体晶片可以与环形框集合在一起。

(2)一种用来通过抽吸而保持半导体晶片的半导体晶片抽吸保持方法，该方法包括：

一放置步骤，用来将半导体晶片放置在通过抽吸而保持半导体晶片的一支承台上；以及

一压力步骤，用来压迫和纠正放置其上的半导体晶片的翘曲。

例如，当一翘曲的半导体晶片放置在支承台上时，在翘曲的影响下，不可能通过抽吸而可靠地保持半导体晶片。在上述的发明(2)中，通过压迫放置在支承台上的半导体晶片来纠正翘曲。因此，半导体晶片在其保持一平面状态时，可由支承框通过抽吸而可靠地保持。

(3)一种用来通过抽吸而保持半导体晶片的半导体晶片抽吸保持装置，该装置包括：

一支承台，用来接纳半导体晶片和通过抽吸保持半导体晶片；以及

一压力装置，用来压迫放置的半导体晶片。

例如，当一翘曲的半导体晶片放置在支承台上时，在翘曲的影响下，不可能通过抽吸而可靠地保持半导体晶片。在上述的发明(3)中，压力装置压迫放置在支承台上的半导体晶片，以纠正半导体晶片的翘曲。因此，半导体晶片处于翘曲已经纠正的平面状态下，通过抽吸可由支承框可靠地保持。

附图说明

为了说明本发明，附图中示出了目前优选的几种形式，然而，应予以理解，本发明不局限于所示的明确的结构和工具。

图1是局部切去的立体图，示出在第一和第二实施例中具有半导体晶片传输装置的全部晶片安装装置；

图2是示出第一实施例中一压力机构的操作的视图；

图3是示出第一实施例中该压力机构的操作的视图；

图4是一方框图，示出第一实施例中压力机构的主要部分和对齐工位；

图5是示出第一实施例中对齐工位操作的视图；

图6是示出一夹具台和一环形框提升机构操作的视图；

图7是示出一切割带粘贴操作的说明性视图；

图8是示出一切割带粘贴操作的说明性视图；

图9是示出一切割带粘贴操作的说明性视图；

图10是示出一切割带粘贴操作的说明性视图；

图11是示出一晶片传输操作的说明性视图；

图12是示出一晶片传输操作的说明性视图；

图13是示出一晶片传输操作的说明性视图；

图14是示出一晶片传输操作的说明性视图；

图15是示出一晶片传输操作的说明性视图；

图16是一流程图，说明第一实施例中装置的操作；

图17是第二实施例中晶片保持器的立体图；

图18是示出第二实施例中一压力板背面的视图；

图19是示出用晶片保持器和压力板保持一晶片状态的侧视图；

图20是第二实施例中对齐状态的平面图；以及

图21是一方框图，示出第二实施例中压力机构的主要部分和对齐状态。

具体实施方式

下文参照附图将详细描述本发明的优选实施例。

<第一实施例>

本发明的一实施例在下文中将参照附图作介绍。

本实施例将取用来在一半导体晶片安装装置中传输半导体晶片(下文中简称为“晶体W”)的传输装置为例，来进行描述。对于本实施例，假定紫外线固化型的粘结带预先粘贴作为晶片W的图案表面(正面)的防护带。

图1是一局部切去的立体图，表示本发明一实施例中的一完整的半导体晶片安装装置。

该半导体晶片安装装置1包括一晶片供应工位2，用来接纳一装填式盒C，其多级储存背面经过研磨过程的晶片W，一晶片传输机构3，它具有一机械臂4和一压力机构5，一对齐工位7，用来对每个晶片W实施对齐操作，一紫外线辐射单元14，对放置在对齐工位7上的晶片W发射紫外线，一夹具台15，用抽吸保持住晶片W，一环形框供给单元16，多级储存环形框(下文中简称为“环框f”)，一环框传输机构17，用来将每个环框传输到切割带DT，一带处理器，用来将切割带DT粘贴到每个环框f的背面，一环框提升机构26，用来垂直移动带有粘贴其上的切割带DT的环框，一安装框准备单元27，用来准备与具有粘贴其上的切割带DT的环框f粘结为一体的带有晶片W的安装框MF，一第一安装框传输机构29，用来传输准备好的安装框MF，一分离机构30，用来分离粘贴在晶片W表面的保护带PT，一第二安装框传输机构35，用来传输带有被分离机构30分离的保护带PT的安装框MF，一转台36，用来转动并传输安装框MF，以及一安装框收集器37，用来多级储存安装框MF。

晶片供应工位2具有一装填式盒台，而该装填式台接纳装填式盒C，它多级储存背面经受研磨过程且具有粘贴在其图案表面(下文中合适地称为“正面”)的保护带的晶片W。此时，晶片W保持在水平位置上且图案表面朝上。

晶片传输机构3转动并被一驱动机构(未示出)推动而垂直移动。即，机械臂4的晶片保持器和压力机构5的压力板6(在下文中将描述)调整位置，而每个晶片W从装填式盒C传输到对齐工位7。

晶片传输机构3的机械臂4包括一连接在其末端的马蹄形晶片保持器(未示出)。机械臂4构造成使晶片保持器在多级储存在装填式盒C中的诸晶片W之间的空间内进出。

晶片保持器有多个抽吸孔，用来在晶片的背面真空抽吸保持每个晶片W。

晶片传输机构3的压力机构5包括一具有连接在其某端的一圆形压力板6的臂部分，且形状基本上与晶片W一致，活动的臂部分可将压力板6移动到放置在对齐工位7上的晶片W的上方。压力板6的形状并不局限于圆形，但可以是能够纠正晶片W翘曲的任何形状。例如，一杆形物体的尖端可压在晶片W的翘曲部分。压力板6对应于本发明的压力装置。

当对放置在对齐工位7(下文中将描述)的支承台8上的晶片W发生不正确的吸附时，该压力机构5投入工作。如图2所示，特别当晶片W翘曲得不能如图3所示那样被抽吸保持时，压力板6压迫晶片W的表面以将翘曲纠正到一平面状态。在这种状态时，支承台8通过真空抽吸保持住晶片的背面。

对齐工位7具有支承台8，用来执行基于定向平坦面上的晶片W的对齐操作，例如，通过吸住晶片W的整个背面来覆盖和保持。如图4所示，支承台8具有多个形成在其上的抽吸孔9。各个抽吸孔9与诸抽吸通道r连通，它们集成在上游位置上并通入一抽吸管R。集成的抽吸管R具有排列有序的一压力计10，一阀V和一真空源11。

压力计10具有一与其连接的比较器12，用来将抽吸晶片W时压力与预定的参照值相比较。比较器12与控制器13相连接。当比较器12检测到一异常压力变化时，控制器13从比较器12接受到一检测信号，并操作晶片传输机构3和压力机构5。压力计10和比较器12构成本发明的检测装置。

特别当用抽吸保持放置在支承台8上的晶片W，且晶片W无翘曲时，晶片W紧紧粘附在支承台8上。因此，由真空源11施加的在抽吸管R内的压力降低。

另一方面，如果晶片W是翘曲时，则晶片W提升脱开支承台8。此时，抽吸管R通过抽吸孔9与大气连通，则抽吸管R内的压力很难下降。即，当晶片W放置在支承台8上时，压力计10测量抽吸管R内的压力。

比较器12比较从压力计10中测得的压力值和预先确定的参照值，参照值与正常运行时的(即，当晶片W正常被支承台8抽吸时)的压力值有关。当压力测量值大于参照值(即，抽吸管R内的压力未充分降低)时，则晶片W确定为有翘曲且未被支承台8吸住。比较器12向控制器13送出一异常检测信号。

当该异常检测信号被输入后，控制器13操作晶片传输机构3和压力机构5，如图2所示，将压力板6移到晶片W的上方并如图3所示下降。结果，晶片W受压使翘曲得到纠正，由此，晶片W被支承台8吸住。

如图1和5所示，对齐工位7可移动，在支承和对齐晶片W的初始位置与某一点之间，传输通过抽吸保持住的晶片W，上述该一点介于夹具台15和环框提升机构26之间，提升机26设置在多级的带处理器18(下文将描述)的上方。即，对齐工位7将翘曲已纠正的、并保持在一平面状态的晶片W传输到下一步骤。对齐工位7对应于本发明的传输装置和对齐器。

紫外线辐照单元14设置在初始位置的对齐工位7的上方。紫外线辐照单元14朝向保护带PT发射紫外线，该保护带是粘贴在晶片W的表面上的紫外线固化型的粘贴带。即，保护带PT的粘贴强度经紫外线辐照而减小。

夹具台15是与晶片W的形状大致相同的圆形，以通过真空抽吸覆盖和保持晶片W的表面，由一驱动机构(未示出)使其从带处理器18上方的等待工位垂直移动到将贴片W粘贴到环框f的位置。夹具台15对应于本发明的保持装置和接收装置。

这就是说，如图11所示，夹具台15接触和通过抽吸保持翘曲已经纠正的晶片W，并被支承台8保持在一平面状态。

如图6所示，夹具台15向下移动到环框提升机构26的开口内的一位置，该环框提升机构通过抽吸保持带有粘贴在背面的切割带DT的环框f(下文中将描述)，该位置靠近环框f的中心处的切割带DT。

此时，夹具台15和环框提升机构26由一保持机构(未示出)保持。

环框供应单元16具有一小车形式的构造，该结构具有一设置在底部位置上的滑轮，并安装在装置1的主体上。框供应单元在顶端是敞开的，多级储存在其内的环框f可通过敞开部分向上放入和馈出。

环框传输机构17通过真空抽吸最上面的环框，然后，抽吸储存在环框供应单元16中的下一个环框f，陆续将环框f传输到一对齐工位(未示出)和粘贴切割带DT的一位置。当粘贴切割带DT时，环框传输机构17也起作一保持机构的作用，用来将环框f保持在粘贴切割带DT的位置上。

带处理器18包括一带伺服器19，用来提供切割带DT，一张紧机构20，用来对切割带DT施加张力，一粘贴器单元21，用来将切割带DT粘贴到环框f上，一切割器机构24，用来切割粘贴在环框f上的均衡带DT，一分离器单元23，用来从环框f上分离被切割器机构24切割下来的不要的带子，以及一带收集器25，用来收集切割后残留下的不要的带子。

张紧机构20沿宽度方向在相对端上保持切割带DT，并沿带的宽度方向施加张力。即，在使用软性切割带DT的情形中，沿带进给方向作用的张力导致沿进给方向形成于切割带DT的表面上的纵向皱褶。为了避免这种皱褶和将切割带DT均匀地粘贴到环框f上，张力应沿带的宽度方向施加。

如图1和7所示，粘贴器单元21设置在被保持在切割带DT上方的环框f的倾斜向下(图1中向左下方向)的一等待位置上。粘贴器单元21具有一粘贴器辊筒22，它移向如图8所示的带的进给方向的右向的一粘贴起始位置，同时，随着环框传输机构17传输环框f并保持它在粘贴切割带DT的位置上，带伺服器19开始进给切割带DT。

到达粘贴起始位置的粘贴器辊筒22向上移动，如图9所示，将切割带DT压迫和粘贴到环框f上，并从粘贴起始位置滚向等待位置，在此同时，将切割带DT压迫和粘贴在环框f上。

分离器单元23构造成从环框f上分离被切割器机构24(下文中将描述)切下的切割带DT的不要的部分。具体来说，在切割带DT粘贴到环框f和切割后，张紧机构20释放切割带DT。接下来，如图10所示，分离器单元23在环框f上朝向带伺服器19(如10中左向)移动，以分离切割操作后的不要的切割带DT。

如图1所示，切割器机构24设置在切割带DT的下面，环框f放置在切割带DT上。在切割带DT通过粘贴器单元21粘贴到环框f之后，张紧机构20释放切割带DT，切割器机构24向上移动。向上移动的切割器机构24沿环框f切割该切割带DT。

环框提升机构26在一等待位置，该位置在将切割带DT粘贴到环框f的位置的上方。在切割带DT粘贴到环框f之后，该环框提升机构26下降并通过抽吸保持住环框。此时，已保持住环框的环框传输机构18返回到位于环框供应单元16上方的一初始位置。

通过抽吸保持住环框的环框提升机构26上升到一位置，以连接该晶片W。此时，通过抽吸保持晶片W的夹具台15也下降到连接晶片W的位置。

安装框准备单元27包括一粘贴器辊筒28。粘贴器辊筒28设置为滚动，同时压在粘贴在环框f的背面的切割带DT的非粘贴表面上。粘贴辊筒28由软性材料形成，例如，橡胶或树脂。

第一安装框传输机构29通过抽吸保持并集合环框f和晶片W的安装框MF，并将其传输到分离机构30的一分离台(未示出)。

分离机构30包括一分离台(未示出)，用来接纳和移动晶片W，一用来供应分离器带Ts的带伺服器31，一用来供应和分离分离器带Ts的分离器单元32，以及一用来收集分离的分离器带Ts和保护带PT的带保护器34。分离机构30的结构，除了分离台之外，设置在装置1的主体上的一垂直壁(未示出)的整个表面上。

带伺服器31从一储料的辊筒上提供分离器带Ts，并在分离台上方前进。

分离器单元32具有一分离器板33。该分离器板33移动，同时压迫粘贴在晶片W的图案表面上的保护带PT的表面(晶片W通过切割带DT粘贴在安装框架MF上)，上述晶片W由分离台传输。此时，分离器板33将分离器带Ts粘贴到保护带PT上，同时压在分离器带Ts的非粘贴表面上，并分离该分离器带Ts和保护带PT。分离器带Ts具有一比晶片W的直径小的宽度。

第二安装框传输机构35通过抽吸保持从分离机构30送出的安装框MF，并将其传输到转台36。

转台36构造成执行安装框MF的对齐并将其储存在安装框收集器37内。即，当第二安装框传输机构35将安装框MF放置在转台36上时，根据晶片W的定向平坦面和环框f的定位外形，执行定位操作。转台36转动以改变将安装框MF储存到安装框收集器37的方向。当储存方向确定后，转台36允许一推进器(未示出)将安装框MF推出，由此，安装框MF储存在安装框收集器37内。

安装框收集器37放置在一可垂直移动的支承台上(未示出)。因此，随着支承台的垂直运动，被推进器推出的安装框MF可储存在安装框收集器37的一选定的层上。

接下来，将参照图1的局部切去的立体图，描述上述装置的一个操作循环，不同机构操作的说明性视图，示于图2和3以及图11至15，流程图示于图16。

<步骤S1>取出和传输晶片

机械臂4的晶片保持器插入装填式盒C的空间内。晶片W被取出，一次一片，通过抽吸保持在下表面。每片取出的晶片W传输到对齐工位7。

<步骤S2>确认晶片的抽吸

机械臂4将晶片W放置在支承台8上，通过抽吸保持在背面。此时，压力计10检测晶片W的抽吸程度，并将检测结果输入比较器12。比较器12将该检测结果与预先确定的参照值比较，参照值与正常运行时的压力值有关。当比较结果显示抽吸管R内的压力充分下降时，则晶片W的抽吸确定为良好。此时，对齐操作根据定向平坦面或刻痕执行，且操作继续进行到步骤S4。相反，当压力测量值大于参照值(即，抽吸管R内的压力下降不充分)，则晶片W确定为有翘曲，且未被支承台8抽吸。然后，操作继续到步骤S3。

<步骤S3>加压过程

当检测出异常抽吸时，控制器13传送信号到晶片传输机构3和压力机构5，以操作各个机构。即，晶片传输机构3转动以引导压力板6朝向支承台8，如图2所示，将压力板6延伸到晶片W上方，为压晶片W的表面而操作对齐，在对齐之后，晶片传输机构3下降以下降压力板6，从而如图3所示加压在晶片W的表面上。在此同时，阀门V打开，通过抽吸使晶片W被保持，处于翘曲被纠正的平面状态。此外，晶片W基于定向平坦面或刻痕面对齐。

晶片W在加压下纠正翘曲之后，操作返回到步骤S2，以再次确认晶片W的抽吸。

<步骤S4>紫外线处理

在对齐工位7上对齐之后，紫外线辐照单元14向晶片W的表面发射紫外线。

<步骤S5>传输晶片

在紫外线处理之后，晶片W通过抽吸被支承台8保持，其连同对齐工位7一起传输到下一个安装框准备单元27。即，对齐工位7移动到夹具台15和环框提升机构26之间的一位置。

<步骤S6>接纳晶片

如图11所示，随着对齐工位7等待在预定位置，设置在上方的夹具台15下降，使夹具台15的底部接触并开始通过真空抽吸晶片W。当夹具台15开始真空抽吸时，支承台8停止其抽吸动作。因此，晶片W以翘曲被纠正的平面状态被夹具台15接纳。

已释放晶片W的对齐工位7返回到图12所示的初始位置。

<步骤S7>环框放置就位

环框传输机构17通过真空抽吸并取出最上面一个环框，然后取出储存在环框供应单元16中的下一个环框。每个取出的环框在对齐工位(未示出)上对齐，然后，传输到切割带DT上方的位置，以粘贴切割带DT。

<步骤S8>粘贴切割带

随着环框f保持在环框传输机构17并呈现在粘贴切割带DT的位置，带伺服器19开始进给切割带DT。此时，粘贴器辊筒22移向粘贴起始位置。

粘贴辊筒22一到达粘贴器起始位置，张紧机构20在相对的两端沿宽度方向保持切割带DT，并在带的宽度方向上施加压力。

接下来，粘贴辊筒22上升，加压以将切割带DT粘贴到环框f的一端。在切割带DT粘贴到环框f的一端之后，粘贴辊筒22滚向靠近带伺服器19的等待位置。此时，粘贴器辊筒22滚动，同时压迫切割带DT(在其非粘贴表面)，以将切割带DT粘贴到环框f上。当粘贴器辊筒22达到粘贴位置的终端时，张紧机构20释放切割带DT。

此时，切割机构24上升并沿环框f切割该切割带DT。在切割带DT切割之后，分离器单元23移向带伺服器19，以分离不要的切割带DT。

接着，带伺服器19操作以拉出切割带DT，并且切下的、不要的带的部分送到带收集器25。此时，粘贴器辊筒22移到粘贴起始位置，以将切割带DT供应给下一个环框f。

<步骤S9>准备安装框

带有粘贴在其上的切割带DT的环框向上移动，通过抽吸，框部分被环框提升机构26保持。此时，夹具台15也下降。即，夹具台15和环框提升机构26都移向粘贴晶片W的位置。具体来说，如图13所示，通过抽吸保持晶片W的夹具台15的底部适配形成在环框提升机构26的中心的开口。此时，晶片W位于靠近切割带DT的粘贴表面。

各个已到达预定位置的机构15和26，通过保持机构(未示出)而被保持住。接下来，如图14所示，粘贴器辊筒28移到开始粘贴切割带DT的位置，如图15所示，在滚动的同时压在要粘贴到环框f底部的切割带DT的非粘贴表面上，从而将切割带DT粘贴到晶片W上。其结果，准备好了一个安装框MF，其集成了环框f和晶片W。

当安装框MF被准备好后，夹具台15和环框提升机构26向上移动。此时，支承台(未示出)移到安装框MF的下面，且安装框MF放置在该支承台上。放置好的安装框MF通过抽吸被第一安装框传输机构29保持住并传输到分离台(未示出)。

<步骤S10>分离保护带

其上放置有安装框MF的分离台移向在分离器单元32下面的一位置。当安装框MF到达分离器单元32下面的该位置时，分离器板33压下，并将从带伺服器31进给的分离器带Ts粘贴到在晶片W表面上的保护带PT。在粘贴分离器带Ts的同时，分离器板33将粘贴的分离器带Ts连同保护带PT一起从晶片W的表面上分离下来。

经过保护带PT分离过程的安装框MF被分离台移向第二安装框传输机构35的等待位置。

<步骤S11>传输和收集安装框

从分离机构30送出的安装框MF被第二安装框传输机构35传输到转台36。传输的安装框MF通过定向平坦面或刻痕面对齐，并调整其储存方向。当对齐完成后且储存方向也确定时，由一推进器将安装框MF推出，将其储存在安装框收集器37内。

如上所述，通过操作压力板6纠正晶片W的翘曲，晶片W能可靠地通过抽吸被支承台8保持。晶片W随着支承台8通过抽吸而保持的方式连同对齐工位7一起传输，晶片W的表面放置成与夹具台15的抽吸表面接触。在这种状态下，夹具台15通过真空抽吸晶片W，而支承台8阻止其抽吸动作。因此，晶片W以翘曲已纠正的平面状态传输到下一个步骤。其结果，晶片W可靠地被传输且无移位。

<第二实施例>

除了压力机构5的压力板6可通过抽吸保持并将每个晶片W传输到对齐工位7之外，本实施例与前面的第一实施例相同。同样的标号用来标明同样的零件，它们不再特别地给以描述。

如图17所示，一晶片保持器50呈马蹄形，并包括两个具有吸入孔51的分支远端部分，用来在靠近其边缘处的背面通过抽吸保持晶片W。

晶片保持器50并不局限于马蹄形，但可以是大致与晶片W的形状对应的环形或平板形。对于机械臂4不从装填式盒C中取出晶片W进行传输的情形，晶片保持器50就不必具有用来通过抽吸保持晶片W的抽吸孔51。

如机械臂4的操作，压力机构5具有压力板6，其构造成可垂直移动以及连同移动的转动，以进出于介于多层储存于装填式盒C内的晶片W之间的空间。

压力板6能够通过抽吸而保持一晶片W。如图18所示，压力板6是覆盖晶片W的圆形。它的用来接触晶片W的表面具有一环形槽6a，用来通过抽吸保持晶片W的周边缘区域，以及一抽吸孔6b，用来通过抽吸保持晶片W的中央部分。如图21所示，环形槽6a和抽吸孔6b通过一在臂内的抽吸通道r2和一抽吸管R2与真空源11连通。

压力板6的抽吸保持不局限于这种形式，但只要能够通过抽吸可靠地保持晶片W，可以是任何形式。例如，沿压力板6的边缘可等距离地设置多个抽吸孔，或者可径向地设置多个抽吸孔。环形槽6a和抽吸孔6b对应于本发明的抽吸装置。

对齐工位7具有支承台8，用来根据定向平坦面在晶片W上执行对齐操作，例如，通过抽吸晶片W的整个背面来执行覆盖和保持。具体来说，如图20所示，支承台8具有沿其边缘等距离布置的多个抽吸孔，用来通过抽吸保持晶片W的周缘部分。

如图21所示，各个抽吸孔9与集成在上游位置的抽吸通道连接并进入到一个抽吸管R1。该汇集的抽吸管R1具有顺序布置的一压力计10，一阀V和真空源11。

压力计10具有与其相连的一比较器12，用来将抽吸晶片W时的压力与预定的参照值比较。比较器12与控制器13连接。随从比较器12处得到的压力变动，控制器13调整安装在抽吸管R1和R2上的阀V的打开和关闭时间。压力计10和比较器12构成本发明的检测装置。

如图21所示的比较器12将从压力计10中获得的压力测量值与预先确定的参照值比较，参照值与正常操作时的压力值相关(即，当晶片W被支承台8正常抽吸时)。当压力测量值大于参照值时(即，在抽吸管R1内的压力未充分地下降时)，则放置在压力板6上的晶片W确定为未被支承台8完全抽吸。

相反，当压力测量值小于参照值(即，在抽吸管R内的压力下降)，比较器12向控制器13送入一正常的检测信号，表示晶片W完全抽吸(正常地)。

当正常检测信号如图21所示被输入到比较器13时，安装在抽吸管R2上的阀V关闭，以释放对晶片W的抽吸保持。因此，对齐工位7可从压力板6接纳处于翘曲已纠正的平面状态的晶片W。

压力计10和比较器单元12构成本发明的检测装置。

接下来，参照图1、19和21描述本实施例装置的一个操作循环。在该实施例中，在对齐工位7上放置和对齐晶片W的操作以及其后的操作与第一实施例相同，不再作具体描述。

机械臂4的晶片保持器50插入装填式盒C的一空间中。通过抽吸从下面保持一晶片W。

接着，压力机构5的压力板6插入装填式盒C的一空间中，那是位于被晶片保持器50保持的晶片W的上方的一空间。如图19所示，压力板6朝向晶片W下降，并通过抽吸保持晶片W，同时，从上方将它压住。

当压力板6通过抽吸保持晶片W时，晶片保持器50阻止其抽吸动作。压力板6从装填式盒C中取出晶片W，同时通过抽吸保持住它，并将其传输到对齐工位7。此时，晶片保持器50移到取出下一个晶片W的位置。

在压力板6加压时，晶片W放置在对齐工位7的支承台8上。支承台8开始抽吸晶片W。此时，压力计10连续地检测晶片W的抽吸程度，检测的结果输入到比较器12。

比较器12将检测结果与预先确定的参照值比较，该参照值与正常运行的压力值相关。当比较结果显示抽吸管R内的压力已充分地下降时，晶片W的抽吸被确认为良好，并将正常检测信号送入比较器13。

一接到正常检测信号，控制器13关闭安装在管R2上的阀V，并取消压力板6对晶片W的抽吸保持。压力板6移到装填式盒C，以提取下一个晶片W，或返回到等待位置。

对齐工位7对齐通过抽吸保持的晶片W，抽吸根据定向的平坦面或刻痕进行。在对齐之后，紫外线辐照单元14向晶片W的表面发射紫外线。

在紫外线处理之后，晶片W被支承台8通过抽吸而保持，连同对齐工位7一起传输到下一个安装框准备单元27。

如上所述，通过从装填式盒C中取出晶片W，并传输具有被压力板6压迫和翘曲纠正过的晶片W，这就可避免在传输到对齐工位7的过程中，因不正确的抽吸引起的晶片W的跌落。

支承台8可接纳由压力板6所保持的平面状态的晶片W。具体来说，在通过抽吸保持和压迫晶片W的同时，压力板6将晶片W放置在支承台8上。支承台8通过抽吸保持处于翘曲已纠正的平面状态的晶片W。在支承台8通过抽吸完全地(正常地)保持晶片W之时，压力板6释放晶片W。因此，支承台8可以可靠地保持晶片W，而且对齐工位7也可精确地执行对齐。

晶片W放置在支承台8上，而压力板6通过从上方抽吸保持晶片W的表面。其后，压力板6上升以返回或移动到等待位置。因此，不必要为考虑晶片保持器50的缩回空间而在支承台8内设计抽吸孔，如同在传统装置的情形那样，其中晶片W放置在支承台8上，而晶片保持器50仍然保持住晶片下表面。即，支承台8和对齐工位7在设计通过抽吸保持晶片W中可以变化。

本发明不局限于前述的实施例，但可以修改如下：

(1)第一实施例已描述了采用压力板纠正晶片W的翘曲。取而代之，可将空气或类似气体喷射在晶片上，以非接触模式对其施加压力。即，在没有保护带粘贴在晶片W的表面的情形中，非接触压力的应用是理想的。

(2)第一和第二实施例已描述了一紫外线固化粘结带用作为保护带。在未使用这种紫外线固化粘结带的情形中，紫外线固化单元可以省略。

(3)在第一和第二实施例中，从分离机构30送出的安装框MF，在纠正其位置和方向之后，立即被安装框收集器37收集。在收集之后，可另外执行下列的步骤。

在认定印在晶片W上的制造商的系列号之后，表现为条形码形式的制造控制数的标签可以打印出并粘贴到晶片W上。

(4)在第一和第二实施例中，压力机构5构造为晶片传输机构3的一体的部分。这种结构不是限定的。压力机构5可以分离地设置，或可与对齐工位总合而成。

(5)在上述的第一和第二实施例中，在被压力板传输时，晶片上的图案保持面向上。相反，晶片的背面可保持面向上。

(6)在第二实施例中，晶片W仅通过压力板从装填式盒C传输到对齐工位7。取而代之，机械臂4的晶片保持器50和压力板6可将晶片W夹在其间进行传输。

(7)在第二实施例中，晶片W从装填式盒C中取出，通过压力板6传输到对齐工位7。取代采用装填式盒C，压力板6可直接传输晶片W，而通过抽吸将其压紧和保持，从前一步骤的一装置进行传输。

压力板可由晶片保持器50接纳和通过抽吸保持取自装填式盒C中的晶片W，并将晶片W传输到对齐工位7。

在装填式盒C中为防止弯曲，晶片W保持为受压的情形中，可仅由压力板6通过抽吸压迫和保持晶片W，而不必使用晶片保持器50。

(8)在第二实施例中，当压力板6通过抽吸保持装填式盒C中的晶片W时，可使用一压力计或类似物，如同在对齐工位7的情形，以确定晶片W是否被压力板6正常地保持。

本发明在不脱离其精神或主要特征的前提下，可以其它特定的形式实施，因此，为指明本发明的范围，应参照附后的权利要求，而不是参照前述的说明书。

Claims

1.一种用来传输半导体晶片的半导体晶片传输方法，所述方法包括：

一支承步骤，用来支承处于翘曲已经纠正的平面状态的半导体晶片以及对齐所述翘曲已经纠正的半导体晶片；以及

一传输步骤，用来传输以平面状态支承的所述的半导体晶片。

2.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，所述支承步骤是一压迫所述半导体晶片的表面且通过抽吸保持处于平面状态的所述半导体晶片的步骤。

3.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，在所述支承步骤中，半导体晶片被一对齐器对齐，由一压力装置施加的压力来纠正翘曲。

4.如权利要求3所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，在所述支承步骤中，当对齐器通过抽吸保持半导体晶片时，压力装置释放半导体晶片。

5.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，在晶片保持处于在所述的支承步骤中翘曲已经纠正的平面状态时，半导体晶片的表面受到紫外线的辐照。

6.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，还包括一接纳步骤，用来使单个的保持装置接触以平面状态传输的半导体晶片，并接纳由所述的保持装置通过抽吸所保持的半导体晶片。

7.如权利要求6所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，保持平面状态的半导体晶片通过移动对齐器而传输。

8.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，还包括一加压步骤，使用一加压装置，一机械臂保持半导体晶片，并抽吸、接纳和传输处于翘曲已纠正的状态的半导体晶片。

9.如权利要求8所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，由所述机械臂传输的半导体晶片被加压装置接纳。

10.如权利要求8所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，所述加压装置从保持半导体晶片的机械臂中接纳半导体晶片，半导体晶片处在多层储存所述半导体晶片的一装填式盒中。

11.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，还包括一传输所述半导体晶片的步骤，半导体晶片夹在用来保持半导体晶片的机械臂与用来压迫半导体晶片的压力装置之间。

12.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，还包括一传输半导体晶片的步骤，通过一压力装置压迫半导体晶片以纠正翘曲，并通过抽吸保持半导体晶片。

13.如权利要求12所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，在压力装置通过抽吸保持半导体晶片的情况下，半导体晶片在不同的处理装置之间传输。

14.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，所述半导体晶片通过抽吸而被保持，至少在周缘部分和一中央部分被压迫。

15.如权利要求1所述的半导体晶片传输方法，其特征在于，所述半导体晶片具有一预先粘贴在其表面的保护带。

16.一种用来传输半导体晶片的半导体晶片传输装置，所述装置包括：

一支承台，用来支承和通过抽吸保持所述半导体晶片；

一压力装置，用来压迫支承在所述支承台上的半导体晶片的表面；

一传输装置，用来传输被所述支承台压迫和通过抽吸保持的半导体晶片；以及

一接纳装置，用来接纳由所述传输装置传输的半导体晶片，在通过抽吸保持半导体晶片的同时，接纳半导体晶片。

17.如权利要求16所述的半导体晶片传输装置，其特征在于，还包括一检测装置，用来检测放置在所述支承台上的半导体晶片的翘曲。

18.如权利要求16所述的半导体晶片传输装置，其特征在于，所述传输装置是一用来对齐半导体晶片的对齐器。

19.如权利要求16所述的半导体晶片传输装置，其特征在于，所述压力装置是一用来通过抽吸保持半导体晶片的抽吸装置。

20.如权利要求16所述的半导体晶片传输装置，其特征在于，还包括从多层储存半导体晶片的装填式盒中取出，或者取出并传输半导体晶片的机械臂。

21.如权利要求20所述的半导体晶片传输装置，其特征在于，还包括一控制器，当半导体晶片从所述压力装置传输到对齐器，以通过压力装置控制半导体晶片的释放，以及控制通过抽吸保持半导体晶片的对齐器的时间时，上述控制器进行操作。