JP6087669B2 - 基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの高集積化に伴い、回路パターンの多層化が進んでいる。このように回路パターンの多層化が進むと、ウエハなどの基板上に回路パターンを積層していくため、積層中に発生した歪みが蓄積して基板に反りが生じてしまう。

このように基板に反りが生じていると、リソグラフィ装置により基板にパターンを転写する際に基板ステージが基板を正常に保持できない。その結果、例えば、転写シーケンスが停止してしまったり、基板と原版とを高精度にアライメントできなかったりといった問題が生じうる。そこで、押圧部材によって基板の周辺部を基板ステージに押圧することにより、基板の反りを低減させる方法が提案されている（特許文献１および２参照）。

特開２００１−２８４４３４号公報 特開２００３−２３４３９２号公報

近年、リソグラフィ装置は、基板と原版とのアライメントを短時間で行うため、基板を基板ステージに配置する際に、基板上のパターンが形成された領域の中心を検出するプリアライメントを行い、当該領域の中心を基板ステージの基準点に一致させている。しかしながら、このようなリソグラフィ装置において、当該領域の中心と基板の中心との間でずれが生じている場合、そのずれを考慮しないと基板の周辺部を押圧部材によって基板ステージに押圧することができなくなる。その結果、基板の反りを低減させることが不十分になってしまいうる。

そこで、本発明は、基板ステージに配置された基板の反りを低減させる上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての基板処理装置は、基板の反りを低減させる処理を行う基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージと、前記基板の周辺部を前記基板ステージに押圧するように形成された部分を有する押圧部材と、基板上のパターンが形成された領域の中心と前記基板の中心とのずれを示す情報を取得する取得部と、制御部と、を含み、前記制御部は、前記押圧部材の前記部分が前記基板の周辺部を押圧するように、前記取得部により取得された前記情報に基づいて前記基板ステージと前記押圧部材との相対位置を制御する、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、基板ステージに配置された基板の反りを低減させる上で有利な技術を提供することができる。

第１実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。 第１実施形態の基板処理装置を示す模式図である。 基板送り込み用ハンドがピンに基板を受け渡す処理を説明するための図である。 押圧部材を示す図である。 基板の反りを低減する際における、押圧部材と基板ステージとの位置関係を上から見た模式図である。 基板の反りを低減させる処理を説明するための図である。 パターン領域の中心と基板の中心とのずれについて説明するための図である。 パターン領域の中心と基板の中心とのずれについて説明するための図である。 パターン領域の中心と基板の中心とのずれについて説明するための図である。 パターン領域の中心と基板の中心とが一致していない基板において、当該基板上に配置された複数のマークの位置関係を示す図である。 互いに異なる複数のレイヤ間で共通の情報を用いることを説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。本発明は、基板ステージに吸着保持されている基板の反りを低減させる処理を行う基板処理装置に適用可能である。そして、本発明を適用した基板処理装置は、例えば、露光装置や描画装置、インプリント装置など、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置に適用されうる。以下に示す実施形態では、基板を露光する露光装置で説明する。また、基板チャックは、基板を真空吸着する真空吸着チャックに限らず、基板を静電吸着する静電吸着チャックでもよい。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００とそれに含まれる基板処理装置５０とについて、図１および図２を参照しながら説明する。まず、第１実施形態の露光装置１００について図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００の概略構成を示す図である。図１では、後述する基板処理装置５０については記載を省略している。図１に示すように、露光装置１００は、光源およびシャッタを有する照明系１と、回路パターンが形成されたマスク２を保持するマスクステージ３と、投影光学系（投影露光レンズ）５と、ウエハ（基板９）を基板チャック８を介して保持する基板ステージ６とを含む。基板ステージ６は、露光する対象となる基板９を搭載してＸ方向およびＹ方向に移動可能に構成されている。また、露光装置１００は、マスク位置計測器４と、レーザ干渉計７と、オートフォーカスユニット１０と、アライメントスコープ２６と、ウエハＺ駆動機構（不図示）とを含む。マスク位置計測器４は、マスクステージ３に保持されたマスク２の位置を計測する。レーザ干渉計７は、レーザ光を基板ステージ６に設けられた反射板（不図示）に照射し、反射板で反射されたレーザ光を検出することにより、基板ステージ６とレーザ干渉計７との距離から基板ステージ６の位置を計測する。オートフォーカスユニット１０は、基板９の被露光面に光を照射し、反射された光を検出することにより基板９の被露光面におけるピント位置を計測する。アライメントスコープ２６は、マスク２に形成されたパターンと基板上に形成されたパターンとの位置合わせ（アライメント）を行うため、基板上のパターンが形成された領域における複数のマーク（アライメントマーク）の各々を検出する。

次に、露光装置１００に含まれる基板処理装置５０について図２を参照しながら説明する。図２は、基板処理装置５０を示す模式図であり、基板処理装置５０は、基板９の搬送、基板９の反りを低減させる処理、基板上における複数のマークを検出する処理、および基板９の中心を検出する処理を行う。図２には、扉３１を有するチャンバ３０と、基板チャック８と３つのピン１１ａ〜１１ｃとを有する基板ステージ６と、プリアライメント部１３と、制御部１５と、取得部４１と、吸着力計測部４３を有する吸着力制御部４２とが示されている。また、図２には、基板搬入ステーション１６と、基板搬出ステーション１７と、基板搬送用ハンド１４と、基板送り込み用ハンド１２と、ロボットハンド２３とが示されている。ここで、図２に三角で示された基板回収位置１８、基板供給位置１９およびメンテナンス位置２０は、それぞれの処理が実行される基板ステージ６の位置を示している。

チャンバ３０は、露光環境を一定の温度および湿度に維持する。基板ステージ６は、基板チャック８を介して、投影光学系５の下部で基板９を真空吸着により保持する。基板ステージ６（基板チャック８）による基板９の保持は、基板ステージ６が基板９を保持する際の吸着力を制御する吸着力制御部４２により制御される。そして、吸着力制御部４２は、基板ステージ６が基板９を保持する際の吸着力を計測する吸着力計測部４３を含む。３つのピン１１ａ〜１１ｃは、基板チャック８に基板９を受け渡す際、基板９と基板チャック８との間に基板搬送用ハンド１４を挿入させることができるように基板９と基板チャック８との間の距離を変化させる。基板ステージ６は、基板９と基板チャック８とピン１１ａ〜１１ｃとを一体でＸ方向およびＹ方向に移動することができる。基板搬入ステーション１６には、露光処理がされていない基板９がチャンバ３０の外部から搬入されて配置される。基板搬出ステーション１７には、露光処理がなされた基板９が配置され、チャンバ３０の外部に搬出されることを待機する。プリアライメント部１３は、露光処理に先立って基板９のプリアライメントを行う。制御部１５は、露光装置１００を制御するコンピュータであって、ユーザインターフェース３２と電気的に接続されており、ＣＰＵとメモリーとを含むように構成されている。制御部１５は、１台のコンピュータによって構成されていてもよいし、複数のコンピュータにより構成されていてもよい。

基板搬送用ハンド１４は、基板搬入ステーション１６に搬入された基板９をプリアライメント部１３まで搬送する。また、基板搬送用ハンド１４は、露光処理がなされてピン１１ａ〜１１ｃ上に配置された基板を基板回収位置１８で受け取り、基板搬出ステーション１７まで搬送する。基板送り込み用ハンド１２は、プリアライメント部１３によってプリアライメントされた基板９を基板供給位置１９まで搬送し、基板チャック８から突出したピン１１ａ〜１１ｃ上に受け渡す。第１実施形態では、ピン１１ａ〜１１ｃを停止させた状態で基板チャック８（基板ステージ６）を上下移動させることにより、基板チャック８からピン１１ａ〜１１ｃを突出させている。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、基板チャック８を停止させた状態でピン１１ａ〜１１ｃを上下移動させることにより、基板チャック８からピン１１ａ〜１１ｃを突出させてもよい。

ここで、基板送り込み用ハンド１２が、基板ステージから突出したピン１１ａ〜１１ｃに基板９を受け渡す処理について、図３を参照しながら説明する。図３は、基板送り込み用ハンド１２がピン１１ａ〜１１ｃに基板９を受け渡す処理を説明するための図であり、図３（ａ）〜（ｄ）は、基板送り込み用ハンド１２とピン１１ａ〜１１ｃとにおける動きを時系列に示している。図３（ａ）では、制御部１５は、基板送り込み用ハンド１２に基板９を保持させながら、当該基板９を基板ステージ６から突出したピン１１ａ〜１１ｃの上方に移動させる。このとき、基板ステージ６は、基板供給位置１９に配置されている。図３（ｂ）では、制御部１５は、基板９を保持する基板送り込み用ハンド１２を下降させ、基板送り込み用ハンド１２からピン１１ａ〜１１ｃ上に基板９を配置させる。図３（ｃ）では、制御部１５は、基板送り込み用ハンド１２がピン１１ａ〜１１ｃに基板９を受け渡した後、基板送り込み用ハンド１２を退避させる。これにより、基板送り込み用ハンド１２がピン１１ａ〜１１ｃに基板９を受け渡す処理が終了し、図３（ｄ）に示すように、基板９がピン１１ａ〜１１ｃ上に配置される。

ロボットハンド２３は、基板チャック８において基板９の吸着不良がある場合、基板９を基板ステージ６（基板チャック８）に押圧して基板９の吸着不良を回復させる押圧部材２４を搬送する。基板チャック８における基板９の吸着不良は、例えば、吸着力計測部４３により計測された吸着力（基板チャックが基板を保持する際の力）が許容範囲内にあるか否かに基づいて、制御部１５において判断される。制御部１５は、吸着力計測部４３により計測された吸着力が許容範囲内にある場合には、基板チャック８における基板の吸着不良がないと判断し、一方で、吸着力が許容範囲内にない場合には基板チャック８における基板の吸着不良があると判断する。また、押圧部材２４は、基板９の反りを低減させるように基板９を基板ステージ６（基板チャック８）に押圧するための部材であり、ロボットハンド２３によって移動される。図４は、押圧部材２４を示す図であり、図４（ａ）は押圧部材２４の断面図（図４（ｂ）の点線ａ−ｂにおける断面図）を示し、図４（ｂ）は押圧部材２４を上から見た図を示す。押圧部材２４は、図４に示すように、基板９の周辺部を基板ステージ６に押圧するように−Ｚ方向に突起した部分２５を有する。この部分２５は、基板９の周辺部のみに接触するように、即ち、基板上のパターンが形成された領域（以下、パターン領域）に接触しないようにリング状に形成されている。第１実施形態における押圧部材２４の部分２５は、リング状に形成されているが、それに限られるものではなく、例えば、基板の周辺部の複数箇所に接触するように分割して形成されていてもよい。また、半導体デバイスの製造においては、生産性（スループット）を向上させるために、基板９に対してパターン領域を大きくする必要がある。したがって、押圧部材２４の部分２５が接触する基板上の領域を小さくする必要があり、押圧部材２４は、基板９に接触する部分２５の幅が狭くなるように形成される。

ここで、押圧部材２４により基板９の反りを低減させる処理について図５および図６を参照しながら説明する。図５は、基板ステージ６に配置された基板９の反りを低減する際における、押圧部材２４と基板ステージ６との位置関係を上から見た模式図であり、図５（ａ）および（ｂ）は、押圧部材２４（ロボットハンド２３）および基板ステージ６の動きを時系列に示している。図３（ｄ）で示したように基板９が基板ステージ６に配置された後では、押圧部材２４と基板ステージ６とは図５（ａ）に示す位置関係にある。このとき、基板チャック８において基板９の吸着不良があるか否かが制御部１５において判断される。そして、基板チャック８において基板９の吸着不良がある場合、基板ステージ６がメンテナンス位置２０に移動し、ロボットハンド２３がメンテナンス位置２０に配置された基板ステージ６の上方に押圧部材２４を移動させる。このとき、基板ステージ６と押圧部材２４とは図５（ｂ）に示す位置関係となり、この位置関係において基板９の反りを低減させる処理が実行される。

図６は、基板９の反りを低減させる処理を説明するための図であり、図６（ａ）〜（ｅ）は、基板ステージ６（ピン１１ａ〜１１ｃ）と押圧部材２４（ロボットハンド２３）との動きを時系列に示している。ここで、図６では、押圧部材２４の部分２５は図示を省略している。図６（ａ）では、図３（ｄ）で示したように基板９がピン１１ａ〜１１ｃ上に配置された後、制御部１５は、基板チャック８をＺ方向に移動させることにより基板９を基板チャック８に保持させる。このとき、基板ステージ６と押圧部材２４との位置関係は図５（ａ）に示すとおりであり、制御部１５は、基板チャック８に基板９を吸着させ、吸着不良があるか否かを判断する。図６（ｂ）では、制御部１５は、基板チャック８において基板９の吸着不良があった場合、基板ステージ６をメンテナンス位置２０に移動させ、ピン１１ａ〜１１ｃを基板チャック８から突出させて基板９を基板チャック８から離す。図６（ｃ）では、制御部１５は、基板９の上方に押圧部材２４を移動させるようにロボットハンド２３を制御し、基板チャック８を上昇させる。このとき、基板ステージ６と押圧部材２４との位置関係は図５（ｂ）に示すとおりである。図６（ｄ）では、制御部１５は、基板チャック８を上昇させ、押圧部材２４と基板チャック８との間に基板９を挟み込ませる。このとき、基板チャック８ではその全体で基板９を吸着するように制御されているため、押圧部材２４と基板チャック８との間に基板を挟み込むことより、基板９の反りが低減した状態で維持させることができる。図６（ｅ）では、制御部１５は、基板チャック８を下降させ、押圧部材２４を待機位置に移動させるようにロボットハンド２３を制御する。これにより、基板９の反りを低減させることができると共に、基板チャック８における基板９の吸着不良を回復させることができる。

近年、露光装置は、基板９とマスク２とのアライメントを短時間で行うため、基板９を基板ステージ６に配置する際に、基板上のパターンが形成された領域の中心を基板ステージ６の基準点（基板チャック８の中心）に一致させている。しかしながら、このような露光装置においては、一般に基板ステージ６の基準点（基板チャック８の中心）を基準として、即ち、基板ステージ６の基準点と押圧部材２４の中心とが一致するように、押圧部材２４により基板９を押圧している。そのため、基板上のパターンが形成された領域（以下、パターン領域）の中心と基板９の中心との間でずれが生じている場合、そのずれを考慮しないと基板９の周辺部を押圧部材２４によって基板ステージ６に押圧することができなくなる。その結果、基板９の反りを低減させることが不十分になってしまいうる。そこで、第１実施形態の露光装置１００は、パターン領域の中心と基板９の中心とのずれを考慮して、押圧部材２４の部分２５により基板９の周辺部を基板ステージ６に押圧する。これにより、当該ずれが生じている基板９であっても、基板９の反りを効果的に低減させ、基板チャック８における基板９の吸着不良を回復させることができる。ここで、パターン領域の中心と基板９の中心とのずれについて、図７と図８とを参照しながら説明する。

図７（ａ）は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とが一致している基板９、即ち、パターン領域２２の中心と基板９の中心とにずれが生じてない基板９をＺ方向から見た図である。ここで、基板９の外形に沿って斜線で示された部分が、基板９の周辺部２１であり、この部分を押圧部材２４の部分２５によって基板チャック８（基板ステージ６）に押圧することにより、効果的に基板の反りを低減させることができる。上述したように、露光装置１００は、基板９を基板ステージ６（基板チャック８）に配置する際に、パターン領域２２の中心を基板チャック８の中心に一致させている。そのため、図７（ａ）に示す基板９を基板チャック８上に配置した場合、図７（ｂ）に示すように、パターン領域２２の中心と、基板９の中心と、基板チャック８の中心とを一致させることができる。この場合、押圧部材２４により基板９を押圧する際に基板チャック８の中心を基準としていても、基板９の周辺部２１を押圧部材２４の部分２５により押圧することができる。しかしながら、装置誤差やアライメント誤差などの各種誤差により、パターン領域２２の中心と基板９の中心とがずれていることが多く、最大２ｍｍのずれが生じてしまうこともある。

図８（ａ）は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とが一致していない基板９、即ち、パターン領域２２の中心と基板９の中心との間にずれが生じている基板９をＺ方向から見た図である。ここで、基板９の外形に沿って斜線で示された部分は、図７と同様に、基板９の周辺部２１であり、この部分を押圧部材２４の部分２５によって基板チャック８（基板ステージ６）に押圧することにより、効果的に基板９の反りを低減させることができる。上述したように、露光装置１００は、基板９を基板ステージ６に配置する際に、パターン領域２２の中心を基板チャック８の中心に一致させている。そのため、図８（ａ）に示す基板９を基板チャック８上に配置した場合、図８（ｂ）に示すように、パターン領域２２の中心と基板チャック８の中心とを一致させることができるものの、基板９の中心と基板チャック８の中心とを一致させることができない。この場合、押圧部材２４により基板９を押圧する際に基板チャック８の中心を基準としてしまうと、図９（ａ）に示すように、基板９の周辺部２１を押圧部材２４の部分２５により押圧することができなくなる。その結果、基板９の反りを低減させることが不十分になってしまいうる。そのため、第１実施形態の露光装置１００は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれを示す情報を取得する取得部４１を含む。そして、露光装置１００は、取得部４１で取得された情報に基づいて、当該ずれ量だけ押圧部材２４を移動させるようにロボットハンド２３を制御部１５により制御する。これにより、図９（ｂ）に示すように、基板９の周辺部２１を押圧部材２４の部分２５により押圧することができ、基板９の反りを効果的に低減させることができる。ここで、第１実施形態の露光装置１００は、取得部４１取得したずれ量だけロボットハンド２３により押圧部材２４を移動させているが、それに限られるものではなく、押圧部材２４と基板ステージ６との相対位置を変化させればよい。例えば、取得したずれ量だけ基板ステージ６を移動させてもよいし、押圧部材２４および基板ステージ６の両方を移動させてもよい。

取得部４１において取得される、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれを示す情報について説明する。パターン領域２２の中心および基板９の中心は、例えば、プリアライメント部１３においてそれぞれ検出される。プリアライメント部１３は、パターン領域２２の中心を計測する計測部と、基板９の中心を検出する検出部とを含みうる。計測部は、パターン領域２２に形成された複数のマーク（例えば、プリライメントマーク）を光学的に検出して、パターン領域２２の中心を計測する。図１０は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とが一致していない基板において、当該基板上に配置された複数のマークの位置関係を示す図である。複数のマークは、例えば図１０に示すように、パターン領域２２内に形成されており、パターン領域２２の中心に対して対称に配置されるように設計されている。第１実施形態では、パターン領域に４つのマークＡ１〜Ａ４が形成されており、パターン領域２２の中心に対して対称に配置されるように設計されている。そのため、計測部により複数のマーク（Ａ１〜Ａ４）を検出し、それらの位置関係を取得することでパターン領域２２の中心Ｃ２を計測することができる。また、検出部は、基板９を回転させて当該基板９の中心Ｃ１を検出する。検出部は、例えば、基板９の外周端が一定の位置を保つように基板９を回転させることにより当該基板９の中心Ｃ１を検出させてもよいし、基板９を回転させながら基板の外周端をレーザー光などで検出することにより当該基板９の中心Ｃ１を検出させてもよい。

取得部４１は、パターン領域２２の中心Ｃ２を計測部における計測結果から取得し、基板９の中心Ｃ１を検出部における検出結果から取得する。これにより、取得部４１は、パターン領域２２の中心Ｃ２と基板９の中心Ｃ１とのずれを示す情報を取得することができる。当該ずれは、図１０に示す基板９においては、パターン領域２２の中心Ｃ２と基板の中心Ｃ１とのＸ方向およびＹ方向における各々のずれ成分を含むが、実際にはノッチと呼ばれる基板９の中心を基準とした回転ずれ成分も含みうる。このようなノッチは、押圧部材２４により基板９を押圧する際に押圧部材２４や基板ステージ６の移動によって補正してもよいし、基板供給位置１９で基板９を基板ステージ６に配置する際に補正してもよい。ここで、第１実施形態では、取得部４１は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とを、露光装置１００（基板処理装置５０）内における計測部と検出部からそれぞれ取得したが、それに限られるものではない。例えば、パターン領域２２の中心と基板９の中心とを、露光装置１００の外部で計測（検出）し、その結果を取得部４１が取得するように構成してもよい。

上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれを示す情報を取得する取得部４１を含む。そして、露光装置１００は、取得部４１で取得された情報に基づいて、当該ずれ量だけ押圧部材２４を移動させるようにロボットハンド２３を制御部１５により制御する。これにより、基板９の周辺部２１を押圧部材２４の部分２５により押圧することができ、基板９の反りを効果的に低減させることができる。

ここで、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれは、同一条件で製造された複数の基板間では同じになることが判明している。そのため、当該ずれを示す情報は、製造プロセスごとに管理される露光レシピパラメータとして取得部４１により取得され、制御部１５に蓄積（記憶）されてもよい。このように、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれを示す情報を製造プロセスごとに制御部１５に記憶することにより、同じ露光レシピを使用して処理される露光プロセスでは、同一の情報を使用することができる。そのため、露光装置１００の生産性（スループット）を向上させることができる。

また、パターン領域２２の中心と基板９の中心とのずれは、同一基板上に重ねて形成される互いに異なるレイヤ（パターン）においても同一となる。即ち、当該ずれを示す情報は、第１レイヤを形成する際に確定される。そのため、基板上に互いに異なる複数のレイヤ（パターン）を重ねて形成する場合において当該基板の反りを低減させる際に、共通の情報を用いることができる。図１１は、互いに異なる複数のレイヤ間で共通の情報を用いることを説明するための図である。図１１に示すように、制御部１５は、第２レイヤ（第１パターン）を形成する際に取得部４１により取得された情報６０を、第３レイヤや第４レイヤなど、後続のレイヤ（第２パターン）を形成する場合において基板の反りを低減させる際にそのまま使用する。そして、制御部１５は、後続のレイヤ（第２パターン）を形成する場合において基板の反りを低減させる際に、押圧部材２４の部分２５が基板の周辺部を押圧するように基板ステージ６と押圧部材２４との相対位置を当該情報６０に基づいて制御する。このように、基板上に形成される互いに異なる複数のレイヤ間で共通の情報６０を用いることができるため、露光装置１００の生産性（スループット）を向上させることができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（露光装置）を用いてパターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工（現像）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Claims (11)

1. 基板の反りを低減させる処理を行う基板処理装置であって、
   前記基板を保持する基板ステージと、
   前記基板の周辺部を前記基板ステージに押圧するように形成された部分を有する押圧部材と、
   基板上のパターンが形成された領域の中心と前記基板の中心とのずれを示す情報を取得する取得部と、
   制御部と、
   を含み、
   前記制御部は、前記押圧部材の前記部分が前記基板の周辺部を押圧するように、前記取得部により取得された前記情報に基づいて前記基板ステージと前記押圧部材との相対位置を制御する、ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板は、前記領域の中心が前記基板ステージの基準点に一致するように前記基板ステージに配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板ステージが前記基板を保持する際の吸着力を計測する計測部を含み、
   前記制御部は、前記計測部により計測された吸着力が許容範囲内にないときに、前記押圧部材の前記部分が前記基板の周辺部を押圧するように、前記取得部により取得された前記情報に基づいて前記基板ステージと前記押圧部材との相対位置を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板を回転させて当該基板の中心を検出する検出部を含み、
   前記取得部は、前記検出部における検出結果を用いて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記領域に形成された複数のマークを検出して、当該領域の中心を計測する計測部を含み、
   前記取得部は、前記計測部における計測結果を用いて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記情報は、前記基板上に前記パターンを形成する際に前記取得部により取得され、前記制御部に蓄積される、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記基板上に形成された第１パターンに重ねて第２パターンを形成する際に、前記基板上に前記第１パターンを形成する際に前記取得部により取得された前記情報に基づいて、前記押圧部材の前記部分が前記基板の周辺部を押圧するように前記基板ステージと前記押圧部材との相対位置を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記押圧部材の前記部分は、前記基板の周辺部を押圧するようにリング状に形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記押圧部材の前記部分は、前記基板の周辺部の複数箇所を押圧するように形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の基板処理装置を含み、
    前記基板は、前記基板処理装置により反りが低減されている、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
11. 請求項１０に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを前記基板に形成するステップと、
    前記ステップでパターンが形成された前記基板を加工するステップと、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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