JP6278833B2 - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6278833B2 JP6278833B2 JP2014105667A JP2014105667A JP6278833B2 JP 6278833 B2 JP6278833 B2 JP 6278833B2 JP 2014105667 A JP2014105667 A JP 2014105667A JP 2014105667 A JP2014105667 A JP 2014105667A JP 6278833 B2 JP6278833 B2 JP 6278833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sample shot
- unit
- stage
- detection unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
Description
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。露光装置100は、例えば、照明光学系11と、投影光学系12と、マスクステージ13と、基板ステージ14と、検出部15と、制御部16とを含みうる。制御部16は、例えば、CPUやメモリなどを含み、マスク1に形成されたパターンを基板2に転写する処理(基板2を露光する処理)を制御する。
(条件1)基板2の中心より気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域2bについては第1計測部4に近い方から先に検出部15による検出を行う。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板にパターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (13)
- 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、
前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、
前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように決定する制御部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記制御部は、前記基板上における各サンプルショット領域の配置を示す情報を取得し、当該情報を用いて前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記基板上における各サンプルショット領域の座標を示す情報を取得し、当該情報を用いて前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記発生部は、前記計測部から射出される光の方向と交差する方向に沿った前記気体の流れを前記空間に発生させるように前記気体を噴射する噴射部を含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件と、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために要する時間を許容時間より短くする条件とを満たすように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件と、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために前記ステージを移動させる距離を許容値より短くする条件とを満たすように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板は、前記パターンがそれぞれ形成される複数のショット領域を有し、
前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件を満たした上で、前記検出部による検出を終了してから各ショット領域への前記パターンの形成を開始するまでの間における前記ステージの移動量が最も短くなるように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記基板を前記ステージ上に搬送する搬送部を更に含み、
前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件を満たした上で、前記搬送部によって前記基板が前記ステージ上に搬送されてから前記検出部による検出を開始するまでの間における前記ステージの移動量が最も短くなるように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記計測部は、前記ステージに光を照射し、前記ステージで反射した光に基づいて前記ステージの位置を計測する、ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記計測部は、干渉計であることを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、
前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、
複数のモードの中から選択されたモードに応じて、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を決定する制御部と、
を含み、
前記複数のモードは、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように前記順番を決定する第1モードと、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために要する時間が許容時間より短くなるように前記順番を決定する第2モードとを含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - 基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの位置を計測する計測部と、前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部とを有し、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を決定する決定方法であって、
前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に位置の検出が行われるように前記順番を決定する、ことを特徴とする決定方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014105667A JP6278833B2 (ja) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
TW104114411A TWI637240B (zh) | 2014-05-21 | 2015-05-06 | 在基板上形成圖案的微影裝置、元件的製造方法及在微影裝置中決定檢測單元檢測樣本投射區域的次序的方法 |
KR1020150066548A KR101751593B1 (ko) | 2014-05-21 | 2015-05-13 | 리소그래피 장치, 결정 방법 및 물품의 제조 방법 |
US14/714,595 US9606456B2 (en) | 2014-05-21 | 2015-05-18 | Lithography apparatus, determination method, and method of manufacturing article |
EP15001489.2A EP2947512B1 (en) | 2014-05-21 | 2015-05-18 | Lithography apparatus, determination method, and method of manufacturing article |
CN201510257107.9A CN105093845B (zh) | 2014-05-21 | 2015-05-20 | 光刻装置、确定方法和产品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014105667A JP6278833B2 (ja) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015220447A JP2015220447A (ja) | 2015-12-07 |
JP2015220447A5 JP2015220447A5 (ja) | 2017-06-29 |
JP6278833B2 true JP6278833B2 (ja) | 2018-02-14 |
Family
ID=53181041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014105667A Active JP6278833B2 (ja) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9606456B2 (ja) |
EP (1) | EP2947512B1 (ja) |
JP (1) | JP6278833B2 (ja) |
KR (1) | KR101751593B1 (ja) |
CN (1) | CN105093845B (ja) |
TW (1) | TWI637240B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6333039B2 (ja) | 2013-05-16 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法 |
JP6315904B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
US10644239B2 (en) | 2014-11-17 | 2020-05-05 | Emagin Corporation | High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display |
US10386731B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-08-20 | Emagin Corporation | Shadow-mask-deposition system and method therefor |
TWI721170B (zh) * | 2016-05-24 | 2021-03-11 | 美商伊麥傑公司 | 蔽蔭遮罩沉積系統及其方法 |
JP7203194B2 (ja) | 2018-08-23 | 2023-01-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板サポート、リソグラフィ装置、基板検査装置、デバイス製造方法 |
JP7270417B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2023-05-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置の制御方法、インプリント装置、および物品製造方法 |
WO2021018627A1 (en) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a mark measurement sequence, stage apparatus and lithographic apparatus |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3365571B2 (ja) * | 1993-11-10 | 2003-01-14 | 株式会社ニコン | 光学式計測装置及び露光装置 |
JP4029181B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3013837B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2000-02-28 | 日本電気株式会社 | ステージ位置計測装置およびその計測方法 |
JP2000260827A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Towa Corp | 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法 |
KR101013347B1 (ko) | 2002-04-09 | 2011-02-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법 |
JPWO2004092865A1 (ja) | 2003-04-17 | 2006-07-06 | 株式会社ニコン | 選出方法、露光方法、選出装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005217092A (ja) | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Canon Inc | 半導体露光方法及び半導体露光装置 |
CN100498538C (zh) | 2004-05-17 | 2009-06-10 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
KR101228244B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2013-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP4614386B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2011-01-19 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法 |
CN102243441B (zh) | 2010-05-12 | 2015-06-17 | 上海微电子装备有限公司 | 温度控制装置、应用其的投影曝光装置及温度控制方法 |
-
2014
- 2014-05-21 JP JP2014105667A patent/JP6278833B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-06 TW TW104114411A patent/TWI637240B/zh active
- 2015-05-13 KR KR1020150066548A patent/KR101751593B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-18 EP EP15001489.2A patent/EP2947512B1/en active Active
- 2015-05-18 US US14/714,595 patent/US9606456B2/en active Active
- 2015-05-20 CN CN201510257107.9A patent/CN105093845B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2947512B1 (en) | 2022-03-23 |
CN105093845A (zh) | 2015-11-25 |
CN105093845B (zh) | 2018-03-23 |
JP2015220447A (ja) | 2015-12-07 |
TWI637240B (zh) | 2018-10-01 |
TW201544914A (zh) | 2015-12-01 |
EP2947512A2 (en) | 2015-11-25 |
US9606456B2 (en) | 2017-03-28 |
KR20150134270A (ko) | 2015-12-01 |
EP2947512A3 (en) | 2016-03-30 |
US20150338751A1 (en) | 2015-11-26 |
KR101751593B1 (ko) | 2017-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6278833B2 (ja) | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
KR102206936B1 (ko) | 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품의 제조 방법 | |
US10421219B2 (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
US10416553B2 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
KR101863987B1 (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 | |
US9946156B2 (en) | Imprint apparatus, method of manufacturing article and alignment apparatus | |
US10303069B2 (en) | Pattern forming method and method of manufacturing article | |
JP6391337B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 | |
US10031429B2 (en) | Method of obtaining position, exposure method, and method of manufacturing article | |
KR102410234B1 (ko) | 정보 처리 장치, 컴퓨터 프로그램, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법 | |
JP2018097151A (ja) | リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置 | |
CN110209016B (zh) | 曝光装置、曝光方法和制造物品的方法 | |
JP5734344B2 (ja) | 露光装置および物品の製造方法 | |
JP2016021440A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
US10108098B2 (en) | Lithography apparatus, control method therefor, and method of manufacturing article | |
JP2019179926A (ja) | パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法 | |
JP7317579B2 (ja) | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および、物品の製造方法 | |
JP2005167002A (ja) | マーク検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置 | |
JP2018081238A (ja) | 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170516 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180116 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6278833 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |