JP2006269867A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 先行するデバイス製造プロセスで発生したウエハの反り量をプロセスパラメータとしてロット毎またはロット内ウエハ毎に予め入力または計測する手段を設ける。また、ウエハの反り量に応じたウエハステージ105やウエハ搬入ハンド102、プリアライメントユニット103等の搬送系ロボットの駆動スピード、減圧値、減圧閾値等のパラメータの補正値を算出してデータベースを作成し、このデータベースをもとに、前記パラメータを切替えまたは設定する。
【選択図】図2
Description
また、ウエハが反った状態になっている場合には、ウエハチャック上のウエハに局所的なディストーションが発生し、AGA計測やスキャン露光に影響を与えるといった問題がある。
本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。
また、AGA計測に用いるアライメントマークの選択が基板の反り量に応じてできるようになり、AGA計測の精度が向上とともにフォーカスセンサによる基板表面の形状計測を行う必要がなくなるため、スループットが向上する。
すなわち、本発明の好ましい実施の形態に係る半導体露光装置は、プロセスで発生したウエハの反り量をプロセスパラメータとしてロット毎およびロット内ウエハ毎で計測または入力できることを特徴とする。
また、推定されたディストーション量および、または、ウエハ内でのディストーション発生位置をもとに、スキャン露光シーケンスによりディストーションを補正できるかを判断し、該ウエハのロットまたはロット内ウエハの処理を開始する前に処理の可否を通知する機構または、シーケンスを有することを特徴とする。
[実施例1]
図1は本発明の一実施例に係る半導体露光装置を示す図である。図1において、露光装置100は露光装置を構成する各装置を制御する制御部102、露光装置に露光条件等を入力するための入力部101、予め計測されたデータ等を記憶するための記憶部103等を備える。制御部102が制御する各装置としては例えば、ステージ装置、ウエハのパターン位置を計測するためのアライメント装置、ウエハを搬送するための搬送装置等が挙げられる。
まず、コーターデベロッパでウエハ上にレジストを塗布し(ステップ101)、その後ウエハはコーターデベロッパとウエハ搬送系間でのウエハ受け渡しを行うインラインユニットに保持される。
図4は本発明の第2の実施例に係るAGA計測に用いられる特定のサンプルショットのアライメントマークを示す図である。同図において、2はAGA計測で選択されたショット領域、3はその他のショット領域、4はアライメントパターン、1は半導体ウエハである。
AGA計測は特定のサンプルショットのアライメント情報により、ウエハ上のショットレイアウトを統計演算処理するために、いくつかのショット領域2のアライメントマーク4をステージ駆動により、ウエハアライメントスコープにより順次測定するものである。
次に、予め装置内の記憶部に記憶されているアライメント計測に影響を与えないディストーション量の閾値と推定されたショット領域毎のディストーション量を比較し、AGA計測に用いるアライメントマークをその閾値内に収まるショット領域から自動的に選択することで、ウエハの反り量に応じてAGA計測ができるようになる。ここで、AGA計測に用いるアライメントマークの数は任意の数(たとえば4つ)でよく、ディストーション量が少ない位置から選択しうる。また、反り量に応じて、反りによって生じるマークずれを補正することもできる。この場合には予め反り量とずれ量との関係を計測してデータベースとして記憶手段に記憶しておくとよい。
また、AGA計測に用いるアライメントマークの選択がウエハの反り量に応じてできるようになり、AGA計測の精度が向上とともにフォーカスセンサによるウエハ表面の形状計測を行う必要がなくなるため、スループットが向上する。なお、上述の構成は露光装置で用いられることが好ましいが、これに限定する必要はなく、その他のデバイス製造方法にも適用しうる。
次に、図2のフローで表されるシーケンスを搭載した露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図5は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
2:AGA計測で選択されたショット領域
3:ショット領域
4:アライメントパターン
100:露光装置
101:入力部
102:制御部
103:記憶部
L:ウエハ反り量
Claims (15)
- デバイス製造装置であって、
デバイスを構成するための基板の反りに基づいて製造に係る工程における条件を変更する変更手段を備えることを特徴とするデバイス製造装置。 - 前記基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の反り量に応じて前記搬送手段の搬送条件を変更するための情報を記憶する記憶手段と
を備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造装置。 - 前記基板の反り量と前記記憶手段に記憶された情報に基づいて、前記搬送手段が前記基板を搬送可能か否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって判断された結果を通知する通知手段と
を備えることを特徴とする請求項2に記載のデバイス製造装置。 - 前記デバイス製造装置は走査型露光装置であって、
前記基板の反り量に応じて、前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを補正する補正手段を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のデバイス製造装置。 - 前記補正手段は、前記基板の反り量に応じて前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定し、推定された結果に基づいて前記露光装置の走査条件を変更することを特徴とする請求項4に記載のデバイス製造装置。
- 前記デバイス製造装置は走査型露光装置であって、
前記基板の反り量に応じて、前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定する推定手段と、
前記推定手段の結果に基づいて、前記基板のディストーションが補正可能か否かを判断する補正判断手段と、
前記補正判断手段によって判断された結果を通知する補正通知手段と
を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のデバイス製造装置。 - 前記デバイス製造装置は走査型露光装置であって、
前記基板の反り量に応じて、前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定する推定手段と、
前記推定手段の結果に基づいて、前記露光装置のアライメントに用いる計測位置を選択する選択手段と
を備えることを特徴とする請求項1〜3の少なくともいずれかに記載のデバイス製造装置。 - 前記デバイス製造装置は露光装置であって、
前記露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と
を備えることを特徴とする請求項1〜7の少なくともいずれかに記載のデバイス製造方法。 - デバイス製造方法であって、
デバイスを構成するための基板を用意する工程と、
前記基板の反りに基づいて製造に係る工程における条件を変更する工程と
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。 - 前記基板の反り量に応じて前記基板を搬送する条件を変更する工程を備えることを特徴とする請求項9に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板の反り量に応じて前記基板を搬送可能か否かを判断する工程と、
判断された結果を通知する工程と
を備えることを特徴とする請求項9または10に記載のデバイス製造方法。 - 前記基板の反り量に応じて、前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを補正する工程を備えることを特徴とする請求項9〜11の少なくともいずれかに記載のデバイス製造方法。
- 前記基板の反り量に応じて前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定する工程と、
推定された結果に基づいて露光における走査条件を変更する工程と
を備えることを特徴とする請求項9〜12の少なくともいずれかに記載のデバイス製造方法。 - 前記基板の反り量に応じて前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定する工程と、
推定された結果に基づいて前記基板のディストーションが補正可能か否かを判断する工程と、
判断された結果を通知する工程と
を備えることを特徴とする請求項9〜14の少なくともいずれかに記載のデバイス製造方法。 - 前記基板の反り量に応じて前記基板のディストーション量およびディストーション位置の少なくともいずれかを推定する工程と、
推定された結果に基づいて、露光時のアライメントに用いる計測位置を選択する工程と
を備えることを特徴とする請求項9〜14の少なくともいずれかに記載のデバイス製造方法。
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